一种抗干扰性强的气压传感器的制造方法

文档序号:9042039阅读:379来源:国知局
一种抗干扰性强的气压传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种抗干扰性强的气压传感器。
【背景技术】
[0002]近年来数字装备得到广泛应用。通常,在数字技术的应用中,数字装备会产生作为干扰波的宽频率范围的电磁波,从而对其它数字装备带来不同的干扰问题。
[0003]特别地,数字装备因为受其它数字装备释放的电磁波和无线电波的负面影响而产生诸如功能退化、工作失常和无故中断等缺陷。这是因为数字装备所接受的来自外界的电磁波和无线电波会产生干扰,从而导致数字装备的电路产生故障。
[0004]中国专利CN201020546467.3,公开一种气体压力传感器,包括:保护盖板、硅胶、引线、压力芯片、外壳、底座,所述压力芯片粘接在底座上,底座上的接线柱与压力芯片引线键合,压力芯片及引线涂覆有保护硅胶,外壳上端设有保护盖板,保护盖板上设有进气测试孔。该气体压力传感器结构简单,用范围小,但是抗干扰性相对较差,导致稳定性差,同时测量精度低。
【实用新型内容】
[0005]针对现有技术存在的上述问题,本实用新型的目的是提供一种结构简单,测量精度高,抗干扰性强的气压传感器。
[0006]为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案:一种抗干扰性强的气压传感器,包括中空壳体、中空杆件、基板、传感器芯片和插针;所述壳体中具有气压通道,壳体的上部设有与之相固定的气压传感器插件,所述插针与气压传感器插件相连通;所述中空杆件的外周具有外螺纹部,中空壳体内部具有与气压通道同轴形成的内螺纹部,中空杆件的外周上的外螺纹部与中空壳体内的内螺纹部螺纹连接,中空杆件的中空部分与气压通道相通,并且中空杆件的一端具有薄壁隔膜;所述传感器芯片的表面用弹性体硅凝胶包裹,传感器芯片固定在该薄壁隔膜上,传感器芯片的表面用弹性体硅凝胶包裹;所述基板由中空壳体固定支撑,基板上设有转换电路,该转换电路的信号输入端与传感器芯片的信号输入端连接;还包括安装在基板上的片式电容器,所述插针与转换电路的信号输出端通过片式电容器的第一电极连接,将信号传递到壳体外部,片式电容器的第二电极与壳体电连接。
[0007]作为优化,所述壳体的外壁设有彩锌层。
[0008]作为优化,所述基板与气压传感器插件之间设置垫环。
[0009]相对于现有技术,本实用新型具有如下优点:该抗干扰性强的气压传感器结构紧凑,提高使用效能,加强安全性。
【附图说明】
[0010]图1为本实用新型抗干扰性强的气压传感器的结构示意图。
[0011]图中,中空壳体10、台肩10a、螺纹部11、开口 12、气压通道13、内螺纹部14、中空杆件20、外螺纹部20a、中空腔体20b、薄壁隔膜21、基板22、传感器芯片30、气压传感器插件40、插针41、双组份硅橡胶43。
【具体实施方式】
[0012]下面结合附图对本实用新型作进一步详细说明。
[0013]在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。
[0014]参见图1,一种抗干扰性强的气压传感器,包括中空壳体10、中空杆件20、基板22、传感器芯片30和插针41。
[0015]所述壳体10中具有气压通道13,壳体10经切削或者冷锻形成,且在一端的外周上形成一螺纹部11以将壳体10与待测物体连接在一起,壳体10所述一端还具有一开口 12,该开口与壳体10上的气压通道13连通。为防止壳体10生锈,壳体10的外壁最好设置一层彩锌层。壳体10的上部设有与之相固定的气压传感器插件40,插针41与气压传感器插件40相连通,将测得气压信号传递到壳体10外部。
[0016]中空杆件20为一个具有中空腔体20b的圆筒形金属件,其外周上具有外螺纹部20a,该外螺纹部20a拧紧在壳体10中与气压通道13同轴形成的一内螺纹部14上,从而紧密装配在壳体10的内部。
[0017]中空杆件20设置在中空壳体10内,中空杆件20的中空腔体20b与气压通道13相通,并且中空杆件20的一端具有薄壁隔膜21,传感器芯片30固定在该薄壁隔膜21上,传感器芯片30的表面用弹性体硅凝胶31包裹进行保护。
[0018]基板22由中空壳体10固定支撑,基板22上设有转换电路,该转换电路的信号输入端与传感器芯片30的信号输入端连接;通过该结构,基板可以直接置于中空壳体上,而不需要介入其它支承件,从而简化了气压传感器的结构,具体实施时基板22可以通过导电粘合剂如银膏紧固在台肩1a上。
[0019]基板22与气压传感器插件40之间设置垫环,基板22与气压传感器插件40之间的间隙灌注黑色的双组份硅橡胶43。
[0020]插针41与转换电路的信号输出端连接,将信号传递到壳体10外部,插针41与气压传感器插件40相连通。
