一种用于测量三相电流的电流传感器阵列及测量方法

文档序号:10652495阅读:603来源:国知局
一种用于测量三相电流的电流传感器阵列及测量方法
【专利摘要】本发明涉及一种用于测量三相电流的电流传感器阵列及测量方法,属于传感测量技术领域。本装置包括:三相载流导线、操作平台、N个传感芯片、信号传输线、信号调理电路、模数转换装置和数据处理装置;测量时,三相载流导线和N个传感芯片组成的电流传感器阵列固定在操作平台上,三相载流导线之间间距相同,N个传感芯片按与三相载流导线的不同间距布置,每个传感芯片通过信号传输线均与信号调理电路连接,信号调理电路、模数转换装置和数据处理装置依次连接,数据处理装置对输出数据进行数值处理,得到三相载流导线的电流值。本发明量程大、精度高、成本低、无侵入、制备简易、安全可靠、安装维护方便,适合大量使用。
【专利说明】
-种用于测量H相电流的电流传感器阵列及测量方法
技术领域
[0001] 本发明属于传感测量领域,特别设及一种由隧道磁阻效应(TMR)传感忍片组成的 对立相电流进行测量的电流传感器阵列及测量方法。
【背景技术】
[0002] 智能电网的发展需要各方面技术的支持,其中先进的传感和测量技术是实现智能 电网实时监测和控制的基础,对智能电网的实现具有重要意义。在目前的电力系统中,对变 电站电气设备的电压和电流实时监测已经较为完备,而对输配电系统的监测还有待进一步 完善。运主要是由于输配电系统中输电线路分布广泛、电气设备数量巨大、电压电流等级广 泛,并且设备空间距离较小。具体到输配电系统中使用的电流传感器,其应当具有大量程、 高精度、宽频带、小体积、低成本、便于安装维护等特点。然而,目前较为成熟的电流传感器 均不能全面满足上述要求:传统的罗科夫斯基线圈和电流互感器的铁忍需要环绕导线,审U 造复杂、绝缘困难、维护费用高,并且随着绝缘等级增加成本显著上升;霍尔传感器技术成 熟、结构简单、价格低廉,但易受外界磁场和溫度变化影响,对测量电流方位敏感,精度低; 光纤电流传感器简化了绝缘问题,提高了测量电流等级,但它结构复杂,价格昂贵,对外界 振动、溫度等变化敏感;磁光电流传感器具有光纤电流传感器的优点,但体积庞大、价格昂 贵;磁通口电流传感器能够测量极高频电流和极微小电流,但同样造价昂贵、体积较大。
[0003] 隧道磁阻效应(TMR)是指磁性多层膜材料在磁场中电阻发生巨大变化的现象,基 于隧道磁阻效应的电流传感器能够测量直流到MHz量级的高频电流信号,测量频带宽,测量 范围与传感器和电流距离有关。同时,TMR电流传感器还具有灵敏度高,溫度稳定性好,结构 简单,体积小,成本低,对测量对象非侵入等优点,非常适合智能电网尤其是直流系统对电 流的测量需求。但是,包括TMR电流传感器、霍尔传感器等在内的通过磁场来测量
[0004] 电流的传感器,对与被测载流导线的相对位置敏感,在实际使用中,为减小由此引 起的测量误差,还需要与磁环配合使用,运极大地增加了设备的体积,降低了设备使用的便 捷性。此外,虽然单个TMR电流传感器量程较大,但测量范围有限,只能测量一定电流跨度内 的电流值(比如ImA-IOA或者IA-IOkA),不能同时涵盖mA至kA整个范围。运些都限制了TMR电 流传感器的推广使用。

【发明内容】

[0005] 本发明的目的是为克服已有技术的不足之处,提出一种用于测量=相电流的电流 传感器阵列及测量方法。本发明主要解决了扩大传感器量程、提高传感器测量精度的问题; 具有优良的高频特性、量程大、精度高、体积小、成本低、无侵入、便于安装维护,具有极高的 使用价值。
