专利名称：根据状态估算结果调整采样率的方法
技术领域：
本发明有关于一种工业处理，更详而言之，关于根据状态估算结果调整经处理工件的采样率的方法。
背景技术：
半导体产业中有股不停驱动的力量驱动着譬如微处理器、内存装置等的集成电路装置的品质、可靠度、及生产率的增加。此股动力系由消费者对于更高品质并更可靠运作的计算机与电子装置的需求所推动。这些需求导致譬如晶体管的半导体装置制造，以及包括这些晶体管的集成电路装置的制造的不断改良。并且，减少典型晶体管的组件制造中的缺点亦可降低每个晶体管的整体成本，以及包括这些晶体管的集成电路装置的成本。
通常，系使用包括光刻微影步进器、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热处理工具、布植工具等等的各种处理工具，于晶圆的群组通常称为“批(lot)”上执行一系列的处理步骤。支持半导体处理工具的技术于近年来已吸引持续增加的注意力，造成更大的改进。
改良半导体处理路线的运作的一种技术包括使用全工厂控制系统，以自动控制各种处理工具的运作。制造工具与制造结构或处理模块的网络沟通。各制造工具通常连接至设备接口。该设备接口连接至机器接口，使制造工具与制造结构间得以沟通。该机器接口通常可为先进处理控制(Advanced Process Control，APC)系统的一部份。APC系统根据制造模式激活控制脚本，以作为自动获取执行处理所需数据的软件程序。常常，半导体装置系透过多个处理用的多个制造工具，而产生关于处理的半导体装置品质的数据。
于处理中，可能发生各种影响被制造的装置的性能的事件。亦即，处理步骤的变化造成装置性能的变化。例如特征关键尺寸(criticaldimensions)、掺杂程度、杂质污染、薄膜光特性、薄膜厚度、薄膜均匀度等因素，皆可能影响装置的最终性能。于处理路线中的各种工具系根据性能模式来控制，以减少处理变化。常被控制的工具包括微影步进器、研磨工具、蚀刻工具、以及沉积工具等等。前处理与后处理测量数据系提供给工具的处理控制器。诸如处理时间的操作处理配方(recipe)参数，系由处理控制器根据性能模式与测量数据所计算，试图达到与目标值越接近越好的后处理结果。依此方式来减少变化，将增加生产率、减少成本、并获得更高装置性能等，而这些全部等同增加盈利。
半导体制造中的处理梯次(Run-to-Run)控制为一种批次(batch)控制的类型，其中批次可少到只有一个晶圆那样少或者多到像有数批晶圆那样多。处理梯次控制器的标准输出为一种处理配方。此配方定义建于处理工具中的“低阶”控制器的设定点。依此，处理梯次控制器藉由指明如温度、压力、流动、以及处理时间的处理变量所需的值而监督工具控制器。该工具控制器激活作动需求，以将这些变量维持在所需要的值上。
处理梯次控制设定可包括反馈回路，其中根据处理后测量的批次特性可调整配方参数。通常，为了控制晶圆的处理，希望能知道“处理”状态(例如处理工具状态、晶圆状态)，以处理下一批晶圆。但是，“处理”状态，通常并非直接测量而是根据先前处理的晶圆的测量而做的估算。因为时间与成本的问题，并不会测量批次中的每个晶圆。例如，于一些实施例中，系测量每五个处理过的晶圆中的一个晶圆的输出特性。但是，因为处理状态系根据测量之前处理的晶圆所估算，所考虑的采样数量可影响估算处理状态的正确性。所估算的处理状态的正确性则可影响能控制处理达到希望的目的或目标的程度。因此，需要一种调整采样测量次数而能够如所需的控制处理以达到所需的目的的方法。
本发明用于克服或至少减少一个或更多个上述问题的影响。
发明内容
