深硅刻蚀工艺控制的方法及系统的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及MEMS加工领域，尤其涉及一种深硅刻蚀工艺控制的方法及系统。
【背景技术】
[0002] 随着微机电系统（MEMS,Micro-Electro-MechanicSystem)和MEMS器件被越来越 广泛的应用于汽车和消费电子领域，以及通孔刻蚀（TSV,ThroughSiliconEtch)技术在未 来封装领域的广阔前景，干法等离子体深硅刻蚀工艺逐渐成为MEMS加工领域及TSV技术中 最炎手可热工艺之一。
[0003]目前主流的深硅刻蚀工艺整个刻蚀过程为一个循环单元的多次重复，该循环单元 包括刻蚀步骤和沉积步骤，即整个刻蚀过程是刻蚀步骤与沉积步骤的交替循环。每个步骤 的持续时间一般在Is到4s。以刻蚀步骤为例，单个工艺步骤的时间由两部分组成：1.工艺 各参数设置时间，2.刻蚀时间。一般工艺控制中工艺各参数的设置用时长，影响工艺生产的 产量。
【发明内容】
[0004] 基于此，有必要提供一种能够有效缩短工艺中工艺各参数设置时间的深硅刻蚀工 艺控制的方法及系统。
[0005] 为实现本发明目的提供的一种深硅刻蚀工艺控制的方法，包括设置气体流量的步 骤，设置摆阀压力或者摆阀位置的步骤，设置上匹配器位置的步骤，设置下匹配器位置的步 骤，设置上射频功率的步骤，以及设置下射频功率的步骤，还包括以下步骤：
[0006] 判断所述深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与所述当前工艺步骤的前 一工艺步骤中相应值是否相同；
[0007] 对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值不同的调 整参数，根据工艺表单中所述当前工艺步骤的相应值进行设置；
[0008] 对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值相同的调 整参数，不进行调整参数设置；
[0009] 所述调整参数为气体流量，摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射频功率，以及下射频功率。
[0010] 其中，还包括以下步骤：
[0011] 创建包含所述调整参数名称及前一工艺步骤参数值的Map虚拟表格；
[0012] 当完成当前步骤的所述调整参数设置之后，将所设置的当前工艺步骤的调整参数 的参数值写入到所述Map虚拟表格中，得到新的前一工艺步骤参数值。
[0013] 作为一种可实施方式，还包括以下步骤：
[0014] 初始化所述Map虚拟表格，将所述前一工艺步骤参数值设定在工艺参数值域之 外。
[0015] 作为一种可实施方式，将所述前一工艺步骤参数值设定为负值。
[0016] 作为一种可实施方式，还包括以下步骤：
[0017] 判断当前的循环次数是否小于等于预设的循环次数，若是则进行进一步的判断， 否则结束所述深硅刻蚀工艺；
[0018] 判断当前执行的工艺步骤的数目是否小于等于预设工艺步骤数目，若是则对所述 调整参数进行设置，否则进入下一工艺步骤循环。
[0019] 基于同一发明构思的一种深硅刻蚀工艺控制的系统，包括设置模块，用于设置气 体流量、设置摆阀压力或者摆阀位置、设置上匹配器位置、设置下匹配器位置、设置上射频 功率、以及设置下射频功率，还包括第一判断模块，第一调整模块，以及第二调整模块，其 中：
[0020] 所述第一判断模块，用于判断所述深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与 所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值是否相同；
[0021] 所述第一调整模块，用于对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺 步骤中相应值不同的调整参数，根据工艺表单中所述当前工艺步骤的相应值进行设置；
[0022] 所述第二调整模块，用于对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺 步骤中相应值相同的调整参数，不进行调整参数设置；
[0023] 所述调整参数为气体流量，摆阀压力或者摆阀位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射频功率，以及下射频功率。
[0024] 作为一种可实施方式，还包括表格创建模块及参数值写入模块，其中：
[0025] 所述表格创建模块，用于创建包含所述调整参数名称及前一工艺步骤参数值的 Map虚拟表格；
[0026] 所述参数值写入模块，用于当完成当前步骤的所述调整参数设置之后，将所设置 的当前工艺步骤的调整参数的参数值写入到所述Map虚拟表格中，得到新的前一工艺步骤 参数值。
[0027] 作为一种可实施方式，还包括初始化模块，用于初始化所述Map虚拟表格，将所述 前一工艺步骤参数值设定在工艺参数值域之外。
[0028] 作为一种可实施方式，所述初始化模块将所述前一工艺步骤参数值设定为负值。
[0029] 作为一种可实施方式，还包括第二判断模块及第三判断模块，其中：
[0030] 所述第二判断模块，用于判断当前的循环次数是否小于等于预设的循环次数，若 是则进一步对工艺步骤进行判断，否则结束所述深硅刻蚀工艺；
[0031] 所述第三判断模块，用于判断当前执行的工艺步骤的数目是否小于等于预设工艺 步骤数目，若是则对所述调整参数进行设置，否则进入下一工艺步骤循环。
[0032] 本发明的有益效果包括：
[0033] 本发明提供的一种深硅刻蚀工艺控制的方法及系统，通过增加判断的步骤，在当 前工艺步骤中的参数值与前一工艺步骤参数相同时，不再对相应参数进行设置，节省了设 置时间，从整体上缩短工艺步骤中参数设置的时间，提高生产效率。
【附图说明】
[0034]图1为本发明一种深硅刻蚀工艺控制的方法的一具体实施例的流程图；
[0035] 图2为本发明一种深硅刻蚀工艺控制的方法的另一具体实施例的流程图；
[0036]图3为本发明一种深硅刻蚀工艺控制的系统的一具体实施例的系统结构示意图。
【具体实施方式】
[0037] 为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图对本发明实 施例的深硅刻蚀工艺控制的方法及系统的【具体实施方式】进行说明。应当理解，此处所描述 的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
[0038]本发明实施例的一种深硅刻蚀工艺控制的方法，如图1所示，包括：
[0039] S100,设置气体流量的步骤；
[0040] S200,设置摆阀压力或者摆阀位置的步骤；
[0041] S300,设置上匹配器位置的步骤；
[0042] S400,设置下匹配器位置的步骤；
[0043] S500,设置上射频功率的步骤；以及
[0044] S600,设置下射频功率的步骤；还包括以下步骤：
[0045] A100,判断所述深硅刻蚀工艺的当前工艺步骤中的调整参数与所述当前工艺步骤 的前一工艺步骤中相应值是否相同；
[0046] A200,对所述当前工艺步骤中与所述当前工艺步骤的前一工艺步骤中相应值不同 的调整参数，根据工艺表单中所述当前