用于深度相机的vcsel阵列的制作方法
【专利摘要】公开了与包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备的飞行时间(TOF)深度相机有关的各实施例。在一个实施例中，TOF深度相机包括具有安装表面的热沉、安装在所述安装表面上的照明模块以及安装到所述安装表面的图像传感器。照明模块包括印刷电路板(PCB)、被配置为生成照明光来照明图像环境的VCSEL阵列设备以及被配置为将工作电流传递给VCSEL阵列设备的驱动器。VCSEL阵列设备和驱动器被安装到PCB。图像传感器被配置成检测从所述图像环境反射的照明光的至少一部分。
【专利说明】用于深度相机的VCSEL阵列
[0001 ] 背景
[0002]为了使用飞行时间(TOF)深度相机来适当地对相对大的环境(例如起居室)成像，具有高峰值功率和具有锐边定义的快速调制速度的近红外光源可以被使用。具体而言，高峰值功率可以提供足够的光以适当地照明整个环境。而且，具有锐边定义的快速调制速度可以提供对从所述环境返回的光的精确深度测量。
[0003]概述
[0004]公开了与包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备的飞行时间(TOF)深度相机有关的各实施例。在一个实施例中，TOF深度相机包括具有安装表面的热沉、安装在所述安装表面上的照明模块以及安装到所述安装表面的图像传感器。照明模块包括印刷电路板(PCB)、被配置为生成照明光来照明图像环境的VCSEL阵列设备以及被配置为将工作电流传递给VCSEL阵列设备的驱动器。VCSEL阵列设备和驱动器被安装到PCB。图像传感器被配置成检测从所述图像环境反射的照明光的至少一部分。
[0005]提供本概述以便以简化的形式介绍以下在详细描述中进一步描述的一些概念。本
【发明内容】
并不旨在标识所要求保护主题的关键特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保护主题的范围。而且，所要求保护的主题不限于解决该公开的任一部分中所注的任何或全部缺点的实现方式。
[0006]附图简述
[0007]图1示出根据本公开的一实施例在基台上芯片(chip-on-submount(CoS))配置中的垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备。
[0008]图2示意性地示出根据本公开的一实施例的VCSEL阵列设备的顶视图。
[0009]图3示意性地示出图2的VCSEL阵列设备的横截面图。
[0010]图4示意性地示出根据本公开的一实施例的飞行时间(TOF)深度相机。
[0011]图5示意性地示出根据本公开的另一实施例的TOF深度相机。
[0012]图6示意性地示出了图5的TOF深度相机的照明模块的顶视图。
[0013]图7显示根据本公开的一实施例的计算系统和自然用户输入(NUI)接口系统。
[0014]详细描述
[0015]本公开涉及包括垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备的飞行时间(TOF)深度相机。更具体而言，本公开涉及包括在一个封装中的VCSEL阵列设备以及相关联的驱动器电路的TOF深度相机，所述封装可以促进相对于其他TOF深度相机配置而言减少的工作温度和更低的电感。
[0016]图1示出根据本公开的一实施例在基台上芯片(CoS)配置中的VCSEL阵列设备100。VCSEL阵列设备100包括安装在基台104上的VCSEL芯片102 JCSEL芯片包括多个VCSEL发射器106。多个VCSEL发射器106中的每个独立地发射相干光并共同地无条理地对组合的光束做出贡献。具体而言，每个发射器将光强度取代场幅度来加入到光束。因此，可以增加照明均匀性特性(例如斑点噪声抑制、衍射伪像和莫尔条纹(Moirgfringes)的减少)，这可以简化通过在TOF深度相机中的某种强度分布将激光分布到视野中的照明光学器件的设计。
[0017]多个VCSEL发射器106可以被二维地安置在VCSEL芯片的光发射表面108上。多个VCSEL发射器106在垂直于光发射表面108的方向中发射光。多个VCSEL发射器106可以在设计上等同以简化VCSEL芯片的制造。但是，在不背离本公开的范围的情况下，一个或多个VCSEL发射器可以在尺寸或形状上改变。
