一种供电电路的制作方法
【专利摘要】本申请提供的供电电路，通过DC/DC变换器经过升压和变换后，独立地产生双路正负极性输出，再通过低压差正电源线性稳压器及低压差负电源线性稳压器的分别稳压后，输出高精度、低噪音的直流电平给传感器供电；这种由所述DC/DC变换器作为第一级、所述低压差正电源线性稳压器及所述低压差负电源线性稳压器作为第二级的双级结构，吸取了开关电源线性调整率高、效率高的优点和线性稳压器噪声低、瞬态响应快的优点，能够适用于低功耗、高精密的小信号测量场合。
【专利说明】
一种供电电路
技术领域
[0001 ]本申请涉及电力电子技术领域，更具体地，涉及一种供电电路。
【背景技术】
[0002] 目前为传感器供电的供电电路多采用开关电源稳压器，开关电源稳压器的原理是 电源内部的关键开关元器件工作在高频开关状态，其主要特点是效率高和线性调整率高 等。
[0003] 开关电源稳压器一般内置有集成开关FET(Field Effect Transistor，场效应晶 体管），采用电磁线圈存储能量，能够在DC/DC变换中保证传输转换效率大于80% (最高能达 到97%)，极大地提高了供电效率，减少了对热噪声的处理。
[0004] 然而，高频开关元件的引入给系统带来了高频噪声，同时其输出电压纹波较线性 稳压也相对较差，瞬态响应慢，这在一些精密小信号测量场合是非常不适用的。对于此方 法，目前各改进措施主要是增加输入输出滤波电容的容值，但是这种方法在增加成本的同 时收效甚微。 【实用新型内容】
[0005] 有鉴于此，本申请提供了一种供电电路，用以解决现有技术不适用于精密小信号 测量场合的问题。
[0006] 为实现所述目的，本申请提供的技术方案如下：
[0007] 一种供电电路，用于为传感器供电，所述供电电路包括:DC/DC变换器、低压差正电 源线性稳压器及低压差负电源线性稳压器;其中：
[0008] 所述DC/DC变换器的第一输出端与所述低压差正电源线性稳压器的输入端相连， 所述DC/DC变换器的第二输出端与所述低压差负电源线性稳压器的输入端相连;所述低压 差正电源线性稳压器的输出端为所述供电电路的第一输出端，所述低压差负电源线性稳 压器的输出端为所述供电电路的第二输出端。
[0009] 优选的，所述DC/DC变换器包括:ADP5070芯片、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第 四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电 容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感、第二电感、第一二极管及第二二极 管;其中：
[0010] 所述ADP5070芯片的COMPl引脚依次通过所述第一电阻及所述第一电容与地相连； [0011] 所述ADP5070芯片的ENl引脚通过所述第二电阻与电源相连；
[0012] 所述ADP5070芯片的VREG引脚通过所述第二电容接地；
[0013] 所述ADP5070芯片的PVINl引脚、PVIN2引脚及PVINSYS引脚相连，连接点与所述电 源相连；
[0014] 所述ADP5070芯片的EN2引脚通过所述第三电阻与所述电源相连；
[0015] 所述ADP5070芯片的C0MP2引脚依次通过所述第四电阻及所述第三电容与地相连；
[0016] 所述ADP5070芯片的SYNC/FREQ引脚接地；
[0017] 所述ADP5070芯片的INBK引脚与SWl引脚之间连接有所述第一电感；
[0018]所述ADP5070芯片的SWl引脚与所述第一二极管的阳极相连;所述第一二极管的阴 极依次通过所述第五电阻及所述第六电阻与地相连，并通过所述第五电容与地相连，通过 所述第六电容与电源地相连;所述第一二极管的阴极为所述DC/DC变换器的第一输出端； [0019]所述ADP5070芯片的FBl引脚与所述第五电阻及所述第六电阻的连接点相连；
[0020] 所述ADP5070芯片的PGND引脚与电源地相连；
[0021] 所述ADP5070芯片的VREF引脚通过所述第四电容接地，并依次通过所述第七电阻 和所述第八电阻与所述第二二极管的阳极相连;所述第二二极管的阴极与所述ADP5070芯 片的SW2引脚相连，并通过所述第二电感与电源地相连;所述第二二极管的阳极通过所述第 七电容与电源地相连，并通过所述第八电容与地相连，所述第二二极管的阳极为所述DC/DC 变换器的第二输出端；
