一种高精度温度传感器的制造方法

文档序号:10920105阅读:693来源:国知局
一种高精度温度传感器的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种高精度温度传感器,包括PT1000传感器、温度传感器本体、单片机、LDO芯片和桥式电路,所述温度传感器本体的内部安装有电路板,电路板上设有桥式电路,所述桥式电路是由PT1000传感器、R1电阻、R2电阻以及R3电阻组成,所述PT1000传感器位于温度传感器本体的前端,所述PT1000传感器的一端与R1电阻连接,所述R2电阻的另一端与R3电阻连接,所述PT1000传感器靠近R1电阻的一端和R2电阻靠近R3电阻的一端皆与AD转换器连接,所述AD转换器电性输入连接STC15W4K系列的单片机,单片机与串口电平转换芯片双向连接,所述LDO芯片的一端连有4.5V精度电压参考。该高精度温度传感器不仅测量精度高,而且电阻温度系数大,感应灵敏,稳定性好。
【专利说明】
一种高精度温度传感器
技术领域
[0001 ]本实用新型涉及传感器领域,具体涉及一种高精度温度传感器。
【背景技术】
[0002]温度传感器是指能够感受温度并转换成可用输出信号的传感器,温度传感器是温度测量仪表的核心部分,品种繁多,按测量方式可分为接触式和非接触式两大类,按照传感器及电子元件特性可分为热电阻和热偶电阻两类,但是目前用于检测海洋环境温度的温度传感器存在精度不高的缺陷,而且稳定性不足。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于提供一种高精度温度传感器,以解决上述【背景技术】中提出的问题。
[0004]为实现上述目的,本实用新型提供一种技术方案:一种高精度温度传感器,包括PT 1000传感器、温度传感器本体、单片机、LDO芯片和桥式电路,所述温度传感器本体的内部安装有电路板,电路板上设有桥式电路,所述桥式电路是由PT 1000传感器、Rl电阻、R2电阻以及R3电阻组成,所述PT1000传感器位于温度传感器本体的前端,所述PT1000传感器的一端与Rl电阻连接,PT1000传感器的另一端通过导线接地,Rl电阻的另一端与基准电压连接,所述R2电阻的一端与基准电压连接,R2电阻的另一端与R3电阻连接,R3电阻的另一端通过导线接地,所述PT1000传感器靠近Rl电阻的一端和R2电阻靠近R3电阻的一端皆与AD转换器连接,所述AD转换器电性输入连接STC15W4K系列的单片机,单片机与串口电平转换芯片双向连接,所述LDO芯片的一端连有4.5V精度电压参考,4.5V精度电压参考的另一端与基准电压连接,所述温度传感器本体的尾端连有电缆。
[0005]优选的,所述桥式电路、AD转换器、单片机以及串口电平转换芯片构成温度传感器的模拟部分,所述LDO芯片和4.5V精度电压参考构成数字部分,数字部分与模拟部分分开供电。
[0006]优选的,所述串口电平转换芯片为MAX3221。
[0007]优选的,所述LDO芯片为LT1761。
[0008]本实用新型的技术效果和优点:一种高精度温度传感器的前端安装有PT1000传感器,金属铂具有电阻温度系数大,感应灵敏,电阻率高,元件尺寸小,电阻值与温度变化基本呈线性关系的特点,而且在测试范围内,物料化学性能稳定,长期复现性好,测量精度高,桥式电路、AD转换器、单片机以及串口电平转换芯片构成温度传感器的模拟部分,Rl电阻、R2电阻以及R3电阻皆为高精度低温度系数的铁片电阻,串口电平转换芯片为MAX3221,LD0芯片和4.5V精度电压参考构成数字部分,数字部分与模拟部分分开供电,LDO芯片为LTl 761,提高了测量精度。
【附图说明】
[0009]图1为本实用新型的结构不意图;
[0010]图2为本实用新型的模拟部分结构框图;
[0011 ]图3为本实用新型的数字部分结构框图。
[0012]图中:1、PT1000传感器;2、温度传感器本体;3、电缆;4、R1电阻;5、R2电阻;6、R3电阻;7、AD转换器;8、单片机;9、串口电平转换芯片;10、4.5¥精度电压参考;11、0)0芯片;12、桥式电路。
【具体实施方式】
