低温度系数的片上电阻的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种低温度系数的片上电阻，其包括：基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连；所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连，所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。通过开关电容与多晶硅、N阱或扩散电阻按比例并联来实现的复合电阻单元，其在整体阻值上体现了低温度依赖性。为需要使用低温度系数电阻的电路设计提供了不需片外电阻和温度补偿算法的简单解决方案。
【专利说明】低温度系数的片上电阻
【【技术领域】】
[0001]本发明涉及一种片上电阻，特别是涉及低温度系数的片上电阻。
【【背景技术】】
[0002]在高精度模拟电路设计中常会需要用到阻值不随温度变化的电阻。随着CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor)工艺的发展，可用电阻的温度系数往往较大。在一些nm(纳米)工艺上，甚至所有电阻均呈现相同的温度变化趋势。例如在 TSMC (Taiwan Semiconductor Manufactur ingCompany) 9Onm 工艺上，nwell(N 讲)、diffusion(扩散)和poly (多晶硅)电阻皆表现出负的温度系数。所以在这些工艺上，当设计需要独立于温度变化的电阻时往往会使用片外电阻或采取复杂的温度补偿机制，从而降低集成度或增加设计复杂度和成本。[0003]因此，有必要提出一种改进的技术方案来解决上述问题。
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【发明内容】
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[0004]本发明的目的在于提供一种片上电阻，其不需要使用片外电阻，也不需要采取复杂的温度补偿机制，就可以低温度温度系数。
[0005]为了实现上述目的，本发明提出一种片上电阻，其包括:基底；形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端；形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连；所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连，所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。
[0006]进一步的，所述电阻和所述开关电容共同形成复合电阻单元，所述复合电阻单元具有低于所述电阻的温度系数，所述电阻和所述电容单元同为负温度系数或正温度系数。
[0007]进一步的，所述电阻为多晶硅电阻、N阱或扩散电阻，所述电容单元为金属-绝缘-金属或金属-氧化层-金属电容。
[0008]进一步的，所述电阻和所述电容单元的比例为:
【权利要求】
1.一种片上电阻，其特征在于，其包括: 基底； 形成于所述基底上的电阻，其具有第一连接端和第二连接端； 形成于所述基底上的开关电容，其包括第一开关、第二开关和电容单元，第一开关的一端与电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电阻的第一连接端相连，第二开关的一端与所述电容单元的第一连接端相连，另一端与所述电容单元的第二连接端相连，所述电容的第二连接端与所述电阻的第二连接端相连； 所述电阻和所述电容单元具有同相的温度系数。
2.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，所述电阻和所述开关电容共同形成复合电阻单元，所述复合电阻单元具有低于所述电阻的温度系数， 所述电阻和所述电容单元同为负温度系数或正温度系数。
3.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，所述电阻为多晶硅、N阱或扩散电阻，所述电容单元为金属-绝缘-金属或金属-氧化层-金属电容。
4.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，所述电阻和所述电容单元的比例为:
5.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，其采用纳米级别的CMOS工艺制造而成。
6.根据权利要求1所述的片上电阻，其特征在于，第一开关导通时，第二开关截止;第二开关导通时，第一开关截止。
【文档编号】G05F1/567GK103926969SQ201410179256
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2014年4月29日 优先权日:2014年4月29日
【发明者】夏波 申请人:无锡中星微电子有限公司