负压控制大电流电路的制作方法

文档序号:11652484

本实用新型涉及微波电子线路领域,具体地,涉及一种负压控制大电流电路。



背景技术:

在现代微波毫米波通信、卫星通信、有源相控阵雷达、测试仪表等领域的系统电路中,微波控制器件都有着举足轻重的地位,微波控制器件涉及移相、衰减、限幅等器件。微波控制器件主要用于对微波毫米波信号做相位调整、幅度变化、功率保护等处理,从而达到在各类系统电路中,对微波毫米波信号作出某种特殊变化的目的。

现阶段并没有对负压进行大电流控制的电路,那么为了对微波信号做出特殊变化,亟需设计一种负压控制大电流电路。



技术实现要素:

本实用新型的目的是提供一种负压控制大电流电路,该负压控制大电流电路克服了现有技术中没有对负压进行大电流控制的电路,实现了负压控制大电流输出。

本实用新型提供一种负压控制大电流电路,该电路包括:NPN型三极管和P沟道MOS管;其中,所述NPN型三极管的基极通过第一电阻接地;所述NPN型三极管的发射极通过第二电阻连接于控制端口输入端;所述NPN型三极管的集电极连接于所述P沟道MOS管的栅极;所述P沟道MOS管的漏极连接于输出端口;所述P沟道MOS管的源极连接于大电流输入端口的VDD,所述大电流输入端口的电压为-5V或0V,且所述MOS管的源极通过第三电阻连接于所述NPN型三极管的集电极;所述第一电阻的阻值为4.5-5.5KΩ;所述第二电阻的阻值为2-2.2kΩ;所述第三电阻的阻值为10-10.2kΩ。

优选地,当所述控制端口输入端接上负压为-5V的情况下,所述NPN型三极管的基极和所述NPN型三极管的发射极之间的电压为5V,且所述NPN型三极管处于导通状态;所述输出端口输出大电流为输入端口的VDD的电流1-5A。

优选地,当所述控制端口输入端为0V的情况下,所述NPN型三极管的基极和所述NPN型三极管的发射极之间的电压为0V,所述NPN型三极管和所述P沟道的MOS管处于截止状态;所述输出端口输出小电流为0A。

优选地,所述第一电阻的阻值为5KΩ;所述第二电阻的阻值为2kΩ;所述第三电阻的阻值为10kΩ。

通过上述的实施方式,本电路设计简单,经济实用,安全性高,可操作性强,可广泛应用于微波控制器件对微波毫米波信号做相位调整、幅度变化、功率保护等多种处理的电路中。上述的电路可以实现负压控制大电流的功能。

本实用新型的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型,但并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是说明本实用新型的一种负压控制大电流电路的电路原理图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。

本实用新型提供一种负压控制大电流电路,该电路包括:NPN型三极管和P沟道MOS管;其中,所述NPN型三极管的基极通过第一电阻接地;所述NPN型三极管的发射极通过第二电阻连接于控制端口输入端;所述NPN型三极管的集电极连接于所述P沟道MOS管的栅极;所述P沟道MOS管的漏极连接于输出端口;所述P沟道MOS管的源极连接于大电流输入端口的VDD,所述大电流输入端口的电压为-5V或0V,且所述MOS管的源极通过第三电阻连接于所述NPN型三极管的集电极;所述第一电阻的阻值为4.5-5.5KΩ;所述第二电阻的阻值为2-2.2kΩ;所述第三电阻的阻值为10-10.2kΩ。

通过上述的实施方式,本电路设计简单,经济实用,安全性高,可操作性强,可广泛应用于微波控制器件对微波毫米波信号做相位调整、幅度变化、功率保护等多种处理的电路中。上述的电路可以实现负压控制大电流的功能。

本实用新型的新型负压控制大电流电路的结构,用负电压(-5V)实现对大电流信号的控制,主要通过利用NPN型的三极管的导通特性以及P沟道MOS管对电流大放大作用实现负压控制大电流大路。

在本实用新型的一种具体实施方式中,当所述控制端口输入端接上负压为-5V的情况下,所述NPN型三极管的基极和所述NPN型三极管的发射极之间的电压为5V,且所述NPN型三极管处于导通状态;所述输出端口输出大电流为输入端口的VDD的电流(1-5A)。

通过上述的实施方式,本实用新型的控制端口输入端接收端口的输入,用负电压(-5V)实现对大电流信号的控制。

在本实用新型的一种具体实施方式中,当所述控制端口输入端为0V的情况下,所述NPN型三极管的基极和所述NPN型三极管的发射极之间的电压为0V,所述NPN型三极管和所述P沟道的MOS管处于截止状态;所述输出端口输出为小电流几乎为0A。

如图1所示,当输入控制端口IN悬空(即上述的控制端口输入端为0V)时,Ueb的电压值为0,三极管T1为不导通状态,c点的电流值为0,P沟道的MOS管也处于截止状态,输出端口OUT输出为0V。

上述实施方式中,所述第一电阻的阻值为5KΩ;所述第二电阻的阻值为2kΩ;所述第三电阻的阻值为10kΩ。

以上结合附图详细描述了本实用新型的优选实施方式,但是,本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节,在本实用新型的技术构思范围内,可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型,这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。

另外需要说明的是,在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征,在不矛盾的情况下,可以通过任何合适的方式进行组合,为了避免不必要的重复,本实用新型对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外,本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合,只要其不违背本实用新型的思想,其同样应当视为本实用新型所公开的内容。

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