一种超低功耗电源检测电路的制作方法

文档序号:10533298
一种超低功耗电源检测电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种超低功耗电源检测电路,该电路包括电容C1、电阻R1、M1/M2/M3、及M4;其中,电容C1一端连接电源电压VDD,另一端连接地;电阻R1的一端连接VDD,另一端连接M1的漏极;M1的栅极连接VDD,源极连接M2的漏极,漏极连接电阻R1;M2的栅极连接自身的漏极,源极连接地,漏极连接到M1的源极。此电路解决了电路复杂、面积大、功耗大、断电后不能长时间保存数据等问题。
【专利说明】
一种超低功耗电源检测电路
技术领域
[0001]本发明属于电源检测的技术领域,特别涉及一种低功耗的电源检测电路。
【背景技术】
[0002]在半导体集成电路中,内置电源检测电路,用于检测电源电压的情况,如果电源电压过低小于检测值则输出相应信号,电子系统则根据此信号复位或者关闭系统;如果电源电压到达检测值则输出相应信号,电子系统则根据此信号开启。
[0003]如专利申请201520696767.2公开的一种印刷机电源检测电路,该印刷机电源检测电路,包括电源报警模块、检测电路,所述电源报警模块包括电源输入端J1、电铃U2、三极管Ql、三极管Q2,所述检测电路包括电容Cl、电容C2、电阻Rl、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、场效应管Q3、场效应管Q4、继电器K1、与门U1。其对于具体的电路实现方式,是通过电容、电阻和场效应管来实现的,存在着电路复杂,占用面积大,功耗大的缺陷。
[0004]再如图1所示,是现有的电源检测电路,由电容、分压电阻、基准电压产生电路、比较器组成,分压电阻对电源电压VDD进行分压,然后通过比较器COM与基准电压VREF比较,如果VDD减小到一定阈值,比较器输出VOUT为低电平;如果VDD在正常范围,比较器输出VOUT为高电平。此电路复杂,占用面积大,功耗大。
[0005]同时,在特定应用场合中,在VDD断电后,要求利用电容在较长时间内保持一定电压值,便于系统的数据寄存器保存数据。图1所示电路中,由于功耗较大,VDD断电后,很快将电容上的电荷放掉,直到VDD电压为零,这样导致系统的数据寄存器丢失数据。