[0006] 本发明提出的一种用于测量=相电流的电流传感器阵列,其特征在于,该装置包 括相载流导线、操作平台、N个传感忍片,N为正整数、信号传输线、信号调理电路、模数转 换装置和数据处理装置;所述=相载流导线固定在操作平台上,每相导线之间相互平行并 呈一维分布,相邻导线中屯、间距相同;所述N个传感忍片同样固定在操作平台上组成电流传 感器阵列,所述N个传感忍片按与=相载流导线的不同间距布置,并与=相载流导线呈一维 分布,用于感应=相载流导线中电流产生的合成磁场并产生输出电压;所述N个传感忍片通 过信号传输线均与信号调理电路连接,将每个传感忍片的输出电压传输到信号调理电路; 所述信号调理电路的输出端连接模数转换装置的输入端;所述模数转换装置的输出端连接 数据处理装置的输入端;所述数据处理装置对模数转换装置的输出数据进行数值处理,得 到=相载流导线的电流值。
[0007] 本发明提出的一种用于测量=相电流的电流传感器阵列的测量方法,所述传感忍 片采用TMR传感忍片,该方法具体步骤包括:
[0008] 1)确定相邻两相载流导线之间的距离d,d的取值由如下公式决定:
[0009] Ul
[0010] AT,W)巧具王観守竿,imax是电流传感器阵列量程上限,Bmax是TMR传感忍片饱和 磁场强度,01和02分别为放置在相邻两相载流导线之间中间位置处的TMR传感忍片到其中一 相载流导线上下端点的连线与导线中电流方向的夹角;
[0011] 2)根据步骤1)计算得到d的取值,布置由TMR传感忍片组成的电流传感器阵列的位 置;TMR忍片摆放的位置有两种:一种是紧邻S相载流导线布置,一种是与最近一相载流导 线的中屯、距离为d/2布置;
[0012] 3)电流传感器阵列布置完毕后,分别单独标定每个TMR传感忍片的输出经信号调 理电路处理后的电压Vi对每相载流导线中电流Ij的比值Kij = ViAj,其中,下标i对应不同 TMR传感忍片,i = 1~N,N为TMR传感忍片个数,下标j对应每相载流导线;
[OOU] 4)现慢待测电流时,信号调理电路对每个TMR传感忍片的输出电压Vtmri进行放大、 调零处理,得到相应的模拟量Vm ;
[0014] 5)模数转换装置将步骤4)得到的信号调理电路的输出模拟量Vm转换为对应的数 字量Voi;
[001引6)数据处理装置对步骤5)得到的数字量Vdi进行筛选;去除Vd冲达到饱和值Vmax或 等于零的数据,得到有效数字量?0,其中,Q为去除的数字量的下标集合,记 有效数字量的个数为n;
[0016] 7)判断传感器阵列是否饱和;当n<3时,有效数字量的个数小于待测电流的个数, 待测电流值超出传感器阵列量程上限,不能进行测量;当n>3时,转入步骤8)计算S相载流 导线中的电流值;
[0017] 8)计算=相载流导线中的电流值;当n>3时,计算=相载流导线中的电流值如式 (2)所示:
[001引
口》
[0019] 式(2)为对S相载流导线中的电流的线性规划,其中ai为权重系数,0《ai《1,Ki j 为步骤3)得到的标定值,IdpU为=相载流导线中电流值。
[0020] 本发明的特点及有益效果是:
[0021] 1、测量范围大。本发明使用多个TMR传感忍片组成电流传感器阵列测量=相电流, 每个TMR传感忍片与S相载流导线距离不同,距离较近的TMR传感忍片测量小电流,距离较 大的TMR传感忍片测量大电流。通过对多个TMR传感忍片与=相载流导线距离的合理分布和 对多个TMR传感忍片灵敏度和饱和磁场强度的选择,扩大了电流传感器阵列的量程。相比单 个TMR传感忍片,本发明的电流传感器阵列扩大了可测电流范围,能够测量小至mA级的泄露 电流和大至kA级的暂态电流。此外,通过在距离S相载流导线较远处增加TMR传感忍片或增 大TMR传感忍片与=相载流导线间距,可进一步扩大电流传感器阵列的可测电流上限。
[0022] 2、测量精确度高。TMR传感忍片本身便具有高灵敏度的特点,使用大量TMR传感忍 片组成传感器阵列并对测量结果进行数据处理,可W避免被测电流超出TMR传感忍片量程 和TMR传感忍片分散性引起的测量误差,使传感器阵列测量结果更加精确。
[0023] 3、优良的高频特性。TMR传感忍片具有优良的高频特性,本发明中使用的信号调理 电路同样具有优良的高频特性,可对几十曲Z高频电流进行测量.
