一种温度设定电路的制作方法

文档序号:11210382阅读:715来源:国知局
一种温度设定电路的制造方法与工艺

本实用新型涉及电烤箱技术领域,特别是涉及一种温度设定电路。



背景技术:

电烤箱是我们生活中一个主要生活所用到的电气产品,在饭店、酒店、企事业单位和学校食堂等食品加工中得到了广泛的应用,烘烤的对象主要是面包、副食品等。其中,电烤箱包括温度设定电路,如图1所示,电烤箱通过电位器R1设定预设温度,当外界温度变化,可以通过温敏电阻R3检测出,经单片机运算,与预设温度进行比较,如果温度没有到达预设温度,继电器K继续闭合,继续加热,当温度达到设定温度时,继电器K断开,停止加热。

但是,由于电位器R1的离散型大,设定的预设温度的精度很难达到要求,因此,需要进行电位器R1挑选,这样费时费力,还会有很大比例的电位器R1无法使用。



技术实现要素:

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种温度设定电路,其所设定的温度的精度高。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的一个技术方案是:提供一种温度设定电路,包括:电位器,其第一端与电压源连接,第二端通过第一电阻接地;单片机,与电位器的滑动端连接,用于获取电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;记忆模块,与单片机连接,用于存储电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;温敏电阻,其一端与电压源连接,另一端通过第二电阻接地;晶体管,其第二端与单片机连接,第三端接地;继电器,其一端与晶体管的第一端连接,另一端与电压源连接;其中,单片机还与继电器和温敏电阻的另一端连接,以使得单片机将记忆模块所存储的第一温度值与温敏电阻所检测的第二温度值进行对比,并根据对比结果控制继电器的通断。

其中,记忆模块包括EEROM。

其中,还包括:二极管,其阳极与继电器的一端连接,阴极与继电器的另一端连接。

其中,晶体管为NPN型晶体管,晶体管的第一端为NPN型晶体管的集电极,晶体管的第二端为NPN型晶体管的基极,晶体管的第三端为NPN型晶体管的发射极。

其中,晶体管的第二端通过第三电阻与单片机连接。

本实用新型的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实用新型的温度设定电路包括:电位器,其第一端与电压源连接,第二端通过第一电阻接地;单片机,与电位器的滑动端连接,用于获取电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;记忆模块,与单片机连接,用于存储电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;温敏电阻,其一端与电压源连接,另一端通过第二电阻接地;晶体管,其第二端与单片机连接,第三端接地;继电器,其一端与晶体管的第一端连接,另一端与电压源连接;其中,单片机还与继电器和温敏电阻的另一端连接,以使得单片机将记忆模块所存储的第一温度值与温敏电阻所检测的第二温度值进行对比,并根据对比结果控制继电器的通断。通过上述方式,本实用新型的温度设定电路所设定的温度的精度高,不需要考虑电位器的离散型,使电位器的合用率达100%,避免了挑选电位器时带来的质量事故发生,也减少了挑选工时。

附图说明

图1是现有技术中温度设定电路的结构示意图;

图2是本实用新型温度设定电路的结构示意图。

具体实施方式

如图2所示,图2是本实用新型温度设定电路的结构示意图。该温度设定电路包括电位器R1、单片机U、记忆模块E、温敏电阻R3、晶体管Q和继电器K。

电位器R1的第一端与电压源VCC连接,电位器R1的第二端通过第一电阻R2接地,通过设置第一电阻R2,可以避免。应理解,电位器R1为可变电阻。

单片机U与电位器R1的滑动端连接,用于获取电位器R1的滑动端在电位器R1的位置所对应的第一温度值。应理解,第一温度值有多个,具体地,当电位器R1的滑动端在电位器R1的第一位置时,第一温度值为a1;当电位器R1的滑动端在电位器R1的第二位置时,第一温度值为a2;当电位器R1的滑动端在电位器R1的第三位置时,第一温度值为a3等等。

记忆模块E与单片机U连接,用于存储电位器R1的滑动端在电位器R1的位置所对应的第一温度值。

在本实施例中,记忆模块E包括EEROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦可编程只读存储器)、EROM(Eraseable Read Only Memory,是可擦只读存储器)、记忆芯片或其他记忆模块。应理解,记忆模块可采用现有技术中具有记忆功能的记忆模块产品构成,在此不一一赘述。

温敏电阻R3一端与电压源VCC连接,另一端通过第二电阻R4接地。

晶体管Q的第一端继电器K的一端连接,晶体管Q的第二端与单片机U连接,晶体管Q的第三端接地。进一步的,晶体管Q的第二端通过第三电阻R5与单片机U连接。

在本实施例中,晶体管Q为NPN型晶体管,晶体管Q的第一端为NPN型晶体管的集电极,晶体管Q的第二端为NPN型晶体管的基极,晶体管Q的第三端为NPN型晶体管的发射极。

继电器K的另一端与电压源VCC连接。在本实施例中,温度设定电路还包括二极管D,二极管D的阳极与继电器K的一端连接,二极管D的阴极与继电器K的另一端连接。

在本实施例中,单片机U还与继电器K和温敏电阻R3的另一端连接,以使得单片机U将记忆模块E所存储的第一温度值与温敏电阻R3所检测的第二温度值进行对比,并根据对比结果控制继电器K的通断。应理解,单片机U为现有技术中的产品,上述的功能可通过单片机U实现,在此不一一赘述。

应理解,当电位器R1的滑动端滑动在电位器R1的预定位置时,不再需要去读取此时滑动端所对应的实际电烤箱所设定的温度值,而是直接从记忆模块E中获取,不需要考虑电位器的离散型,使得温度设定电路所设定的温度的精度高。

综上,本实用新型的温度设定电路包括:电位器,其第一端与电压源连接,第二端通过第一电阻接地;单片机,与电位器的滑动端连接,用于获取电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;记忆模块,与单片机连接,用于存储电位器的滑动端在电位器的位置所对应的第一温度值;温敏电阻,其一端与电压源连接,另一端通过第二电阻接地;晶体管,其第二端与单片机连接,第三端接地;继电器,其一端与晶体管的第一端连接,另一端与电压源连接;其中,单片机还与继电器和温敏电阻的另一端连接,以使得单片机将记忆模块所存储的第一温度值与温敏电阻所检测的第二温度值进行对比,并根据对比结果控制继电器的通断。通过上述方式,本实用新型的温度设定电路所设定的温度的精度高,不需要考虑电位器的离散型,使电位器的合用率达100%,避免了挑选电位器时带来的质量事故发生,也减少了挑选工时。

以上仅为本实用新型的实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。

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