【发明内容】

[0006]为解决上述问题,本发明的目的在于提供一种超低功耗电源检测电路,该电路解决了电路复杂、面积大、功耗大、断电后不能长时间保存数据等问题。
[0007]为实现上述目的,本发明的技术方案如下。
[0008]一种超低功耗电源检测电路,其特征在于该电路包括电容Cl、电阻Rl、M1/M2/M3、及M4;其中,电容CI 一端连接电源电压VDD,另一端连接地;电阻Rl的一端连接VDD,另一端连接Ml的漏极;Ml的栅极连接VDD,源极连接M2的漏极,漏极连接电阻Rl ;M2的栅极连接自身的漏极,源极连接地,漏极连接到Ml的源极;M3的栅极连接VA,源极连接地,漏极连接到M4的漏极;M4的栅极连接VA,源极连接VDD,漏极连接到M3的漏极。此电路解决了电路复杂、面积大、功耗大、断电后不能长时间保存数据等问题。
[0009 ] 所述VA为RI和MI的漏极连接节点,M2的漏极和MI的源极连接点为VB,M3和M4的漏极连接点为输出信号VOUT。
[0010]所述M1/M2/M3 为 NMOS 管,所述 M4 为 PMOS 管。
[0011]作用原理为:
[0012]电源电压VDD开始从O上升,NMOS管Ml、M2、M3的栅源电压未达到开启阈值均处于截止状态,PMOS管M4的栅源电压也未达到开启阈值处于截止状态,这时VA跟随VDD上升,而VB、VOUT均为低电平。
[0013]当电源电压VDD上升到大于Ml的开启阈值,Ml开始导通,M2未导通,M3也开始导通,而M4处于截止,这时VA继续跟随VDD上升,VB等于VDD减去Ml的开启阈值,VOUT继续保持低电平。
[0014]当电源电压VDD上升到大于Ml与M2开启阈值之和,Ml导通,M2导通,M3也导通,而M4仍处于截止,这时VA等于VDD减去电阻Rl的压降,VB等于VDD减去Ml的栅源电压,VOUT继续保持低电平。
[0015]当电源电压VDD继续上升,直到PMOS管M4导通且把VOUT上拉到高电平,这时Ml、M2、M3也均已导通,VA等于VDD减去电阻Rl的压降,VB等于VDD减去Ml的栅源电压。此时VDD即达至IJ 了电源检测值,由于VOUT输出高电平,其做连接的电子系统解除复位而开启。
[0016]电容Cl具有电源滤波作用以及存储电荷作用。当电源电压VDD断电后,由于电子系统的功耗,VDD电压下降。当VDD电压下降到电源检测值以下,PMOS管M4截止,而M1、M2、M3仍导通,这时VOUT被M3下拉到低电平,电子系统的其他电路关闭,只有所述的超低功耗电源检测电路仍然产生功耗。VDD电压继续下降到略小Ml与M2开启阈值之和,Ml、M2、M4均截止,M3仍然导通使得VOUT保持低电平,这时所述超低功耗电源检测电路全部支路无电流,电子系统的其他电路早已关闭。因此,电容CI上的电荷得以长时间保持,VDD电压长时间维持在略小Ml与M2开启阈值之和的水平,此电压可以保证电子系统中数据寄存器的数据得以保存。
[0017]所以,本发明所提供的超低功耗电源检测电路,构造简单,易于实现;通过电路的简单组合解决了现有电路复杂、面积大、功耗大、断电后不能长时间保存数据等问题。
【附图说明】
[0018]图1是现有技术所实施的电路图。
[0019]图2是本发明所实施的电路图。
【具体实施方式】
[0020]为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
[0021]请参照图2所示,为本发明所实施的超低功耗电源检测电路,该电路包括电容Cl、电阻Rl、NMOS 管 Ml /M2/M3、PMOS 管 M4。
[0022]其中,电容Cl一端连接电源电压VDD,另一端连接地。
[0023 ]电阻Rl的一端连接VDD,另一端连接Ml的漏极。
[0024]匪OS管MI的栅极连接VDD,源极连接M2的漏极,漏极连接电阻RI。RI和MI的漏极连接节点,即为VA。
[0025]NMOS管M2的栅极连接自身的漏极,源极连接地,漏极连接到Ml的源极。M2的漏极和Ml的源极连接点,即为VB。
[0026]NMOS管M3的栅极连接VA,源极连接地,漏极连接到M4的漏极。
[0027]PMOS管M4的栅极连接VA,源极连接VDD,漏极连接到M3的漏极J3和M4的漏极连接点,即为输出信号VOUT。
[0028]该电路工作时,电源电压VDD开始从O上升,此时,NMOS管Ml、M2、M3的栅源电压未达到开启阈值均处于截止状态,PMOS管M4的栅源电压也未达到开启阈值处于截止状态,这时VA跟随VDD上升,而VB、V0UT均为低电平。
[0029]当电源电压VDD上升到大于Ml的开启阈值,Ml开始导通,M2未导通,M3也开始导通,而M4处于截止,这时VA继续跟随VDD上升,VB等于VDD减去Ml的开启阈值,VOUT继续保持低电平。
[0030]当电源电压VDD上升到大于Ml与M2开启阈值之和,Ml导通,M2导通,M3也导通,而M4仍处于截止,这时VA等于VDD减去电阻Rl的压降,VB等于VDD减去Ml的栅源电压,VOUT继续保持低电平。
[0031]当电源电压VDD继续上升,直到PMOS管M4导通且把VOUT上拉到高电平,这时Ml、M2、M3也均已导通,VA等于VDD减去电阻Rl的压降,VB等于VDD减去Ml的栅源电压。此时VDD即达到了电源检测值,由于VOUT输出高电平,电子系统解除复位而开启。
[0032]由于电容Cl具有电源滤波作用以及存储电荷作用。当电源电压VDD断电后,由于电子系统的功耗,VDD电压下降。当VDD电压下降到电源检测值以下,PMOS管M4截止,而Ml、M2、M3仍导通,这时VOUT被M3下拉到低电平,电子系统的其他电路关闭,只有所述的超低功耗电源检测电路仍然产生功耗。VDD电压继续下降到略小Ml与M2开启阈值之和,Ml、M2、M4均截止,M3仍然导通使得VOUT保持低电平,这时所述超低功耗电源检测电路全部支路无电流,电子系统的其他电路早已关闭。
[0033 ]因此,电容Cl上的电荷得以长时间保持,VDD电压长时间维持在略小Ml与M2开启阈值之和的水平,此电压可以保证电子系统中数据寄存器的数据得以保存。
[0034]总之,本发明除了能够解决了现有电路复杂、面积大、功耗大、断电后不能长时间保存数据等问题外,其所实施的电路结构简单、易于实现。
[0035]以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超低功耗电源检测电路,其特征在于该电路包括电容Cl、电阻Rl、M1/M2/M3、及M4;其中,电容CI 一端连接电源电压VDD,另一端连接地;电阻RI的一端连接VDD,另一端连接Ml的漏极;Ml的栅极连接VDD,源极连接M2的漏极,漏极连接电阻Rl ;M2的栅极连接自身的漏极,源极连接地,漏极连接到Ml的源极;M3的栅极连接VA,源极连接地,漏极连接到M4的漏极;M4的栅极连接VA,源极连接VDD,漏极连接到M3的漏极。2.如权利要求1所述的超低功耗电源检测电路,其特征在于所述VA为Rl和Ml的漏极连接节点,M2的漏极和Ml的源极连接点为VB,M3和M4的漏极连接点为输出信号VOUT。3.如权利要求1所述的超低功耗电源检测电路,其特征在于所述M1/M2/M3为NMOS管,所述M4为PMOS管。
【文档编号】G01R31/40GK105891734SQ201610220445
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月11日
【发明人】陆让天
【申请人】芯海科技(深圳)股份有限公司
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