一种用于nand flash的不对称稳压电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储器稳压输出技术领域，尤其涉及一种用于NAND FLASH的不对称稳压电路。
【背景技术】
[0002]随着电子产品的不断发展，芯片技术也在发生着巨大的变化。资料存储型闪存(NAND FLASH)作为闪存的一种，由于其内部非线性宏单元模式为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。资料存储型闪存存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
[0003]但NAND FLASH在其应用领域也存在一定的不足。NAND FLASH芯片内部需采用稳压电路对其内部输出信号进行输出，但目前现有技术中采用对称的折叠式共源共栅结构的稳压电路，在使用的过程中会造成较大的过冲电压。
【发明内容】
[0004]本发明是为了解决现有技术中的上述不足而完成的，本发明的目的在于提出一种用于资料存储型闪存的不对称稳压电路，该稳压电路能够减小NAND FLASH在使用过程中出现的过冲电压。
[0005]为达此目的，本发明采用以下技术方案:一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路，包括:偏置模块、误差放大模块和输出模块；
[0006]所述偏置模块的输出端与所述误差放大模块的输入端电连接，用于将外部输入电压转化为第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压并输入到误差放大丰吴块；
[0007]所述误差放大模块的输出端与所述输出模块的输入端电连接，用于根据第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压将差分信号进行放大；误差放大模块采用折叠式运放结构，其差分输出级采用不对称结构，差分输出的倍数至少为两倍。
[0008]所述输出模块用于接收所述误差放大模块输出信号并进行输出。
[0009]进一步的，所述偏置模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管和第七晶体管；
[0010]其中，第一晶体管的栅极、第二晶体管的栅极与第一晶体管漏极电连接，用于接收外部输入电压；
[0011]第一晶体管的源极与第二晶体管的源极、第五晶体管的源极以及第六晶体管的源极电连接；
[0012]第二晶体管的漏极与第三晶体管的漏极、栅极以及第四晶体管的栅极电连接，第三晶体管的源极与第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；
[0013]第四晶体管的漏极与第五晶体管的漏极、栅极电连接；
[0014]第七晶体管的栅极、漏极与第六晶体管的漏极电连接。
[0015]进一步的，第一晶体管、第二晶体管、第五晶体管和第六晶体管为N型M0S管，并且第二晶体管为两个N型M0S管并联；
[0016]第三晶体管、第四晶体管和第七晶体管为P型M0S管。
[0017]进一步的，所述误差放大模块包括第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管和第十八晶体管；
[0018]其中，所述第八晶体管的栅极接收外部基准电压，第八晶体管的漏极与第十二晶体管的漏极以及第十四晶体管的源极电连接；第八晶体管的源极与第九晶体管的源极以及第十晶体管的漏极电连接；
[0019]第九晶体管的漏极与第十一晶体管的漏极以及第十三晶体管的源极电连接；
[0020]第十晶体管的栅极与第一晶体管的栅极以及第二晶体管的栅极电连接，第十晶体管的源极与第十七晶体管的源极、第十八晶体管的源极、第一晶体管的源极、第二晶体管的源极、第五晶体管的源极以及第六晶体管的源极电连接；
[0021]第十一晶体管的源极与第十二晶体管的源极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；第十一晶体管的栅极与第十二晶体管的栅极、第三晶体管的漏极、栅极以及第四晶体管的栅极电连接；
[0022]第十三晶体管的栅极与第十四晶体管的栅极以及第七晶体管的栅极、漏极电连接；第十三晶体管的漏极与第十五晶体管的漏极、第十七晶体管的栅极以及第十八晶体管的栅极电连接；
[0023]第十四晶体管的漏极与第十六晶体管的漏极电连接；
[0024]第十五晶体管的栅极与第十六晶体管的栅极以及第五晶体管的栅极、漏极电连接；第十五晶体管的源极与第十七晶体管的漏极电连接；
[0025]第十六晶体管的源极与第十八晶体管的漏极电连接。
[0026]进一步的，所述第八晶体管、第九晶体管、第十晶体管、第十五晶体管、第十六晶体管、第十七晶体管和第十八晶体管为N型M0S管，且均为至少两个N型M0S管并联；
[0027]第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管和第十四晶体管为P型M0S管，且均为至少两个P型M0S管并联。
[0028]进一步的，所述第十二晶体管的个数至少为第十一晶体管个数的两倍，所述第十四晶体管的个数至少为第十三晶体管个数的两倍，所述第十六晶体管的个数至少为第十五晶体管个数的两倍，所述第十八晶体管的个数至少为第十七晶体管个数的两倍；且上述四组倍数相同。
[0029]进一步的，所述输出模块包括第十九晶体管、第一电阻、第二电阻和第一电容；
[0030]其中，所述第十九晶体管的源极与所述第十一晶体管的源极、第十二晶体管的源极、第三晶体管的源极、第四晶体管的源极以及第七晶体管的源极电连接；第十九晶体管的栅极与第十四晶体管的漏极以及第十六晶体管的漏极电连接；
[0031]第十九晶体管的漏极与第一电阻的第一端以及第一电容的第一端电连接；第一电容的第二端与第十六晶体管的源极以及第十八晶体管的漏极电连接；
[0032]第一电阻的第二端与第二电阻的第一端以及第九晶体管的栅极电连接；
[0033]第二电阻的第二端与第十七晶体管的源极以及第十八晶体管的源极电连接。
[0034]本发明所述的一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路，通过对误差放大模块采用不对称的折叠式共源共栅结构，在相同功耗的条件下，产生更少的过冲电压。
【附图说明】
[0035]为了更加清楚地说明本发明示例性实施例的技术方案，下面对描述实施例中所需要用到的附图做一简单介绍。显然，所介绍的附图只是本发明所要描述的一部分实施例的附图，而不是全部的附图，对于本领域普通技术人员，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图得到其他的附图。
[0036]图1是本发明实施例一提供的一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路的结构示意图。
[0037]图2是本发明实施例二提供的一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路的电路不意图。
【具体实施方式】
[0038]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将结合本发明实施例中的附图，通过【具体实施方式】，完整地描述本发明的技术方案。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下获得的所有其他实施例，均落入本发明的保护范围之内。
[0039]实施例一:
[0040]图1给出了本实施例一提供的一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路的结构示意图。
[0041]如图1，本实施例一提供的一种用于NAND FLASH闪存的不对称稳压电路，其特征在于，包括:偏置模块100、误差放大模块200、输出模块300和带隙基准电路400。
[0042]所述偏置模块100的输出端与所述误差放大模块200的输入端电连接，用于将外部输入电压转化为第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压并输入到误差放大模块200 ;
[0043]所述误差放大模块200的输出端与所述输出模块300的输入端电连接，用于根据第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压及第四偏置电压将差分信号进行放大；误差放大模块200采用折叠式运放结构，其差分输出级采用不对称结构，差分输出的倍数至少为两倍。
[0044]所述输出模块300用于接收所述误差放大模块200输入的差分放大信号并进行输出。
[0045]误差放大模块200接收第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压和第四偏置电压，将其作为其内部晶体管工作的启动电压。另外，误差放大模块200从外部带隙基准电路400获取基准电压，并将其与输出模块300的反馈电压进行比较后，将得到的差分信号进行放大。
[0046]这里关于晶体管倍数的设定最大为十倍。
[0047]所述输出模块300用于接收所述误差放大模块200输入的差分放大信号并进行输出。