陀螺仪传感器补偿电容耐压电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种电气设备领域，特别是涉及一种陀螺仪传感器补偿电容耐压电路。
【背景技术】
[0002]MEMS陀螺仪传感器对驱动都有较高要求，在陀螺仪传感器将数字信号通过数模转换输出之前都要通过高压驱动器为其提高驱动性能，而高压驱动器的驱动核心在于对外输出高压的放大器。
[0003]现有陀螺仪传感器放大器电路的结构连接如图2所示，电压放大器对输入端的低压信号Vi’进行初次放大并将放大后的电压信号Vil’输入到共源放大电路中，共源放大电路又包括Class-AB功率放大器和四个场效应管，Class-AB功率放大器的输入端和输出端分别第三MOS管Mpl’的栅极和第四MOS管Mnl’的栅极连接，第三MOS管Mpl’的源极和第四MOS管Mnl’的源极分别与高压电源端HV’和地GND’连接。第三MOS管Mpl’的漏极和第四MOS管Mnl’的漏极分别与第五MOS管Mp2’的源极和第六MOS管Mn2’的源极连接，第五MOS管Mp2’的漏极和第六MOS管Mn2’的漏极连接。在第三MOS管Mpl’的栅极和第四MOS管Mnl’的栅极之间依次串联有第二电容C2’、第二电阻R2’、第一电阻R1’和第一电容Cl’，在第二电阻R2’和第一电阻R1’之间引出导线的一端，导线的另一端连接在第五MOS管Mp2’的漏极和第六MOS管Mn2’的漏极之间，并对外输出放大后的电压Vo’。其中，第三MOS管Mpl’和第四MOS管Mnl’组成的共源放大结构为Class-AB功率放大器提供工作电压，并通过分别调节第五MOS管Mp2’和第六MOS管Mn2’栅极的输入电压Vbp’和Vbn’，从而增加第三MOS管Mpl’和第四MOS管Mnl’的耐压值。但是这种电路的缺点在于无法解决第一电容Cl’和第二电容C2’的耐压问题，其中第一电容Cl’两端的电压值为Vo’ 一 Vil’，由于输出电压Vo’较大，因此Vo’ 一 Vil’很可能超过第一电容Cl’的安全工作电压，对电路造成损坏，使陀螺仪传感器无法正常使用。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型要解决的技术问题是提供一种结构简单、成本低、构思巧妙的陀螺仪传感器补偿电容耐压电路。
[0005]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，包括电压放大器、Class-AB功率放大器和四个MOS管，电压放大器的输出端分别与Class-AB功率放大器的输出端和第四MOS管的栅极连接，Class-AB功率放大器的输入端与第三MOS管的栅极连接，第三MOS管的源极和第四MOS管的源极分别与高压电源端和地连接，第三MOS管的漏极和第四MOS管的漏极分别与第五MOS管的源极和第六MOS管的源极连接，第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极连接，其中:还包括至少一个第一 MOS管和至少一个第二 MOS管，第一 MOS管和第二 MOS管设置在第三MOS管和第四MOS管之间，第一 MOS管的源极设置在Class-AB功率放大器和第三MOS管之间，第二 MOS管的源极设置在Class-AB功率放大器和第四MOS管之间，在第一 MOS管和第二 MOS管的两侧分别设置有同向电流源，在第一 MOS管的漏极处引出第一支路，第一支路上依次串联有第二电容，在第二 MOS管的漏极处引出第二支路，第二支路上依次串联有第一电容，第一支路的另一端和第二支路的另一端相互连接后再与第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极之间的导线连接，在第五MOS管的漏极和第六MOS管的漏极之间的连接点上引出电压输出端。
[0006]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，其中所述各第一 MOS管的栅极与自身的漏极连接，各第二 MOS管的栅极与自身的漏极连接。
[0007]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，其中所述各第一 MOS管之间串联连接，相邻两个第一 MOS管的源极与漏极连接，位于一端的第一 MOS管的源极连接在Class-AB功率放大器和第三MOS管之间的导线上，位于另一端的第一 MOS管的漏极与地连接。
