电压调整、高压产生和存储器电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子领域，尤其涉及一种电压调整、高压产生和存储器电路。
【背景技术】
[0002]如图1所示，现有高压产生电路包括:电压调整电路10、第一电荷栗20、第二电荷栗30、传输ZM0S管Z0和稳压器40。所述高压产生电路适于提供高压编程电压至存储器50。所述传输ZM0S管Z0的阈值电压-0.1V?0.5V。
[0003]第一电荷栗20的电源端接收由低压差线性稳压器提供的第一电压Vdd，第二电荷栗30的电源端接收外部电源提供的第二电压Vddq。
[0004]所述电压调整电路10包括分压电路110、比较器120和NM0S管MN10。比较器120根据分压电路110的第二输出端的电压Vrdet和参考电压Vref的大小比较结果输出使能信号至第一电荷栗20的使能端Pump_en，从而调节第一电荷栗20的输出端电压Vr，使得比较器120的第一输入端电压Vrdet与参考电压Vref相等。NM0S管丽10的栅极连接所述电压调整电路10的使能端EN，从而接收所述电压调整电路10使能信号来控制电压调整电路10是否工作。
[0005]当比较器120的第一输入端电压Vrdet与参考电压Vref相等时，传输ZM0S管Z0的源极电压V印=K*Vref+VgszO。K为分压电路110的分压系数，Vref为参考电压的电压值，VgszO为传输ZM0S管的栅极和源极的电压差值。
[0006]传输ZM0S管Z0的栅极和源极的电压差值在各个工艺条件和温度下偏差较大，造成提供给存储器50的高压编程电压在各个工艺条件和温度下偏压也比较大，这对存储器50的性能和可靠性不利。
【发明内容】
[0007]本发明解决的问题是现有高压产生电路提供的电压在各个工艺条件和温度下偏压较大。
[0008]为解决上述问题，本发明提供一种电压调整电路，包括:第一 ZM0S管、分压电路、第一 NM0S管和比较器；所述第一 ZM0S管的栅极连接所述第一 ZM0S管的漏极，所述第一ZM0S管的源极连接所述分压电路的输入端；所述第一 NM0S管的漏极连接所述分压电路的第一输出端，所述第一 NM0S管的源极接地；所述比较器的第一输入端连接所述分压电路的第二输出端，所述比较器的第二输入端适于接收参考电压。
[0009]可选的，所述参考电压为0.7V?IV。
[0010]可选的，所述分压电路包括:M个第一 PM0S管，Μ彡2 ;第1个第一 PM0S管的源极连接所述分压电路的输入端；第m个第一 PM0S管的源极连接第m-Ι个第一 PM0S管的栅极和第m-Ι个第一 PM0S管的漏极，Μ彡m彡2 ;第Μ个第一 PM0S管的漏极连接所述分压电路的第一输出端；所述Μ个第一 PM0S管中的一个第一 PM0S管的源极连接所述分压电路的第二输出端。
[0011]可选的，所述电压调整电路还包括:至少一个补偿单元；所述补偿单元的第一连接端连接所述第一 ZM0S管的漏极，所述补偿单元的第二连接端连接所述第一 ZM0S管的源极；所述补偿单元包括:第二 ZM0S管和第二 PM0S管；所述第二 ZM0S管的漏极连接所述第二ZM0S管的栅极和所述补偿单元的第一连接端，所述第二 ZM0S管的源极连接所述第二 PM0S管的源极；所述第二 PM0S管的漏极连接所述补偿单元的第二连接端。
[0012]本发明还提供一种高压产生电路，包括:第一电荷栗、第二电荷栗、第三ZM0S管和上述电压调整电路；所述第一电荷栗的输入端连接所述第二电荷栗的输出端和所述第三ZM0S管的漏极，所述第一电荷栗的输出端连接所述第三ZM0S管的栅极和所述电压调整电路中第一 ZM0S管的漏极，所述第一电荷栗的使能端连接所述电压调整电路中比较器的输出端。
[0013]可选的，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管均为N型，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管的沟道长度相同，所述第一 ZM0S管和第三ZM0S管的沟道宽度相同。
[0014]可选的，高压产生电路还包括:至少一个补偿单元；所述补偿单元的第一连接端连接所述第一ZM0S管的漏极，所述补偿单元的第二连接端连接所述第一ZM0S管的源极；所述补偿单元包括:第二 ZM0S管和第二 PM0S管；所述第二 ZM0S管的漏极连接所述第二 ZM0S管的栅极和所述补偿单元的第一连接端，所述第二 ZM0S管的源极连接所述第二 PM0S管的源极；所述第二 PM0S管的漏极连接所述补偿单元的第二连接端。