于本发明的一个实施例中，提供一种根据状态估算结果调整采样率的方法。该方法包括接收有关处理工件的测量数据，根据至少该测量数据的一部份估算下次的处理状态，并决定有关所估算的下个处理状态的错误值。该方法还包括根据所估算的下个处理状态处理多个工件，并调整根据所决定的错误值来测量的经处理工件的采样协议(sampling protocol)。
于本发明的另一实施例中，提供一种根据状态估算结果调整采样率的装置。该装置包括沟通耦合至控制单元的接口。该接口系调适成接收有关处理工件的测量数据(metrology data)。控制单元系调适成根据至少该测量数据的一部份估算下次的处理状态，并决定有关所估算的下个处理状态的错误值，以及根据所估算的下个处理状态处理多个工件。控制单元复调适成调整根据决定的错误值来测量的经处理工件的采样协议。
于本发明的又一实施例中，提供一种根据状态估算结果调整采样率的对象，该对象包括一个或多个机器可读取的存储媒体，该存储媒体包含命令。当执行该一项或多项命令时，能使处理器接收有关处理工件的测量数据、根据该测量数据的至少一部份估算下次的处理状态，并决定有关所估算的下个处理状态的错误值。当执行该一项或多项命令时，还可使处理器根据所估算的下个处理状态来处理多个工件，并根据决定的错误值来调整待测量处理工件的数量。
于本发明的再一实施例中，提供一种根据状态估算结果调整采样率的系统。该系统包括控制器与处理工具。该控制器调适成接收有关处理工件的测量数据、根据该测量数据的至少一部份估算下次的处理状态，并决定有关所估算的下个处理状态的错误值。该处理工具根据所估算的下个处理状态处理多个工件。该控制单元系调适成根据决定的错误值调整待测量的经处理工件的数量。
藉由参照下列说明配合所附的图式可更了解本发明，图标中类似组件标有类似的组件符号。
尽管本发明可具各种修饰以及其它型态，将藉由图式中的范例来揭露特定实施例并于此进行详细说明。但应了解，在此说明的特定实施例并非意图限定本发明于揭露的特定形式中，相反的，本发明将包含所有不背离如由所附申请专利范围所定义本发明的范畴与精神下所进行的修改、等效者、以及代替者。
图1显示根据本发明一个实施例的工业系统的方块图；图2显示根据本发明一个实施例而可实施于图1的工业系统中的方法的流程图；以及图3显示根据本发明一个实施例而可调整经处理工件的采样协议的方法的流程图。
具体实施例方式
以下系由图说明本发明的实施方式。为使本说明书易于明了，在此并未说明实际实施的所有特征。当然，应了解到于任何真实实施例的研发时，必须针对研发者的特定目标制定针对特定实施的各种决定，如系统相关与商业相关的限制为兼容者，故而每个实施方式皆不同。再者，应了解到虽然此种研发努力可能复杂且费时，但在本领域技术人员于获得本发明揭露的好处后所施行者则为例行公事。
兹参照图式，并特别参照图1，系显示根据本发明一个实施例的系统100的方块图。于说明的实施例中，系统100可执行至少一个处理运作102，该处理运作102可为工业处理(如半导体制造处理、微影处理、化学处理)、或其它任何处理状态与处理输出会随时间改变的处理。
于系统100中，可用一个或多个处理工具105执行该处理运作102。通常，所执行的特定种类的处理运作102以及利用于处理运作102中的处理工具105的种类系取决于特定实施。例如，于化学工业处理中，处理运作102可包括聚合物的处理。于微影处理中，则该处理运作102可包括例如薄膜的处理。
为了说明，图1所述的处理运作102至少为半导体处理的一部份，例如，可为整体半导体处理的局部流程。处理运作102的范例可为蚀刻处理、沉积处理、化学机械研磨(CMP)等。处理工具105，于说明实施例中，可为任何用于制造如硅晶圆的经处理工件的半导体制造设备的形式。可利用半导体处理来产生各种集成电路产品，包括但不限于微处理器、内存装置、数字讯号处理器、特定应用集成电路(ASICs)、或其它类似装置。范例的处理工具105可包括曝光工具、蚀刻工具、沉积工具、研磨工具、快速热退火处理工具、测试设备工具、离子布植工具、以及封装工具等等。
