专利名称：发光二极管的温度特性测量系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种测量系统，特别涉及一种用以测量发光二极管的温度特性的测量系统。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode; LED)具有工作电压低，耗电量小，发光效率高，反 应时间短，光色纯，结构牢固，抗冲击，耐振动，性能稳定可靠，重量轻，体积小及成本低 等特点。随着技术的进步，发光二极管可展现的亮度等级越来越高，其应用领域也越来越广 泛，例如大面积图文显示全彩屏，状态指示、标志照明、信号显示、液晶显示器的背光源 或车内照明。
为了得知环境温度对于发光二极管的光电特性的影响，需要对发光二极管进行温度特性 的测量。当进行发光二极管的温度特性测量时，需利用例如环境控制箱、烤箱或冷热二极 管等温控设备，来控制发光二极管的环境温度，并通过光学测量系统来测量环境温度对于发 光二极管的光电特性的影响。当进行发光二极管的低温测试时，则需另搭配压縮机或其它冷 却装置，来降低发光二极管的环境温度。
然而，在一般发光二极管的温度特性测量过程中，发光二极管组件和光学测量系统的侦 测器暴露于一般大气中，当环境温度产生变化时，例如当环境温度由室温下降至零度以下时， 则容易发生水气凝结或结霜的情形，因而造成光学测量上的误差，影响测量的准确性。
实用新型内容
本实用新型的目的在于，提供一种发光二极管的温度特性测量系统，用以测量发光二极 管的温度特性，并可避免在测量时发生水气凝结或结霜的情形，因而确保测量准确度。 本实用新型采用如下技术方案
一种发光二极管的温度特性测量系统，用以测量发光二极管的温度特性，其中测量系统 至少包含环境控制装置、流体介质、温度控制装置及光学测量装置。环境控制装置具有容置 空间，其中发光二极管设置于该容置空间中。所述流体介质填充于环境控制装置的容置空间 中，并包覆住发光二极管。其中，所述流体介质为绝缘材料，且流体介质在容置空间内的温 度操作范围介于一55度('C)至140度('C)之间。温度控制装置用以控制容置空间内的温度。光学测量装置用以测量发光二极管的光学特性。
本实用新型可用以测量环境温度对于发光二极管的光学特性的影响，并可确保在环境温 度变化时的测量准确度。
以下结合附图及实施例进一步说明本实用新型。
图l、图2为本实用新型第一实施例的结构框图。 图3为本实用新型第一实施例的结构框图。 标号说明
100:测量系统133:冷却装置
110:环境控制装置140:光学测量装置
111:容置空间141:侦测器
112:均温装置142:隔绝透镜
120、120a:流体介质跳控制单元
130:温度控制装置跳电源电表
131:温度控制器200:发光二极管
132:加热装置
具体实施方式第一实施例
如图l、图2所示， 一种发光二极管的温度特性测量系统100，用以测量发光二极管200 的温度特性，以此了解环境温度对于发光二极管200的光学特性的影响。其至少包含有环境 控制装置110、流体介质120、温度控制装置130、光学测量装置140、控制单元150及电源 电表(Source Meter) 160。发光二极管200设置于环境控制装置110内，以进行测量，流体介 质120填充于环境控制装置110内，并包覆住发光二极管200,温度控制装置130用以控制环 境控制装置110内的温度，光学测量装置140用以测量发光二极管200的光学特性，控制单 元150导电连接于温度控制装置130、光学测量装置140及电源电表160，以进行控制动作， 电源电表160用于侦测发光二极管200的电学性能。
如图2所示，本实施例的环境控制装置110具有容置空间111，用以容设发光二极管200 和流体介质120，以此使发光二极管200设置于流体介质120中，并透过流体介质120来测量发光二极管200的温度特性，亦即测量发光二极管200在不同环境温度下的光学特性表现。 此外，环境控制装置110可设有均温装置112，例如为磁力搅拌棒或通过马达来带动叶片， 其设置于容置空间111中，用于对容置空间111内的流体介质120进行搅拌动作，而达到快 速均匀温度效果。
如图2所示，本实施例的流体介质120填充于环境控制装置110的容置空间111中，并 包覆住发光二极管200，其中流体介质120优选绝缘流体材料，且流体介质120在容置空间 111内的温度操作范围(亦即发光二极管200的环境温度变化)介于负55度(一55'C)至140度 rc)之间，优选介于负40度(一4(TC)至125度(。C)之间。在本实施例中，流体介质120可采 用油质材料，较好的是选用硅油，此时环境控制装置110例如可为油浴槽，以容置硅油和发 光二极管200。由于本实施例的流体介质120在高温(例如IOO度以上)或低温(例如零下温度) 时不会发生变化，并且不会与发光二极管200发生反应，因而本实施例的流体介质120可适 合作为发光二极管200的环境流体介质，以进行发光二极管200温度特性的测量。
如图2所示，本实施例的温度控制装置130设有温度控制器131、加热装置132及冷却装 置133,温度控制器131导电性连接于加热装置132和冷却装置133，以控制加热装置132来 加热容置空间111内的流体介质120，或者控制冷却装置133来冷却流体介质120，以提高或 降低测量系统100的环境温度。加热装置132例如为加热线圈或冷热二极管，用以快速地提 高流体介质120的温度。冷却装置133例如为冷却压缩机、冷热二极管或液态气体冷却装置， 用以快速地降低流体介质120的温度。
