电流源的制作方法

文档序号:9139179阅读:373来源:国知局
电流源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源。
【背景技术】
[0002]设计了一种电流源。

【发明内容】

[0003]本实用新型旨在提供一种电流源。
[0004]电流源,包括第一运算放大器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第二 PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管:
[0005]所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF,负输入端接所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的漏极,输出端接所述第一 NMOS管的栅极;
[0006]所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 NMOS管的漏极和所述第二PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC ;
[0007]所述第一 NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端,漏极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的栅极,源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二 NMOS管的漏极;
[0008]所述第二 NMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,漏极接所述第一 NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端,源极接地;
[0009]所述第二 PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的漏极,漏极接所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC ;
[0010]所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接地;
[0011]所述第四NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的漏极,漏极作为电流输出端10UT,源极接地。
[0012]所述第一运算放大器和所述第一 NMOS管构成跟随器,基准电压VREF就加在所述第二 NMOS管的源漏极之间使得所述第二 NMOS管处于线性区,并产生电流,然后通过所述第一 PMOS管镜像给所述第二 PMOS管,再通过所述第三NMOS管镜像给所述第二 NMOS管和所述第四NMOS管,产生电流1UT。
【附图说明】
[0013]图1为本实用新型的电流源的电路图。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0015]电流源,如图1所示,包括第一运算放大器101、第一 PMOS管102、第一 NMOS管103、第二 NMOS管104、第二 PMOS管105、第三NMOS管106和第四NMOS管107:
[0016]所述第一运算放大器101的正输入端接基准电压VREF,负输入端接所述第一 NMOS管103的源极和所述第二 NMOS管104的漏极,输出端接所述第一 NMOS管103的栅极;
[0017]所述第一 PMOS管102的栅极和漏极接在一起再接所述第一 NMOS管103的漏极和所述第二 PMOS管105的栅极,源极接电源电压VCC ;
[0018]所述第一 NMOS管103的栅极接所述第一运算放大器101的输出端,漏极接所述第一 PMOS管102的栅极和漏极和所述第二 PMOS管105的栅极,源极接所述第一运算放大器101的负输入端和所述第二 NMOS管104的漏极;
[0019]所述第二 NMOS管104的栅极接所述第二 PMOS管105的漏极和所述第三NMOS管106的栅极和漏极和所述第四NMOS管107的栅极,漏极接所述第一 NMOS管103的源极和所述第一运算放大器101的负输入端,源极接地;
[0020]所述第二 PMOS管105的栅极接所述第一 PMOS管102的栅极和漏极和所述第一NMOS管103的漏极,漏极接所述第二 NMOS管104的栅极和所述第三NMOS管106的栅极和漏极和所述第四NMOS管107的栅极,源极接电源电压VCC ;
[0021 ] 所述第三NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管104的栅极和所述第二 PMOS管105的漏极和所述第四NMOS管107的栅极,源极接地;
[0022]所述第四NMOS管107的栅极接所述第二 NMOS管104的栅极和所述第三NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 PMOS管105的漏极,漏极作为电流输出端10UT,源极接地。
[0023]所述第一运算放大器101和所述第一 NMOS管103构成跟随器,基准电压VREF就加在所述第二 NMOS管104的源漏极之间使得所述第二 NMOS管104处于线性区,并产生电流,然后通过所述第一 PMOS管102镜像给所述第二 PMOS管105,再通过所述第三NMOS管106镜像给所述第二 NMOS管104和所述第四NMOS管107,产生电流1UT。
【主权项】
1.电流源,其特征在于:包括第一运算放大器、第一 PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第二 PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管; 所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF,负输入端接所述第一 NMOS管的源极和所述第二 NMOS管的漏极,输出端接所述第一 NMOS管的栅极; 所述第一 PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 NMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC ; 所述第一 NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端,漏极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的栅极,源极接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二 NMOS管的漏极; 所述第二 NMOS管的栅极接所述第二 PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,漏极接所述第一 NMOS管的源极和所述第一运算放大器的负输入端,源极接地; 所述第二 PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和漏极和所述第一 NMOS管的漏极,漏极接所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC ; 所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二 NMOS管的栅极和所述第二 PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的栅极,源极接地; 所述第四NMOS管的栅极接所述第二 NMOS管的栅极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第二 PMOS管的漏极,漏极作为电流输出端10UT,源极接地。
【专利摘要】本实用新型公开了一种电流源。电流源包括第一运算放大器、第一PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第二PMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204808091
【申请号】CN201520489495
【发明人】沈孙园
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月3日
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