可控硅投切装置的制造方法

文档序号:10921038阅读:560来源:国知局
可控硅投切装置的制造方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种可控硅投切装置,该装置包括用于控制电容器组并联接入/断开于三相交流电源电路与供电负载之间的可控硅电路、与可控硅电路驱动连接的驱动电路、与驱动电路连接的主控电路、用以给主控电路提供工作电源的电源转换电路、用以检测三相交流电源相位的相位检测电路、用以检测可控硅电路温度的温度检测电路、用以对可控硅电路进行散热的风扇及与风扇连接的风速调节电路;其中,主控电路,用以根据相位检测电路检测到的三相交流电源的电流相位控制驱动电路驱动可控硅电路工作;还用以根据温度检测电路检测到的可控硅电路温度控制风速调节电路相应调节风扇转速。本实用新型能够避免可控硅过温使用。
【专利说明】
可控硅投切装置
技术领域
[0001]本实用新型涉及开关技术领域,尤其涉及一种可控硅投切装置。
【背景技术】
[0002]在动态无功补偿应用领域,多采用可控硅,也即晶闸管作为投切电容器的开关器件。但是,可控硅作为大功率器件,在工作时,会产生较大的热量,需要通过风扇进行散热。
[0003]现有的风扇仅通过机械式的温控保护开关实时检测可控硅温度,并在温度达到温度保护阈值时触发,使风扇开启,对可控硅进行散热而实现对可控硅进行过温保护的目的。但是,这种机械式的开关频繁动作后容易损坏而造成过温保护失效,此时,可控硅就容易因过温使用而缩减寿命或直接损坏。
【实用新型内容】
[0004]本实用新型的主要目的在于提供一种可控硅投切装置,旨在避免可控硅过温使用,以提高可控硅的使用寿命。
[0005]为实现上述目的,本实用新型提供一种可控硅投切装置,该可控硅投切装置包括用于控制电容器组并联接入/断开于三相交流电源电路与供电负载之间的可控硅电路、与所述可控硅电路驱动连接的驱动电路、与所述驱动电路连接的主控电路、与所述三相交流电源电路连接且用以给所述主控电路提供工作电源的电源转换电路、与所述三相交流电源电路连接并用以检测三相交流电源相位的相位检测电路、用以检测可控硅电路温度的温度检测电路、用以对所述可控硅电路进行散热的风扇及与所述风扇连接的风速调节电路,所述相位检测电路、温度检测电路、风速调节电路还与所述主控电路分别连接;其中,所述主控电路,用以根据所述相位检测电路检测到的三相交流电源的电流相位控制所述驱动电路驱动所述可控硅电路工作;还用以根据所述温度检测电路检测到的可控硅电路温度控制所述风速调节电路相应调节所述风扇转速。
[0006]优选地,所述主控电路包括微处理芯片,所述微处理芯片具有电源端、多个驱动信号输出端、第一相位输入端、第二相位输入端、第三相位输入端、驱动信号输出端、温度控制端及转速控制端,所述驱动电路具有对应所述多个驱动信号输出端的输入端,所述微处理芯片通过其电源端与所述电源转换电路的输出端连接,所述微处理芯片通过其第一相位输入端、第二相位输入端、第三相位输入端分别与所述相位检测电路的第一输出端、第二输出端及第三输出端一一对应连接;所述微处理芯片的多个驱动信号输出端与所述驱动电路的对应数量的输入端一一对应连接;所述微处理芯片通过其温度控制端与所述温度检测电路的输出端连接;所述微处理芯片通过其转速控制端与所述转速调节电路的输入端连接。
[0007]优选地,所述相位检测电路包括与所述三相交流电源电路的三相电源端一一对应连接的第一检测支路、第二检测支路及第三检测支路,所述第一检测支路的输出端与所述第一相位输入端连接,所述第二检测支路的输出端与所述第二相位输入端连接,所述第三检测支路的输出端与所述第三相位输入端连接。
[0008]优选地,所述三相交流电源电路包括第一交流输入端、第二交流输入端、第三交流输入端;第二十一电阻的第一端经第二十八电容与所述第一交流输入端连接,所述第二十一电阻的第二端连接保险的第一端;第二十八电阻的第一端经第三十六电容与所述第二交流输入端连接;第二十二电阻的第一端经第二十九电容与所述第三交流输入端连接;其中,所述保险的第二端、第二十八电阻的第二端及第二十二电阻的第二端分别与对应的供电负载连接。
