磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器的制造方法

文档序号:9027169阅读:403来源:国知局
磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该电路的磁传感器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及磁传感器领域,具体说是一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具 备该电路的磁传感器。
【背景技术】
[0002] 开关型的霍尔磁场传感器巧片在生产的过程由于工艺漂移、封装应力等因素的影 响,成品的磁场灵敏度会有波动。成品一般通过测试,按照磁场的灵敏度大小进行分类,形 成不同的产品等级出售给客户。在灵敏度超出或者低于所确定的范围之外的巧片,将作为 废品报废,该将降低了产品的良率。
[0003] 其中,一种现有技术磁传感器(CN201080028529),该专利是调整霍尔器件的几何 形状来调整灵敏度,调整几何形状后,霍尔器件将变成非对称结构,不适合单片集成。
[0004] 此外,另一现有技术一种可编程开关型霍尔传感器(CN201410183714),该专利是 通过改变迟滞比较器的阔值比较电压来实现灵敏度的调整,在实际的操作过程中,可能需 要经过巧片的多次测试和多次调整才能达到预定的灵敏度,较为繁琐。 【实用新型内容】
[0005] 本实用新型为解决上述问题,提供了一种磁传感器双向灵敏度调整电路及具备该 电路的磁传感器。
[0006] 为实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:
[0007] 一种磁传感器双向灵敏度调整电路,包括一霍尔盘HP,还包括一由第十PMOS管 MlO和第^^一PMOS管Mll组成的第一电流镜、由第一NMOS管Ml和第二NOMS管M2组成的 第二电流镜、由第^;:NMOS管M7和第八NMOS管M8组成的第^电流镜,由第^PMOS管M3和 第四NMOS管M4组成的反相器化及一电流源组;所述霍尔盘HP电源端连接所述第一电流镜 的第二输出端,所述第一电流镜的第一输入端连接所述第一电流镜的第二输入端、所述电 流源组输入端、所述反相器输入端、一电流源输入端和系统电源正端,所述第一电流镜的第 一输出端连接所述第二电流镜的第二输入端、所述第=电流镜的第二输入端和一第九NMOS 管M9输出端,所述第九NMOS管M9输入端连接所述电流源组输出端和一第六NMOS管M6输 入端,所述第六NMOS管M6输出端连接所述第S电流镜的第一输入端和一第五NMOS管M5 输入端,所述第九NMOS管M9控制端连接所述第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和 一开关KO,所述第六NMOS管M6控制端连接所述第SPMOS管M3输出端和第四NMOS管M4 输入端,所述电流镜输出端连接所述第二电流镜的第一输入端,所述第二电流镜的第一输 出端连接所述反相器输出端、所述第五NMOS管M5输出端、所述第S电流镜的第一输出端、 所述第S电流镜的第二输出端、所述第二电流镜的第二输出端、所述霍尔盘HP接地端和系 统电源负端。
[000引在本实用新型一实施例中,所述电流源组包括N个电流源支路并联,所述每个电 流源支路由一电流源和一开关串联组成,其中N为正整数。
[0009] 在本实用新型一实施例中,一种磁传感器,该磁传感器包括权利要求I中所述的 磁传感器双向灵敏度调整电路。
[0010] 本实用新型的有益效果是:
[0011] 本实用新型通过在霍尔传感器巧片上集成双向灵敏度调整电路,对巧片的成品进 行修调,提高产品良率,并可通过调整传感器的灵敏度,产品调整至目标磁场灵敏度,有效 的针对目标客户。
【附图说明】
[0012] 此处所说明的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,构成本实用新型的一部 分,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的 不当限定。在附图中:
[0013] 图1为本实用新型原理框图;
[0014] 图2为本实用新型一具体实施例原理图。
【具体实施方式】
[0015] 为了使本实用新型所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚、明白,W 下结合附图和实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实 施例仅用W解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。
[0016] 如图1所示,本实用新型提供一种磁传感器双向灵敏度调整电路,包括一霍尔盘 册,还包括一由第十PMOS管Mio和第^^一PMOS管Mll组成的第一电流镜、由第一NMOS管 Ml和第二NOMS管M2组成的第二电流镜、由第^;:NMOS管M7和第八NMOS管M8组成的第^ 电流镜,由第SPMOS管M3和第四NMOS管M4组成的反相器化及一电流源组;所述霍尔盘HP 电源端连接所述第一电流镜的第二输出端,所述第一电流镜的第一输入端连接所述第一电 流镜的第二输入端、所述电流源组输入端、所述反相器输入端、一电流源输入端和系统电源 正端,所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二电流镜的第二输入端、所述第=电流镜 的第二输入端和一第九NMOS管M9输出端,所述第九NMOS管M9输入端连接所述电流源组 输出端和一第六NMOS管M6输入端,所述第六NMOS管M6输出端连接所述第S电流镜的第 一输入端和一第五NMOS管M5输入端,所述第九NMOS管M9控制端连接所述第五NMOS管M5 控制端、所述反相器控制端和一开关K0,所述第六NMOS管M6控制端连接所述第SPMOS管 M3输出端和第四NMOS管M4输入端,所述电流镜输出端连接所述第二电流镜的第一输入端, 所述第二电流镜的第一输出端连接所述反相器输出端、所述第五NMOS管M5输出端、所述第 =电流镜的第一输出端、所述第=电流镜的第二输出端、所述第二电流镜的第二输出端、所 述霍尔盘HP接地端和系统电源负端。
[0017] 如图2所示,本实用新型提供一种磁传感器双向灵敏度调整电路,包括一霍尔盘 册,其特征在于:还包括一由第十PMOS管MlO和第^^一PMOS管Mll组成的第一电流镜、由 第一NMOS管Ml和第二NOMS管M2组成的第二电流镜、由第^;:NMOS管M7和第八NMOS管M8 组成的第S电流镜,由第SPMOS管M3和第四NMOS管M4组成的反相器化及一电流源组;所 述霍尔盘HP电源端连接所述第一电流镜的第二输出端,所述第一电流镜的第一输入端连 接所述第一电流镜的第二输入端、所述电流源组输入端、所述反相器输入端、一电流源输入 端和系统电源正端,所述第一电流镜的第一输出端连接所述第二电流镜的第二输入端、所 述第S电流镜的第二输入端和一第九NMOS管M9输出端,所述第九NMOS管M9输入端连接 所述电流源组输出端和一第六NMOS管M6输入端,所述第六NMOS管M6输出端连接所述第 S电流镜的第一输入端和一第五NMOS管M5输入端,所述第九NMOS管M9控制端连接所述 第五NMOS管M5控制端、所述反相器控制端和一开关K0,所述第六NMOS管M6控制端连接所 述第SPMOS管M3输出端和第四NMOS管M4输入端,所述电流镜输出端连接所述第二电流 镜的第一输入端,所述第二电流镜的第一输出端连接所述反相器输出端、所述第五NMOS管 M5输出端、所述第S电流镜的第一输出端、所述第S电流镜的第二输出端、所述第二电流镜 的第二输出端、所述霍尔盘HP接地端和系统电源负端;所述电流源组包括N个电流源支路 并联,所述每个电流源支路由一电流源和一开关串联组成,其中N为正整数。
[001引优选的,本实用新型还包括一种磁传感器,该磁传感器包括权利要求1中所述的 磁传感器双向灵敏度调整电路。
[0019] W下结合本实用新型的硬件电路说明本实用新型的工
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