[0018]将理解，多个VCSEL发射器可以以任何适当的方式被安置在光发射表面108上。在所示出的示例中，根据高效使用VCSEL芯片的表面积的六边形图案来安置所述多个VCSEL发射器。在另一个示例中，可以根据不同的图案来安置所述多个VCSEL发射器。在另一个示例中，可以任意地安置所述多个VCSEL发射器。
[0019]VCSEL芯片102被安装到基台104以便利于VCSEL芯片在TOF深度相机的印刷电路板(PCB)上的表面安装。基台104可以具有匹配VCSEL芯片102以帮助提供高度可靠的设备操作的热膨胀系数(CTE)。将理解所述基台由任意合适的热传导材料制成，以使热量从VCSEL芯片上耗散掉以便促进更低的工作温度。在一个示例中，VCSEL芯片包括砷化镓。在一个示例中，基台包括氮化铝。在基台中使用的材料的其他非限制性示例包括，但不局限于，硅和铜。
[0020]基台104包括可以将VCSEL芯片电连接到其的阳极110和阴极112。在所示实施例中，阳极110和阴极112位于基台104的同一侧上。电极和/或基台的顶面可以被金属化以便与VCSEL芯片电连接。具体而言，VCSEL芯片102可以例如通过结合处理被结合到阴极112。而且，构成阵列的所述多个VCSEL发射器可以通过多个结合线114平行地电连接到阳极110。在一些实施例中，所述电极(例如阳极和阴极)可以被定位在基台的相对侧上。例如，在其中基台是由铜制成的示例中，VCSEL芯片可以被直接连接到基台的表面上的阴极，并且所述VCSEL发射器阵列可以被电连接到基台的相对侧上的阳极。
[0021]出于几种原因，VCSEL阵列设备可以在在其他照明源之上的TOF深度相机中实现。例如，相对于多个发光二极管(LED)光源而言，VCSEL阵列设备可以以更高的转换效率提供更高的功率输出。VCSEL阵列设备的高功率输出对于适当地照明相对大的环境来说可以是有用的。相反，多个LED光源可能不能够适当地照明大的环境。而且，相对于多个LED光源的锐边定义，VCSEL阵列设备可以以高速的信号调制提供更锐边定义。锐边定义可以增加深度检测的精确性。相反，由于提供了更少锐边定义，多个LED光源可以具有减少的深度检测精确性。
[0022]在另一个示例中，多个边发射激光二极管(EELD)可以被用作TOF深度相机中的光源以实现期望的峰值功率和调制速度。然而，因为这些二极管沿边发射光，适当地使发射的光成形的光学器件的安排可以更加复杂且比VCSEL阵列设备的安排相对更不稳健。在一个特定示例中，由于安装面与发射面在同一平面内，EELD配置可以具有2度的发射光的指向误差。另一方面，具有平面表面、安装到平面表面和发射正交于安装面的光的VCSEL阵列设备可以具有大约0.5度的指向误差。相对于VCSEL配置而言，EELD配置可能需要要附加的光学器件以校正更大的指向误差。因此，这样的TOF深度相机的封装成本(且更具体而言为光学器件的成本)可能比包括VCSEL阵列设备的TOF深度相机的成本更高。
[0023]图2示意性地示出根据本公开的一实施例的VCSEL阵列设备200的顶视图。VCSEL阵列设备200中的可以与VCSEL阵列设备100的那些组件实质相同的各组件以相同方式来标识且不再进一步描述。然而，将注意到在本公开的不同实施例中以相同方式标识的各组件可以是至少部分不同的。
[0024]VCSEL阵列设备包括安装在基台204的同一侧上的VCSEL芯片202和多个焊盘206。所述多个焊盘206可以被用于将PCB电连接到VCSEL芯片202和/或物理地将PCB连接到基台204。具体而言，所述多个焊盘206可以便利于将VCSEL阵列设备200安装到PCB的下侧。换句话说，VCSEL阵列设备可以被定位在PCB之后，这样，VCSEL阵列设备在PCB和TOF深度相机中的热沉之间。在这样的配置中，VCSEL阵列设备可以通过延伸穿过PCB的一个开口发射光束。这种配置的一个示例在图5中示出，并在下面进一步详细描述。