[0022]所述ADP5070芯片的FB2引脚与所述第七电阻和所述第八电阻的连接点相连。
[0023] 优选的，所述低压差正电源线性稳压器包括:ADP7102芯片、第九电阻、第十电阻、 第十一电阻、第九电容及第十电容;其中：
[0024] 所述ADP7102芯片的VIN引脚为所述低压差正电源线性稳压器的输入端，通过所述 第九电阻与EN引脚相连；
[0025] 所述ADP7102芯片的两个GND引脚接地；
[0026] 所述ADP7102芯片的VOUT引脚为所述低压差正电源线性稳压器的输出端，依次通 过所述第十电阻及所述第十一电阻接地，并通过所述第九电容接地，通过所述第十电容接 地；
[0027]所述ADP7102芯片的ADJ引脚与所述第十电阻及所述第十一电阻的连接点相连。 [0028]优选的，所述低压差负电源线性稳压器包括:ADP7182芯片、第十二电阻、第十三电 阻、第十四电阻、第十一电容及第十二电容;其中：
[0029] 所述ADP7182芯片的VIN引脚为所述低压差负电源线性稳压器的输入端，通过所述 第十二电阻与EN引脚相连；
[0030] 所述ADP7182芯片的GND引脚接地；
[0031]所述ADP7182芯片的VOUT引脚为所述低压差负电源线性稳压器的输出端，依次通 过所述第十三电阻及所述第十四电阻接地，并通过所述第十一电容接地，通过所述第十二 电容接地；
[0032]所述ADP7182芯片的ADJ引脚与所述第十三电阻及所述第十四电阻的连接点相连。 [0033]优选的，所述电源为+5V直流电源。
[0034]优选的，所述第十一电容为陶瓷电容。
[0035]优选的，所述第^^一电容的容量为2.2uF。
[0036] 优选的，所述第一电阻的阻值为5.6k Ω，所述第二电阻和所述第三电阻的阻值为 4.7kQ，所述第四电阻的阻值为12kQ，所述第五电阻的阻值为2.15ΜΩ，所述第六电阻的阻 值为113kQ，所述第七电阻的阻值为IOOkQ，所述第八电阻的阻值为2.1ΜΩ，所述第一电容 和所述第三电容的容量为47nF，所述第二电容的容量为luF，所述第四电容、所述第五电容 和所述第八电容的容量为O.luF，所述第六电容和所述第七电容为容量是IOuF的陶瓷电 容，所述第一电感的感抗为3.3uH，所述第二电感的感抗为6.8uH，所述第一二极管和所述第 二二极管的型号为SK110。
[0037] 优选的，所述第九电阻的阻值为4.7kQ，所述第十电阻的阻值为52.3kQ，所述第 十一电阻的阻值为4.64k Ω，所述第九电容为容量是2.2uF的陶瓷电容，所述第九电容的容 量为O.luF。
[0038] 优选的，所述第十二电阻的阻值为4.7kQ，所述第十三电阻的阻值为52.3kQ，所 述第十四电阻的阻值为4.641^〇，所述第^^一电容为容量是2.2uF的陶瓷电容，所述第十二 电容的容量为O.luF。
[0039] 由以上可知，本申请提供的供电电路，通过DC/DC变换器经过升压和变换后，独立 地产生双路正负极性输出，再通过低压差正电源线性稳压器及低压差负电源线性稳压器的 分别稳压后，输出高精度、低噪音的直流电平给传感器供电；这种由所述DC/DC变换器作为 第一级、所述低压差正电源线性稳压器及所述低压差负电源线性稳压器作为第二级的双级 结构，吸取了开关电源线性调整率高、效率高的优点和线性稳压器噪声低、瞬态响应快的优 点，能够适用于低功耗、高精密的小信号测量场合。
【附图说明】
[0040] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据 提供的附图获得其他的附图。
[0041] 图1为本申请提供的供电电路的结构示意图；
[0042]图2为本申请提供的供电电路的电路图。
【具体实施方式】
[0043]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其 他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0044] 本申请提供了一种供电电路，用以解决现有技术不适用于精密小信号测量场合的 问题。
[0045] 具体的，所述供电电路用于为传感器供电，所述供电电路如图1所示，包括:DC/DC 变换器101、低压差正电源线性稳压器102及低压差负电源线性稳压器103;其中：
