电磁铁吸附控制装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及电磁铁控制装置技术领域，尤其涉及一种电磁铁吸附控制装置，包括第一光电隔离单元、第二光电隔离单元、智能控制单元、电磁铁驱动及保护单元；所述智能控制单元通过所述第一光电隔离单元与所述电磁铁驱动及保护单元连接；所述智能控制单元通过所述第二光电隔离单元与近端控制接口连接；所述智能控制单元通过网口/RS232接口/RS485接口与上位机通信。本实用新型通过远端控制接口通过网口、RS232口、RS485口与多功能电磁铁吸附控制装置相连。STM32芯片接收远端控制发送的控制指令，实现对电磁铁的控制。
【专利说明】
电磁铁吸附控制装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及电磁铁控制装置技术领域，尤其涉及一种电磁铁吸附控制装置。
【背景技术】
[0002]电磁铁吸附装置广泛应用于数控机床、自动化生产线、攀爬机器人等领域。电磁铁磁性的有无依靠电磁铁控制装置控制流经电磁铁的电流的有无、大小和方向。传统的电磁铁控制装置一般采用高低电平信号来控制流经电磁铁电流的有无实现电磁铁磁性的有无，因此存在控制方式单一、效率低下、不灵活等缺点。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服上述技术的不足，而提供一种电磁铁吸附控制装置，易于控制。
[0004]本实用新型为实现上述目的，采用以下技术方案:
[0005]—种电磁铁吸附控制装置，其特征在于，包括第一光电隔离单元、第二光电隔离单元、智能控制单元、电磁铁驱动及保护单元;所述智能控制单元通过所述第一光电隔离单元与所述电磁铁驱动及保护单元连接;所述智能控制单元通过所述第二光电隔离单元与近端控制接口连接;所述智能控制单元通过网口 /RS232接口 /RS485接口与上位机通信。
[0006]优选地，所述智能控制单元采用意法半导体公司生产的ARM芯片STM32。
[0007]优选地，所述芯片STM32通过SPI接口连接EEPROM芯片AT25080。
[0008]优选地，所述第二光电隔离单元与近端控制接口之间连接电阻R。
[0009]优选地，所述电磁铁驱动及保护单元包括继电器以及与其线圈并联的二极管，所述继电器的执行端与所述电磁铁控制接口连接。
[0010]本实用新型的有益效果是:与现有技术相比较，本实用新型通过远端控制接口通过网口、RS232 口、RS485 口与多功能电磁铁吸附控制装置相连。STM32芯片接收远端控制发送的控制指令，实现对电磁铁的控制。近端控制端口的数量和继电器数量(电磁铁控制路数)保持一致，在STM32芯片I/O 口够用的条件下，可是实现多路电磁铁吸附控制。
【附图说明】
[0011]图1多功能电磁铁吸附控制装置示意图；
[0012]图2远端控制接口不意图；
[0013]图3近端控制接口示意图；
[0014]图4电磁铁驱动及保护单元示意图；
[0015]图5软件流程示意图。
【具体实施方式】
[0016]下面结合附图及较佳实例详细说明本实用新型的【具体实施方式】。如图1至图4所示，一种电磁铁吸附控制装置，包括第一光电隔离单元、第二光电隔离单元、智能控制单元、电磁铁驱动及保护单元;所述智能控制单元通过所述第一光电隔离单元与所述电磁铁驱动及保护单元连接;所述智能控制单元通过所述第二光电隔离单元与近端控制接口连接;所述智能控制单元通过网口 /RS232接口/RS485接口与上位机通信。其中网口采用网口芯片W5300实现。
[0017]所述智能控制单元采用意法半导体公司生产的ARM芯片STM32ATM32通过SPI接口连接EEPROM芯片AT2508(LSTM32芯片外接一个手动开关。实现工作模式(远程控制、近端控制)的选择。
[0018]所述芯片STM32通过SPI接口连接EEPROM芯片AT25080。
[0019]所述第二光电隔离单元与近端控制接口之间连接电阻R。近端控制结构兼容5V和1V控制信号。图中电阻的作用是限流，保护光电隔离单元。
[0020]所述电磁铁驱动及保护单元包括继电器以及与其线圈并联的二极管，所述继电器的执行端与所述电磁铁控制接口连接。其中二极管的作用是保护继电器。
[0021]多功能电磁铁控制装置启动后，首先读取存在EEPROM内的掉电前数据状态，根据此状态，实现一次电磁铁的控制。然后判断当前的工作模式是远端控制模式还是近端控制模式，如果是远端控制模数，则不断检查是否接收到控制指令，并完成电磁铁控制；如果是近端控制，则不断扫描控制端口电平的变化，依此控制电磁铁。
[0022]本实用新型通过远端控制接口通过网口、RS232 口、RS485 口与多功能电磁铁吸附控制装置相连。STM32芯片接收远端控制发送的控制指令，实现对电磁铁的控制。近端控制端口的数量和继电器数量(电磁铁控制路数)保持一致，在STM32芯片I/O口够用的条件下，可是实现多路电磁铁吸附控制。
[0023]以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种电磁铁吸附控制装置，其特征在于，包括第一光电隔离单元、第二光电隔离单元、智能控制单元、电磁铁驱动及保护单元;所述智能控制单元通过所述第一光电隔离单元与所述电磁铁驱动及保护单元连接;所述智能控制单元通过所述第二光电隔离单元与近端控制接口连接;所述智能控制单元通过网口 /RS232接口 /RS485接口与上位机通信。2.根据权利要求1所述的电磁铁吸附控制装置，其特征在于，所述智能控制单元采用意法半导体公司生产的ARM芯片STM32。3.根据权利要求2所述的电磁铁吸附控制装置，其特征在于，所述芯片STM32通过SPI接口 连接 EEPROM 芯片 AT25080。4.根据权利要求3所述的电磁铁吸附控制装置，其特征在于，所述第二光电隔离单元与近端控制接口之间连接电阻R。5.根据权利要求4所述的电磁铁吸附控制装置，其特征在于，所述电磁铁驱动及保护单元包括继电器以及与其线圈并联的二极管，所述继电器的执行端与所述电磁铁控制接口连接。
【文档编号】G05B19/042GK205485508SQ201620271467
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】徐铮颖, 冯冬, 薛雅飞, 姜涛, 杨菲, 张从旻, 李妍
【申请人】天津中德应用技术大学