[0009]优选地,所述第一检测支路包括第一电阻、第二电阻、第三十电阻、第一二极管、第三光耦、第一电容及第一反相器,所述第一电阻的第一端与所述第三十电阻的第一端互连,且与第二变压器的第一次级输出端连接,所述第一电阻的第二端与所述第三十电阻的第二端、第一二极管的阴极、第三光耦的发光二极管的阳极连接;所述第三光耦的发光二极管的阴极、第一二极管的阳极互连,且与第二变压器的第二次级输出端连接;所述第二变压器的第一次级输入端与所述第二十一电阻的第二端连接,所述第二变压器的第二次级输入端与所述第二十八电阻的第二端连接;所述第三光耦的集电极与所述第一电阻的第一端、第一反相器的输入端、第一电容的第一端互连,所述第三光耦的发射极接地;所述第二电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第一反相器的输出端为所述第一检测支路的输出端,所述第一电容的第二端接地。
[0010]优选地,所述第二检测支路包括第六电阻、第九电阻、第二二极管、第四光耦、第三电容及第二反相器,所述第六电阻的第一端与第二十八电阻的第二端连接,所述第六电阻的第二端与所述第二二极管的阴极、第四光耦的发光二极管的阳极连接;所述第四光耦的发光二极管的阴极、第二二极管的阳极互连,且与所述保险的第二端连接;所述第四光耦的集电极与所述第九电阻的第一端、第二反相器的输入端、第三电容的第一端互连,所述第四光耦的发射极接地;所述第九电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第二反相器的输出端为所述第二检测支路的输出端,所述第三电容的第二端接地。
[0011]优选地,所述第三检测支路包括第十二电阻、第十三电阻、第三二极管、第五光耦、第五电容及第三反相器,所述第十二电阻的第一端与第二十二电阻的第二端连接,所述第十二电阻的第二端与所述第三二极管的阴极、第五光耦的发光二极管的阳极连接;所述第五光耦的发光二极管的阴极、第三二极管的阳极互连,且与所述保险的第二端连接;所述第五光親的集电极与所述第十三电阻的第一端、第三反相器的输入端、第五电容的第一端互连,所述第五光耦的发射极接地;所述第十三电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第三反相器的输出端为所述第三检测支路的输出端,所述第五电容的第二端接地。
[0012]优选地,所述温度检测电路包括用于连接温度传感器的温度输出接口、第一电感、第二电感、第六电容、第七电容及第十四电阻,所述第一电感的一端与所述电源转换电路的输出端连接,另一端与所述温度输出接口的第一端子连接;所述第二电感的一端与所述温度输出接口的第二端子、第七电容的一端互连,所述第七电容的另一端接地,所述第二电感的另一端与所述第十四电阻的一端、第六电容的一端连接,所述第十四电阻的另一端及所述第六电容的另一端分别接地;其中,所述第六电容与所述第二电感互连的一端为所述温度检测电路的输出端。
[0013]优选地,所述可控硅投切装置还包括壳体和散热器,所述可控硅电路的可控硅芯片和所述散热器分别固定于所述壳体内,且分别与所述壳体固定,所述散热器与所述可控硅芯片的外表面贴合固定;所述风扇固定于所述壳体上,且所述风扇的出风口正对所述可控娃芯片和散热器。
[0014]优选地,所述散热器设于所述可控硅芯片背向所述壳体的一侧,所述散热器包括传热板和多个散热片,多个所述散热片两两相对间隔且平行设置,两所述散热片之间形成开口正对所述风扇出风口的风槽。
[0015]优选地,所述风扇背向所述出风口的一侧设置有防尘网。
