专利名称：一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法
技术领域：
本发明涉及版图布图领域，尤其涉及一种可增大工艺裕度的接触孔层布图 方法。
背景技术：
在半导体制造领域，在半导体器件的芯片图形布图完成后，还需要经过版 图布图将该芯片图形转换为可直接进行光罩制造的版图，然后依照所布出的版
图制造光罩并进行光刻工艺。随着半导体器件的最小特征尺寸(CD)的不断减 小(从最初的1毫米发展到现在的90纳米或60纳米，并且在未来的几年内将 会进入45纳米和22纳米的时代)，光刻工艺所面临的最大挑战是如何在如此 小的CD下保持高的图像保真度和工艺窗口 ，特别是如何确保高纵宽比和小工艺 窗口的孤立接触孔的图像保真度和工艺窗口。现在通常采用在光罩(或光罩版 图)上增加散射条紋的方式来增大孤立接触孔的工艺窗口，并通过光学接近修 正(0PC)来克服由于CD尺寸和工艺窗口过小所造成的图像变形。
但是上述增加散射条紋后的孤立接触孔的工艺裕度(Process Margin)与 其他非孤立接触孔的工艺裕度相比还是较小，如此该孤立接触孔将会降低整个 接触孔层的工艺裕度，从而增加了工艺难度，降低了接触孔层的光刻质量。
因此，如何提供一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法以增大光刻时的 工艺裕度且降低工艺难度并提高光刻质量，已成为业界亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，通过所 述布图方法可增大工艺裕度，且大大降低工艺难度，并大大提高接触孔层的光
刻质量。
本发明的目的是这样实现的 一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行接触孔层的版图布图，该接触孔层具有多 个与金属垫、有源区和多晶栅极连接的孤立接触孔和非孤立接触孔，该孤立接 触孔的边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘至少具有第一、第
二和第三预设最小间距，该接触孔层布图方法包括以下步骤(1)放置接触孔 层对应的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形；(2)在该孤立接触孔图形周围 设置用于增大其工艺窗口的散射条紋；(3)设定孤立接触孔图形的调整判断标 准；(4 )依据该调整判断标准筛选出符合该调整判断标准的孤立接触孔图形且 依据第一、第二和第三预设最小间距对该孤立接触孔图形进行调整；(5)对该 调整后的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形进行光学接近修正。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，在步骤(3)中，该调整 判断标准为该孤立接触孔的边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边 缘的最小间距分别不小于第一、第二和第三调整筛选间距。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，在最小特征尺寸为65纳 米时，该第一、第二和第三调整筛选间距分别为70、 60和60纳米。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，该步骤(4)包括以下步 骤(40)筛选出其边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘的最 小间距分别不小于第一、第二和第三调整筛选间距的孤立接触孔；(41)将该 筛选出的孤立接触孔图形的大小调整至其边缘距与其连接的金属垫、有源区和 多晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第一、第二和第三预设最小间距。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，该版图布图软件为 L-Edit版图布图软件。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，该版图布图软件为 Cadence版图布图软件。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，该第一、第二和第三预 设最小间距分别为50、 40和40纳米。
在上述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法中，该孤立接触孔和非孤立 接触孔均与金属垫、有源区和多晶栅极中任一或任二者连接。
与现有技术中仅通过增加散射条紋来增大孤立接触孔的工艺窗口而造成孤 立接触孔的工艺裕度仍比非孤立接触孔小，从而造成整个接触孔层的工艺裕度被拉低相比，本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法在孤立接触孔周围 设置可增大工艺窗口的散射条紋后，还依据调整判断标准筛选出可进行大小调 整的孤立接触孔，然后依据第一、第二和第三预设最小间距对孤立接触孔的大 小进行调整，如此可增大孤立接触孔的工艺窗口和工艺裕度，相应地提高了接 触孔层的工艺裕度，从而可降低工艺难度并大大提高接触孔层的光刻质量。