[0046] DC/DC变换器101的第一输出端与低压差正电源线性稳压器102的输入端相连，DC/ DC变换器101的第二输出端与低压差负电源线性稳压器103的输入端相连;低压差正电源线 性稳压器102的输出端为所述供电电路的第一输出端，低压差负电源线性稳压器103的输出 端为所述供电电路的第二输出端。
[0047]本申请提供的供电电路，通过DC/DC变换器101经过升压和变换后，独立地产生双 路正负极性输出，再通过低压差正电源线性稳压器102及低压差负电源线性稳压器103的分 另Ij稳压后，输出高精度、低噪音的直流电平给传感器供电；这种由DC/DC变换器101作为第一 级、低压差正电源线性稳压器102及低压差负电源线性稳压器103作为第二级的双级结构， 吸取了开关电源线性调整率高、效率高的优点和线性稳压器噪声低、瞬态响应快的优点，能 够适用于低功耗、高精密的小信号测量场合。
[0048] 优选的，如图2所示，DC/DC变换器101包括:ADP5070芯片、第一电阻R1、第二电阻 R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一电容 C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容 C8、第一电感LU第二电感L2、第一二极管Dl及第二二极管D2;其中：
[0049] 所述ADP5070芯片的COMPl引脚依次通过第一电阻Rl及所述第一电容Cl与地相连；
[0050] 所述ADP5070芯片的ENl引脚通过第二电阻R2与电源相连；
[0051 ] 所述ADP5070芯片的VREG引脚通过第二电容C2接地；
[0052] 所述ADP5070芯片的PVINl引脚、PVIN2引脚及PVINSYS引脚相连，连接点与所述电 源相连；
[0053] 所述ADP5070芯片的EN2引脚通过第三电阻R3与所述电源相连；
[0054] 所述ADP5070芯片的C0MP2引脚依次通过第四电阻R4及第三电容C3与地相连；
[0055] 所述ADP5070芯片的SYNC/FREQ引脚接地；
[0056] 所述ADP5070芯片的INBK引脚与SWl引脚之间连接有第一电感Ll;
[0057]所述ADP5070芯片的SWl引脚与第一二极管Dl的阳极相连;第一二极管Dl的阴极依 次通过第五电阻R5及第六电阻R6与地相连，并通过第五电容C5与地相连，通过第六电容C6 与电源地相连;第一二极管Dl的阴极为DC/DC变换器101的第一输出端；
[0058] 所述ADP5070芯片的FBl引脚与第五电阻R5及第六电阻R6的连接点相连；
[0059] 所述ADP5070芯片的PGND引脚与电源地相连；
[0060] 所述ADP5070芯片的VREF引脚通过第四电容C4接地，并依次通过第七电阻R7和第 八电阻R8与第二二极管D2的阳极相连;第二二极管D2的阴极与所述ADP5070芯片的SW2引脚 相连，并通过第二电感L2与电源地相连;第二二极管D2的阳极通过第七电容C7与电源地相 连，并通过第八电容C8与地相连，第二二极管D2的阳极为DC/DC变换器101的第二输出端； [0061 ] 所述ADP5070芯片的FB2引脚与第七电阻R7和第八电阻R8的连接点相连。
[0062] 优选的，如图2所示，低压差正电源线性稳压器102包括:ADP7102芯片、第九电阻 R9、第十电阻R10、第十一电阻Rll、第九电容C9及第十电容C10;其中：
[0063] 所述ADP7102芯片的VIN引脚为低压差正电源线性稳压器102的输入端，通过第九 电阻R9与EN引脚相连；
[0064] 所述ADP7102芯片的两个GND引脚接地；
[0065] 所述ADP7102芯片的VOUT引脚为低压差正电源线性稳压器102的输出端，依次通过 第十电阻RlO及第十一电阻Rll接地，并通过第九电容C9接地，通过第十电容ClO接地；
[0066] 所述ADP7102芯片的ADJ引脚与第十电阻RlO及第^^一电阻Rll的连接点相连。
[0067] 优选的，如图2所示，低压差负电源线性稳压器103包括:ADP7182芯片、第十二电阻 R12、第十三电阻R13、第十四电阻R14、第^^一电容Cll及第十二电容C12;其中：
[0068] 所述ADP7182芯片的VIN引脚为低压差负电源线性稳压器103的输入端，通过第十 二电阻R12与EN引脚相连；