[0016]本实用新型通过主控电路根据所述相位检测电路检测到的三相交流电源的电流相位控制所述驱动电路驱动所述可控硅电路工作;并且还根据所述温度检测电路检测到的可控硅电路温度控制所述风速调节电路相应调节所述风扇转速,实现在可控硅电路的温度过高时,通过控制风速调节电路开启风扇,实现了对可控硅电路的过温保护。由于通过非机械式的温度检测电路检测温度,不会出现频繁使用而出现损坏的风险,从而能够保证温度检测的可靠性,避免可控硅电路过温使用,以提高可控硅电路的使用寿命。
【附图说明】
[0017]图1为本实用新型可控硅投切装置一实施例的功能模块示意图;
[0018]图2为I中所示的可控硅投切装置中主控电路的电路结构示意图;
[0019]图3为I中所示的可控硅投切装置中相位检测电路和电源转换电路的电路结构示意图;
[0020]图4为I中所示的可控硅投切装置中驱动电路的电路结构示意图;
[0021]图5为I中所示的可控硅投切装置中温度检测电路的电路结构示意图;
[0022]图6为I中所示的可控硅投切装置中风速调节电路的电路结构示意图;
[0023]图7为本实用新型可控硅电路中可控硅芯片与散热器及风扇的组装结构示意图。
[0024]本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
【具体实施方式】
[0025]下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
[0026]需要说明,本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
[0027]另外,在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本实用新型要求的保护范围之内。
[0028]本实用新型提出一种可控硅投切装置,用于无功补偿电路中。
[0029]参照图1至图6,在本实用新型一实施例中,所述可控硅投切装置包括用于控制电容器组10并联接入/断开于三相交流电源电路20与供电负载30之间的可控硅电路40、与所述可控硅电路40驱动连接的驱动电路50、与所述驱动电路50连接的主控电路60、与所述三相交流电源电路20连接且用以给所述主控电路60提供工作电源的电源转换电路70、与所述三相交流电源电路20连接并用以检测三相交流电源相位的相位检测电路80、用以检测可控硅电路40温度的温度检测电路90、用以对所述可控硅电路40进行散热的风扇200及与所述风扇200连接的风速调节电路100,所述相位检测电路80、温度检测电路90、风速调节电路100还与所述主控电路60分别连接;其中,所述主控电路60,用以根据所述相位检测电路80检测到的三相交流电源的电流相位控制所述驱动电路50驱动所述可控硅电路40工作;还用以根据所述温度检测电路90检测到的可控硅电路40温度控制所述风速调节电路100相应调节所述风扇200转速。
[0030]本实施例中,该可控硅投切装置连接负载供电网络时,通过可控硅电路40将电容器组10并联连接于三相交流电源电路20与负载之间,通过对电容器组10进行投切控制,以实现对供给负载的三相交流电源进行无功补偿,从而使得输出至负载的电源满足负载工作的要求的同时实现节能效果。
[0031]此外,本实施例的可控硅投切装置由于还通过温度检测电路90检测可控硅电路40的温度,主控电路60将检测到的可控硅电路40的温度与预先设置的温度保护阈值进行比较,或者通过内部比较器进行比较,实现判断可控硅电路40的温度是否过温,并在过温时,通过控制风速调节电路100开启风扇200,实现了对可控硅电路40的过温保护。易于理解的是,主控电路60还可以通过控制风速调节电路100根据温度大小调节风扇200的实时风速,实现智能控温保护,这样在实现对可控硅电路40进行过温保护的同时,又能够降低风扇200的使用寿命。由于通过非机械式的温度检测电路90检测温度,不会出现频繁使用而出现损坏的风险,从而能够保证温度检测的可靠性,避免可控硅电路40过温使用,以提高可控硅电路40的使用寿命。
