一种负温度系数的电流源电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种负温度系数的电流源电路，包括PMOS晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1；PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接，PMOS晶体管MP1的漏极通过第三公共点c分别与第一电阻R1一端和第二电阻R2的一端连接，第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a，第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b；第一公共点a与通过第三电阻R接地；第二公共点b与三极管P1的发射极连接，三极管P1的集电极和基极接地；第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接，第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接，运放A1的输出端与PMOS晶体管MP1的栅极连接。本实用新型提供了一种负温度系数的电流源电路，通过电路来实现电流对温度的微分是负数的效果，结构简单。
【专利说明】
一种负温度系数的电流源电路
技术领域
[0001] 本实用新型涉及一种负温度系数的电流源电路，属于集成电路领域。
【背景技术】
[0002] 现在的电流源电路常见的是与温度成正比的电流源(正温度系数电流源）。但是在 实际使用中，有可能用到与温度成反比的电流源（负温度系数电流源）。特别是在对恒温电 流源有需求的场合，需要通过调整这正温度电流和负温度电流的比例来得到恒温电流，因 此，提供一种结构简单的负温度系数电流源非常重要。 【实用新型内容】
[0003] 本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种负温度系数的电流源电 路，通过电路来实现电流对温度的微分是负数的效果，结构简单。
[0004] 本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：一种负温度系数的电流源电 路，其特征在于:包括PM0S晶体管MP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极 管P1;
[0005] PM0S晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接，PM0S晶体管MP1的漏极与第三公共点C 连接，第三公共点c分别与第一电阻R1 -端和第二电阻R2的一端连接，第一电阻R1的另一端 连接到第一公共点在a，第二电阻R2的另一端连接到第二公共点b;第一公共点a与第三电阻 R的一端连接，第三电阻R的另一端接地;第二公共点b与三极管P1的发射极连接，三极管P1 的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放A1的正向输入端连接，第二公共点b还与运放 A1的反向输入端连接，运放A1的输出端与PM0S晶体管MP1的栅极连接。
[0006] 所述的三极管P1为PNP三极管。
[0007] 所述的第三电阻R为正温度系数的电阻。
[0008] 所述的第一电阻R1的阻值和第二电阻R2的阻值相等。
[0009] 本实用新型的有益效果是:通过电路实现了电流对温度的微分是负数的效果，从 而得到了一种负温度系数的电流源电路，电路结构简单。
【附图说明】
[0010] 图1为本实用新型的原理图。
[0011] 图2为负温度系数电流源的镜像输出电路示意图。
【具体实施方式】
[0012] 下面结合附图进一步详细描述本实用新型的技术方案，但本实用新型的保护范围 不局限于以下所述。
[0013] 如图1所示，一种负温度系数的电流源电路，其特征在于:包括PM0S晶体管MP1、第 一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R、运放A1和三极管P1;PM0S晶体管MP1的源极S与工作电源 VCC连接，PMOS晶体管MP1的漏极D与第三公共点C连接，第三公共点C分别与第一电阻R1-端 和第二电阻R2的一端连接，第一电阻R1的另一端连接到第一公共点在a，第二电阻R2的另一 端连接到第二公共点b;第一公共点a与第三电阻R的一端连接，第三电阻R的另一端接地;第 二公共点b与三极管P1的发射极E连接，三极管P1的集电极C和基极B接地;第一公共点a还与 运放A1的正向输入端连接，第二公共点b还与运放A1的反向输入端连接，运放A1的输出端与 PM0S晶体管MP1的栅极G连接。
[0014] 所述的三极管P1为PNP三极管。
[0015]所述的第三电阻R为正温度系数的电阻。
[0016]所述的第一电阻R1的阻值和第二电阻R2的阻值相等。
[0017] 如图1所示，运放A1的反馈作用使得运放A1的输入端a、b两点的电压相等，从而使 得第三电阻R两端的电压就等于三极管P1基极和发射极之间的电压Vbe;故流过第三电阻R的 电流I为：
[0018] I=Vbe/R；
[0019]利用电流对温度进行微分，可以得到：
[0021]化简后得到：
[0023] 我们知道
）在T = 300°k时，值约为_1.5mV/°k，而温度的变化一般在T = 300°k左右
>均为负值；由此可知
，有由于我们采用的第三电阻R是 正温度系数的电阻（一般电阻都是正温度系数），R随着T的升高而升高，劫，由此可 知：
[0025]即
，电流对温度的微分是负数，也就是说，流过第三电阻R的电流I随着温度 T的升高而降低，PM0S晶体管的漏极电流也随着温度的升高而降低，也就是说得到了负温度 系数的电流源。
[0026]进一步地，如果在本申请中第三电阻R为负温度系数电阻(有的多晶电阻呈现这种 特性），那4
v就可以为第三电阻R设置合适的阻值让
：的值为零，这就意 味得到了不随温度变化的电流。
[0027]进一步地，一般情况下，将本申请的负温度系数的电流源电路，与电流源电路常见 的正温度系数电流源相配合，调整正温度系数和负温度系数两种电流的比例就能够得到恒 温电流；显而易见，由不同温度系数的电流源和电阻配合，就能得到不同温度系数的电压 源;解决了电流源的温度系数问题，就等于解决了电压源的温度系数问题。
[0028]需要说明的是，本申请提供的只是电流源电路，在具体使用时，使用镜像电路进行 电流输出即可，如图2所示，增加一个PM0S晶体管MP2，将MP1的源极与MP2的源极连接，将MP1 的栅极与MP2的栅极连接，由MP2的漏极进行输出。
【主权项】
1. 一种负温度系数的电流源电路，其特征在于:包括PMOS晶体管MP1、第一电阻RU第二 电阻R2、第三电阻R、运放Al和三极管PI; PMOS晶体管MP1的源极与工作电源VCC连接，PMOS 晶体管MPl的漏极与第三公共点c连接，第三公共点c分别与第一电阻Rl -端和第二电阻R2 的一端连接，第一电阻Rl的另一端连接到第一公共点在a，第二电阻R2的另一端连接到第 二公共点b;第一公共点a与第三电阻R的一端连接，第三电阻R的另一端接地;第二公共点b 与三极管Pl的发射极连接，三极管Pl的集电极和基极接地;第一公共点a还与运放Al的正向 输入端连接，第二公共点b还与运放Al的反向输入端连接，运放Al的输出端与PMOS晶体管 MPl的栅极连接。2. 根据权利要求1所述的一种负温度系数的电流源电路，其特征在于:所述的三极管Pl 为PNP三极管。3. 根据权利要求1所述的一种负温度系数的电流源电路，其特征在于:所述的第三电阻 R为正温度系数的电阻。4. 根据权利要求1所述的一种负温度系数的电流源电路，其特征在于:所述的第一电阻 Rl的阻值和第二电阻R2的阻值相等。
【文档编号】G05F3/28GK205563352SQ201620390118
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年5月3日
【发明人】刘辉, 王鑫
【申请人】成都振芯科技股份有限公司