[0015]可选的，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管均为N型，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管的沟道长度相同，所述第一 ZM0S管和第二 ZM0S管的沟道宽度相同。
[0016]可选的，所述高压产生电路还包括:控制电路；所述第三ZM0S管的源极适于连接存储器；所述控制电路适于控制N个补偿单元中的第二 PM0S管处于关断状态，所述N等于所述存储器中需要编程的位数，N多1。
[0017]本发明还提供一种存储器电路，其特征在于，包括上述的高压产生电路和存储器，所述第三ZM0S管的源极连接存储器。
[0018]与现有技术相比，本发明的技术方案的电压调整电路增加了第一 ZM0S管，对第三ZM0S管的源极电压来说，工艺条件和温度对第三ZM0S管的栅极和源极的电压差的影响可以被第一 ZM0S管减弱。这使得由本发明电压调整电路构成的高压产生电路可以提供在各个工艺条件和温度下偏压较小的高压编程电压，从而提高了存储器的性能和可靠性。
【附图说明】
[0019]图1是现有尚压广生电路的结构不意图；
[0020]图2是本发明实施例的存储器电路一结构示意图；
[0021]图3是本发明实施例的存储器电路另一结构示意图。
【具体实施方式】
[0022]为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
[0023]如图2所示，本发明实施例提供一种电压调整电路1，包括:第一 ZM0S管Z1、分压电路11、第一 NM0S管丽1和比较器12。
[0024]所述第一 ZMOS管Z1的栅极连接所述第一 ZM0S管Z1的漏极，所述第一 ZM0S管Z1的源极连接所述分压电路11的输入端。所述第一 NM0S管MN1的漏极连接所述分压电路11的第一输出端，所述第一 NM0S管MN1的源极接地。所述比较器12的第一输入端连接所述分压电路11的第二输出端，所述比较器12的第二输入端适于接收参考电压Vref。
[0025]所述第一 NMOS管丽1的栅极可以连接所述电压调整电路1的使能端EN，用于接收控制电压调整电路1是否工作的使能信号。
[0026]采用调整电路1形成的高压产生电路包括:电压调整电路1、第一电荷栗2、第二电荷栗3、第三ZM0S管Z3。
[0027]所述第一电荷栗2的输入端连接所述第二电荷栗3的输出端和所述第三ZM0S管Z3的漏极，所述第一电荷栗2的输出端连接所述第三ZM0S管Z3的栅极和所述电压调整电路1中第一 ZM0S管Z1的漏极，所述第一电荷栗2的使能端Pump_en连接所述电压调整电路1中比较器12的输出端。
[0028]比较器12根据分压电路11的第二输出端的电压Vrdet和参考电压Vref的大小比较结果输出使能信号至第一电荷栗2的使能端Pump_en，从而调节第一电荷栗2的输出端电压Vr，使得比较器12的第一输入端电压Vrdet与参考电压Vref相等。所述参考电压Vref 为 0.7V ?IV。
[0029]当比较器12的第一输入端电压Vrdet与参考电压Vref相等时，即分压电路11的第二输出端电压与参考电压Vref相等，则
[0030]第三ZM0S管的源极电压V印=K*Vref+(Vgszl_Vgsz3)公式1
[0031]在公式1中，K为分压电路11的分压系数，Vref为参考电压的电压值，Vgszl为第一 ZM0S管的栅极和源极的电压差值，Vgsz3为第三ZM0S管的栅极和源极的电压差值。
[0032]由公式1可以看出，对第三ZM0S管Z3的源极电压Vep来说，工艺条件和温度对第三ZM0S管Z3的栅极和源极的电压差的影响可以被第一 ZM0S管减弱。
[0033]当所述第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3类型相同且关键尺寸相同时，第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3的栅极和源极的电压差值近似相等，即公式1中的(VgSZl-VgSZ3)近似为0。这使得工艺条件和温度对第三ZM0S管Z3管的栅极和源极的电压差的影响基本可以被第一 ZM0S管Z1抵消。
[0034]具体的，所述第一 ZM0S管Z1和第三ZM0S管Z3的阈值电压非常低，均为_0.1V?
0.5V。所述第一 ZM0S管Z1和第三