一种零温度系数的电流源的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及电流源，尤其涉及到零温度系数的电流源。
【背景技术】
[0002]为了减少温度对输出电流的影响，设计了一种零温度系数的电流源。
【发明内容】
[0003]本实用新型旨在提供一种零温度系数的电流源。
[0004]—种零温度系数的电流源，包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管:
[0005]所述第一 PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0006]所述第二 PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极；
[0007]所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0008]所述第四PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第于PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0009]所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ;
[0010]所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地；
[0011]所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；
[0012]所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接所述第六PMOS管的源极；
[0013]所述第六PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极；
[0014]所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
[0015]所述第一 PMOS管、所述第二 PMOS管和所述第三PMOS管构成启动电路部分，所述第二 PMOS管的栅极通过所述第二 PMOS管的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一NMOS管、所述第二 NMOS管、所述第三NMOS管和所述第六PMOS管构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一 NMOS管镜像给所述第二 NMOS管进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管和所述第四PMOS管反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一 PMOS管导通使得所述第三PMOS管的栅极拉高，所述第三PMOS管的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第三NMOS管和所述第六PMOS管上的电流是所述第一 NMOS管的阈值电压除以所述第三NMOS管和所述第六PMOS管形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第六PMOS管形成的RDS电阻呈负温度系数，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三NMOS管和所述第六PMOS管上的电流再通过所述第五PMOS管镜像给所述第七PMOS管电流I OUT。
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的零温度系数的电流源的电路图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合附图对本【实用新型内容】进一步说明。
[0018]—种零温度系数的电流源，如图1所示，包括第一 PMOS管101、第二 PMOS管102、第三 PMOS 管 103、第四 PMOS 管 104、第五 PMOS 管 105、第一 NMOS 管 106、第二 NMOS 管 107、第三NMOS管108、第六PMOS管109和第七PMOS管110:
[0019]所述第一 PMOS管101的栅极接所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第七PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第二 PMOS管102的源极和所述第三PMOS管103的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0020]所述第二 PMOS管102的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第三PMOS管103的栅极；
[0021]所述第三PMOS管103的栅极接所述第一 PMOS管101的漏极和所述第二 PMOS管102的源极，漏极接所述第四PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ;
[0022]所述第四PMOS管104的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第七PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接电源电压VCC ；
[0023]所述第五PMOS管105的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第七PMOS管110的栅极和所述第二 NMOS管107的漏极，源极接电源电压VCC ；
[0024]所述第一 NMOS管106的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管103的漏极和所述第四PMOS管104的漏极和所述第二 NMOS管107的栅极，源极接地；
[0025]所述第二 NMOS管107的栅极接所述第三PMOS管103的漏极和所述第四PMOS管104的漏极和所述第一 NMOS管106的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第七PMOS管110的栅极，源极接所述第三NMOS管108的漏极；
[0026]所述第三NMOS管108的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二 NMOS管107的源极，源极接所述第六PMOS管109的源极；
[0027]所述第六PMOS管109的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管108的源极；
[0028]所述第七PMOS管110的栅极接所述第一 PMOS管101的栅极和所述第四PMOS管104的栅极和所述第五PMOS管105的栅极和漏极和所述第二 NMOS管107的漏极，漏极作为电流输出端1UT，源极接电源电压VCC。
[0029]所述第一 PMOS管101、所述第二 PMOS管102和所述第三PMOS管103构成启动电路部分，所述第二 PMOS管103的栅极通过所述第二 PMOS管102的栅极接地而导通，有启动电流传给由所述第一 NMOS管106、所述第二 NMOS管107、所述第三NMOS管108和所述第六PMOS管109构成电流源的核心部分，启动电流通过所述第一 NMOS管106镜像给所述第二 NMOS管107进而使整个电流源开始工作，再通过所述第五PMOS管105和所述第四PMOS管104反馈电路传给电流源的核心部分；启动电路提供启动电流后，电流源正常工作后，由于所述第一 PMOS管101导通使得所述第三PMOS管103的栅极拉高，所述第三PMOS管103的漏极就不会有电流流出，使启动电路部分关闭；所述第三NMOS管108和所述第六PMOS管109上的电流是所述第一 NMOS管106的阈值电压除以所述第三NMOS管108和所述第六PMOS管109形成的RDS电阻之和，由于所述第三NMOS管108形成的RDS电阻呈正温度系数，所述第六PMOS管109形成的RDS电阻呈负温度系数，通过调节这两个电阻的温度系数达到零温度系数；所述第三NMOS管108和所述第六PMOS管109上的电流再通过所述第五PMOS管105镜像给所述第七PMOS管111电流10UT。
【主权项】
1.一种零温度系数的电流源，其特征在于:包括第一 PMOS管、第二 PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一 NMOS管、第二 NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管； 所述第一 PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第二 PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第二 PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极； 所述第三PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的漏极和所述第二 PMOS管的源极，漏极接所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第四PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接电源电压VCC ; 所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二 NMOS管的漏极，源极接电源电压VCC ; 所述第一 NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第二 NMOS管的栅极，源极接地；所述第二 NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一 NMOS管的栅极和漏极，漏极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第七PMOS管的栅极，源极接所述第三NMOS管的漏极；所述第三NMOS管的栅极接电源电压VCC，漏极接所述第二 NMOS管的源极，源极接所述第六PMOS管的源极； 所述第六PMOS管的栅极接地，漏极接地，源极接所述第三NMOS管的源极； 所述第七PMOS管的栅极接所述第一 PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极，漏极作为电流输出端10UT，源极接电源电压VCC。
【专利摘要】本实用新型公开了一种零温度系数的电流源。零温度系数的电流源包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第六PMOS管和第七PMOS管。利用本实用新型提供的零温度系数的电流源能够输出零温度系数的电流。
【IPC分类】G05F1/56
【公开号】CN204808093
【申请号】CN201520513388
【发明人】徐中干
【申请人】杭州宽福科技有限公司
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年7月13日