[0024] 4、体积小,成本低。TMR传感忍片与电流相对位置的敏感性得到利用,不需使用磁 环。而且电流传感器阵列能够在电路板上集成,装置体积大大减小。传感器阵列只需使用 TMR传感忍片、信号调理电路、模数转换装置、数据处理装置(计算机即可)等,均为常见的器 件和装置,大大降低了制造成本。
[0025] 5、非侵入式设计,便于调试和安装维护。在本发明提出的的电流传感器阵列中, TMR传感忍片只需与=相载流导线保持一定的距离,和被测对象完全无侵入设计,安装维护 非常便捷。而对设备的调试只需分别单独标定TMR传感忍片的输出电压与被测电流的比值, 也非常简便。
【附图说明】
[0026] 图1是本发明实施例的一种用于测量=相电流的电流传感器阵列装置的结构示意 图。
[0027] 图2是本发明的电流传感器阵列中信号调理电路单元的结构示意图。
[0028] 图3是本发明的用于测量=相电流的电流传感器阵列测量方法的流程框图。
[0029] 图中:1、S相载流导线,2、操作平台,3、TMR传感忍片(包括Gl至G10),4、信号传输 线,5、信号调理电路,6、模数转换装置,7、数据处理装置,8、电源模块,9、仪表放大器,10、调 零电路。
【具体实施方式】
[0030] 本发明提出的一种用于测量=相电流的电流传感器阵列及测量方法,下面结合附 图和具体实施例进一步说明如下。
[0031] 本发明提出的一种测量S相电流的电流传感器阵列,其结构如图1所示,该装置包 括:S相载流导线1(包括A、B、CS相)、操作平台2、N个TMR传感忍片3,N为正整数(本实施例 采用61、62、63、64、65、66、67、68、69、610共10个113传感忍片,实际应用中可根据情况使用 更多)、信号传输线4、信号调理电路5、模数转换电路6和数据处理装置7。具体连接关系如 下:
[0032] 所述=相载流导线1固定在操作平台2上,每相导线之间相互平行并呈一维分布, 相邻导线中屯、间距相同;所述N个TMR传感忍片3同样固定在操作平台2上组成电流传感器阵 列,所述N个TMR传感忍片3按与S相载流导线I的不同间距布置,与S相载流导线I呈一维分 布,用于感应=相载流导线1中电流产生的合成磁场并产生输出电压;所述N个TMR传感忍片 3通过信号传输线4均与信号调理电路5连接,将每个TMR传感忍片的输出电压传输到信号调 理电路5;所述信号调理电路5的输出端连接模数转换装置6的输入端;所述模数转换装置6 的输出端连接数据处理装置7的输入端;所述数据处理装置7对模数转换装置6的输出数据 进行数值处理,得到=相载流导线的电流值。
[0033] 所述S相载流导线相邻导线中屯、间距为d,d由如下公式决定:
[0034]
[0035] 式中,叫是真空磁导率,Imax是电流传感器阵列的量程上限,Bmax是TMR传感忍片饱 和磁场强度,01和02分别为放置在相邻两相导线之间中间位置处的TMR传感忍片到其中一相 导线上下端点的连线与导线中电流方向的夹角。
[0036] 所述TMR传感忍片摆放的位置有两种:一种是紧邻=相载流导线布置,一种是与最 近一相导线的中屯、距离为d/2布置;如图1所示,本实施例中采用10个TMR传感忍片。其中, TMR传感忍片G2和G3紧邻S相导线1中的A相导线两侧布置,G5和G6紧邻B相导线两侧布置, G8和G9紧邻C相导线两侧布置;61、64、67、610分别与距离最近的一相导线之间保持中屯、距 d/2布置。
[0037] 本发明装置中,各元件的具体实现方式及功能分别说明如下:
[0038] 所述操作平台用于固定和放置=相载流导线和N个TMR传感忍片;操作平台使用有 机玻璃材料制作,W避免操作平台对磁场分布产生干扰。
[0039] 所述N个TMR传感忍片在保持与=相载流导线呈一维分布的前提下,可根据实际使 用的TMR传感忍片的灵敏度和饱和磁场强度W及待测电流值范围的不同进行调整TMR传感 忍片与=相载流导线的间距,从而改变电流传感器阵列的量程。使用饱和磁场强度更大的 TMR传感忍片或者增大TMR传感忍片与S相载流导线的间距能够增大传感器阵列最大可测 电流值。