[0069] 所述ADP7182芯片的GND引脚接地；
[0070] 所述ADP7182芯片的VOUT引脚为低压差负电源线性稳压器103的输出端，依次通过 第十三电阻R13及第十四电阻R14接地，并通过第^^一电容Cll接地，通过第十二电容C12接 地；
[0071] 所述ADP7182芯片的ADJ引脚与第十三电阻R13及第十四电阻R14的连接点相连。 [0072]优选的，所述电源为+5V直流电源。
[0073]所述ADP5070芯片是一种高性能DC/DC转换器，能够独立地产生双路正负极性输 出；能够实现2.85V~15V的宽范围输入，高至+39V的正电源输出，低至-39V的负电源输出， 高线性调整率。另外，所述ADP5070芯片可以内置可编程电压转换率控制电路，能够实现电 磁干扰的减少；所述ADP5070芯片还可以内置可编程软启动定时器，减少上电瞬间冲击电 流，同时有多种顺序启动方式可供选择;且有过流、过压、短路保护封锁端和输入欠压封锁 端可以选用。
[0074] 所述ADP7102芯片是一种低静态电流的低压差正电源线性调压器，该器件的输出 噪声电压为15uV rms，并不受输出电压影响，提供高电源抑制、低噪声特性。
[0075] 所述ADP7182芯片是一种互补金属氧化物半导体的低压差负电源线性调压器，该 器件输出噪声电压小于18uV rms并不受输出电压影响，满足高电源抑制、低噪声的需求。
[0076]在具体的实际应用中，所述供电电路的输入端是波动+5V直流电平，外加上述补偿 和反馈电路，所述ADP5070芯片进行升压和变换后便可得到正负±16V直流电平。其中： 「00771 n r / n r变换器1 〇 1的第一输出端输出的正电源的反馈计算公式为 V〇UT1SDC/DC变换器101的第一输出端输出的正电源；Vfbi为所述 ADP5070芯片的FBl引脚的输出电压；
[0078] D C / D C变换器1 0 1的第一输出端输出的负电源的反馈计算公式为 ?
丨；VoutADC/DC变换器101的第二输出端输出的负电源;Vfb 2为所 述ADP5070芯片的FB2引脚的输出电压;Vref为所述ADP5070芯片的REF引脚的输出电压。
[0079] 经过第六电容C6、第七电容C7、第五电容C5及第八电容C8滤波后，送给所述 ADP7102芯片和所述ADP7182芯片的VIN引脚，由所述ADP7102芯片和所述ADP7182芯片进行 稳压后输出高精度、低噪音± 15V直流电平给霍尔传感器供电。
[0080] 图2中第十电阻RlO和第十一电阻Rll为正电源反馈电路，第十三电阻R13和第十四 由RB P 1 Z I伯由、? G德由.攸 Sff彳太/ih气电路的输出电压的计算公式是： ;其中，V+为所述供电电路输出的正电源电 压，V-为所述供电电路输出的负电源电压。
[0081] 这种双级结构设计吸取了开关电源线性调整率高、效率高的优点和线性稳压器噪 声低、瞬态响应快的优点，非常适合低功耗、高精密、小信号测量场合的应用。
[0082]优选的，第^^一电容Cll为陶瓷电容。
[0083]优选的，第^^一电容Cll的容量为2.2uF。
[0084] 所述ADP7182芯片配有一个2.2uF陶瓷电容(第^^一电容Cl 1)即能够达到很好的瞬 态响应。
[0085] 优选的，第一电阻Rl的阻值为5.6kQ，第二电阻R2和第三电阻R3的阻值为4.7kQ， 第四电阻R4的阻值为12kQ，第五电阻R5的阻值为2.15ΜΩ，第六电阻R6的阻值为113kQ，第 七电阻R7的阻值为IOOkQ，第八电阻R8的阻值为2. IMΩ，第一电容Cl和所述第三电容C3的 容量为47nF，第二电容C2的容量为luF，第四电容C4、第五电容C5和第八电容C8的容量为 O.luF，第六电容C6和第七电容C7为容量是IOuF的陶瓷电容，第一电感Ll的感抗为3.3uH， 第二电感L2的感抗为6.8uH，第一二极管Dl和第二二极管D2的型号为SK110。
[0086] 优选的，第九电阻1?9的阻值为4.71^〇，第十电阻1?1〇的阻值为52.31^〇，第^^一电阻 Rl 1的阻值为4.64k Ω，第九电容C9为容量是2.2uF的陶瓷电容，第九电容C9的容量为0. luF。
[0087] 优选的，第十二电阻Rl2的阻值为4.7kΩ，第十三电阻Rl3的阻值为52.3k Ω，第十 四电阻1?14的阻值为4.641^〇，第^^一电容Cll为容量是2.2uF的陶瓷电容，第十二电容C12的 容量为O.luF。