于图1的系统100中，可使用一个或多个处理工具105来执行处理运作102。系统100可包括一个或多个测量工具112，以测量于处理运作102中经处理的一或多个工件(例如晶圆)的各种态样。测量工具112，于一个实施例中，能于线上、离线、或同时于线上及离线时测量工件的态样。于所述实施例中，调度(dispatch)模块114指示提供给测量工具112做测量的工件数量。
依照本发明的一个或多个实施例，并且将于下更详细说明，该调度模块114根据处理状态估算结果而调整经处理工件的测量频率。依照处理状态估算结果，调度模块114可增加采样频率、减少采样频率、或不改变采样频率。如在此使用者，“采样频率”的调整包括增加/减少测量输出特征的工件(例如晶圆)数量，或可包括增加/减少对给定工件或数个工件所做的测量次数，抑或调整前述两者。
制造系统100可包括制造执行系统(MES)115，该制造执行系统115系耦合至APC结构120。制造执行系统115可例如决定由处理工具105所进行的处理、何时执行这些处理、如何执行这些处理等等。于所述实施例中，制造执行系统115透过APC结构120管理并控制整个系统。
适用于制造系统100的范例APC结构120可使用由KLA-Tencor公司所提供的催化(Catalyst)系统来实施。催化系统使用半导体设备以及材料国际(Semiconductor and Materials International；SEMI)计算机整合制造(Computer Integrated Manufacturing；CIM)结构兼容的系统技术，并且系根据APC结构。CIM(SEMI E81-0699-CIM结构领域构造的临时说明书)以及APC(SEMI E93-0999-CIM结构先进处理控制组件的临时说明书)说明书可公开的由SEMI获得，其总部设于加州山景城(Mountain View)。
APC结构120包括至少一个处理控制器155，透过反馈和/或后馈处理，该处理控制器155帮助处理工具105执行达到所希望的处理，藉此达成所希望的结果。于所述实施例中，处理控制器155包括控制单元156、存储单元157、以及可存储于存储单元157中的处理模式158。处理控制器155根据自评估模块180来的输入，使用处理模式158以决定处理工具105的下个控制(control move)。由处理控制器155决定的特定控制措施系根据处理工具105执行的特定处理以及来自评估模块180的输出而定。
可使用现有线性或非线性技术凭经验地发展出处理模式158。处理模式158可为颇简单并以方程式为主的模式(例如，线性、指数、加权平均者等等)或譬如类神经网络模式、主要构件分析(PrincipalComponent Analysis；PCA)模式、部分最小平方预测/潜在结构(partialleast square projection/latent structures；PLS)模式或类似的更复杂的模式。处理模式158的特定实施可根据选择的模式技术以及所控制的处理而改变。处理控制器155，于一个实施例中，维持与处理运作102有关的接踵而来的“状态”信息，其中“状态”信息可至少部分根据选择用来收集对经控制的处理工具105所知道的测量数据和/或状态信息(亦即工具状态数据)的晶圆的特征(亦即晶圆状态数据)。“处理”状态一词在此系指“工件”状态和/或“处理”工具状态。
根据本发明的一个实施例，处理控制器155包括采样模块182。如以下将详述，采样模块182提供指示到调度模块114以调整经处理的晶圆的采样频率，至少根据评估模块180的处理状态估算结果。