本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法由以下的实施例及附图给出。
图1为本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法的流程图； 图2为完成图1中的步骤S10后接触孔层版图的示意图； 图3为完成图1中的步骤S12后接触孔层版图的示意图； 图4为完成图1中的步骤S13后接触孔层版图的示意图。
具体实施例方式
以下将对本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法作进一步的详细描述。
本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，用于供使用者使用版图布 图软件进行接触孔层的版图布图，所述接触孔层具有多个与金属垫、有源区和 多晶栅极连接的孤立接触孔和非孤立接触孔，所述孤立接触孔的边缘距与其连 接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘至少具有第一、第二和第三预设最小间 距。在本实施例中，所述版图布图软件为L-Edit或Cadence版图布图软件，所 述第一、第二和第三预设最小间距分别为50、 40和40纳米，所述孤立接触孔 和非孤立接触孔均与金属垫、有源区和多晶栅极中任一或任二者连接。
参见图I，本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法首先进行步骤SIO， 放置接触孔层对应的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形。
参见图2，其显示了本实施例完成步骤S10后接触孔层版图的示意图，如图 所示，所述金属层版图包括孤立接触孔20、 21、 22、 23和24以及非孤立接触 孔(除如图所示的孤立接触孔20、 21、 22、 23和24夕卜，图2和以下图示中其余的接触孔均为非孤立接触孔，为简化图示，未对非孤立接触孔进行标示)，
其中，所述孤立接触孔20、 21和22均与金属垫和有源区连接(未图示)，所 述孤立接触孔23和24均与金属垫和多晶栅极连接(未图示)，所述孤立接触 孔20距与其连接的金属垫和有源区的最小间距分别为80和70纳米，所述孤立 接触孔21距与其连接的金属垫和有源区的边缘的最小间距分别为80和50纳 米，所述孤立接触孔22距与其连接的金属垫和有源区的边缘的最小间距分别为 80和80纳米，所述孤立接触孔23距与其连接的金属垫和多晶栅极的边缘的最 小间距分别为65和55纳米，所述孤立接触孔24距与其连接的金属垫和多晶栅 极的边缘的最小间距分别为60和80纳米。
接着继续步骤Sll，在所述孤立接触孔图形周围设置用于增大其工艺窗口 的散射条紋。
参见图3，其显示了本实施例完成步骤S11后接触孔层版图的示意图，如图 所示，孤立接触孔20、 21、 22、 23和24周围设置有散射条紋25,在设置散射 条紋25的过程中，可对非孤立接触孔的位置进行微调。
接着继续步骤S12，设定孤立接触孔图形的调整判断标准。在本实施例中， 所述调整判断标准为所述孤立接触孔的边缘距与其连接的金属垫、有源区和多 晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第一、第二和第三调整筛选间距，所述第 一、第二和第三调整筛选间距分别为70、 60和60纳米。
接着继续步骤S13，依据所述调整判断标准筛选出符合所述调整判断标准 的孤立接触孔图形，即筛选出其边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极 的边缘的最小间距分别不小于第一、第二和第三调整筛选间距的孤立接触孔。 在本实施例中，因为孤立接触孔20距与其连接的金属垫和有源区的边缘的最小 间距(80和70纳米)分别大于第一和第二调整筛选间距(70和60纳米)，孤 立接触孔22距与其连接的金属垫和有源区的边缘的最小间距(80和80纳米) 也分别大于第一和第二调整筛选间距(70和60纳米)，故筛选出了所述孤立接 触孔20和22。
接着继续步骤S14，将所述筛选出的孤立接触孔图形的大小调整至其边缘 距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第一 、 第二和第三预设最小间距。在本实施例中，调整孤立接触孔20和22的大小使两者的边缘距与其连接 的金属垫和有源区的边缘的最小间距等于第 一和第二预设最小间距(5 0和4 0纳米)。
在本发明的其他实施例中，调整孤立接触孔20和22的大小除需确保两者 的边缘与其连接的金属垫和有源区的边缘的最小间距不小于第一和第二预设最 小间距(50和40纳米)夕卜，还需考虑使用本发明的可增大工艺裕度的接触孔 层布图方法对应的光罩在晶圆上光刻形成孤立接触孔时，晶圆所能承受的孤立 接触孔的实际调整范围，然后依照光罩误差放大系数(Mask Error-Enhancement Factor; MEEF )将孤立接触孔的实际调整范围换算为接触孔层版图上的布图调 整范围，接着依据所述布图调整范围和第一和第二预设最小间距(50和40纳 米)对孤立接触孔20和22进行调整。
参见图3,结合参见图2,其显示本实施例完成步骤S"后接触孔层版图的 示意图，如图所示，孤立接触孔20和22的虛线分别为调整前的位置。
