一种黑体温度计的制作方法

文档序号:10973975阅读:559来源:国知局
一种黑体温度计的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种黑体温度计,由黑体、薄膜电阻、上盖、黑体底座、黑体外套和引线组成。黑体置于黑体底座上端面,黑体外套包覆在黑体底座外,薄膜电阻与黑体背面连接,引线穿过黑体外套和黑体底座与薄膜电阻连接,上盖置于黑体外套的上端开口面。黑体温度计其使用温度范围:常温至150℃。本实用新型表面的吸收膜的接收系数接近黑体,而其背面的薄膜式传感器的温度即可测量出紫铜片表面的光照强度。
【专利说明】
一种黑体温度计
技术领域
[0001]本实用新型属于精密仪器技术领域,涉及温度计,尤其是一种黑体温度计。
【背景技术】
[0002]黑体是一个理想化了的物体,它能够吸收外来的全部电磁辐射,并且不会有任何的反射与透射。黑体在工业上主要应用于测温领域,最主要的产品是辐射温度计,辐射温度计是依据物体辐射的能量来测量温度的仪表。测温时,将辐射温度计瞄准被测物体,辐射温度计的探测器接收到被测物体所辐射的能量,经信号处理电路转换为相应的电信号或进一步通过显示器直接显示出被测物体的温度值。在汽车行业中,汽车在露天存放场地及在烘房中的工况下,为监控其表面的光照强度而采用的一种用测量黑体温度来计量光照强度。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型提供一种黑体温度计,采用的一种测量黑体温度的方法来监控、计量汽车表面光照强度。
[0004]本实用新型的技术方案如下:
[0005]—种黑体温度计,由黑体、薄膜电阻、上盖、黑体底座、黑体外套和引线组成。
[0006]黑体置于黑体底座上端面,黑体外套包覆在黑体底座外,薄膜电阻与黑体背面连接,引线穿过黑体外套和黑体底座与薄膜电阻连接,上盖置于黑体外套的上端开口面。
[0007]进一步,黑体是一个紫铜片,铜片的表面是用磁孔溅射法镀一个吸收膜,吸收膜的吸收系数为0.95,铜片的背面用硅橡胶贴敷一个薄膜电阻。
[0008]进一步,薄膜电阻和引线均为四线制。
[0009]进一步,黑体底座为软木成形体,软木成形体的内表面贴敷多层涂铝滌编薄膜。
[0010]进一步,黑体外套为圆形薄壁不锈钢壳。
[0011]黑体温度计紫铜片表面的吸收膜其吸收系数接近黑体,用其背面薄膜电阻即可度量紫铜板表面的光照强度。
[0012]黑体温度计其使用温度范围:常温至150°C。
[0013]本实用新型的效果和益处是:
[0014]该黑体温度计,表面的吸收膜的接收系数接近黑体,而其背面的薄膜式传感器的温度即可测量出紫铜片表面的光照强度。
【附图说明】
[0015]图1黑体温度计剖面示意图。
[0016]图中:1黑体;2薄膜电阻;3上盖;4黑体底座;5黑体外套;6引线。
【具体实施方式】
[0017]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0018]一种黑体温度计,如说明书附图1所示,由黑体1、薄膜电阻2、上盖3、黑体底座4、黑体外套5和引线6组成。黑体I置于黑体底座4上端面,黑体外套5包覆在黑体底座4外,薄膜电阻2与黑体I背面连接,引线6穿过黑体外套5和黑体底座4与薄膜电阻2连接,上盖3置于黑体外套5的上端开口面。
实施例
[0019]黑体底座4外形尺寸为C>50xl8mm,黑体I外形尺寸为C>48xlmm,黑体底座4上开口面安装黑体I。
[0020]黑体I的上表面用真空磁孔溅射设备镀上一个吸收系数为0.95的吸收膜,下表面用硅橡胶贴敷一个2x2mmPT100薄膜电阻2,其精度为0.TC ±0.1%(即所谓的1/3级精度)。
[0021]薄膜电阻2采用四线制,穿过黑体底座4、黑体外套5与测试系统相连接。黑体外套5壁厚为0.6_不锈钢,黑体底座4壁厚为6_。黑体底座4由软木压制而成,内壁要贴敷多层涂铝滌编薄膜,使用范围室温至150°C。
[0022]说明书附图只作为产品的结构、原理示意图,实际产品结构和尺寸以
【发明人】设计生产图纸为准。
[0023]上面所述的实施例仅仅是对本实用新型的实施方式进行描述,并非对本实用新型的构思和范围进行限定。在不脱离本实用新型设计构思的前提下,本领域普通人员对本实用新型的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入到本实用新型的保护范围,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定。
【主权项】
1.一种黑体温度计,由黑体(I)、薄膜电阻(2)、上盖(3)、黑体底座(4)、黑体外套(5)和引线(6)组成,其特征在于:所述黑体(I)置于黑体底座(4)上端面,所述黑体外套(5)包覆在黑体底座(4)外,所述薄膜电阻(2)与黑体(I)背面连接,所述引线(6)穿过黑体外套(5)和黑体底座(4)与薄膜电阻(2)连接,所述上盖(3)置于黑体外套(5)的上端开口面。2.根据权利要求1所述的一种黑体温度计,其特征在于,所述黑体(I)是一个紫铜片,铜片的表面是用磁孔溅射法镀一个吸收膜,吸收膜的吸收系数为0.95,铜片的背面用硅橡胶贴敷一个薄膜电阻(2)。3.根据权利要求1所述的一种黑体温度计,其特征在于,所述薄膜电阻(2)和引线(6)均为四线制。4.根据权利要求1所述的一种黑体温度计,其特征在于,所述黑体底座(4)为软木成形体,软木成形体的内表面贴敷多层涂铝滌编薄膜。5.根据权利要求1所述的一种黑体温度计,其特征在于,所述黑体外套(5)为圆形薄壁不锈钢壳。6.根据权利要求1所述的一种黑体温度计,其特征在于,所述黑体温度计使用温度范围:常温至150°C。
【文档编号】G01J1/56GK205664949SQ201620544827
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年6月7日
【发明人】王振华, 雷和朝
【申请人】牧星航空传感器技术(太仓)有限公司
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