[0032]本实施例中,三相交流电源电路20通过第一交流输入端ACAO、第二交流输入端ACBO、第三交流输入端AC⑶连接交流电网,并通过电容C28、电容C29、电容C36、电阻R21、电阻R22、电阻R28对经第一交流输入端ACAO、第二交流输入端ACBO、第三交流输入端ACCO输入的三相交流电源进行滤波和限流保护。具体地,电阻R21的第一端经电容C28与第一交流输入端连接,第二端连接保险Fl的第一端;电阻R28的第一端经电容C36与第二交流输入端连接;电阻R22的第一端经电容C29与第三交流输入端连接。其中,保险Fl的第二端、电阻R28的第二端及电阻R22的第二端分别与对应的负载供电电路连接。
[0033]上述电源转换电路70包括第一变压器Tl、整流二极管D25、D26、D29、D30、第一直流电源VDD、极性电容C32、C10、非极性电容C33、稳压器U11、稳压管D28、电源变换器L4、极性电容C34,其中,第一变压器Tl的第一初级输入端与保险Fl的第二端连接,第一变压器Tl的第二初级输入端与电阻R28的第二端连接;第一变压器Tl的第一次级输出端与整流二极管D25的阳极、整流二极管D29的阴极互连,第一变压器Tl的第二次级输出端与整流二极管D26的阳极、整流二极管D30的阴极互连;极性电容C32、C10的阳极与整流二极管D25、D26的阴极互连,极性电容C32、C10的阴极与D29、D30的阳极互连,且接地;非极性电容C33并联连接于电容ClO的两端;稳压器Ull的电源输入端与所述D25、D26的阴极互连端连接,稳压器Ull的接地端接地,稳压器Ull的输出端与电源变换器L4的输入端连接,电源变换器L4的输出端与电容C34的正极连接,电容C34的负极接地,该电源变换器L4与电容C34互连的一端为电源转换电路70的输出端;稳压器Ull的阴极与电源变换器L4的输出端连接,阳极接地。其中,稳压器Ull型号为LM2576S。
[0034]本实施例中,电源转换电路70通过第一变压器Tl首先对输入的交流电源进行变压处理,然后通过整流二极管D25、D26、D29、D30将变压后的交流电转换为直流电,经电容C32、ClO及C33滤波后输入至稳压器进行稳压处理,稳压后再通过电源变换器L4转换为需要的直流电压输出,以提供给主控电路60等电路供电。
[0035]上述主控电路60包括微处理芯片ICl,所述微处理芯片ICl具有电源端VCC、第一相位输入端PWMl、第二相位输入端PWM2、第三相位输入端PWM3、驱动信号输出端P2.6、P2.7、P2.5、P2.3、P2.2、P2.1、温度控制端ADC4及转速控制端ADC6 ;相位检测电路80具有检测三相交流电源的三组检测端和三个对应的输出端AB_SYN、BC_SYN、CA_SYN。此外,其还具有外围时钟电路等。
[0036]其中,所述微处理芯片ICl通过其电源端与所述电源转换电路70的输出端连接,所述微处理芯片ICl通过其第一相位输入端PWMl与相位检测电路80的第一输出端AB_SYN连接,所述微处理芯片ICl通过其第二相位输入端PWM2与相位检测电路80的第二输出端BC_SYN连接,所述微处理芯片ICl通过其第三相位输入端PWM3与相位检测电路80的第三输出端CA_SYN连接;所述微处理芯片ICl通过其驱动信号输出端P2.6、P2.7、P2.5、P2.3、P2.2、P2.1与驱动电路50的输入端A2、A3、A4、A5、A6、A7——对应连接;所述微处理芯片ICl通过其温度控制端ADC4与温度检测电路90的输出端连接;所述微处理芯片ICl通过其转速控制端ADC6与转速调节电路的输入端连接。其中,微处理芯片ICl可采用型号为STC12C5410AD的芯片实现。
[0037]上述相位检测电路80包括与所述三相交流电源电路20的三相电源端——对应连接的第一检测支路81、第二检测支路82及第三检测支路83,所述第一检测支路81的输出端与所述第一相位输入端PWMl连接,所述第二检测支路82的输出端与所述第二相位输入端PWM2连接,所述第三检测支路83的输出端与所述第三相位输入端PWM3连接。