[0025]图3示意性地示出图2的VCSEL阵列设备200的横截面图。VCSEL阵列设备可以可选地包括加固物层208 ο加固物层208可以被定位在基台204和TOF深度相机的热沉的安装表面之间。在脆弱的基台的情况下，可选的加固物层可以提供增加的支撑。而且，加固物层可以便利于在基台和在其上可以安装VCSEL阵列设备200的热沉之间的热传导。而且，加固物层可以减少在CoS封装中由CoS堆叠的热膨胀失配所导致的弯曲应力。将理解的是所述加固物层可以包括任何合适的热传导材料以将热从VCSEL阵列设备耗散到热沉。在一个示例中，加固物层包括铝。
[0026]图4示意性地示出根据本公开的一实施例的飞行时间(T0F)深度相机400。所述TOF深度相机可以被配置成从由照明光照明的图像环境中收集图像数据。TOF深度相机400包括具有安装表面404的热沉402。照明模块406和深度传感器模块408可以被安装到热沉402的安装表面404。照明模块406可以与安装表面404上的深度传感器模块408间隔开以允许在所述模块之间的空气流动，以便将热从所述模块耗散到热沉。而且，所述照明模块可与安装表面上的深度传感器模块间隔开一合适的距离以禁止杂散光从照明模块泄漏到深度传感器模块。在一些实施例中，在照明模块和深度传感器模块之间定位有壁皇以防止杂散光干扰深度传感器模块。
[0027]照明模块406包括PCB 410、VCSEL阵列设备412、驱动器418和扩散器421 JCB 410可以被直接安装到热沉402。将理解，PCB可包括任何合适的材料。例如，PCB可以由具有比2瓦特/(米-开尔文)更高热传导率的材料制成。在一个示例中，PCB包括相对于严格由更少的热传导材料制成的PCB而言具有增加的热传导率的金属核，诸如FR4。换句话说，由于PCB被直接安装到热沉，具有更高热传导率的PCB相对于具有更低热传导率的PCB而言，可以增加到热沉的热传递。
[0028]VCSEL阵列设备412可以被安装到PCB 410的表面，该表面与被安装到热沉402的表面相对。VCSEL阵列设备412可以被配置为生成照明光414以照明环境416。如上所述，VCSEL阵列设备可以以高转换效率提供高峰值功率输出以适当地照明环境。而且，VCSEL阵列设备可以以高速的信号调制产生锐边定义，所述锐边定义可以增加深度检测的精确性。在这样的配置中，边锐度可以与照明模块的电子组件的电感相关。具体而言，照明模块的电感的减少导致边锐度的增加。因此，驱动器418可以被安装到PCB 410并且通过PCB被电连接到VCSEL阵列设备412。通过将驱动器安装在具有VCSEL阵列设备的PCB上，这两个组件之间的距离相对于在其中驱动器被分开地安装在热沉上的配置而言可以被减少。因此，相对于在其中驱动器被分开安装的配置而言，可以减少电感。
[0029]在一个示例中，VCSEL芯片由砷化镓制成，并且驱动器由硅制成。这样，VCSEL芯片通过PCB被电连接到驱动器。在一些实施例中，驱动器可以是从砷化镓中制造的，并且所述驱动器和VCSEL芯片可以被安装在同一基台上。在这样的配置中，CoS可以具有相对于在其中VCSEL芯片和驱动器通过PCB被电连接的配置而言增加的工作温度和减少的电感。
[0030]驱动器418可以被配置为将工作电流传递给VCSEL阵列设备以为VCSEL阵列设备供电。具体而言，驱动器418可以被配置为接收经调制的输入信号420。驱动器可以用作传递经调制输入信号到VCSEL阵列设备的恒定电流源。VCSEL阵列设备可以将照明光作为脉冲串生成，所述脉冲串对应于经调制的输入信号。在一个示例中，VCSEL阵列设备将照明光作为每毫秒重复的至少100个微秒的脉冲的脉冲串生成。在另一个示例中，脉冲串可以包括在每毫秒重复的100-130个微秒之间的脉冲。在一个示例中，VCSEL阵列设备将照明光作为每毫秒重复的120个微秒的脉冲的脉冲串生成。将理解的是，VCSEL阵列设备可以以任何适当的调制速度生成照明光，而不背离本公开的范围。
[0031 ] VCSEL阵列设备412可以通过照明模块406的扩散器421发射非相干照明光束来将照明光扩散到环境416。扩散器将照明光扩散遍及所述环境以高效利用VCSEL阵列设备的光功率。由VCSEL阵列设备所提供的非相干光可以具有适当的照明均匀性特性(例如斑点噪声抑制、衍射伪像和莫尔条纹的减少)，这可以简化用于将激光分布到环境中的照明光学器件的设计(例如扩散器421)。
