一种soi cmos射频开关电路结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开一种SOI CMOS射频开关电路结构，包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端；所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端；所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端；所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端；所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端。本专利电路中不包含负电压产生器或者升压电路，故降低了开关的芯片面积和制造成本，使其在低掷数开关和低控制电压应用中实现良好的射频性能。
【专利说明】
一种SO I CMOS射频开关电路结构
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种射频开关电路。
【背景技术】
[0002]随着移动通信的发展，目前智能终端设备集成了2G/2.5G/3G/3.9G/4G多模多频的通信标准，工作频段增加到了 14至16个。在小型设备中要支持如此多频段和工作模式的关键元件之一是射频(RF)开关。智能终端设备中的射频开关配置种类十分广泛，从相对简单的单刀双掷(STOT)配置直到更为复杂的单刀十六掷(SP16T)配置，甚至多刀多掷配置，分类包括主天线开关、分集开关和频带模式开关等。过去GaAs pHEMT工艺由于能够提供良好的功率和线性度性能，被广泛使用在射频开关设计中。但SOI CMOS工艺能够在低于+1.8 V的电压下工作，并且能够灵活地在片上集成CMOS逻辑电路，这使SOI CMOS技术已成为当前主流的射频开关工艺。
[0003]目前实现SOICMOS射频开关的常用电路结构如图1所示，包含带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换、以及正负电压偏置的开关核电路。特别地，这种结构还集成了负电压产生器，其由振荡器、非重叠时钟产生电路和电荷栗构成，用于产生负电压(通常为-2.0至-2.5V) ο以串并联结构的单刀二掷(STOT)开关核电路为例，正负电压偏置的开关核电路如图2所示。控制信号VGl与VG2在同一时刻保持其中之一为高电平(通常为2.0至
2.5V)，另外一个为低电平(通常为-2.0至-2.5V)。当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管102导通，第二N类场效应管112截止；当控制信号VGl为低电平，VG2为高电平时，第一 N类场效应管102截止，第二 N类场效应管112导通。使用这种结构能提升电池电压以控制构成开关的场效应晶体管，从而减少对更大场效应管的需求，改善开关插入损耗和隔离度性能，增强开关压缩点的鲁棒性。
[0004]实现SOICMOS射频开关的第二种常用电路结构如图3所示，包含带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换、以及相对电压偏置开关核电路。虽然这种结构不再集成负电压产生器，但却集成了额外的升压电路，用于产生高的正压电压(通常为4.5至5.0V) ο以串并联结构的单刀二掷(SPDT)开关核电路为例，相对电压偏置开关核电路如图4所示。控制信号VGl与VG2在同一时刻保持其中之一为高电平(通常为4.5至5.0 V)，另外一个为低电平(接地)。控制信号VD接固定正电平(2.0至2.5 V)。当VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管202导通，第二N类场效应管212截止；当控制信号VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管202截止，第二N类场效应管212导通。使用这种结构由于并没有集成负电压产生器，可以降低开关设计的复杂度。
【实用新型内容】
[0005]为了解决现有技术存在的不足，本实用新型的目的是提供一种不包含负电压产生器或者升压电路的SOI CMOS射频开关电路结构，降低开关的芯片面积和制造成本，使其在低掷数开关(频带模式切换开关和接收分集开关)和低控制电压应用中实现良好的射频性會K。
[0006]为实现上述目的，本实用新型所采用的技术方案是:
[0007]一种SOI CMOS射频开关电路结构，包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端;供电电源电压VDD连接至所述带隙基准电路的输入端;所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端，为低压差线性稳压器提供工作电压;所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端;所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端;所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端。所述带隙基准为所述低压差线性稳压器提供一个基准电压，所述低压差线性稳压器则为所述解码器和所述电平转换电路提供电源，所述电平转换电路为所述相对电压偏置开关核电路提供偏置电平。
