专利名称：一种电压跟随控制电路的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电路设计领域，具体涉及一种电压跟随控制电路，适用于控制电压高电平在一个较大范围变化，且最高值远高于开关MOS管的Vgs (th)门槛电压的控制电路。
背景技术：
当控制电压逻辑高电平在一个较大范围变化，且最高值远高于开关MOS管的Vgs(th)门槛电压时，如果使用电阻分压的方式来降低加到开关MOS管的栅极G和源极S，加到Vgs将会无法控制在一个安全且有效的电压值。所以有必要在开关MOS管的控制端加一个电压跟随模块，来使开关MOS管的Vgs在一个安全且有效的电压值。
发明内容本实用新型的目的是提供一种电压跟随控制电路，能够使开关MOS管的Vgs在一个安全且有效的电压值。为了实现这一目的，本实用新型的技术方案如下:一种电压跟随控制电路，包括一开关MOS管，其特征在于该开关MOS管的源极接地，该开关MOS管的栅极通过一个N沟道MOS管和控制电压连接。根据本实用新型的具体实施例，该开关MOS管的栅极与N沟道MOS管的源极连接，N沟道MOS管的漏极通过第一电阻接控制电压端，N沟道MOS管的栅极通过第二电阻与跟随电压连接。开关MOS管的栅极和源极之间连接有一偏置电阻。本实用新型在开关MOS管的栅极和控制电压之间增加一个N沟道MOS管，并且引入一个能起到安全有效控制的电压，但是逻辑控制仍然来自控制端:当控制电压逻辑为低时，开关MOS的栅极G通过该N沟道MOS被拉低，开关MOS关闭；当控制电压为高时，开关MOS的G得到该引入的跟随电压减去Ql导通的门槛电压。本实用新型的优点在于当控制电压不是一个恒定值，并且最高电压高于开关MOS的Vgs能承受的最大值时，既能够有效控制开关MOS的导通与否，又对MOS不造成伤害。
图1为本实用新型的电路图。
具体实施方式
如图所示，一种电压跟随控制电路，包括一开关MOS管Q2，其特征在于该开关MOS管Q2的源极接地，该开关MOS管Q2的栅极通过一个N沟道MOS管Ql和控制电压端(controlvoltage)连接。有根据本实用新型的具体实施例，该开关MOS管Q2的栅极与N沟道MOS管Ql的源极连接，N沟道MOS管Ql的漏极通过第一电阻Rl接控制电压端，N沟道MOS管Ql的栅极通过第二电阻R2与跟随电压连接。开关MOS管Q2的栅极和源极之间连接有一偏置电阻R3。[0008]开关MOS管Q2的源极接地，漏极收到栅极的电平控制，如果栅极为低则漏极和源极不导通；如果栅极为高，则漏极和源极导通，但是栅极的电压不能太高，如果太高可能会将栅极和源极之间会被击穿，导致损坏该开关MOS管Q2。将该开关MOS管Q2的栅极与起跟随作用的N沟道MOS管Ql的源极相连，N沟道MOS管Ql的漏极通过第一电阻Rl连接控制电压，N沟道MOS管Ql的栅极通过第二电阻R2连接跟随电压10V。当控制电压为低时，N沟道MOS管Ql导通，低电平通过N沟道MOS管Ql传至开关MOS管Q2的栅极，从而将开关MOS管Q2关闭。当控制电平为高时，以图示为例:控制电压为60V，当N沟道MOS管Ql导通时源极电压被控制电压拉高，当源极电压升高到接近栅极电压IOV时，N沟道MOS管Ql不导通，当N沟道MOS管Ql不导通时，N沟道MOS管Ql源极电压又被地拉低，所以N沟道MOS管Ql的源极电压会维持在IOV-Vgs (th)左右，即被钳制在IOV-Vgs (th)，使开关MOS管Q2的栅极电压控制在IOV-Vgs (th)左右，进而使开关MOS管Q2安全的导通。因此当控制电压逻辑为高电平时(以如附图为例，30V到60V)，该串入的N沟道MOS将开关MOS的栅极电压会钳制在IOV-Vgs (th)大小，不至于会达到60V而破坏开关M0S，使开关MOS安全的打开。只要控制电压高电平高于该跟随电压，开关MOS栅极G得到的电压始终为跟随电压减去该N沟道门槛电压。在具体实施时，上述控制电压为3(T60V，跟随电压为8 12V。
权利要求1.一种电压跟随控制电路，包括一开关MOS管，其特征在于该开关MOS管的源极接地，该开关MOS管的栅极通过一个N沟道MOS管和控制电压连接。
2.按权利要求1的电压跟随控制电路，其特征在于该开关MOS管的栅极与N沟道MOS管的源极连接，N沟道MOS管的漏极通过第一电阻接控制电压端，N沟道MOS管的栅极通过第二电阻与跟随电压连接。
3.按权利要求2的电压跟随控制电路，其特征在于开关MOS管的栅极和源极之间连接有一偏置电阻。
4.按权利要求2的电压跟随控制电路，其特征在于控制电压为3(T60V，跟随电压为8 12V。
专利摘要本实用新型公开了一种电压跟随控制电路，包括一开关MOS管，其特征在于该开关MOS管的源极接地，该开关MOS管的栅极通过一个N沟道MOS管和控制电压连接。本实用新型在开关MOS管的栅极和控制电压之间增加一个N沟道MOS管，并且引入一个能起到安全有效控制的电压，但是逻辑控制仍然来自控制端当控制电压逻辑为低时，开关MOS的栅极G通过该N沟道MOS被拉低，开关MOS关闭；当控制电压为高时，开关MOS的G得到该引入的跟随电压减去Q1导通的门槛电压。本实用新型的优点在于当控制电压不是一个恒定值，并且最高电压高于开关MOS的Vgs能承受的最大值时，既能够有效控制开关MOS的导通与否，又对MOS不造成伤害。
文档编号G05F1/56GK202929512SQ20122061053
公开日2013年5月8日 申请日期2012年11月19日 优先权日2012年11月19日
发明者胡建东 申请人:萨康电子(上海)有限公司