的一端；所述第i^一 N沟道功率MOS场效应晶体管Mll的源极连接一第四十三电阻R43的一端；所述第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M12的源极连接一第四十四电阻R44的一端。
[0084]所述第四十一电阻R41、第四十二电阻R42、第四十三电阻R43、第四十四电阻R44的另一端同时接地。
[0085]所述第九N沟道功率MOS场效应晶体管M9、第十N沟道功率MOS场效应晶体管M10、第^^一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml 1、第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M12的漏极均与一第五十三电阻R53的一端连接。
[0086]进一步的，该第三线性功率放大模块电路109如图2右侧B部分所示:可以包括上述的第i^一电阻Rl 1、第十五电阻R15、第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第十九电阻R19、第二十九电阻R29、第三十电阻R30、第三^^一电阻R31、第三十二电阻R32、第十三N沟道功率MOS场效应晶体管M13、第十四N沟道功率MOS场效应晶体管M14、第十五N沟道功率MOS场效应晶体管M15、第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M16、第四十五电阻R45、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48。
[0087]所述第^^一电阻Rll的另一端连接一第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3的栅极；所述第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3的漏极连接一第十五电阻R15的一端；所述第十五电阻R15的另一端连接第一直流电压源VCCl ;
[0088]所述第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3的源极同时连接第十九电阻R19、第二十九电阻R29、第三十电阻R30、第三^^一电阻R31、第三十二电阻R32的一端；所述第十九电阻R19的另一端接地。
[0089]所述第二十九电阻R29的另一端连接一第十三N沟道功率MOS场效应晶体管M13的栅极；所述第三十电阻R30的另一端连接一第十四N沟道功率MOS场效应晶体管M14的栅极；所述第三i^一电阻R31的另一端连接一第十五N沟道功率MOS场效应晶体管M15的栅极；所述第三十二电阻R32的另一端连接一第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M16的栅极。
[0090]所述第十三N沟道功率MOS场效应晶体管M13的源极连接一第四十五电阻R45的一端；所述第十四N沟道功率MOS场效应晶体管M14的源极连接一第四十六电阻R46的一端；所述第十五N沟道功率MOS场效应晶体管M15的源极连接一第四十七电阻R47的一端；所述第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M16的源极连接一第四十八电阻R48的一端；所述第四十五电阻R45、第四十六电阻R46、第四十七电阻R47、第四十八电阻R48的另一端同时接地。
[0091]所述第十三N沟道功率MOS场效应晶体管M13、第十四N沟道功率MOS场效应晶体管M14、第十五N沟道功率MOS场效应晶体管M15、第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M16的漏极均与一第五十四电阻R54的一端连接。
[0092]进一步的，该第四线性功率放大模块电路110如图2右侧B部分所示:可以包括上述的第十二电阻R12、第十六电阻R16、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4、第二十电阻R20、第三十三电阻R33、第三十四电阻R34、第三十五电阻R35、第三十六电阻R36、第十七N沟道功率MOS场效应晶体管M17、第十八N沟道功率MOS场效应晶体管M18、第十九N沟道功率MOS场效应晶体管M19、第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M20、第四十九电阻R49、第五十电阻R50、第五^^一电阻R51、第五十二电阻R52。
[0093]所述第十二电阻R12的另一端连接一第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的栅极；所述第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的漏极连接一第十六电阻R16的一端；所述第十六电阻R16的另一端连接第一直流电压源VCCl。
[0094]所述第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的源极同时连接第二十电阻R20、第三十三电阻R33、第三十四电阻R34、第三十五电阻R35、第三十六电阻R36的一端；所述第二十电阻R20的另一端接地。
[0095]所述第三十三电阻R33的另一端连接一第十七N沟道功率MOS场效应晶体管M17的栅极；所述第三十四电阻R34的另一端连接一第十八N沟道功率MOS场效应晶体管M18的栅极；所述第三十五电阻R35的另一端连接一第十九N沟道功率MOS场效应晶体管M19的栅极；所述第三十六电阻R36的另一端连接一第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M20的栅极。
[0096]所述第十七N沟道功率MOS场效应晶体管M17的源极连接一第四十九电阻R49的一端；所述第十八N沟道功率MOS场效应晶体管M18的源极连接一第五十电阻R50的一端；所述第十九N沟道功率MOS场效应晶体管M19的源极连接一第五十一电阻R51的一端；所述第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M20的源极连接一第五十二电阻R52的一端；所述第四十九电阻R49、第五十电阻R50、第五十一电阻R51、第五十二电阻R52的另一端同时接地。
[0097]所述第十七N沟道功率MOS场效应晶体管M17、第十八N沟道功率MOS场效应晶体管M18、第十九N沟道功率MOS场效应晶体管M19、第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M20的漏极均与一第五十四电阻R54的一端连接。