[0008]进一步地，所述的相对电压偏置开关核电路，包括电容和N类场效应管，利用电容对直流电压进行阻隔，并在N类场效应管的栅和源极同时进行直流偏置，当N类场效应管开关处于开启状态时，其栅极处于高电势，漏极和源极处于低电势；当第N类场效应管开关处于关断状态时，其栅极处于低电势，漏极和源极处于高电势。
[0009]进一步地，所述的相对电压偏置开关核电路，包括第一N类场效应管，第二 N类场效应管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容，第一电阻一端连接到第一N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻一端连接到第一 N类场效应管的漏极，另一端连接到第一 N类场效应管的源极;第三电阻一端连接到第一 N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容一端连接到输入端Inl，另一端连接到第一N类场效应管的漏极;第二电容一端连接到第一N类场效应管的源极，另一端连接到输出端Outl;第四电阻一端连接到第二N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻一端连接到第二 N类场效应管的漏极，另一端连接到第二 N类场效应管的源极;第六电阻一端连接到第二 N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VGl;第三电容一端连接到输入端Inl，另一端连接到第二N类场效应管的漏极;第四电容一端连接到第二 N类场效应管的源极，另一端连接到输出端0ut2。
[0010]进一步地，所述的第一N类场效应管和第二 N类场效应管中的至少一个场效应管的源极和漏极可以互换。
[0011]进一步地，所述的相对电压偏置开关核电路，包括第一N类场效应管，第二 N类场效应管，第三N类场效应管，第四N类场效应管，第一电阻，第二电阻，第三电阻，第四电阻，第五电阻，第六电阻，第七电阻，第八电阻，第九电阻，第十电阻，第十一电阻，第十二电阻，第一电容，第二电容，第三电容，第四电容，第五电容，第六电容，第七电容，第八电容，第一电阻一端连接到第一 N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻一端连接到第一 N类场效应管的漏极，另一端连接到第一 N类场效应管的源极;第三电阻一端连接到第一 N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容一端连接到输入端Inl，另一端连接到第一 N类场效应管的漏极;第二电容一端连接到第一 N类场效应管的源极，另一端连接到输出端Outl;第四电阻一端连接到第二N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻一端连接到第二N类场效应管的漏极，另一端连接到第二N类场效应管的源极;第六电阻一端连接到第二 N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VGl;第三电容一端连接到输入端Inl，另一端连接到第二N类场效应管的漏极;第四电容一端连接到第二N类场效应管的源极，另一端连接到输出端Out2;第七电阻一端连接到第三N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第八电阻一端连接到第三N类场效应管的漏极，另一端连接到第三N类场效应管的源极;第九电阻一端连接到第三N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VGl;第五电容一端连接到输出端Out I，另一端连接到第三N类场效应管的漏极;第六电容一端连接到第三N类场效应管的源极，另一端连接到地；第十电阻一端连接到第四N类场效应管的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第十一电阻一端连接到第四N类场效应管的漏极，另一端连接到第四N类场效应管的源极;第十二电阻一端连接到第四N类场效应管的源极，另一端连接到控制信号VG2;第七电容一端连接到输出端0ut2，另一端连接到第四N类场效应管的漏极;第八电容一端连接到第四N类场效应管的源极，另一端连接到地，当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管和第四N类场效应管导通，第二N类场效应管和第三N类场效应管截止;当VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管和第四N类场效应管截止，第二 N类场效应管和第三N类场效应管导通。
[0012]进一步地，所述的第一N类场效应管，第二N类场效应管，第三N类场效应管，第四N类场效应管中的至少一个场效应管的源极和漏极可以互换。
[0013]进一步地，所述的控制信号VGl与VG2中，其中之一为高电平，用以开关进行开启或关闭的控制，另一个为低电平(接地)。
[0014]进一步地，所述的高电平是指电压为2.0至2.5V。
[0015]本实用新型的有益效果:
[0016]与图1现有技术相比，本发明大大简化了射频开关电路的结构，不再需要负电压进行开关控制，因此不再集成了负电压产生器(其由振荡器、非重叠时钟产生电路和电荷栗构成)，在低掷数开关(频带模式切换开关和接收分集开关)应用中将大大简化开关结构，降低功耗和芯片面积。
[0017]与图2现有技术相比，虽然图2现有技术与本发明一样，并不需要集成负电压产生器，任一时刻只存在一个正电平(另一个接地)对开关进行控制，但图2现有技术需要相对高的电平(通常为4.0至4.5V)，这通常需要额外集成升压电路加以实现，而本发明只需要一个2.0-2.5V的相对低的正电平，无需集成升压电路，从而降低了功耗，在当前低控制电压的市场趋势下具有广泛的应用前景。