评估模块180根据先前处理的工件以及先前估算状态相关的测量数据，而估算处理工具105的下个工具状态(或下个处理状态)。在此使用的“下个工具状态”一词系指处理下批工件之前，处理工具105的状态。根据估算的下个处理工具状态，处理控制器155产生下个配方，或控制处理工具105的移动。例如，于蚀刻处理的情况中，根据接收到的测量数据(例如蚀刻深度)，评估模块180估算处理工具105的蚀刻率，以及依照估算蚀刻率而由该处理控制器155接着决定处理工具105应蚀刻下个工件(如晶圆)的蚀刻时间(亦即配方)。
为了说明的目的，系在该处理运作102为蚀刻处理以及处理工具105为蚀刻工具的情况下说明评估模块180。但应注意到，评估模块180的应用并非限于此说明，亦可应用于其它所希望的工业处理。于说明的实施例，评估模块180使用状态空间模式，以说明由图1描述的处理运作102的蚀刻处理的系统动态。为说明的目的，在此假设处理工具105蚀刻率的动态行为可由方程式(1)和(2)中所示的线性偏流模式说明
x(k+1)＝Ax(k)+v(k)， (1)y(k)＝Cx(k)+w(k)， (2)其中A和C的范例值可为A=1101]]>且C＝[10]。
于范例中，x(k)=[x1(k)x2(k)],]]>因此包括两个状态，一个是蚀刻率状态x1(k)以及另一个是偏移状态的坡度x2(k)。于上述方程式中，y(k)代表输出测量值(例如，实际测量的蚀刻率)，v(k)代表处理噪声项，以及w(k)代表测量噪声。
于所述实施例中的评估模块180包括用于预测处理工具105的下个状态或预测下个处理状态Kalman滤波器。于代替性实施例中，可使用其它滤波器或过滤技术来预测下个处理或工具状态。因为评估模块180包括卡尔曼(Kalman)滤波器，滤波器的稳定状态的一般型态系说明于方程式(3)中(根据显示于方程式(1)与(2)的状态空间模式)x^[k+1]=Ax^[k]+J[k](y[k]-Cx^[k]),---(3)]]>其中 为x(k)的估算值，以及J[k]为Kalman滤器增益。如方程式(3)所示，下个估算处理状态 通常系根据先前的状态估算值 以及测量值y(k)所计算而来。
方程式(3)中Kalman滤波器增益J[k]系定义于方程式(4)J[k]＝AP[k]CT(R+CP[k]CT)-1(4)Kalman滤波器增益J[k]可由解出P的代数型雷卡笛方程式(Algebraic Riccati Equation)计算而得，其中代表错误变化范围数的P系定义于方程式(5)P[k+1]＝A(P[k]-P[k]CT(R+CP[k]CT)-1CP[k])AT+Q (5)于所述实施例中，Q与R分别为w(k)以及v(k)的共变异矩阵，其中Q与R描述与处理或处理运作102相关的噪声项。
当没有(或无法取得)工件测量值时，通常仅能使用局部处理模式来更新处理状态(亦即x[k+1]＝Ax[k]及y[k]＝Cx[k])，其中对应的下个状态及估算错误变化范围系分别为x^[k+1]=Ax^[k]]]>以及P[k+1]＝AP[k]AT+Q。
因此，当无法得到工件测量值时，将持续增加估算错误变化范围并当时间接近无限大时增加至接近无限大。输出噪声变异影响P[k]增加的速度。
当估算处理工具105的下个状态时，评估模块180的Kalman滤波器会使用Q与R共变异矩阵而将该噪声项(譬如处理噪声与测量噪声)纳入考虑之中。于说明的实例中，Q矩阵系有关测量噪声(例如，因为测量工具以及人为因素等造成的测量错误)以及R矩阵系有关处理噪声(例如，步阶干扰、功率不稳定等等)。Q与R矩阵大小可取决于给定处理中监控多少输入与输出而加以改变(例如，2乘2、4乘4、100乘100矩阵)。于Q与R矩阵中，可给预处理输入不同优先数(或值)以考虑到与该输入相关的噪声。