[0098]另外，该三绕组输出变压器112、高压直流电源111以及交流耦合电路114构成的电路部分，可以包括上述的第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第五十三电阻R53、第五十四电阻R54、第二直流电压源VCC2。
[0099]所述第五十三电阻R53的另一端与三绕组输出变压器TX2的第一绕组LSl的同名端连接。
[0100]所述第五十四电阻R54的另一端与三绕组输出变压器TX2的第二绕组LS2的异名端连接。
[0101]所述三绕组输出变压器TX2的第一绕组LSl的异名端和第二绕组LS2的同名端同时接第二直流电源VCC2及第六电容C6和第七电容C7的一端；所述第六电容C6和第七电容C7的另一端接地。
[0102]所述三绕组输出变压器TX2的第三绕组Lp的同名端连接一第五电容C5的一端，所述第五电容C5的另一端作为输出信号端，与所述电磁超声换能器连接；所述三绕组输出变压器TX2的第三绕组Lp的异名端接地。
[0103]本实用新型实施例中，叠加直流偏置电压的同向交流信号分别经第九电阻R9、第十电阻RlO提供给第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml和第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的栅极，第十三电阻R13、第十四电阻R14分别串接于第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml和第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的漏极与第一直流电压源VCCl之间，第十七电阻R17、第十八电阻R18分别串接于第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml和第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的源极与地平面之间，共同为第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml和第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2设置合适的静态工作点并对输入的同向交流信号进行线性放大。第一 N沟道功率MOS场效应晶体管Ml和第二 N沟道功率MOS场效应晶体管M2的源极输出包含直流信号和同向交流信号叠加的信号，经第二十一电阻至第二十四电阻R21?R24、第二十五电阻至第二十八电阻R25?R28串接至第五N沟道功率MOS场效应晶体管至第八N沟道功率MOS场效应晶体管M5?M8、第九N沟道功率MOS场效应晶体管至第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M9?M12的栅极，第五N沟道功率MOS场效应晶体管至第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M5?M12分别经第三十七电阻至第四十四电阻R37?R44串接至地平面，第五N沟道功率MOS场效应晶体管至第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M5?M12的漏极并联后经第五十三电阻R53串接至三绕组输出变压器TX2的第一绕组LSl —端，第一绕组LSl的另一端接第二直流电压源VCC2，共同为第五N沟道功率MOS场效应晶体管至第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M5?M12设置稳定的静态工作点，以分别同时对输入的同向交流信号进行线性放大，放大后的多路同向信号从第五N沟道功率MOS场效应晶体管至第十二 N沟道功率MOS场效应晶体管M5?M12的漏极并联输出大功率的同向信号。叠加直流偏置电压的反向交流信号分别经第^ 电阻Rl1、第十二电阻R12提供给第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的栅极，第十五电阻R15、第十六电阻R16分别串接于第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的漏极与第一直流电压源VCCl之间，第十九电阻R19、第二十电阻R20分别串接于第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的源极与地平面之间，共同为第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4设置合适的静态工作点并对输入的反向交流信号进行线性放大。第三N沟道功率MOS场效应晶体管M3、第四N沟道功率MOS场效应晶体管M4的源极输出的包含直流信号和反向交流信号的叠加信号经第二十九电阻至第三十二电阻R29?R32、第三十三电阻至第三十六电阻R33?R36串接至第十三N沟道功率MOS场效应晶体管至第十六N沟道功率MOS场效应晶体管M13?M16、第十七N沟道功率MOS场效应晶体管至第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M17?M20的栅极，第十三N沟道功率MOS场效应晶体管至第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M13?M20分别经第四十五电阻至第五十二电阻R45?R52串接至地平面，第十三N沟道功率MOS场效应晶体管至第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M13?M20的漏极并联后经第五十四电阻R54串接至三绕组输出变压器TX2的第二绕组LS2的一端，第二绕组LS2的另一端接第二直流电压源VCC2，共同为第十三N沟道功率MOS场效应晶体管至第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M13?M20设置稳定的静态工作点，以分别同时对输入的反向交流信号进行线性放大，放大后的多路反向信号从第十三N沟道功率MOS场效应晶体管至第二十N沟道功率MOS场效应晶体管M13?M20的漏极并联输出大功率的反向信号。三绕组输出变压器TX2的第一绕组LSl和第二绕组LS2将大功率同向和反向交流信号进行相减，并耦合至三绕组输出变压器TX2的第三绕组Lp，三绕组输出变压器TX2的第三绕组Lp的一端接地，另一端串接第五电容C5以驱动电磁超声换能器。第二直流电压源VCC2经高耐压大容值电解第六电容C6及高耐压小容值第七电容C7并联后接至地平面以滤除交流信号对电源干扰，增强电路的稳定性。
[0104]本实用新型实施例提供的一种非线性电磁超声激励信号的功率放大装置，通过该装置，可以将待放大频率窄带的小功率信号送入三绕组输入变压器变换为幅值相等、相位