[0040] 所述传感忍片可使用但不限于TMR传感忍片,霍尔传感忍片、巨磁阻传感忍片、各 向异性磁阻传感忍片等电流传感忍片都可使用。
[0041] 所述信号传输线连接每个TMR传感忍片的输出端和信号调理电路的输入端,将每 个TMR传感忍片的输出电压传输到信号调理电路,信号传输线选择使用屏蔽线。
[0042] 所述信号调理电路对每个TMR传感忍片的输出电压进行放大、调零处理,得到相应 的模拟量。所述信号调理电路,包括N个相同的单元,单元个数与使用的TMR传感忍片个数相 同,每个信号调理电路单元,结构如图2所示,包括电源模块8、仪表放大器9和调零电路10, 或各个单元共用一个电源模块8;每个单元中,电源模块8分别连接对应的一个TMR传感忍片 3、仪表放大器9和调零电路10;TMR传感忍片3的输出端连接仪表放大器9,调零电路10的输 出端连接仪表放大器9。所述电源模块8用于将电池电压转换为和电压,电压用于给仪表放 大器9和调零电路10提供工作电源,电压用于给TMR传感忍片3提供工作电源,同时电压给调 零电路10提供参考电位。所述仪表放大器9用于放大TMR传感忍片的输出电压,采用具有优 良高频特性、高共模抑制比、高放大倍数、低噪声的产品。所述调零电路10用于信号调理电 路5的调零,采用常规运算放大器组成。
[0043] 所述模数转换装置則尋信号调理电路5的输出模拟量转换为对应的数字量,可使用 模数转换忍片、单片机等常规器件。
[0044] 所述数据处理装置7对模数转换装置6输出的数字量进行数据处理,得到=相待测 电流值,可使用计算机及存储在其中的数据处理程序实现。
[0045] 本发明装置中模数转换装置6和数据处理装置7使用的元件和装置均为常规产品。
[0046] 本发明提出的一种用于测量=相电流的电流传感器阵列的测量方法,其操作流程 如图3所示,具体步骤包括:
[0047] 1)确定相邻两相载流导线之间的距离d,d的取值由如下公式决定:
[004引

[0049] 式中,iiO是真空磁导率,Imax是电流传感器阵列量程上限,Bmax是TMR传感忍片饱和 磁场强度,01和02分别为放置在相邻两相载流导线之间中间位置处的TMR传感忍片到其中一 相载流导线上下端点的连线与导线中电流方向的夹角;
[0050] 2)根据步骤1)计算得到d的取值,布置由TMR传感忍片组成的电流传感器阵列的位 置;TMR忍片摆放的位置有两种:一种是紧邻S相载流导线布置,一种是与最近一相载流导 线的中屯、距离为d/2布置;本实施例中采用10个TMR传感忍片组成电流传感器阵列;其中, TMR传感忍片G2和G3紧邻S相导线1中的A相载流导线两侧布置,G5和G6紧邻財目载流导线两 侧布置,G8和G9紧邻C相载流导线两侧布置;61、64、67、610分别与距离最近的一相载流导线 之间保持中屯、距d/2布置;
[0051] 3)电流传感器阵列布置完毕后,分别单独标定每个TMR传感忍片的输出经信号调 理电路处理后的电压Vi对每相载流导线中电流Ij的比值Kij = ViAj,其中,下标i对应不同 TMR传感忍片,i = l~N,N为TMR传感忍片个数(本实施例中共有10个TMR传感忍片),下标j对 应每相载流导线;WTMR传感忍片Gl对A相载流导线的标定过程为例:在A相载流导线中通入 电流Ii, B相和C相载流导线中无电流,巧慢Gl的输出经信号调理电路处理后的电压Vi,则标 定值 Kn = Vizli;
[0052] 4)测量待测电流时,信号调理电路对每个TMR传感忍片的输出电压Vtmri进行放大、 调零处理,得到相应的模拟量Vm ;
[0053] 5)模数转换装置将步骤4)得到的信号调理电路的输出模拟量Vm转换为对应的数 字量Voi;
[0054] 6)数据处理装置对步骤5)得到的数字量Vd进行筛选;去除Vd冲达到饱和值Vmax或 等于零的数据,得到有效数字量^^扛1~奶€〇为去除的数字量的下标集合,记有效数字 量的个数为n;