[0038]具体地,第一检测支路81包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三十电阻R3、第一二极管Dl、第三光耦U3、第一电容Cl及第一反相器II,所述第一电阻Rl的第一端与所述第三十电阻R3的第一端互连,且与第二变压器BK2的第一次级输出端连接,所述第一电阻Rl的第二端与所述第三十电阻R3的第二端、第一二极管Dl的阴极、第三光耦U3的发光二极管的阳极连接;所述第三光耦U3的发光二极管的阴极、第一二极管Dl的阳极互连,且与第二变压器BK2的第二次级输出端连接;所述第二变压器BK2的第一初级输入端与所述第二十一电阻R21(简称电阻R21)的第二端连接,所述第二变压器BK2的第二初级输入端与所述第二十八电阻R28(简称电阻R28)的第二端连接;所述第三光耦U3的集电极与所述第一电阻Rl的第一端、第一反相器11的输入端、第一电容Cl的第一端互连,所述第三光親U3的发射极接地;所述第二电阻R2的第二端与所述电源转换电路70的输出端连接,所述第一反相器Il的输出端为所述第一检测支路81的输出端,所述第一电容Cl的第二端接地。本实施例,通过光耦隔离采样,以取出三相交流电源中的一相电流相位。
[0039]所述第二检测支路82包括第六电阻R6、第九电阻R9、第二二极管D2、第四光耦U4、第三电容C3及第二反相器12,所述第六电阻R6的第一端与第二十八电阻(简称电阻R28)的第二端连接,所述第六电阻R6的第二端与所述第二二极管D2的阴极、第四光耦U4的发光二极管的阳极连接;所述第四光耦U4的发光二极管的阴极、第二二极管D2的阳极互连,且与所述保险的第二端连接;所述第四光耦U4的集电极与所述第九电阻R9的第一端、第二反相器12的输入端、第三电容C3的第一端互连,所述第四光耦U4的发射极接地;所述第九电阻R9的第二端与所述电源转换电路70的输出端连接,所述第二反相器12的输出端为所述第二检测支路82的输出端,所述第三电容C3的第二端接地。本实施例,通过光耦隔离采样,以取出三相交流电源中的一相电流相位。
[0040]所述第三检测支路83包括第十二电阻R12、第十三电阻R13、第三二极管D3、第五光耦U5、第五电容C5及第三反相器13,所述第十二电阻R12的第一端与第二十二电阻R22(简称电阻R22)的第二端连接,所述第十二电阻R12的第二端与所述第三二极管D3的阴极、第五光耦U5的发光二极管的阳极连接;所述第五光耦U5的发光二极管的阴极、第三二极管D3的阳极互连,且与所述保险Fl的第二端连接;所述第五光耦U5的集电极与所述第十三电阻R13的第一端、第三反相器13的输入端、第五电容C5的第一端互连,所述第五光親U5的发射极接地;所述第十三电阻R13的第二端与所述电源转换电路70的输出端连接,所述第三反相器13的输出端为所述第三检测支路83的输出端,所述第五电容C5的第二端接地。本实施例,通过光耦隔离采样,以取出三相交流电源中的一相电流相位。
[0041 ] 上述驱动电路50包括第一芯片Ul、第二芯片U2及多个驱动支路51,所述第一芯片Ul具有与所述电源转换电路70的输出端连接的电源脚VCCl、与微处理芯片ICl的驱动信号输出端?2.6、?2.7、?2.5、?2.3、?2.2、卩2.1——对应连接的输入脚A2、A3、A4、A5、A6、A7及与该输入脚六2^3^4^5^6^7——对应的输出脚82、83、84、85、86、87;第二芯片1]2具有与第一芯片Ul的输出脚B2、B3、B4、B5、B6、B7——对应连接的输入脚C2、C3、C4、C5、C6、C7以及对应该输入脚82、83、84、85、86、87的输出脚02、03、04、05、06、07,输出脚02、03、04、05、06、07中每一输出脚对应连接一驱动支路51;所述驱动支路51包括第四稳压管D4、第五二极管D5、第六二极管D6、第三变压器T3及第三输出接口 P3,所述第五二极管D5的阳极与第二芯片U2的一输出脚及第三变压器T3的第二初级输入端互连,所述第五二极管D5的阴极与第四稳压管D4的阴极连接,第四稳压管D4的阳极与所述电源转换电路70的输出端及第三变压器T3的第一初级输入端互连;所述第六二极管D6的阳极与所述第三变压器T3的第一次级输出端连接,所述第六二极管D6的阴极与所述第三输出接口 P3的第二端子连接,所述第三变压器T3的第二次级输出端与所述第三输出接口P3的第一端子连接。其中,第一芯片Ul起隔离缓冲作用,型号为74HC24?,第二芯片U2型号为ULN2003AD。