[0021]通过气压通道13将施加在测量物体上的压力传递至薄壁隔膜21,薄壁隔膜21响应穿过气压通道13的气压发生变形。该传感器芯片30由非晶硅硅制成,传感器芯片30包括集成电路且作为一传感器应变计,输出作为薄壁隔膜21的变形的函数的电信号;转换电路具有从传感器芯片传来的信号转换成将输出到外部电路的输出信号的功能,其为现有技术,并非本实用新型的发明点,此处不再赘述。
[0022]随着薄壁隔膜21由于导入中空杆件20内部的气压产生变形,固定在薄壁隔膜21上的应变计也产生变形。当发生该现象时,应变计中变形的存在导致形成应变计的元件的横截面面积减小,从而使应变计的阻值阻力系数改变。结果是,测定应变计的阻值的变化便可以检测施加在应变计上的压力,即导入中空杆件20内部的压力。
[0023]该气压传感器还包括安装在基板22上的片式电容器,通过该片式电容器,使输入气压传感器的干扰被最小化,插针41与转换电路的信号输出端通过片式电容器的第一电极连接,即第一电极作为布线的一部分,片式电容器的第二电极与壳体10电连接,使干扰流向壳体10。
[0024]片式电容器形成为由交替迭置的多个板状陶瓷和多个板状电极组成的层叠结构形式,每个板状陶瓷由导电材料形成。
[0025]由于使用了片式电容器,不再需要使用用于消除输入气压传感器中的干扰的独立电容器,且该片式电容器可以安装在基板上电路的布线图上。因此,不再需要提供将电容器安装在气压传感器上的多个部件。通过这种方式,构成气压传感器的部件的数量可以减少。另外,由于部件数量的减少,气压传感器的组装步骤减少。
[0026]插针和基板上的转换电路的信号输出端并非直接彼此电连接,而是通过片式电容器的第一电极彼此相连,从而使从插针进入的干扰确保穿过片式电容器的第一电极。这使得干扰很容易流入片式电容器,从而使更多干扰很容易地流入片式电容器。其结果是,扩大了穿过片式电容器的干扰的频率范围。因此,干扰可以通过第二电极输出到壳体,从而消除了气压传感器中的干扰。由此,该气压传感器具有改善的抗电磁波的能力,从而提高了抗干扰能力。
[0027]最后说明的是,以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非限制,尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细说明,本领域的普通技术人员应当理解,可以对本实用新型的技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本实用新型技术方案的宗旨和范围,其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
【主权项】
1.一种抗干扰性强的气压传感器,其特征在于:包括中空壳体(10)、中空杆件(20)、基板(22)、传感器芯片(30)和插针(41); 所述壳体(10)中具有气压通道(13),壳体(10)的上部设有与之相固定的气压传感器插件(40),所述插针(41)与气压传感器插件(40)相连通; 所述中空杆件(20)的外周具有外螺纹部(20a),中空壳体(10)内部具有与气压通道(13)同轴形成的内螺纹部(14),中空杆件(20)的外周上的外螺纹部(20a)与中空壳体(10)内的内螺纹部(14)螺纹连接;中空杆件(20)的中空部分与气压通道(13)相通,并且中空杆件(20)的一端具有薄壁隔膜(21); 所述传感器芯片(30)的表面用弹性体硅凝胶(31)包裹,传感器芯片(30)固定在该薄壁隔膜(21)上,传感器芯片(30)的表面用弹性体硅凝胶(31)包裹; 所述基板(22)由中空壳体(10)固定支撑,基板(22)上设有转换电路,该转换电路的信号输入端与传感器芯片(30)的信号输入端连接; 还包括安装在基板(22)上的片式电容器,所述插针(41)与转换电路的信号输出端通过片式电容器的第一电极连接,将信号传递到壳体(10)外部,片式电容器的第二电极与壳体(10)电连接。2.如权利要求1所述的抗干扰性强的气压传感器,其特征在于:所述壳体(10)的外壁设有彩锌层。3.如权利要求1或2所述的抗干扰性强的气压传感器,其特征在于:所述基板(22)与气压传感器插件(40)之间设置垫环。
【专利摘要】本实用新型涉及一种抗干扰性强的气压传感器,它包括中空壳体、中空杆件、基板、传感器芯片和插针;所述壳体中具有气压通道;所述中空杆件设置在中空壳体内,中空杆件的中空部分与气压通道相通,并且中空杆件的一端具有薄壁隔膜,所述传感器芯片固定在该薄壁隔膜上;所述基板由中空壳体固定支撑,基板上设有转换电路,该转换电路的信号输入端与传感器芯片的信号输入端连接;所述插针与转换电路的信号输出端连接,将信号传递到壳体外部。该抗干扰性强的气压传感器结构紧凑,提高使用效能,加强安全性。
【IPC分类】G01L19/00, G01L9/04
【公开号】CN204694396
【申请号】CN201520458330
【发明人】不公告发明人
【申请人】重庆捷益弘科技有限公司
【公开日】2015年10月7日
【申请日】2015年6月30日
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