[0013]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0014]本实用新型提供了如图1图2和图3所示的一种高精度温度传感器,包括PT1000传感器1、温度传感器本体2、单片机8、LD0芯片11和桥式电路12,温度传感器本体2的内部安装有电路板,电路板上设有桥式电路12,桥式电路12是由PTl 000传感器1、Rl电阻4、R2电阻5以及R3电阻6组成,所述PT1000传感器I位于温度传感器本体2的前端,PT1000传感器I的一端与Rl电阻4连接,PT1000传感器I的另一端通过导线接地,Rl电阻4的另一端与基准电压连接,R2电阻5的一端与基准电压连接,R2电阻5的另一端与R3电阻6连接,R3电阻6的另一端通过导线接地,Rl电阻4、R2电阻5以及R3电阻6皆为高精度低温度系数的铁片电阻,PT1000传感器I靠近Rl电阻4的一端和R2电阻5靠近R3电阻6的一端皆与AD转换器7连接,AD转换器7电性输入连接STC15W4K系列的单片机8,单片机8与串口电平转换芯片9双向连接,串口电平转换芯片9为MAX3221,LDO芯片11的一端连有4.5V精度电压参考10,4.5V精度电压参考10的另一端与基准电压连接,桥式电路12、AD转换器7、单片机8以及串口电平转换芯片9构成温度传感器的模拟部分,LDO芯片11和4.5V精度电压参考10构成数字部分,LDO芯片11为LT1761,数字部分与模拟部分分开供电,温度传感器本体2的的尾端连有电缆3。
[00?5]工作原理:模拟部分与数字部分分开供电,模拟部分米用4.5V精度电压参考1为桥式电路12和AD转换器7供电,数字部分采用LDO芯片11供电,可以降低噪音,通过分开供电提高测量精度。
[0016]最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种高精度温度传感器,包括PTlOOO传感器(I)、温度传感器本体(2)、单片机(8)、LDO芯片(11)和桥式电路(12),其特征在于:所述温度传感器本体(2)的内部安装有电路板,电路板上设有桥式电路(12),所述桥式电路(12)是由PT1000传感器(1)、R1电阻(4)、R2电阻(5)以及R3电阻(6)组成,所述PT1000传感器(I)位于温度传感器本体(2)的前端,所述PT1000传感器(I)的一端与Rl电阻(4)连接,PT1000传感器(I)的另一端通过导线接地,Rl电阻(4)的另一端与基准电压连接,所述R2电阻(5)的一端与基准电压连接,R2电阻(5)的另一端与R3电阻(6)连接,R3电阻(6)的另一端通过导线接地,所述PT1000传感器(I)靠近Rl电阻(4)的一端和R2电阻(5)靠近R3电阻(6)的一端皆与AD转换器(7)连接,所述AD转换器(7)电性输入连接STCl 5W4K系列的单片机(8),单片机(8)与串口电平转换芯片(9)双向连接,所述LDO芯片(11)的一端连有4.5V精度电压参考(10),4.5V精度电压参考(10)的另一端与基准电压连接,所述温度传感器本体(2)的尾端连有电缆(3)。2.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器,其特征在于:所述桥式电路(12)、AD转换器(7)、单片机(8)以及串口电平转换芯片(9)构成温度传感器的模拟部分,所述LDO芯片(11)和4.5V精度电压参考(10)构成数字部分,数字部分与模拟部分分开供电。3.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器,其特征在于:所述串口电平转换芯片(9)为MAX3221。4.根据权利要求1所述的一种高精度温度传感器,其特征在于:所述LDO芯片(11)为LT1761o
【文档编号】G01K7/18GK205607558SQ201620216624
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年3月21日
【发明人】李思维
【申请人】江苏乾维海洋工程科技发展有限公司
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