[0008]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，其中所述各第二 MOS管之间串联连接，相邻两个第二 MOS管的源极与漏极连接，位于一端的第二 MOS管的源极连接在Class-AB功率放大器和第四MOS管之间的导线上，位于另一端的第二 MOS管的漏极与电源端连接。
[0009]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，其中所述电流源又包括第一电流源、第二电流源、第三电流源和第四电流源，第一电流源和第二电流源分别设置在第一 MOS管的源极和漏极两侧，第一电流源和第二电流源的电流方向相同，第三电流源和第四电流源分别设置在第二 MOS管的源极和漏极两侧，第三电流源和第四电流源的电流方向相同。
[0010]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路，其中所述第一支路从第一 MOS管的漏极与第二电流源之间引出，第一支路上还串联有第二电阻，第二支路从第二 MOS管的漏极与第一电流源之间引出，第二支路上还串联有第一电阻。
[0011]本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路与现有技术不同之处在于:本实用新型结构简单、成本低、构思巧妙。在第一电容与第四MOS管之间设置有第二 MOS管，在第二电容与第三MOS管之间设置有第一 MOS管。在第二 MOS管两侧和第一 MOS管两侧分别设置有同向电流源，为第二 MOS管两侧和第一 MOS管提供工作电流。即可通过调节第二 MOS管和第一 MOS管的大小改变自身的电压，又可通过改变各电流源的大小从而对第二 MOS管和第一 MOS管的电压进行调节，确保了第一电容和第二电容始终工作在安全电压范围内，有效的解决了第一电容和第二电容的耐压值过低的问题，保证了电路的正常工作和陀螺仪的正常使用。还可以通过调整串联的第二 MOS管和第一 MOS管的个数，进一步增加电压的调整范围。
[0012]下面结合附图对本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路作进一步说明。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路的结构连接图；
[0014]图2为现有陀螺仪传感器放大器电路的结构连接图。
【具体实施方式】
[0015]如图1所示，为本实用新型陀螺仪传感器补偿电容耐压电路的结构连接图，包括电压放大器和共源放大电路，共源放大电路又包括Class-AB功率放大器、四个场效应管和两个MOS管。电压放大器的输出端分别与Class-AB功率放大器的输出端和第四MOS管Mnl的栅极连接，Class-AB功率放大器的输入端与第三MOS管Mpl的栅极连接，第三MOS管Mpl的源极和第四MOS管Mnl的源极分别与高压电源端HV和地GND连接。第三MOS管Mpl的漏极和第四MOS管Mnl的漏极分别与第五MOS管Mp2的源极和第六MOS管Mn2的源极连接，第五MOS管Mp2的漏极和第六MOS管Mn2的漏极连接。在第三MOS管Mpl的栅极和第四MOS管Mnl的栅极之间设置有多个第一 MOS管Mp3和多个第二 MOS管Mn3，各第一 MOS管Mp3的栅极与自身的漏极连接，各第二 MOS管Mn3的栅极与自身的漏极连接。各第一 MOS管Mp3之间串联连接，相邻两个第一 MOS管Mp3的源极与漏极连接，位于一端的第一 MOS管Mp3的源极连接在Class-AB功率放大器和第三MOS管Mpl之间的导线上，位于另一端的第一 MOS管Mp3的漏极与地GND连接。各第二 MOS管Mn3之间串联连接，相邻两个第二 MOS管Mn3的源极与漏极连接，位于一端的第二 MOS管Mn3的源极连接在Class-AB功率放大器和第四MOS管Mnl之间的导线上，位于另一端的第二 MOS管Mp3的漏极与电源端连接。在第一 MOS管Mp3的源极和漏极两侧分别设置有第一电流源Ip2和第二电流源In2，第一电流源Ip2和第二电流源In2的电流方向相同，第一电流源Ip2和