[0032]由照明模块406提供给环境416的光可以被环境中的对象(诸如对象422)反射回。深度传感器模块408可以被配置为接收从环境416返回的光(包括对象422反射回的光)。深度传感器模块408包括一个或多个透镜424、带通滤波器(BPF)426和图像传感器428。所述一个或多个透镜424可以被配置为引导返回的光通过带通滤波器426并到图像传感器428。图像传感器428可以被安装到热沉402。图像传感器428可以被配置成检测从所述图像环境反射的照明光的至少一部分。具体而言，每个传感器像素可以用作测距单元，通过将在该像素处的传入光(例如，主要是从所述环境反射的经调制的激光)生成的信号与经调制的输入信号420混合、产生反射光的相移(或时延)的信息，并因此产生从图像传感器428到环境416中的对象422的距离。
[0033]将理解，在VCSEL阵列设备的温度上的低波长移位(在近IR波长处与EELD的0.3nm/K相比而言对于VCSEL通常为0.06nm/K)可以与带通滤波器426有利地一起使用以在深度图像传感器处实现高信噪比(SNR)，同时在宽温度范围中工作。通过匹配VCSEL阵列设备和带通滤波器的波长，在维持期望的传感器SNR的同时照明功率等级可以被减少。这样的配置还可以被应用于具有多个被用于确定深度信息的成像传感器模块的TOF深度相机。
[0034]图5示意性地示出根据本公开的另一实施例的TOF深度相机500JOF深度相机500中的可以与TOF深度相机400的那些组件实质相同的各组件以相同方式来标识且不再进一步描述。然而，将注意到在本公开的不同实施例中以相同方式标识的各组件可以是至少部分不同的。
[0035]TOF深度相机500包括照明模块506，在其中VCSEL阵列设备512和驱动器518被安装在热沉502和PCB 510之间。具体而言，PCB 510具有定向为面对热沉502的安装表面504的第一侧530、与第一侧相对的第二侧532以及延伸穿过在第一侧和第二侧之间的PCB的开口534 JCSEL阵列设备512可以通过多个焊盘536被安装到PCB 510的第一侧530 JCSEL阵列设备512可以被配置为通过开口 534发射照明光。
[0036]而且，照明模块506可以包括被安装到热沉502的安装表面504的热接口材料和/或加固物层538 JCSEL阵列设备512和驱动器518可以被安装到热接口材料和/或加固物层538 ο热接口材料和/或加固物层538可以在这些组件和热沉之间提供高效热连接。
[0037]TOF深度相机500可以产生比利用EELD的TOF深度相机相对更少量的辐射发射，因为VCSEL设备具有由在PCB和热沉之间的VCSEL阵列设备的平坦安装所造成的低轮廓所导致的相对低的回线电感。相反，EELD可以具有更高的轮廓以允许发射边照明。而且，可以通过被夹在PCB和热沉之间的VCSEL阵列设备创建自然法拉第笼，所述自然法拉第笼也可以有助于减少VCSEL阵列设备的辐射发射。
[0038]图6示意性地示出了图5的TOF深度相机500的照明模块506的顶视图。驱动器518和VCSEL阵列设备512可以被定位在PCB 510之下。开口534的尺寸可以被调整为足够大以允许由VCSEL阵列所发射的光通过开口照耀而不受干扰。而且，开口的尺寸可以被调整为足够大以不与VCSEL芯片或任何结合线相干扰。
[0039]相对于如图5所示的TOF深度相机400而言，这样的配置可以在热沉和VCSEL阵列设备之间提供更高效的热连接。具体而言，来自VCSEL阵列设备的热可以被传送到热沉，而不流经PCB。进而，增加的热传送减少了激光结温度，这增加了 VCSEL阵列设备的工作效率。而且，这种配置允许在PCB的布局中的灵活性，减少了 VCSEL阵列设备的回线电感。因为热没有通过PCB传送到热沉，可以使用标准PCB材料(例如FR4)来取代更加昂贵的热传导PCB材料。例如，PCB可以由具有比2瓦特/ (米-开尔文)更少的热传导率的材料制成。
[0040]如上所述，在此所述的实施例可以被用作用于计算系统的自然用户输入设备。图7示意性示出可以被耦合到包括TOF深度相机的自然用户输入设备的计算系统700的非限制性实施例。以简化形式示出了计算系统700。计算系统700可采取以下形式:一个或多个个人计算机、服务器计算机、平板计算机、家庭娱乐计算机、网络计算设备、游戏设备、移动计算设备、移动通信设备(例如，智能电话)和/或其它计算设备。
[0041 ]计算系统700包括逻辑机702和存储机704。计算系统700可以任选地包括显示子系统706、通信子系统708和/或在图7中未示出的其他组件。
