技术总结
本实用新型公开负压控制大电流电路，该电路包括：NPN型三极管和P沟道MOS管；其中，所述NPN型三极管的基极通过第一电阻接地；所述NPN型三极管的发射极通过第二电阻连接于控制端口输入端；所述NPN型三极管的集电极连接于所述P沟道MOS管的栅极；所述P沟道MOS管的漏极连接于输出端口；所述P沟道MOS管的源极连接于大电流输入端口的VDD，所述大电流输入端口的电压为‑5V或0V，且所述MOS管的源极通过第三电阻连接于所述NPN型三极管的集电极；所述第一电阻的阻值为5kΩ；所述第二电阻的阻值为2kΩ；所述第三电阻的阻值为10kΩ。该负压控制大电流电路实现了负压控制大电流输出。
技术研发人员：徐日红;费文军;李金晶;陈兴盛;汪伦源;赵影
受保护的技术使用者：安徽华东光电技术研究所
文档号码：201621422259
技术研发日：2016.12.23
技术公布日：2017.07.25