一种发光二极管外延片测试系统的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管外延片测试系统，用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测，检测所述晶片的外延生长状况，所述测试系统包括收光装置、测试装置和基板。所述收光装置包括支架、收光组件和光纤，所述收光组件和光纤位于晶片发光面上方。
【专利说明】
一种发光二极管外延片测试系统
技术领域
[0001]本实用新型涉及发光二极管的测试系统，特别是一种可测试发光二极管外延片生长质量的系统。
【背景技术】
[0002]外延生长是指在衬底上进行金属有机物化学气相沉积，以III族、II族元素的有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种II1-V族、I1-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。
[0003]为了检验外延生长的质量，及时检查出生长不良的发光二极管外延片，对外延工艺的缺陷及时发现调整，有必要在外延生长之后增加一道对外延片光电参数的检测环节。目前行业内检测设备不仅价格高昂，并且检测速度慢、准确度低。
【发明内容】
[0004]为了解决上述不足，本实用新型提供了一种发光二极管外延片测试系统，用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测，检测所述晶片的外延生长状况，定义晶片出光面为上表面，所述测试系统包括:
[0005]基板，用于承载晶片；
[0006]收光装置，至少由支架、收光组件和光纤组成，所述收光组件和光纤位于所述晶片上表面上方，固定在所述支架上，所述收光组件具备测量晶片发光亮度的功能，所述光纤具备测量晶片发光波长的功能；
[0007]测试装置，至少由电源、电笔和处理器组成，所述电源为所述电笔供电，所述电笔与所述处理器连接，所述处理器具备记录、储存和传输信息的功能，所述电笔与所述晶片电性接触，处理器、电笔、晶片构成电流回路，所述电流回路向所述处理器传递电性信息；
[0008]所述收光组件和所述光纤分别与所述处理器连接，向所述处理器传递光学信息。
[0009]优选的，所述测试装置还包含金属团，检测时所述金属团粘附在晶片上，与晶片电性接触，所述电笔通过所述金属团与晶片连接导通。优选的，所述金属团为In团。
[0010]优选的，检测时所述金属团数量不少于3个。
[0011]优选的，所述基板平整度为f，其中-1Oym^f < ΙΟμπι。
[0012]优选的，所述基板的材质为大理石。
[0013]优选的，所述基板表面最少具有一凹槽用于存放金属团。
[0014]优选的，所述测试装置还包括一个开关，开关用于控制电源的开启与关闭。
[0015]优选的，所述开关为脚踏开关。
[0016]本实用新型至少包括以下技术效果:(I)将收光组件与光纤设置在晶片出光面的上方，有利于准确检测光学参数；(2)采用处理器记录、储存和传输数据，有利于提高数据的完整性和准确性，同时为数据网络化、标准化提供可能；(3)采用高平整度的大理石基板，有利于保证晶片到收光组件与光纤的距离，提高光学参数的准确性；(4)采用脚踏开关，便于操作员操作，提高工作效率；(5)综合成本低，有利于实现量产；(6)In团柔软，电流扩散性好，有利于提高电性参数检测的准确度;(7)大理石表面设置凹槽，有利于In团的存放，提高工作效率。
[0017]本实用新型的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本实用新型而了解。本实用新型的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
【附图说明】
[0018]图1:实施例1的结构示意图；
[0019]图2:实施例2的结构示意图；
[0020]图示标识:100、收光装置；110、支架；120、收光组件；130、光纤；210、电源；211、开关;220、电笔;230、处理器;240、金属团；300、基板;310、凹槽;400、晶片。
【具体实施方式】
[0021]下面结合示意图对本实用新型的结构及其制作方法进行详细的描述，借此对本实用新型如何解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。
[0022]实施例1
[0023]参照图1，本实施例提供的一种发光二极管外延片测试系统，用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测，检测晶片的外延生长状况，测试系统包括:收光装置100、测试装置和基板300。
[0024]收光装置100由支架110、收光组件120及光纤130组成，收光组件120和光纤130通过支架110固定，保证外延片检测时，不容易因为环境干扰改变位置。收光组件120具备测量晶片400发光亮度的功能，光纤130具备测量晶片400发光波长的功能。收光组件120与光纤130在检测时位于晶片发光面上方，即晶片上表面上方，能最大程度避免晶片材料吸光干扰，更准确的测试出晶片400的亮度和波长。