于实施例中，处理控制器155系以软件程序化的计算机以执行所述的功能。但是，本领域技术人员应了解，亦可使用设计成执行该特定功能的硬件控制器。再者，处理控制器155在此说明执行的功能可由散布于系统的多个控制器装置所执行。又，处理控制器155可为独立控制器，驻于处理工具105中，或于集成电路制造设施中的局部系统控制运作。在此所用“模块”一词系可于软件、硬件、或任何软件与硬件的结合中实施。
例如“处理”或“计算机”或“计算”或“决定”或“显示”之类的词除非特别说明或于讨论中显而易见的，系指计算机系统或类似的电子计算机装置的动作与处理，该装置操作及转换计算机系统的缓存器以及内存中代表实际、电子数量的数据至其它类似代表计算机系统的内存或缓存器的数据或其它信息存储、传送或显示装置中的实际数量的数据。
应了解到图1中系统100的方块图所述的说明组件仅为例示性的说明，在其它代替实施例中，可不脱离本发明的范畴与精神下使用额外的组件或减少组件。例如。于一个实施例中，例如系统100的各种组件可互相沟通而不需APC结构120。如另一范例，于一个实施例中，处理工具105、测量工具112、以及/或MES 115可分别透过相关的设备接口(未图标)与APC结构120接触(interface with)。另外，应注意到虽然各种组件(如图1系统100的调度模块114)系显示为独立组件，于另一代替实施例中，此组件可与系统100的其它组件结合。
兹参照图2，系说明根据本发明的实施例，可于图1的制造系统100中实施的方法的流程图。为说明的目的，图2的方法系以蚀刻处理的情况来说明。特别是图2的方法说明以给定处理所进行的示范步骤。这些步骤可针对各处理运行所需而重复的。
于制造系统100中，在由处理工具105处理完或正在处理第一批工件时，测量工具112(或在原位置(in-situ)的测量工具)测量(在步骤212)经处理工件的一个或多个输出特性。于蚀刻处理的情况中，测量数据可譬如包括形成于经处理晶圆上的特征的关键尺寸、轮廓、以及/或蚀刻深度。测量数据系提供给以及由处理控制器155的评估模块180所接收(在步骤215)。
评估模块180估算(在步骤220)下个处理状态。于所述的蚀刻处理的情况中，下个处理状态为蚀刻率。于一个实施例中，评估模块180可使用上述方程式(3)估算下个处理状态 根据估算蚀刻率，处理控制器155决定处理工具105的控制措施(例如蚀刻时间)。通常，估算处理状态的正确性影响能控制处理达到所希望的目标或目的的程度。
评估模块180决定(在步骤225)有关下个处理状态的估算(在步骤220)的错误值。该错误值，于一个实施例中，可指示所估算的处理状态接近处理工具105的实际状态的程度。亦即，较高的错误值可指示所估算的处理状态值，但所估算的处理状态值系由处理控制器利用来决定下个控制措施，并不代表实际的处理状态，因此可于处理结果中产生比原预期更大的偏差。相对的，较小的错误值可指示所估算的处理状态值接近实际的处理状态值。可决定多种错误值的任一个错误值(在步骤225)。例如，估算值模块180可决定预测错误值(在步骤230)，该错误值代表经处理工件的测量输出特性与意图达到的目标值间的差。若计算超过一个以上的预测错误值(例如，每个测量工件的一个预测错误值)，则于一个实施例中，可结合(例如，平均)多个经计算的错误值而导出综合错误值。接着可决定综合错误值与目标值之间的差，以确定预测错误值(在步骤230)。
于一个实施例中，评估模块180可决定与处理状态的估算(在步骤220)相关的错误变化范围值(在步骤235)。假设评估模块180使用方程式(3)来估算下个处理状态，可藉由使用方程式(5)解出P而计算与下个处理状态相关的错误变化范围值。
根据决定的错误值(在步骤225)，采样模块182(参照图1)调整(在步骤240)待测量的经处理工件的采样协议。调整采样协议(在步骤240)可包括调整待测量的处理工件的采样频率、形成于待测量的经处理工件上的特征数、以及/或测量的特征种类。