如图2所示，本实施例的光学测量装置140用以测量在流体介质120中的发光二极管200 的光学特性，例如光通量、光分布、亮度、光谱分布、色度坐标、显色指数或发光效率等。 光学测量装置140设有侦测器141和隔绝透镜142，侦测器141设置于环境控制装置110中， 并对应于发光二极管200，以直接侦测发光二极管200的光学特性。隔绝透镜142设置侦测器 141上，用以隔绝流体介质120，并允许光线透过，其中侦测器141和隔绝透镜142之间可进 行真空处理或设有除湿剂材料，以防止水气产生。控制单元150用以控制温度控制装置130、 光学测量装置140及电源电表160,控制单元150例如为计算机主机或微控制芯片，并可设有 显示装置(未绘示)，以显示测量结果。电源电表160导电连接于发光二极管200，以实时侦测 发光二极管200的电学性能，例如电压和电流等。
值得注意的是，本实施例的测量系统100可分别测量发光二极管200在不同环境温度下 的光学特性，以进行比对，因而可得到发光二极管200的温度特性。
因此，本实施例的测量系统100可通过绝缘的流体介质120来作为发光二极管200的环境流体介质，以避免在环境温度产生变化时发生水气凝结或结霜的情形，因而可确保测量准 确性。
第二实施例
如图3所示， 一种发光二极管的温度特性测量系统，以下仅就本实施例与第一实施例之 间的不同之处进行说明，关于相似处则在此不再赘述。与第一实施例相比，第二实施例的流 体介质120a例如为超纯水(Ultrapure Water)，以作为发光二极管200的环境流体介质，以 确保测量准确性。
由上述本实用新型的实施例可知，本实用新型的测量系统可用以测量环境温度对于发光 二极管的光学特性的影响，并可确保在环境温度变化时的测量准确度。
以上所述的实施例仅用于说明本实用新型的技术思想及特点，其目的在使本领域内的技 术人员能够了解本实用新型的内容并据以实施，当不能仅以本实施例来限定本实用新型的专 利范围，即凡依本实用新型所揭示的精神所作的同等变化或修饰，仍落在本实用新型的专利 范围内。
权利要求1.一种发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于包括一环境控制装置，其具有一容置空间的，发光二极管设置于该容置空间中；一流体介质，填充于该容置空间中，并包覆住该发光二极管；一温度控制装置，用以控制该容置空间内的温度；以及一光学测量装置，用以测量在该流体介质中的该发光二极管的光学特性。
2. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于还包括 一控制单元，电性连接于该温度控制装置和该光学测量装置，以该温度控制装置和该光学测量装置。
3. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于还包括一用于侦 测该发光二极管的电压或电流的电源电表。
4. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该该容置空间 还设有一均匀流体介质温度的均温装置。
5. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该流体介质为 绝缘材料，且该流体介质在该容置空间内的温度操作范围介于一55度至140度之间。
6. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该流体介质在 该容置空间内的温度操作范围介于一40度至125度之间。
7. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该流体介质为 油质材料。
8. 根据权利要求7所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该流体介质为硅油。
9. 根据权利要求1所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特征在于该流体介质为 超纯水。
10. 根据权利要求1至9中任一权利要求所述的发光二极管的温度特性测量系统，其特 征在于该温度控制装置包括一加热装置，用以对该流体介质进行加热； 一冷却装置，用以对该流体介质进行冷却；以及一温度控制器，电性连接于该加热装置和该冷却装置，用以控制该加热装置和该冷却装置。
专利摘要一种发光二极管的温度特性测量系统，用于测量发光二极管的温度特性，其包括环境控制装置、流体介质、温度控制装置及光学测量装置。所述发光二极管设置于环境控制装置的容置空间中，所述流体介质填充于环境控制装置的容置空间中，所述温度控制装置用于控制容置空间内的温度，光学测量装置用于测量发光二极管的光学特性。本实用新型可用以测量环境温度对于发光二极管的光学特性的影响，并可确保在环境温度变化时的测量准确度。
文档编号G05D23/00GK201145717SQ20072018980
公开日2008年11月5日 申请日期2007年9月28日 优先权日2007年9月28日
发明者翁思渊 申请人:亿光电子工业股份有限公司