【附图说明】
[0018]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明:
[0019]图1为现有一种集成负电压产生器的SOICMOS射频开关结构；
[0020]图2为现有一种集成负电压产生器的SOICMOS射频开关的正负电压偏置开关核电路；
[0021]图3为现有一种采用升压电路的SOICMOS射频开关结构；
[0022]图4为现有一种采用升压电路的SOICMOS射频开关的相对电压偏置开关核电路；
[0023]图5为本发明应用于SOICMOS射频开关结构的结构框图；
[0024]图6为本发明相对电压偏置开关核电路第一实施例；
[0025]图7为本发明相对电压偏置开关核电路第二实施例。
【具体实施方式】
[0026]如图5所示，为本发明应用于SOICMOS射频开关结构包括带隙基准、低压差线性稳压器、解码器、电平转换以及相对电压偏置开关核电路。
[0027]逻辑电平(VC1，VC2，…，V?，N>1)连接至所述解码器的输入端;供电电源电压VDD连接至所述带隙基准的输入端;所述带隙基准的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端，为其提供工作电压;所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端;所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端;所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端。
[0028]其中，所述带隙基准为所述低压差线性稳压器提供一个基准电压，所述低压差线性稳压器则为所述解码器和所述电平转换电路提供电源，所述电平转换电路为所述相对电压偏置开关核电路提供偏置电平。
[0029]如图6所示，对所述相对电压偏置开关核电路作进一步说明，包括第一N类场效应管302，第二N类场效应管312，第一电阻301，第二电阻303，第三电阻305，第四电阻311，第五电阻313，第六电阻315，第一电容304，第二电容306，第三电容314，第四电容316。上述元器件的连接关系如下:第一电阻301 —端连接到第一N类场效应管302的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻303—端连接到第一 N类场效应管302的漏极，另一端连接到第一 N类场效应管302的源极;第三电阻305—端连接到第一N类场效应管302的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容304—端连接到输入端Inl，另一端连接到第一N类场效应管302的漏极;第二电容306—端连接到第一N类场效应管302的源极，另一端连接到输出端Out I;第四电阻311—端连接到第二N类场效应管312的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻313—端连接到第二N类场效应管312的漏极，另一端连接到第二N类场效应管312的源极;第六电阻315—端连接到第二N类场效应管312的源极，另一端连接到控制信号VGl;第三电容314—端连接到输入端Inl，另一端连接到第二N类场效应管312的漏极;第四电容316—端连接到第二N类场效应管312的源极，另一端连接到输出端0ut2。控制信号VGl与VG2在同一时刻保持其中之一为高电平(通常为2.0至2.5V)，另外一个为低电平(接地)。当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管302导通，第二N类场效应管312截止；当VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管302截止，第二N类场效应管312导通。
[0030]图7为本发明应用于SOICMOS射频开关的相对电压偏置开关核电路第二实施例，包括第一N类场效应管402，第二N类场效应管412，第三N类场效应管408，第四N类场效应管418，第一电阻401，第二电阻403，第三电阻405，第四电阻411，第五电阻413，第六电阻415，第七电阻407，第八电阻409，第九电阻40A，第十电阻417，第十一电阻419，第十二电阻41A，第一电容404，第二电容406，第三电容414，第四电容416，第五电容40C，第六电容40E，第七电容41C，第八电容41E。上述元器件的连接关系如下:第一电阻401—端连接到第一 N类场效应管402的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻403—端连接到第一N类场效应管402的漏极，另一端连接到第一N类场效应管402的源极;第三电阻405—端连接到第一N类场效应管402的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容404—端连接到输入端Inl，另一端连接到第一N类场效应管402的漏极；第二电容406 —端连接到第一N类场效应管402的源极，另一端连接到输出端Outl;第四电阻411 一端连接到第二N类场效应管412的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻413—端连接到第二N类场效应管412的漏极，另一端连接到第二N类场效应管412的源极；第六电阻415 —端连接到第二N类场效应管412的源极，另一端连接到控制信号VGl;第三电容414一端连接到输入端Inl，另一端连接到第二N类场效应管412的漏极;第四电容416—端连接到第二N类场效应管412的源极，另一端连接到输出端0ut2;第七电阻407—端连接到第三N类场效应管408的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第八电阻409—端连接到第三N类场效应管408的漏极，另一端连接到第三N类场效应管408的源极;第九电阻40A—端连接到第三N类场效应管408的源极，另一端连接到控制信号VGl;第五电容40C—端连接到输出端Outl，另一端连接到第三N类场效应管408的漏极;第六电容40E—端连接到第三N类场效应管408的源极，另一端连接到地；第十电阻417—端连接到第四N类场效应管418的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第十一电阻419一端连接到第四N类场效应管418的漏极，另一端连接到第四N类场效应管418的源极；第十二电阻41A—端连接到第四N类场效应管418的源极，另一端连接到控制信号VG2;第七电容41C一端连接到输出端0ut2，另一端连接到第四N类场效应管418的漏极;第八电容41E一端连接到第四N类场效应管418的源极，另一端连接到地。控制信号VGl与VG2在同一时刻保持其中之一为高电平(通常为2.0至2.5V)，另外一个为低电平(接地)。当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管402和第四N类场效应管418导通，第二N类场效应管412和第三N类场效应管408截止;当VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管402和第四N类场效应管418截止，第二N类场效应管412和第三N类场效应管408导通。
[0031]工作原理:本发明技术方案的主要工作原理是直流隔离电压技术，电容304，306，314，316对直流电压进行阻隔。当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管302的栅极处于高电势，漏极和源极处于低电势(接地状态)，第一N类场效应管302导通，而第二N类场效应管312的栅极处于低电势(接地状态)，漏极和源极处于高电势，第二N类场效应管312截止；当VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管302的栅极处于低电势(接地状态)，漏极和源极处于高电势，第一N类场效应管302截止，而第二N类场效应管312的栅极处于高电势，漏极和源极处于低电势(接地状态)，第二N类场效应管312导通。
[0032]在本发明的描述中，所有N类场效应管的源极和漏极是可以互换的，这对于本领域技术人员来讲是易于理解的。
[0033]本发明中所提及的控制信号VGI与VG2的值，所有电阻和所有电容的元件值，以及所有N类场效应管的尺寸值，需要根据射频开关的具体情况来设计，这对于本领域技术人员来讲是易于理解的。
[0034]另外，根据射频开关所需要承受的射频功率的大小，除了调整单个场效应管的尺寸外，还需要采用叠层串联多个场效应管的方法，具体需要叠层多少个，同样需要根据具体应用中所需要承受的射频功率来决定。这对于本领域技术人员来讲同样是易于理解的。
[0035]本发明提出的技术方案，可以很容易扩展到单刀多掷开关的应用(如单刀三掷开关、单刀四掷开关等)和多刀多掷开关的应用(如双刀五掷开关，三刀四掷开关等)。
[0036]以上结合具体实施例描述了本发明的技术原理。这些描述只是为了解释本发明的原理，而不能以任何方式解释为对本发明保护范围的限制。基于此处的解释，本领域的技术人员不需要付出创造性的劳动即可联想到本发明的其它【具体实施方式】，这些方式都将落入本发明的保护范围之内。
【主权项】
1.一种SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:包括带隙基准电路、低压差线性稳压器、解码器、电平转换电路以及相对电压偏置开关核电路，逻辑电平连接至所述解码器的输入端;供电电源电压VDD连接至所述带隙基准电路的输入端;所述带隙基准电路的输出端连接至所述低压差线性稳压器的输入端，为低压差线性稳压器提供工作电压;所述低压差线性稳压器的输出端分别连接至所述解码器和所述电平转换电路的输入端;所述解码器的输出端连接至所述电平转换电路的输入端;所述电平转换电路的输出端连接至所述相对电压偏置开关核电路的输入端；所述带隙基准为所述低压差线性稳压器提供一个基准电压，所述低压差线性稳压器则为所述解码器和所述电平转换电路提供电源，所述电平转换电路为所述相对电压偏置开关核电路提供偏置电平。2.根据权利要求1所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的相对电压偏置开关核电路，包括电容和N类场效应管，利用电容对直流电压进行阻隔，并在N类场效应管的栅和源极同时进行直流偏置，当N类场效应管开关处于开启状态时，其栅极处于高电势，漏极和源极处于低电势；当第N类场效应管开关处于关断状态时，其栅极处于低电势，漏极和源极处于高电势。3.