一种电流源电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源电路。
【背景技术】
[0002]设计了一种电流源电路。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种电流源电路。
[0004]一种电流源电路，包括第一电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管:
[0005]所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管的源极；
[0006]所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的源极，漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端；
[0007]所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ;
[0008]所述第三PMOS管的的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 PMOS管的漏极；
[0009]所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极；
[0010]所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地；
[0011]所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，源极接地；
[0012]所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。
[0013]所述第一电阻两端的电压为所述第二 PMOS管的阈值电压，所述第一电阻上的电流为所述第二 PMOS管的阈值电压除以所述第一电阻的电阻值，该电流再通过所述第一NMOS管镜像给所述第二 NMOS管和所述第三NMOS管，从所述第三NMOS管的漏极输出电流1UT0
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的一种电流源电路的电路图。
【具体实施方式】
[0015]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0016]一种电流源电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一 PMOS管102、第二 PMOS管
103、第三PMOS管104、第四PMOS管105、第一 NMOS管106、第二 NMOS管107和第三NMOS管
108:
[0017]所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管102的源极；
[0018]所述第一 PMOS管102的栅极接所述第二 PMOS管103的栅极和漏极和所述第四PMOS管105的源极，漏极接所述第三PMOS管104的源极，源极接所述第一电阻101的一端；
[0019]所述第二 PMOS管103的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管102的栅极和所述第四PMOS管105的源极，源极接电源电压VCC ;
[0020]所述第三PMOS管104的的栅极接所述第四PMOS管105的栅极和漏极和所述第二NMOS管107的漏极，漏极接所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极和所述第三NMOS管108的栅极，源极接所述第一 PMOS管102的漏极；
[0021]所述第四PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管104的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，源极接所述第一 PMOS管102的栅极和所述第二 PMOS管103的栅极和漏极；
[0022]所述第一 NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管104的漏极和所述第二 NMOS管107的栅极和所述第三NMOS管108的栅极，源极接地；
[0023]所述第二 NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第三NMOS管108的栅极，漏极接所述第三PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管105的栅极和漏极，源极接地；
[0024]所述第三NMOS管108的栅极接所述第三PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。
[0025]所述第一电阻101两端的电压为所述第二 PMOS管103的阈值电压，所述第一电阻101上的电流为所述第二 PMOS管103的阈值电压除以所述第一电阻101的电阻值，该电流再通过所述第一 NMOS管106镜像给所述第二 NMOS管107和所述第三NMOS管108，从所述第三NMOS管108的漏极输出电流1UT。
【主权项】
1.一种电流源电路，其特征在于:包括第一电阻、第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管和第三NMOS管； 所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一 PMOS管的源极； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的栅极和漏极和所述第四PMOS管的源极，漏极接所述第三PMOS管的源极，源极接所述第一电阻的一端； 所述第二 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的源极，源极接电源电压VCC ; 所述第三PMOS管的的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接所述第一 PMOS管的漏极； 所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的栅极和漏极； 所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极，源极接地； 所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第三NMOS管的栅极，漏极接所述第三PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，源极接地； 所述第三NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，漏极作为电流输出端10UT，源极接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电流源电路。电流源电路包括第一电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204808090
【申请号】CN201520489467
【发明人】陶霞菲
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月3日