[0088] 所述ADP5070芯片在轻载时的转换效率最低;在额定负载条件下（负载电流为0.1 A 时）效率最高接近90%。通过上述参数设置，第二级转换器(低压差正电源线性稳压器102和 低压差负电源线性稳压器103)的输入与输出压差较小，约为16V-15V=1V。
[0089] 根据线性稳压器效率近似计算公3
其中P有为有效功率，P总为 总功率，Uo为输出电压，Ui为输入电压；
[0090] 易知本实施例所述的供电电路在额定负载下工作效率可以达到75%以上，所以本 实施例所述的供电电路在热噪声和效率方面优于普通的单级线性稳压器，非常适合电池供 电的手持式精密监测设备。
[0091] 需要说明的是，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重 点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
[0092] 还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个 实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间 存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语"包括"、"包含"或者其任何其他变体意在涵 盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要 素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备 所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句"包括一个……"限定的要素，并不排除在 包括上述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0093] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。 对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的 一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请 将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一 致的最宽的范围。
【主权项】
1. 一种供电电路，其特征在于，用于为传感器供电，所述供电电路包括:DC/DC变换器、 低压差正电源线性稳压器及低压差负电源线性稳压器;其中： 所述DC/DC变换器的第一输出端与所述低压差正电源线性稳压器的输入端相连，所述 DC/DC变换器的第二输出端与所述低压差负电源线性稳压器的输入端相连;所述低压差正 电源线性稳压器的输出端为所述供电电路的第一输出端，所述低压差负电源线性稳压器的 输出端为所述供电电路的第二输出端。2. 根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于，所述DC/DC变换器包括:ADP5070芯片、 第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第一 电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第一电感、 第二电感、第一二极管及第二二极管;其中： 所述ADP5070芯片的C0MP1引脚依次通过所述第一电阻及所述第一电容与地相连； 所述ADP5070芯片的EN1引脚通过所述第二电阻与电源相连； 所述ADP5070芯片的VREG引脚通过所述第二电容接地； 所述ADP5070芯片的PVIN1引脚、PVIN2引脚及PVINSYS引脚相连，连接点与所述电源相 连； 所述ADP5070芯片的EN2引脚通过所述第三电阻与所述电源相连； 所述ADP5070芯片的C0MP2引脚依次通过所述第四电阻及所述第三电容与地相连； 所述ADP5070芯片的SYNC/FREQ引脚接地； 所述ADP5070芯片的INBK引脚与SW1引脚之间连接有所述第一电感； 所述ADP5070芯片的SW1引脚与所述第一二极管的阳极相连;所述第一二极管的阴极依 