[0025]测试装置，由电源210、电笔220、处理器230和金属团240组成，电源210为电笔220供电，电源210设置于处理器230内部，所述电笔220至少为两根，本实施例优选为两根，电笔220分为正极电笔和负极电笔，分别与处理器230连接。处理器230具备记录、储存和传输信息的功能。至少3个金属团240粘附在晶片400上，本实施例优选为6个。
[0026]由基板300承载晶片400，基板300材料为大理石，基板300表面平整度f，其中-1Oym<f < ΙΟμπι，保证收光组件120与光纤130到晶片400距离的稳定性，从而提高亮度、波长检测值的准确度。基板300最少具有一凹槽310用于存放金属团240，既方便操作者使用，又不容易遗失金属团240。
[0027]检测时，金属团240分别位于晶片400上表面的上下左右中五个区域，以保证整片外延晶片400的检测采集，金属团240采用电流扩展性好、柔软的材料，本实施例优选为In团。本实施例在晶片下区域粘附2个金属团，共6个金属团与晶片400电性接触，金属团240如图中所示依次编号，正极电笔与1#金属团电性接触，负极电笔则依次与2#?6#金属团连接，电源210、正极电笔、金属团240、晶片400、负极电笔和处理器230构成一个电流回路，电流回路向处理器230传递电性信息。
[0028]此外，本实施例为电源210设置一开关211，控制电源210的开启与关闭，所述开关211优选为脚踏开关，为常开开关，当电笔220与金属团240电性接触时开关闭合收集光电参数，方便操作者使用的同时，最大程度的节省电能。
[0029]实施例2
[0030]本实施例在实施例1上做出部分更改，以针对在导电衬底上生长外延层的发光二极管晶片400。
[0031]参照图2，本实施例采用导电基板300，导电基板300具备其中一根电笔220的功能，与处理器230连接，处理器230、电笔220、晶片400、基板300构成电流回路，电流回路向处理器230传递电性信息，本实施例可采用晶片粘附金属团240或者不粘附金属团240两种方案进行电性信息采集。
[0032]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种发光二极管外延片测试系统，用于对完成外延生长后的晶片进行光电参数检测，检测所述晶片的外延生长状况，定义晶片出光面为上表面，所述测试系统包括: 基板，用于承载晶片； 收光装置，至少由支架、收光组件和光纤组成，所述收光组件和光纤位于所述晶片上表面上方，固定在所述支架上，所述收光组件具备测量晶片发光亮度的功能，所述光纤具备测量晶片发光波长的功能； 测试装置，至少由电源、电笔和处理器组成，所述电源为所述电笔供电，所述电笔与所述处理器连接，所述处理器具备记录、储存和传输信息的功能，所述电笔与所述晶片电性接触，处理器、电笔、晶片构成电流回路，所述电流回路向所述处理器传递电性信息； 所述收光组件和所述光纤分别与所述处理器连接，向所述处理器传递光学信息。2.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述测试装置还包含金属团，检测时所述金属团粘附在晶片上，与晶片电性接触，所述电笔通过所述金属团与晶片连接导通。3.根据权利要求2所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述金属团为In团。4.根据权利要求2所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，检测时所述金属团数量不少于3个。5.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述基板平整度为f，其中-1Oym < f < ΙΟμπι。6.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述基板的材质为大理石。7.根据权利要求2所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述基板表面最少具有一凹槽用于存放金属团。8.根据权利要求1所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述测试装置还包括一个开关，开关用于控制电源的开启与关闭。9.根据权利要求8所述的一种发光二极管外延片测试系统，其特征在于，所述开关为脚踏开关。
【文档编号】G01R31/26GK205449132SQ201620202728
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年3月16日
【发明人】潘伟, 蔡园园, 杨碧兰, 周启伦, 蔡如腾
【申请人】厦门市三安光电科技有限公司