于一个实施例中，可藉由指示调度模块114而调整采样协议，以增加或减少所希望的经处理工件的采样测量的数量(或种类)。若不希望改变采样频率，则采样模块182可指示此希望给调度模块114，或代替的，不提供指示给调度模块114，因此表示不希望采样频率有所改变。调整采样协议(在步骤240)的行为的一个实施例系显示于图3中，容后说明。
于图2中，处理工具105根据所估算的下个处理状态来处理(在步骤250)下一批工件。于蚀刻处理的情况中，处理工具105根据依所估算的蚀刻率产生的配方(或控制措施)而蚀刻晶圆。
测量工具112依照经调整的采样协议(在步骤240)来测量(在步骤255)选择数量的经处理工件的。因此，例如，若采样模块182增加采样频率(在步骤240)，测量工具112可比于一个或多个先前的处理运作期间所进行的测量而进行更多的测量。测量工具112可进行更多测量，例如，藉由增加所采样的经处理工件数量、增加测量的经处理工件特征数量、或其增加结合前述两种数量。于其它例子中，如上述，测量工具112可测量比之前较少的经处理工件。应了解经处理工件的测量可包括经处理工件的一个或多个特征或输出特性(例如，沉积厚度、蚀刻深度、关键尺寸)的测量。
于图3中，采样模块182决定(在步骤310)是否错误值(其系在步骤225中决定)大于第一预选的阈值，以及若是，则采样模块182指示调度模块以增加(在步骤315)采样频率。因为错误值大于第一预选的阈值而希望采样频率增加，表示所估算的处理状态值并无法代表实际的处理状态，该估算的处理状态值系由处理控制器155用来决定下个控制措施，并且因此需要更多测量来改善处理状态估算。于一个实施例中，采样模块182根据错误值大小可指示调度模块114希望的新采样频率。应了解到指定给第一预选阈值的特定值取决于特定实施。
若错误值不大于第一预选阈值(在步骤310)，则采样模块182决定(在步骤320)是否错误值小于第二预选阈值。若错误值小于第二预选阈值，则于一个实施例中，采样模块182指示(在步骤330)调度模块114减少采样频率。可能因为错误值小于第二预选的阈值而希望采样频率减少，表示所估算的处理状态值颇接近实际的处理状态，因此可减少所需的测量数量而不至于显著的对处理状态估算有不好的影响。于代替实施例中，采样模块182可不提供减少采样频率的指示，直到决定出多个错误值并无超过第二预选阈值。亦即，采样频率只在数个连续错误值(与数个处理运作有关)系小于第二预选阈值。于一个实施例中，采样模块182根据错误值大小可指示调度模块114希望的新采样频率。应了解到指定给第二预选阈值的特定值取决于特定实施。
若错误值不大于第一预选阈值且不小于第二预选阈值，则于说明的实施例中，采样模块182可指示调度模块114不改变希望的采样频率。于代替实施例中，若决定不希望改变采样频率，则采样模块182可不提供指示至调度模块114，藉此指示采样模块182应继续照先前采样频率(或其它预定采样频率)进行采样。
本发明的一个或多个实施例根据处理状态估算结果，按需要调整采样协议，且特别是取决于有关处理状态估算的错误值。例如，若决定有颇大的错误可增加采样率，或若决定有颇小的错误可减少采样率。在其它情况中，若所决定的错误值不会太大或过小，则可不改变该采样协议。藉由按需要调整采样协议，可提供一种效率高且有效控制处理以达到所希望的目的的方法。
