一种应用于全片内ldo的瞬态响应提高电路的制作方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型涉及一种应用于全片内LDO的瞬态响应提高电路，属于电子技术领 域。
【背景技术】
[0002] 随着半导体工艺技术的提高以和便携式电子产品的迅猛发展，电源IC(集成电 路）有了长足的进展。电源IC产品主要包括低压线性稳压器（LDO)、开关电源、AC/DC稳压 器（交流/直流稳压器）以及功率因数校正（PFC)预稳器等。
[0003] 对于无片外电容LDO而言，当负载电流从最小值Imin跳变到最大值Imax时，负载 瞬态响应公式表示为：
【主权项】
1. 一种应用于全片内LDO的瞬态响应提高电路，连接于应用在LDO电路中调整管栅极 VG和输出电压端VOUT之间，其特征在于：它包括电容CF、M0S管Ml~M10、电阻RSl~RS4， 所述的电容CF的一端与LDO电路的电压输出端VOUT相连，CF的另一端分别连接电阻RS2 以及M3的源极，M3、M2、M4、M7的栅极分别与M2和Ml的漏极连接在一起，其中，M2分别与 M3、M4以及M7连接成电流镜，M5分别与M6、M8连接成电流镜，Ml、M5、M6、M8、M9的源极相 互连接，M5、M3的漏极和M5、M6、M8的栅极连接在一起，M6、M4的漏极和MlO的栅极连接， M8、M7的漏极和M9的栅极连接，M9、M10的漏极和调整管的栅极VG连接，MlO的源极和RS1、 RS2的另一端、RS3、RS4连接在一起，RSl的另一端连接M2的源极，RS3的另一端连接M4的 源极，RS4的另一端连接M7的源极，Ml的栅极与基准电压Vbl相连。
2. 根据权利要求1所述的应用于全片内LDO的瞬态响应提高电路，其特征在于：所述 的M2与M3、M4以及M7的MOS管数目m之比为2 :2 :3 :2，M5与M6、M8的MOS管数目m之比 为 2 :2 :3〇
【专利摘要】本实用新型公开了一种应用于全片内LDO的瞬态响应提高电路，它包括电容CF、MOS管M1-M10、电阻RS1-RS4，M2分别与M3、M4以及M7连接成电流镜，M5分别与M6、M8连接成电流镜，M3、M2、M4、M7的栅极分别与M2和M1的漏极连接在一起，M6、M4的漏极和M10的栅极连接，M8、M7的漏极和M9的栅极连接，M9、M10的漏极和调整管的栅极连接。本实用新型的有益效果是：将输出电压的变化反映到调整管的栅极处而不是通主环路来慢慢响应，节省了功耗，同时该电路能够快速感应输出电压的变化，从而改善LDO的瞬态响应。
【IPC分类】G05F1-56
【公开号】CN204496328
【申请号】CN201520135652
【发明人】杨洁, 刘成林, 彭侨, 阳芝林
【申请人】遵义师范学院
【公开日】2015年7月22日
【申请日】2015年3月10日