一种用于温控电路的智能开关mos管的制作方法

专利名称:一种用于温控电路的智能开关mos管的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于温控电路的智能开关MOS管，包括底部壳体、上部端盖、热敏电阻、栅极接线柱，底部壳体上方安装有上部端盖，上部端盖的外表面安装有热敏电阻，底部壳体上表面中央设置有P型硅衬底，P型硅衬底外部连接到接地螺栓，P型硅衬底内部设置有漏极N型掺杂区和源极N型掺杂区，P型硅衬底上方设置有绝缘层，绝缘层上方设置有栅极金属层，栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区外部都连接有金属引脚，栅极金属层的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线，引脚外接导线的另一端连接在热敏电阻上，热敏电阻内部伸出栅极接线柱。有益效果在于：能够通过环境温度的变化自动控制开关电压，继而实现自动控制负载电路。
【专利说明】
一种用于温控电路的智能开关MOS管
技术领域
[0001]本实用新型属于晶体管优化设计领域，具体涉及一种用于温控电路的智能开关MOS 管。
【背景技术】
[0002]在开关电源中常用MOS管的漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流，是理想的模拟开关器件，这就是MOS管做开关器件的原理。当然MOS管做开关使用的电路形式比较多了。在开关电源应用方面，需要MOS管定期导通和关断，例如DC-DC电源中常用的基本降压转换器依赖两个MOS管来执行开关功能，这些开关交替在电感里存储能量，然后把能量释放给负载。常选择数百kHz乃至IMHz以上的频率，因为频率越高，磁性元件可以更小更轻。在正常工作期间，MOS管只相当于一个导体。但是MOS管在电路中起到开关作用时必须通过人为控制才能决定电路的通断，在一些诸如温控开关等自动控制的场合还无法使用。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种用于温控电路的智能开关MOS管。
[0004]本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]—种用于温控电路的智能开关MOS管，包括底部壳体、上部端盖、热敏电阻、栅极接线柱，底部壳体上方安装有上部端盖，上部端盖的外表面安装有热敏电阻，底部壳体上表面中央设置有P型硅衬底，P型硅衬底外部连接到接地螺栓，P型硅衬底内部设置有漏极N型掺杂区和源极N型掺杂区，P型硅衬底上方设置有绝缘层，绝缘层上方设置有栅极金属层，栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区外部都连接有金属引脚，栅极金属层的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线，引脚外接导线的另一端连接在热敏电阻上，热敏电阻内部伸出栅极接线柱。
[0006]上述结构中，将底部壳体与上部端盖密封后，通过底部的接地螺栓将MOS管安装在所需设备上并接地，将两根金属引脚分别接入负载电路，将栅极接线柱接入到控制电路中，在不同的温度下，热敏电阻的阻值会发生变化，继而导致栅极金属层与P型硅衬底之间的电压发生变化，直到温度达到特定值时，栅极金属层与P型硅衬底之间的电压达到阈值，使漏极N型掺杂区与源极N型掺杂区在绝缘层的电子流动条件下实现通路，最终实现了在温控开关内自动控制电路状态的目的。
[0007]为了实现温度自动控制电路工作，上部端盖与底部壳体通过边缘的卡槽配合安装并卡紧，热敏电阻用螺钉固定在上部端盖的外表面，栅极接线柱嵌入热敏电阻内部，P型硅衬底用绝缘胶粘贴在底部壳体上表面中央，接地螺栓穿过底部壳体嵌入P型硅衬底内部，N型掺杂区和源极N型掺杂区分别填充在P型硅衬底内部沟槽中。
[0008]为了实现温度自动控制电路工作，绝缘层用导电胶粘贴在P型硅衬底上方，栅极金属层用导电胶粘贴在绝缘层上表面，金属引脚分别嵌入栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区内部并固定。
[0009]为了实现温度自动控制电路工作，引脚外接导线的始端焊接在栅极金属层的外部引脚端部，引脚外接导线的尽头焊接在热敏电阻的一端，栅极接线柱从热敏电阻另一端伸出。
[0010]有益效果在于:能够通过环境温度的变化自动控制开关电压，继而实现自动控制负载电路，控制精度较高。
【附图说明】

[0011]图1是本实用新型所述一种用于温控电路的智能开关MOS管的后表面立体视图；
[0012]图2是本实用新型所述一种用于温控电路的智能开关MOS管的前表面立体视图；
[0013]图3是本实用新型所述一种用于温控电路的智能开关MOS管的内部视图。