[0042]上述温度检测电路90包括温度传感器(图未示出)、用于连接温度传感器的温度输出接口P1、第一电感L1、第二电感L2、第六电容C6、第七电容C7及第十四电阻R14,所述第一电感LI的一端与所述电源转换电路70的输出端连接,另一端与所述温度输出接口 Pl的第一端子连接;所述第二电感L2的一端与所述温度输出接口 Pl的第二端子、第七电容C7的一端互连,所述第七电容C7的另一端接地,所述第二电感L2的另一端与所述第十四电阻R14的一端、第六电容C6的一端连接,所述第十四电阻R14的另一端及所述第六电容C6的另一端分别接地;其中,所述第六电容C6与所述第二电感L2互连的一端为所述温度检测电路90的输出端。其中,温度传感器设置于可控硅电路的可控硅芯片上,以检测可控硅芯片的温度。检测到的温度通过温度输出接口Pl、第七电容C7、第二电感L2、第六电容C6及第十四电阻R14输出至微处理芯片ICl的温度控制端ADC4,微处理芯片ICl通过判断检测到的可控硅芯片的实时温度状况而得出是否需要开启风扇散热器以及根据温度的高低相应调整风扇转速。
[0043]上述风速调节电路100包括与所述微处理芯片ICl的转速控制端ADC6连接的风扇200信号输入端PwmFan、与所述风扇200连接的风扇200信号输出接口 P2、第一三极管Q1、第一MOS管M1、第四电阻R4、第二十六电阻R26、第二十七电阻R27、第二十二二极管D22、第三十一电容C31及第三电感C3;所述第四电阻R4的第一端为所述风速调节电路100的输入端,所述第四电阻R4的第二端与所述第一三极管Ql的基极连接,所述第一三极管Ql的发射极接地,所述第一三极管Ql的集电极经所述第二十六电阻R26与所述第一 MOS管Ml的栅极连接,所述第一三极管Ql的集电极还依次经所述第二十六电阻R26、第二十七电阻R27与第一直流电源VDD连接;所述第一 MOS管Ml的源极与所述第一直流电源VDD连接,所述第一 MOS管Ml的漏极与所述第二十二二极管D22的第一端、第三电感C3的第一端互连,所述第二十二二极管D22的第二端接地,所述第三电感C3的第二端与所述第三^^一电容C31的正极、风扇200信号输出接口 P2的第三端子连接,所述第三i^一电容C31的负极接地;所述风扇200信号输出接口 P2的第一端子与所述微处理芯片ICl的一转速调节脚连接,所述风扇200信号输出接口 P2的第二端子接地。当信号输入端PwmFan接收到风扇控制信号时,第一三极管Ql导通,进而控制第一MOS管Ml导通,第一直流电源VDD信号经第三电感C3输出至信号输出接口P2,用以控制风扇工作。
[0044]进一步地,参照图6及图7,上述可控硅投切装置还包括壳体300和散热器400,所述可控硅电路40的可控硅芯片41和所述散热器400分别固定于所述壳体300内,且分别与所述壳体300固定,所述散热器400与所述可控硅的外表面贴合固定;所述风扇200固定于所述壳体上,且所述风扇200的出风口正对所述可控硅芯片41和散热器400。通过散热器400和风扇200配合对可控硅芯片41进行散热,保证可控硅芯片41可靠工作,不会因温度过高而缩减寿命或直接损坏。
[0045]该实施例中,所述散热器400设于所述可控硅芯片41背向所述壳体300的一侧,所述散热器400包括传热板和多个散热片,多个所述散热片两两相对间隔且平行设置,两所述散热片之间形成开口正对所述风扇200出风口的风槽。风扇200吹出的气流沿着风槽流动,以便于带走散热片上的热量,提高散热效果。