[0055] 7)判断传感器阵列是否饱和;当n<3时,有效数字量的个数小于待测电流的个数, 待测电流值超出传感器阵列量程上限,不能进行测量;当n>3时,转入步骤8)计算S相载流 导线中的电流值;
[0056] 8)计算=相载流导线中的电流值;当n>3时,计算=相载流导线中的电流值如式 (2)所示:
[0057]

[005引式(2)为对S相载流导线中的电流的线性规划,其中a功权重系数,0《曰1《1,较大 的对应的权重系数也较大,Ku为步骤3)得到的标定值,IdpU为S相载流导线中电流值; 对该线性规划求解得到S相载流导线中的电流值Iopy,可使用Matlab等软件求解该线性规 划。
[0059] 本发明的一个具体实施例中,S相载流导线为S根直径5mm、长度1.5m的铜导线, 相邻导线中屯、间距d=12cm。操作平台使用有机玻璃制作,长40畑1,宽15畑1,操作平台位于S 相载流导线的一半高度位置处。TMR传感忍片数量为10个,灵敏度为12mV/V/0e,饱和磁场强 度±500e,其中,G2、G3位于A相导线左右两侧,紧靠A相导线,G5、G6位于財目导线左右两侧, 紧靠B相导线,G8、G9位于C相导线左右两侧,紧邻C相导线;Gl位于A相导线左侧6cm处,G4位 于A、B两相导线中间位置处,与A、B两相导线中屯、间距均为6cm,G7位于B、C两相导线中间位 置处,与B、C两相导线中屯、间距均为6cm,G10位于C相导线右侧6cm处。信号调理电路中的仪 表放大器使用=个运算放大器组成的=运放仪表放大器,并和调零电路中的运算放大器一 起使用集成四运放忍片AD8044。模数转换装置使用化kogawa示波器,将测量波形转换为数 值。数据处理装置使用计算机,数值求解过程按照上述测量方法进行,并使用Matlab中的线 性规划工具包完成数值求解,得到电流值。本实施例能够对7mA-100A范围内的直流至冲击 电流进行精确测量。
[0060] 本发明的另一个具体实施例中,S相载流导线为S根直径5mm、长度1.5m的铜导 线,相邻导线中屯、间距d = 12cm。操作平台使用有机玻璃制作,长40cm,宽15cm,操作平台位 于S相载流导线的一半高度位置处。TMR传感忍片数量为10个,其中,62、63、65、66、68、69灵 敏度为12mV/V/0e,饱和磁场强度± 500e,G2、G3位于A相导线左右两侧,紧靠A相导线,G5、G6 位于B相导线左右两侧,紧靠B相导线,G8、G9位于C相导线左右两侧,紧邻C相导线;Gl、G4、 G7、G10灵敏度为2.2mV/V/0e,饱和磁场强度±100006,61位于4相导线左侧6畑1处,64位于八、 B两相导线中间位置处,与A、B两相导线中屯、间距均为6cm,G7位于B、C两相导线中间位置处, 与B、C两相导线中屯、间距均为6cm,G10位于C相导线右侧6cm处。信号调理电路中的仪表放大 器使用=个运算放大器组成的=运放仪表放大器,并和调零电路中的运算放大器一起使用 集成四运放忍片AD8044。模数转换装置使用化kogawa示波器,将测量波形转换为数值。数据 处理装置使用计算机,数值求解过程按照上述测量方法进行,并使用Matlab中的线性规划 工具包完成数值求解,得到电流值。本实施例能够对7mA-lkA范围内的直流至冲击电流进行 精确测量。
【主权项】
1. 一种用于测量三相电流的电流传感器阵列,其特征在于,该装置包括:三相载流导 线、操作平台、N个传感芯片,N为正整数、信号传输线、信号调理电路、模数转换装置和数据 处理装置;所述三相载流导线固定在操作平台上,每相导线之间相互平行并呈一维分布,相 邻导线中心间距相同;所述N个传感芯片同样固定在操作平台上组成电流传感器阵列,所述 N个传感芯片按与三相载流导线的不同间距布置,并与三相载流导线呈一维分布,用于感应 三相载流导线中电流产生的合成磁场并产生输出电压;所述N个传感芯片通过信号传输线 均与信号调理电路连接,将每个传感芯片的输出电压传输到信号调理电路;所述信号调理 电路的输出端连接模数转换装置的输入端;所述模数转换装置的输出端连接数据处理装置 的输入端;所述数据处理装置对模数转换装置的输出数据进行数值处理,得到三相载流导 线的电流值。