[0014]1、底部壳体;2、上部端盖;3、热敏电阻;4、栅极接线柱;5、引脚外接导线;6、金属引脚;7、接地螺栓;8、P型硅衬底;9、漏极N型掺杂区；10、源极N型掺杂区；11、绝缘层；12、栅极金属层。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本实用新型作进一步说明:
[0016]如图1-图3所示，一种用于温控电路的智能开关MOS管，包括底部壳体1、上部端盖
2、热敏电阻3、栅极接线柱4，底部壳体I上方安装有上部端盖2，上部端盖2的外表面安装有热敏电阻3，底部壳体I上表面中央设置有P型硅衬底8，P型硅衬底8外部连接到接地螺栓7，P型硅衬底8内部设置有漏极N型掺杂区9和源极N型掺杂区10，P型硅衬底8上方设置有绝缘层U，绝缘层11上方设置有栅极金属层12，栅极金属层12和漏极N型掺杂区9以及源极N型掺杂区10外部都连接有金属引脚6，栅极金属层12的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线5，引脚外接导线5的另一端连接在热敏电阻3上，热敏电阻3内部伸出栅极接线柱4。
[0017]上述结构中，将底部壳体I与上部端盖2密封后，通过底部的接地螺栓7将MOS管安装在所需设备上并接地，将两根金属引脚6分别接入负载电路，将栅极接线柱4接入到控制电路中，在不同的温度下，热敏电阻3的阻值会发生变化，继而导致栅极金属层12与P型硅衬底8之间的电压发生变化，直到温度达到特定值时，栅极金属层12与P型硅衬底8之间的电压达到阈值，使漏极N型掺杂区9与源极N型掺杂区10在绝缘层11的电子流动条件下实现通路，最终实现了在温控开关内自动控制电路状态的目的。
[0018]为了实现温度自动控制电路工作，上部端盖2与底部壳体I通过边缘的卡槽配合安装并卡紧，热敏电阻3用螺钉固定在上部端盖2的外表面，栅极接线柱4嵌入热敏电阻3内部，P型硅衬底8用绝缘胶粘贴在底部壳体I上表面中央，接地螺栓7穿过底部壳体I嵌入P型硅衬底8内部，N型掺杂区和源极N型掺杂区1分别填充在P型硅衬底8内部沟槽中，绝缘层11用导电胶粘贴在P型硅衬底8上方，栅极金属层12用导电胶粘贴在绝缘层11上表面，金属引脚6分别嵌入栅极金属层12和漏极N型掺杂区9以及源极N型掺杂区10内部并固定，引脚外接导线5的始端焊接在栅极金属层12的外部引脚端部，引脚外接导线5的尽头焊接在热敏电阻3的一端，栅极接线柱4从热敏电阻3另一端伸出。
[0019]以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解，本实用新型不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理，在不脱离本实用新型精神和范围的前提下，本实用新型还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其效物界定。
【主权项】
1.一种用于温控电路的智能开关MOS管，其特征在于:包括底部壳体、上部端盖、热敏电阻、栅极接线柱，底部壳体上方安装有上部端盖，上部端盖的外表面安装有热敏电阻，底部壳体上表面中央设置有P型硅衬底，P型硅衬底外部连接到接地螺栓，？型硅衬底内部设置有漏极N型掺杂区和源极N型掺杂区，P型硅衬底上方设置有绝缘层，绝缘层上方设置有栅极金属层，栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区外部都连接有金属引脚，栅极金属层的外部引脚端部连接有一条引脚外接导线，引脚外接导线的另一端连接在热敏电阻上，热敏电阻内部伸出栅极接线柱。2.根据权利要求1所述的一种用于温控电路的智能开关MOS管，其特征在于:上部端盖与底部壳体通过边缘的卡槽配合安装并卡紧，热敏电阻用螺钉固定在上部端盖的外表面，栅极接线柱嵌入热敏电阻内部，P型硅衬底用绝缘胶粘贴在底部壳体上表面中央，接地螺栓穿过底部壳体嵌入P型硅衬底内部，N型掺杂区和源极N型掺杂区分别填充在P型硅衬底内部沟槽中。3.根据权利要求1所述的一种用于温控电路的智能开关MOS管，其特征在于:绝缘层用导电胶粘贴在P型硅衬底上方，栅极金属层用导电胶粘贴在绝缘层上表面，金属引脚分别嵌入栅极金属层和漏极N型掺杂区以及源极N型掺杂区内部并固定。4.根据权利要求1所述的一种用于温控电路的智能开关MOS管，其特征在于:引脚外接导线的始端焊接在栅极金属层的外部引脚端部，引脚外接导线的尽头焊接在热敏电阻的一端，栅极接线柱从热敏电阻另一端伸出。
【文档编号】G05D23/24GK205721431SQ201620363158
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月27日
【发明人】王兴
【申请人】王兴