根据权利要求2所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的相对电压偏置开关核电路，包括第一N类场效应管(302)，第二N类场效应管(312)，第一电阻(301)，第二电阻(303)，第三电阻(305)，第四电阻(311)，第五电阻(313)，第六电阻(315)，第一电容(304)，第二电容(306)，第三电容(314)，第四电容(316)，第一电阻(301)—端连接到第一 N类场效应管(302)的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻(303)—端连接到第一N类场效应管管(302)的漏极，另一端连接到第一N类场效应管(302)的源极;第三电阻(305) —端连接到第一 N类场效应管(302)的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容(304)—端连接到输入端Inl，另一端连接到第一N类场效应管(302)的漏极;第二电容(306)—端连接到第一 N类场效应管(302)的源极，另一端连接到输出端Outl;第四电阻(311)—端连接到第二N类场效应管(312)的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻(313)—端连接到第二N类场效应管(312)的漏极，另一端连接到第二N类场效应管(312)的源极;第六电阻(315)一端连接到第二N类场效应管(312)的源极，另一端连接到控制信号VGl;第三电容(314) —端连接到输入端In I，另一端连接到第二N类场效应管(312 )的漏极;第四电容(316 )—端连接到第二N类场效应管(312)的源极，另一端连接到输出端0ut2。4.根据权利要求3所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的第一N类场效应管(302)和第二N类场效应管(312)中的至少一个场效应管的源极和漏极可以互换。5.根据权利要求2所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的相对电压偏置开关核电路，包括第一N类场效应管(402)，第二N类场效应管(412)，第三N类场效应管(408)，第四N类场效应管(418)，第一电阻(401)，第二电阻(403)，第三电阻(405)，第四电阻(411)，第五电阻(413)，第六电阻(415)，第七电阻(407)，第八电阻(409)，第九电阻(40A)，第十电阻(417)，第^^一电阻(419)，第十二电阻(41A)，第一电容(404)，第二电容(406)，第三电容(414)，第四电容(416)，第五电容(40C)，第六电容(40E)，第七电容(41C)，第八电容(41E)，第一电阻(401)—端连接到第一 N类场效应管(402)的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第二电阻(403)—端连接到第一 N类场效应管(402)的漏极，另一端连接到第一N类场效应管(402)的源极;第三电阻(405)—端连接到第一N类场效应管(402)的源极，另一端连接到控制信号VG2;第一电容(404)—端连接到输入端Inl，另一端连接到第一N类场效应管(402)的漏极;第二电容(406)—端连接到第一N类场效应管(402)的源极，另一端连接到输出端Outl;第四电阻(411)一端连接到第二N类场效应管(412)的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第五电阻(413)—端连接到第二N类场效应管(412)的漏极，另一端连接到第二N类场效应管(412)的源极;第六电阻(415)—端连接到第二N类场效应管(412)的源极，另一端连接到控制信号VGI;第三电容(414 ) 一端连接到输入端I η I，另一端连接到第二N类场效应管(412)的漏极;第四电容(416)—端连接到第二N类场效应管(412)的源极，另一端连接到输出端Out 2 ；第七电阻(407 )—端连接到第三N类场效应管(408 )的栅极，另一端连接到控制信号VG2;第八电阻(409)—端连接到第三N类场效应管(408)的漏极，另一端连接到第三N类场效应管(408)的源极;第九电阻(40Α)—端连接到第三N类场效应管(408)的源极，另一端连接到控制信号VGl;第五电容(40C)—端连接到输出端Outl，另一端连接到第三N类场效应管(408)的漏极;第六电容(40Ε)—端连接到第三N类场效应管(408)的源极，另一端连接到地；第十电阻(417)—端连接到第四N类场效应管(418)的栅极，另一端连接到控制信号VGl;第十一电阻(419)一端连接到第四N类场效应管(418)的漏极，另一端连接到第四N类场效应管(418)的源极;第十二电阻(41Α)—端连接到第四N类场效应管(418)的源极，另一端连接到控制信号VG2;第七电容(41C) 一端连接到输出端Out 2，另一端连接到第四N类场效应管(418)的漏极;第八电容(41Ε)—端连接到第四N类场效应管(418)的源极，另一端连接到地，当控制信号VGl为高电平，VG2为低电平时，第一N类场效应管(402)和第四N类场效应管(418)导通，第二N类场效应管(412)和第三N类场效应管(408)截止；当VGl为低电平，VG2为高电平时，第一N类场效应管(402)和第四N类场效应管(418)截止，第二N类场效应管(412)和第三N类场效应管(408)导通。6.根据权利要求5所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的第一N类场效应管(402)，第二N类场效应管(412)，第三N类场效应管(408)，第四N类场效应管(418)中的至少一个场效应管的源极和漏极可以互换。7.根据权利要求3或5所述的SOICMOS射频开关电路结构，其特征在于:所述的控制信号VGl与VG2中，其中之一为高电平，用以开关进行开启或关闭的控制，另一个为低电平。
【文档编号】G05F1/56GK205507600SQ201620332599
【公开日】2016年8月24日
【申请日】2016年4月20日
【发明人】张志浩, 章国豪, 林俊明, 余凯, 李思臻, 黄亮
【申请人】广东工业大学