2. 如权利要求1所述的电流传感器,其特征还包括,所述传感芯片采用TMR传感芯片、巨 磁阻传感芯片、各向异性磁阻传感芯片、霍尔传感芯片之中任一种。3. 如权利要求2所述的电流传感器,其特征在于,所述三相载流导线相邻导线中心间距 为d,d由如下公式决定:式中,μ〇是真空磁导率,Imax是电流传感器阵列的量程上限,Bmax是TMR传感芯片饱和磁场 强度,Θ#ΡΘ2分别为放置在相邻两相导线之间中间位置处的TMR传感芯片到其中一相导线上 下端点的连线与导线中电流方向的夹角。4. 如权利要求3所述的电流传感器,其特征在于,所述信号调理电路,包括N个相同的单 元,单元个数与使用的TMR传感芯片个数相同,每个信号调理电路单元包括电源模块、仪表 放大器和调零电路,或各个单元共用一个电源模块;每个单元中,电源模块分别连接对应的 一个TMR传感芯片、仪表放大器和调零电路;TMR传感芯片的输出端连接仪表放大器,调零电 路的输出端连接仪表放大器。5. 如权利要求4所述的信号调理电路,其特征在于,所述电源模块将±9V电池电压转换 为±5V和±2.5V电压,±5V电压用于给仪表放大器和调零电路提供工作电源,±2.5V电压 用于给TMR传感芯片提供工作电源,同时+2.5V电压给调零电路提供参考电位。6. -种利用如权利要求1所述电流传感器阵列的三相电流测量方法,其特征在于,所述 传感芯片采用TMR传感芯片,该方法具体步骤包括: 1) 确定相邻两相载流导线之间的距离d,d的取值由如下公式决定:⑴ 式中,μ〇是真空磁导率,Imax是电流传感器阵列量程上限,Bmax是TMR传感芯片饱和磁场强 度,Θ^ΡΘ#别为放置在相邻两相载流导线之间中间位置处的TMR传感芯片到其中一相载流 导线上下端点的连线与导线中电流方向的夹角; 2) 根据步骤1)计算得到d的取值,布置由TMR传感芯片组成的电流传感器阵列的位置; TMR芯片摆放的位置有两种:一种是紧邻三相载流导线布置,一种是与最近一相载流导线的 中心距离为d/2布置; 3) 电流传感器阵列布置完毕后,分别单独标定每个TMR传感芯片的输出经信号调理电 路处理后的电SV1对每相载流导线中电流込的比值Klj = V1/^,其中,下标i对应不同TMR传 感芯片,i = 1~N,N为TMR传感芯片个数,下标j对应每相载流导线; 4) 测量待测电流时,信号调理电路对每个TMR传感芯片的输出电压V?Ri进行放大、调零 处理,得到相应的模拟量VAi ; 5) 模数转换装置将步骤4)得到的信号调理电路的输出模拟量Vm转换为对应的数字量 VDi; 6) 数据处理装置对步骤5)得到的数字量Vd1进行筛选;去除Vd冲达到饱和值Vmax或等于 零的数据,得到有效数字量^77=14^€^,其中,〇为去除的数字量的下标集合,记有效 数字量的个数为η; 7) 判断传感器阵列是否饱和;当η<3时,有效数字量的个数小于待测电流的个数,待测 电流值超出传感器阵列量程上限,不能进行测量;当时,转入步骤8)计算三相载流导线 中的电流值;8) 计算三相载流导线中的电流值;当3时,计算三相载流导线中的电流值如式(2)所 示: (2) 式(2)为对三相载流导线中的电流的线性规划,其中ai为权重系数,OSaiS I ,Kij为步骤 3)得到的标定值,1。_为三相载流导线中电流值。
【文档编号】G01R19/25GK106018942SQ201610493234
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年6月28日
【发明人】胡军, 赵帅, 王中旭, 何金良, 王善祥
【申请人】清华大学
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