[0042]逻辑机702包括被配置成执行指令的一个或多个物理设备。例如，逻辑机可被配置来执行作为以下各项的一部分的指令:一个或多个应用、服务、程序、例程、库、对象、组件、数据结构、或其它逻辑构造。这种指令可被实现以执行任务、实现数据类型、转换一个或多个部件的状态、实现技术效果、或以其它方式得到期望结果。
[0043]逻辑机可包括被配置成执行软件指令的一个或多个处理器。作为补充或替换，逻辑机可包括被配置成执行硬件或固件指令的一个或多个硬件或固件逻辑机。逻辑机的处理器可以是单核或多核，且在其上执行的指令可被配置为串行、并行和/或分布式处理。逻辑机的各个组件可任选地分布在两个或更多单独设备上，这些设备可以位于远程和/或被配置成进行协同处理。逻辑机的各方面可由以云计算配置进行配置的可远程访问的联网计算设备来虚拟化和执行。
[0044]存储机704包括被配置成保存可由逻辑机执行以实现此处所述的方法和过程的指令的一个或多个物理设备。在实现这些方法和过程时，可以变换存储机704的状态(例如，保存不同的数据)。
[0045]存储机704可以包括可移动和/或内置设备。存储机704可包括光学存储器(例如，CD、DVD、HD-DVD、蓝光盘等)、半导体存储器(例如，RAM、EPROM、EEPROM等)和/或磁存储器(例如，硬盘驱动器、软盘驱动器、磁带驱动器、MRAM等)等等。存储机704可包括易失性、非易失性、动态、静态、读/写、只读、随机存取、顺序存取、位置可寻址、文件可寻址和/或内容可寻址设备。
[0046]可以理解，存储机704包括一个或多个物理设备。然而，本文所述的指令的各方面替代地可由通信介质(如电磁信号、光学信号等)来传播，而不是在存储介质中存储。
[0047]逻辑机702和存储机704的各方面可被一起集成到一个或多个硬件逻辑组件中。这些硬件逻辑组件可包括例如现场可编程门阵列(FPGA)、程序和应用专用的集成电路(PASIC/ASIC)、程序和应用专用的标准产品(PSSP/ASSP)、片上系统(SOC)以及复杂可编程逻辑器件(CPLD)。
[0048]术语“模块”、“程序”和“引擎”可用于描述被实现为执行一个特定功能的计算系统700的一方面。在某些情况下，可以通过执行由存储机704所保持的指令的逻辑机702来实例化模块、程序或引擎。应当理解，可以从同一应用、服务、代码块、对象、库、例程、AP1、函数等来实例化不同的模块、程序和/或引擎。类似地，相同的模块、程序和/或引擎可由不同的应用、服务、代码块、对象、例程、AP1、功能等来实例化。术语“模块”、“程序”和“引擎”意在涵盖单个或成组的可执行文件、数据文件、库、驱动程序、脚本、数据库记录等。
[0049]在被包括时，显示子系统706可用于呈现由存储机704保存的数据的视觉表示。该视觉表示可以采用图形用户界面(GUI)的形式。由于此处所描述的方法和过程改变了由存储机保持的数据，并由此变换了存储机的状态，因此同样可以转变显示子系统706的状态以视觉地表示底层数据的改变。显示子系统706可以包括使用实质上任何类型的技术的一个或多个显示设备。可将此类显示设备与逻辑机702和/或存储机704组合在共享封装中，或者此类显示设备可以是外围显示设备。
[0050]当包括通信子系统708时，通信子系统710可以被配置成将计算系统700与一个或多个其它计算设备可通信地耦合。通信子系统708可以包括与一个或多个不同通信协议兼容的有线和/或无线通信设备。作为非限制性示例，通信子系统可被配置成用于经由无线电话网络或者有线或无线局域网或广域网来进行通信。在一些实施例中，通信子系统可允许计算系统700经由诸如因特网这样的网络将消息发送至其他设备以及/或者从其它设备接收消息。
[0051 ] NUI接口系统701可被配置成将用户输入提供到计算系统700。具体而言，NUI接口系统可以包括深度相机716，该深度相机被配置为基于由图像传感器从检测到的照明光生成的图像信息来生成关于对象的深度信息并将所述深度信息输出到计算设备700为此，NUI接口系统包括逻辑机710和存储机712。为了检测用户输入，NUI接口系统接收来自传感器组件阵列的低级输入(例如，信号)，该传感器组件阵列可包括一个或多个可见光相机714、深度相机716和话筒718。其它示例NUI组件可包括一个或多个红外或立体相机;用于运动检测和/或意图识别的头部跟踪器、眼部跟踪器、加速计和/或陀螺仪；以及用于估算脑部活动的电场感测组件。在一些实施例中，NUI接口系统可包括诸如键盘、鼠标、触摸屏或游戏控制器等一个或多个用户输入设备或者与这些用户输入设备对接。