可藉由控制单元156(参照图1)执行各种系统层、例行程序、成模块。在此所使用的“控制单元”一词可包括微处理器、微控制器、数字讯号处理器、处理器卡(包括一个或更多微处理器或控制器)、或者其它控制或计算机装置。在此讨论中提及的存储单元157(参照图1)可包括一个或更多机器可读的存储媒体，以存储数据与命令。存储媒体可包括不同形式的内存，包括譬如动态或静态随机存取内存(DRAMs或SRAMs)的可擦除可程序只读存储器(EPROMs)、电子可擦除可程序只读存储器(EEPROMs)、以及闪存、半导体内存装置；譬如固定、软盘、或可移除的磁盘驱动器；其它包括磁带的磁性媒体；以及譬如光盘(CDs)或数字视讯光盘(DVDs)的光学媒体。于各种系统中组成各种软件层、例行程序、模块的命令可存储于个别存储装置中。这些命令可藉由个别控制单元执行，以令对应系统执行程序动作。
上述的特定实施例仅例示性说明，任何本领域技术人员在获得本发明教示的好处后，均可对本发明做出不同但均等的修改与实行。再者，本发明并不限于在此所显示的设计或建构的细节内，而应由后述的申请专利范围所列所定。因此很明显的可在不违背本发明的精神及范畴下，对揭露的特定实施例进行修饰与改变。因此，在此所保护的概念如以下权利要求书中所提出的。
权利要求
1.一种方法，包括接收有关于一个或更多个先前经处理的工件的测量数据；根据该测量数据的至少一部份估算下个处理状态；决定有关于该估算的下个处理状态的错误值；根据该估算的下个处理状态处理多个工件；以及根据该决定的错误值调整该等经处理工件所欲测量的采样协议。
2.如权利要求1所述的方法，其中，估算该下个处理状态包括根据先前状态的估算以及状态空间模式来估算该下个处理状态。
3.如权利要求1所述的方法，其中，调整该采样协议包括调整该待测量的经处理工件的数量、该待测量的经处理工件上形成的特征数量、以及待测量的特征种类的至少其中之一。
4.如权利要求3所述的方法，其中，决定该错误值包括决定有关于该估算的下个处理状态的错误变化范围。
5.如权利要求4所述的方法，其中，调整该经处理工件的数量包括若该错误变化范围大于预选的阈值时，增加该待测量的经处理工件的数量，以及若该错误变化范围小于预选的阈值时，减少该待测量的经处理工件的数量。
6.如权利要求5所述的方法，还包括决定各多个处理运作中每一个的错误变化范围，以及其中调整该经处理工件的数量包括若各该多个处理运作的每一个的错误变化范围小于该预选的阈值时，减少该待测量的经处理工件的数量。
7.一种装置(120)，包括接口，适用于接收有关于处理工件的测量数据；以及控制单元(156)，沟通耦合至该接口，该控制单元(156)调适成根据该测量数据的至少一部份估算下个处理状态；决定有关于该估算的下个处理状态的错误值；根据该估算的下个处理状态处理多个工件；以及根据该决定的错误值调整该待测量的经处理工件的采样协议。
8.如权利要求7所述的装置，其中，该控制单元调适成处理多个半导体晶圆以及使用卡尔曼滤波器估算该下个处理状态，以及该控制单元调适成根据先前状态的估算来估算该下个处理状态。
9.如权利要求7所述的装置，其中，该控制单元调适成决定包括有关于该估算的下个处理状态的错误变化范围的错误值。
10.如权利要求9所述的装置，其中，该控制单元调节成如果该错误变化范围大于预选的阈值时，增加该待测量的经处理工件的数量，以及该控制单元调节成如果该错误变化范围小于预选的阈值时，减少该待测量的经处理工件的数量的其中之一。
全文摘要
一种用于根据状态估算结果调整采样率的方法与装置(120)。该方法包括接收有关于处理工件的测量数据，根据该测量数据的至少一部份估算下个处理状态，并且决定有关于该估算的下个处理状态的错误值。该方法还包括根据估算的下个处理状态而处理多个工件，以及根据该决定的错误值调整该待测量的经处理工件的采样协议。
文档编号G05B19/418GK1759358SQ200380110219
公开日2006年4月12日 申请日期2003年12月22日 优先权日2003年4月3日
发明者J·王, B·K·卡森 申请人:先进微装置公司