次通过所述第五电阻及所述第六电阻与地相连，并通过所述第五电容与地相连，通过所述 第六电容与电源地相连;所述第一二极管的阴极为所述DC/DC变换器的第一输出端； 所述ADP5070芯片的FBI引脚与所述第五电阻及所述第六电阻的连接点相连； 所述ADP5070芯片的PGND引脚与电源地相连； 所述ADP5070芯片的VREF引脚通过所述第四电容接地，并依次通过所述第七电阻和所 述第八电阻与所述第二二极管的阳极相连;所述第二二极管的阴极与所述ADP5070芯片的 SW2引脚相连，并通过所述第二电感与电源地相连;所述第二二极管的阳极通过所述第七电 容与电源地相连，并通过所述第八电容与地相连，所述第二二极管的阳极为所述DC/DC变换 器的第二输出端； 所述ADP5070芯片的FB2引脚与所述第七电阻和所述第八电阻的连接点相连。3. 根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述低压差正电源线性稳压器包括： ADP7102芯片、第九电阻、第十电阻、第^^一电阻、第九电容及第十电容;其中： 所述ADP7102芯片的VIN引脚为所述低压差正电源线性稳压器的输入端，通过所述第九 电阻与EN引脚相连； 所述ADP7102芯片的两个GND引脚接地； 所述ADP7102芯片的VOUT引脚为所述低压差正电源线性稳压器的输出端，依次通过所 述第十电阻及所述第十一电阻接地，并通过所述第九电容接地，通过所述第十电容接地； 所述ADP7102芯片的ADJ引脚与所述第十电阻及所述第十一电阻的连接点相连。4. 根据权利要求3所述的供电电路，其特征在于，所述低压差负电源线性稳压器包括： ADP7182芯片、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第^^一电容及第十二电容;其中： 所述ADP7182芯片的VIN引脚为所述低压差负电源线性稳压器的输入端，通过所述第十 二电阻与EN引脚相连； 所述ADP7182芯片的GND引脚接地； 所述ADP7182芯片的VOUT引脚为所述低压差负电源线性稳压器的输出端，依次通过所 述第十三电阻及所述第十四电阻接地，并通过所述第十一电容接地，通过所述第十二电容 接地； 所述ADP7182芯片的ADJ引脚与所述第十三电阻及所述第十四电阻的连接点相连。5. 根据权利要求2所述的供电电路，其特征在于，所述电源为+5V直流电源。6. 根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述第十一电容为陶瓷电容。7. 根据权利要求6所述的供电电路，其特征在于，所述第^^一电容的容量为2.2uF。8. 根据权利要求2至7任一所述的供电电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值为5.6k Ω，所述第二电阻和所述第三电阻的阻值为4.7kQ，所述第四电阻的阻值为12kQ，所述第 五电阻的阻值为2.15ΜΩ，所述第六电阻的阻值为113kQ，所述第七电阻的阻值为l〇〇kQ， 所述第八电阻的阻值为2.1ΜΩ，所述第一电容和所述第三电容的容量为47nF，所述第二电 容的容量为luF，所述第四电容、所述第五电容和所述第八电容的容量为O.luF，所述第六电 容和所述第七电容为容量是10uF的陶瓷电容，所述第一电感的感抗为3.3uH，所述第二电感 的感抗为6.8uH，所述第一二极管和所述第二二极管的型号为SK110。9. 根据权利要求3、4、6或7任一所述的供电电路，其特征在于，所述第九电阻的阻值为 4.7kQ，所述第十电阻的阻值为52.3kQ，所述第十一电阻的阻值为4.64kQ，所述第九电容 为容量是2.2uF的陶瓷电容，所述第九电容的容量为O.luF。10. 根据权利要求4所述的供电电路，其特征在于，所述第十二电阻的阻值为4.7kQ，所 述第十三电阻的阻值为52.3kQ，所述第十四电阻的阻值为4.64kQ，所述第十一电容为容 量是2.2uF的陶瓷电容，所述第十二电容的容量为O.luF。
【文档编号】G05F1/46GK205581697SQ201521108573
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2015年12月28日
【发明人】敖小强, 潘瑞峰
【申请人】北京雪迪龙科技股份有限公司