[0052]NUI接口系统处理来自传感器组件的低级输入以产生到计算系统700的可操作的高级输入。这样的动作可生成对应的基于文本的用户输入或在计算系统700中接收到的其它高级命令。在一些实施例中，NUI接口系统和传感器组件可被至少部分地集成在一起。在其它实施例中，NUI接口系统可与计算系统集成并接收来自外围传感器组件的低级输入。
[0053]在一个特定示例中，TOF深度相机包括逻辑机和存储机，所述存储机保持可被所述逻辑机执行来基于由图像传感器从检测到的照明光生成的图像信息来生成关于对象的深度信息并将所述深度信息输出到计算设备的指令。
[0054]将会理解，此处描述的配置和/或方法本质是示例性的，这些具体实施例或示例不应被视为限制性的，因为许多变体是可能的。此处描述的具体例程或方法可以表示任何数量的处理策略中的一个或多个。如此，所示和/或所述的各种动作可以以所示和/或所述顺序、以其它顺序、并行地执行，或者被省略。同样，上述过程的次序可以改变。
[0055]本公开的主题包括各种过程、系统和配置以及此处公开的其它特征、功能、动作和/或属性、以及它们的任一和全部等价物的所有新颖且非显而易见的组合和子组合。
【主权项】
1.一种被配置成从被照明光照明的图像环境收集图像数据的飞行时间(TOF)深度相机，所述TOF深度相机包括: 具有安装表面的热沉； 被安装到所述热沉的所述安装表面的照明模块，所述照明模块包括: 印刷电路板(PCB)， 被配置为生成照明所述图像环境的照明光的垂直腔面发射激光器(VCSEL)阵列设备，所述VCSEL阵列设备被安装到所述PCB，以及 被配置为将工作电流传递给所述VCSEL阵列设备的驱动器，所述驱动器被安装到所述PCB并通过所述PCB被电连接到所述VCSEL阵列设备；以及 被安装到所述热沉的所述安装表面的图像传感器，所述图像传感器被配置成检测从所述图像环境反射的照明光的至少一部分。2.如权利要求1所述的TOF深度相机，其特征在于，所述VCSEL阵列设备包括VCSEL芯片和基台，所述基台包括定位在所述基台的同一侧上的阳极和阴极，并且其中所述VCSEL芯片被结合到所述阴极并通过多个结合线被电连接到所述阳极。3.如权利要求2所述的TOF深度相机，其特征在于，所述阳极和所述阴极被定位在所述基台的同一侧上。4.如权利要求2所述的TOF深度相机，其特征在于，所述VCSEL阵列设备还包括定位在所述基台和所述热沉的所述安装表面之间的加固物层。5.如权利要求1所述的TOF深度相机，其特征在于，所述PCB被安装在所述热沉和所述VCSEL阵列设备之间。6.如权利要求5所述的TOF深度相机，其特征在于，所述PCB由具有比2W/(m-K)更高的热传导率的材料制成。7.如权利要求1所述的TOF深度相机，其特征在于，所述PCB具有被定向为面对所述热沉的所述安装表面的第一侧、与所述第一侧相对的第二侧、以及延伸穿过在所述第一侧和所述第二侧之间的PCB的开口，并且其中所述VCSEL阵列设备被安装到所述PCB的所述第一侧并通过所述开口发射所述照明光。8.如权利要求7所述的TOF深度相机，其特征在于，所述VCSEL阵列设备包括具有第一侧的基台、VCSEL芯片、以及多个焊盘，并且其中所述VCSEL芯片和所述多个焊盘被耦合在所述基台的所述第一侧和所述PCB的所述第一侧之间。9.如权利要求7所述的TOF深度相机，其特征在于，所述PCB由具有比2W/(m-K)更少的热传导率的材料制成。10.如权利要求1所述的TOF深度相机，其特征在于，所述VCSEL阵列设备将照明光作为每毫秒重复的至少100个微秒的脉冲的脉冲串生成。
【文档编号】G01S17/89GK105992960SQ201580007981
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月4日
【发明人】P·玛萨尔卡, M·T·德普伊, Z·朱, S·卡努玛拉, E·P·法勒, B·M·肯特, J·W·门松戴斯
【申请人】微软技术许可有限责任公司