零温度系数电流源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源，尤其涉及到零温度系数电流源。
【背景技术】
[0002]为了减少温度对输出电流的影响，设计了零温度系数电流源。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种零温度系数电流源。
[0004]零温度系数电流源，包括第一电阻、第一 NPN管、第二 NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS 管:
[0005]所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极；
[0006]所述第一 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二 NPN管的基极和集电极；
[0007]所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的发射极，发射极接地；
[0008]所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极；
[0009]所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极；
[0010]所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0011 ] 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0012]所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地；
[0013]所述第二 NMOS管的栅极接所述第三NPN管的发射极和所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；
[0014]所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 NMOS管的漏极，源极接所述第三电阻的一端；
[0015]所述第三电阻的一端接所述第三NMOS管的源极，另一端接地；
[0016]所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
[0017]所述第一电阻、所述第一 NPN管、所述第二 NPN管、所述第二电阻和所述第三NPN管构成启动电路部分，从电源电压VCC依次第一电阻、所述第一 NPN管、所述第二 NPN管形成电流，然后通过所述第一 NPN管镜像给所述第三NPN管；所述第三电阻上的电流是所述第一 NMOS管的阈值电压除以所述第三电阻和所述第三NMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第三电阻就要设置负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三电阻上的电流再通过所述第二 PMOS管镜像给所述第三PMOS管电流10UT。
【附图说明】
[0018]图1为本实用新型的零温度系数电流源的电路图。
【具体实施方式】
[0019]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0020]零温度系数电流源，如图1所示，包括第一电阻101、第一 NPN管102、第二 NPN管103、第二电阻 104、第三 NPN 管 105、第一 PMOS 管 106、第二 PMOS 管 107、第一 NMOS 管 108、第二 NMOS管109、第三NMOS管110、第三电阻111和第三PMOS管112:
[0021]所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端所述第一 NPN管102的基极和集电极和所述第三NPN管105的基极；
[0022]所述第一 NPN管102的基极和集电极接在一起再接索萨第一电阻101的一端和所述第三NPN管105的基极，发射极接所述第二 NPN管103的基极和集电极；
[0023]所述第二 NPN管103的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管102的发射极，发射极接地；
[0024]所述第二电阻104的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管105的集电极；
[0025]所述第三NPN管105的基极接所述第一电阻101的一端和所述第一 NPN管102的基极和集电极，集电极接所述第二电阻104的一端，发射极接所述第一 PMOS管106的漏极和所述第一 NMOS管108的栅极和漏极和所述第二 NMOS管109的栅极；
[0026]所述第一 PMOS管106的栅极接所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第二NMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极和所述第三PMOS管112的栅极，漏极接所述第三NPN管105的发射极和所述第一 NMOS管108的栅极和漏极和所述第二 NMOS管109的栅极，源极接电源电压VCC ；
[0027]所述第二 PMOS管107的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第三NMOS管112的栅极和所述第二 NMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极，源极接电源电压VCC ；
[0028]所述第一 NMOS管108的栅极和漏极接在一起再接所述第三NPN管105的发射极和所述第一 PMOS管106的漏极和所述第二 NMOS管109的栅极，源极接地；
[0029]所述第二 NMOS管109的栅极接所述第三NPN管105的发射极和所述第一 PMOS管106的漏极和所述第一 NMOS管108的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第三PMOS管112的栅极和所述第三NMOS管110的栅极，源极接所述第三NMOS管110的漏极；
[0030]所述第三NMOS管110的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第三PMOS管112的栅极和所述第二 NMOS管109的漏极，漏极接所述第二 NMOS管109的漏极，源极接所述第三电阻111的一端；
[0031]所述第三电阻111的一端接所述第三NMOS管110的源极，另一端接地；
[0032]所述第三PMOS管112的栅极接所述第一 PMOS管106的栅极和所述第二 PMOS管107的栅极和漏极和所述第二 NMOS管109的漏极和所述第三NMOS管110的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
[0033]所述第一电阻101、所述第一 NPN管102、所述第二 NPN管103、所述第二电阻104和所述第三NPN管105构成启动电路部分，从电源电压VCC依次第一电阻101、所述第一 NPN管102、所述第二 NPN管103形成电流，然后通过所述第一 NPN管102镜像给所述第三NPN管105 ;所述第三电阻111上的电流是所述第一 NMOS管108的阈值电压除以所述第三电阻111和所述第三NMOS管110形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管110形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第三电阻111就要设置负温度系数的多晶POLY电阻，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三电阻111上的电流再通过所述第二 PMOS管107镜像给所述第三PMOS管112电流10UT。
【主权项】
1.零温度系数电流源，其特征在于:包括第一电阻、第一 NPN管、第二 NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS管； 所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端所述第一 NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极； 所述第一 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第三NPN管的基极，发射极接所述第二 NPN管的基极和集电极； 所述第二 NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一 NPN管的发射极，发射极接地； 所述第二电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第三NPN管的集电极； 所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一 NPN管的基极和集电极，集电极接所述第二电阻的一端，发射极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第三NPN管的发射极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三NPN管的发射极和所述第一PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第三NPN管的发射极和所述第一 PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 NMOS管的漏极，源极接所述第三电阻的一端； 所述第三电阻的一端接所述第三NMOS管的源极，另一端接地； 所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
【专利摘要】本实用新型公开了一种零温度系数电流源。零温度系数电流源包括第一电阻、第一NPN管、第二NPN管、第二电阻、第三NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第三电阻和第三PMOS管。利用本实用新型提供的零温度系数电流源能够输出零温度系数的电流。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204719585
【申请号】CN201520420413
【发明人】齐盛
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年10月21日
【申请日】2015年6月15日