接着继续步骤S15,对所述调整后的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形 进行光学接近修正。因光学接近修正为业界习知技术，故在此不再详述。
在使用版图布图软件且通过本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法 完成接触孔层的版图布图后，依照所述版图制造好光罩后，所述接触孔层具有 的非孤立接触孔的工艺窗口和工艺裕度得到大大提高，从而相应提高了所述接 触孔层的整体工艺窗口和工艺裕度，大大降低了工艺难度。
综上所述，本发明的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法在孤立接触孔周 围增加可增大工艺窗口的散射条紋后，还依据调整判断标准筛选出可进行大小 调整的孤立接触孔，然后依据第一、第二和第三预设最小间距对孤立接触孔的 大小进行调整，如此可增大孤立接触孔的工艺窗口和工艺^谷度，相应地提高了 接触孔层的工艺裕度，从而可降低工艺难度并大大提高接触孔层的光刻质量。
权利要求
1、一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行接触孔层的版图布图，该接触孔层具有多个与金属垫、有源区和多晶栅极连接的孤立接触孔和非孤立接触孔，该孤立接触孔的边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘至少具有第一、第二和第三预设最小间距，该接触孔层布图方法包括以下步骤(1)放置接触孔层对应的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形；(2)在该孤立接触孔图形周围设置用于增大其工艺窗口的散射条纹；其特征在于，该接触孔层布图方法还包括以下步骤(3)设定孤立接触孔图形的调整判断标准；(4)依据该调整判断标准筛选出符合该调整判断标准的孤立接触孔图形且依据第一、第二和第三预设最小间距对该孤立接触孔图形进行调整；(5)对该调整后的孤立接触孔图形和非孤立接触孔图形进行光学接近修正。
2、 如权利要求1所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于， 在步骤(3)中，该调整判断标准为该孤立接触孔的边缘距与其连接的金属垫、 有源区和多晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第 一 、第二和第三调整筛选间距。
3、 如权利要求2所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于， 在最小特征尺寸为65纳米时，该第一、第二和第三调整筛选间距分别为70、 60 和60纳米。
4、 如权利要求1或2所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征 在于，该步骤(4)包括以下步骤(40)筛选出其边缘距与其连接的金属垫、 有源区和多晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第一、第二和第三调整筛选间 距的孤立接触孔；(41)将该筛选出的孤立接触孔图形的大小调整至其边缘距 与其连接的金属塾、有源区和多晶栅极的边缘的最小间距分别不小于第一、第 二和第三预设最小间距。
5、 如权利要求1所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于， 该版图布图软件为L-Edit版图布图软件。
6、 如权利要求1所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于，该版图布图软件为Cadence版图布图软件。
7、 如权利要求1所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于， 该第一、第二和第三预设最小间距分别为50、 40和40纳米。
8、 如权利要求1所述的可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，其特征在于， 该孤立接触孔和非孤立接触孔均与金属垫、有源区和多晶4册极中任一或任二者 连接。
全文摘要
本发明提供了一种可增大工艺裕度的接触孔层布图方法，用于供使用者使用版图布图软件进行接触孔层的版图布图，该接触孔层具有多个与金属垫、有源区和多晶栅极连接的孤立和非孤立接触孔，该孤立接触孔的边缘距与其连接的金属垫、有源区和多晶栅极的边缘至少具有第一、第二和第三预设最小间距。现有技术通过设置散射条纹仍无法克服孤立接触孔对接触孔层的工艺裕度的拉低效应。本发明的接触孔层布图方法先放置对应的孤立和非孤立接触孔图形；然后设置散射条纹；接着设定孤立接触孔图形的调整判断标准并据此筛选出符合该调整判断标准的孤立接触孔图形，且依据第一、第二和第三预设最小间距对其进行调整；最后进行光学接近修正。本发明可增大工艺裕度。
文档编号G06F17/50GK101430718SQ200710047999
公开日2009年5月13日 申请日期2007年11月8日 优先权日2007年11月8日
发明者王伟斌 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司