[0046]进一步地,所述风扇200背向所述出风口的一侧设置有防尘网210,用于防止灰尘进入风扇200,影响风扇200转速。
[0047]以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并非因此限制本实用新型的专利范围,凡是在本实用新型的实用新型构思下,利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种可控硅投切装置,其特征在于,包括用于控制电容器组并联接入/断开于三相交流电源电路与供电负载之间的可控硅电路、与所述可控硅电路驱动连接的驱动电路、与所述驱动电路连接的主控电路、与所述三相交流电源电路连接且用以给所述主控电路提供工作电源的电源转换电路、与所述三相交流电源电路连接并用以检测三相交流电源相位的相位检测电路、用以检测可控硅电路温度的温度检测电路、用以对所述可控硅电路进行散热的风扇及与所述风扇连接的风速调节电路,所述相位检测电路、温度检测电路、风速调节电路还与所述主控电路分别连接;其中,所述主控电路,用以根据所述相位检测电路检测到的三相交流电源的电流相位控制所述驱动电路驱动所述可控硅电路工作;还用以根据所述温度检测电路检测到的可控硅电路温度控制所述风速调节电路相应调节所述风扇转速。2.如权利要求1所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述主控电路包括微处理芯片,所述微处理芯片具有电源端、多个驱动信号输出端、第一相位输入端、第二相位输入端、第三相位输入端、驱动信号输出端、温度控制端及转速控制端,所述驱动电路具有对应所述多个驱动信号输出端的输入端,所述微处理芯片通过其电源端与所述电源转换电路的输出端连接,所述微处理芯片通过其第一相位输入端、第二相位输入端、第三相位输入端分别与所述相位检测电路的第一输出端、第二输出端及第三输出端一一对应连接;所述微处理芯片的多个驱动信号输出端与所述驱动电路的对应数量的输入端 对应连接;所述微处理芯片通过其温度控制端与所述温度检测电路的输出端连接;所述微处理芯片通过其转速控制端与所述转速调节电路的输入端连接。3.如权利要求2所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述相位检测电路包括与所述三相交流电源电路的三相电源端一一对应连接的第一检测支路、第二检测支路及第三检测支路,所述第一检测支路的输出端与所述第一相位输入端连接,所述第二检测支路的输出端与所述第二相位输入端连接,所述第三检测支路的输出端与所述第三相位输入端连接。4.如权利要求3所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述三相交流电源电路包括第一交流输入端、第二交流输入端、第三交流输入端;第二 i^一电阻的第一端经第二十八电容与所述第一交流输入端连接,所述第二十一电阻的第二端连接保险的第一端;第二十八电阻的第一端经第三十六电容与所述第二交流输入端连接;第二十二电阻的第一端经第二十九电容与所述第三交流输入端连接;其中,所述保险的第二端、第二十八电阻的第二端及第二十二电阻的第二端分别与对应的供电负载连接。5.如权利要求4所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述第一检测支路包括第一电阻、第二电阻、第三十电阻、第一二极管、第三光耦、第一电容及第一反相器,所述第一电阻的第一端与所述第三十电阻的第一端互连,且与第二变压器的第一次级输出端连接,所述第一电阻的第二端与所述第三十电阻的第二端、第一二极管的阴极、第三光耦的发光二极管的阳极连接;所述第三光耦的发光二极管的阴极、第一二极管的阳极互连,且与第二变压器的第二次级输出端连接;所述第二变压器的第一次级输入端与所述第二十一电阻的第二端连接,所述第二变压器的第二次级输入端与所述第二十八电阻的第二端连接;所述第三光親的集电极与所述第一电阻的第一端、第一反相器的输入端、第一电容的第一端互连,所述第三光耦的发射极接地;所述第二电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第一反相器的输出端为所述第一检测支路的输出端,所述第一电容的第二端接地。6.如权利要求4所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述第二检测支路包括第六电阻、第九电阻、第二二极管、第四光耦、第三电容及第二反相器,所述第六电阻的第一端与第二十八电阻的第二端连接,所述第六电阻的第二端与所述第二二极管的阴极、第四光耦的发光二极管的阳极连接;所述第四光耦的发光二极管的阴极、第二二极管的阳极互连,且与所述保险的第二端连接;所述第四光耦的集电极与所述第九电阻的第一端、第二反相器的输入端、第三电容的第一端互连,所述第四光耦的发射极接地;所述第九电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第二反相器的输出端为所述第二检测支路的输出端,所述第三电容的第二端接地。7.如权利要求4所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述第三检测支路包括第十二电阻、第十三电阻、第三二极管、第五光耦、第五电容及第三反相器,所述第十二电阻的第一端与第二十二电阻的第二端连接,所述第十二电阻的第二端与所述第三二极管的阴极、第五光耦的发光二极管的阳极连接;所述第五光耦的发光二极管的阴极、第三二极管的阳极互连,且与所述保险的第二端连接;所述第五光耦的集电极与所述第十三电阻的第一端、第三反相器的输入端、第五电容的第一端互连,所述第五光耦的发射极接地;所述第十三电阻的第二端与所述电源转换电路的输出端连接,所述第三反相器的输出端为所述第三检测支路的输出端,所述第五电容的第二端接地。8.如权利要求1所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述温度检测电路包括用于连接温度传感器的温度输出接口、第一电感、第二电感、第六电容、第七电容及第十四电阻,所述第一电感的一端与所述电源转换电路的输出端连接,另一端与所述温度输出接口的第一端子连接;所述第二电感的一端与所述温度输出接口的第二端子、第七电容的一端互连,所述第七电容的另一端接地,所述第二电感的另一端与所述第十四电阻的一端、第六电容的一端连接,所述第十四电阻的另一端及所述第六电容的另一端分别接地;其中,所述第六电容与所述第二电感互连的一端为所述温度检测电路的输出端。9.如权利要求1至8任一项所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述可控硅投切装置还包括壳体和散热器,所述可控硅电路的可控硅芯片和所述散热器分别固定于所述壳体内,且分别与所述壳体固定,所述散热器与所述可控硅芯片的外表面贴合固定;所述风扇固定于所述壳体上,且所述风扇的出风口正对所述可控硅芯片和散热器。10.如权利要求9所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述散热器设于所述可控硅芯片背向所述壳体的一侧,所述散热器包括传热板和多个散热片,多个所述散热片两两相对间隔且平行设置,两所述散热片之间形成开口正对所述风扇出风口的风槽。11.如权利要求10所述的可控硅投切装置,其特征在于,所述风扇背向所述出风口的一侧设置有防尘网。
【文档编号】G05D23/19GK205608541SQ201620114053
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年2月4日
【发明人】邢伟, 孙建军, 李军华
【申请人】武汉世纪精能科技发展有限公司
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