射频标识设备的制作方法

专利名称：：射频标识设备的制作方法
技术领域：
：本发明一般涉及射频识别(RFID)设备，而且更具体地，涉及检测并补偿在检查点测量得到的温度以便跟踪温度敏感材料中的温度改变的RFID设备。
背景技术：
：非易失性铁电存储器、即铁电随机存取存储器(FeRAM)的数据处理速度典型地与动态随机存取存卩渚器(DRAM)的类似。然而，FeRAM与DRAM的不同在于，即便在存储器件的电源被关断时存储在FeRAM中的数据也能够被保留。因而，FeRAM迅速被公众所知并被考虑作为下一代存储器件的强力候选。FeRAM的结构与DRAM的结构的类似之处在于，FeRAM包括多个电容器。然而，FeRAM器件中的电容器由具有高残留极化的铁电材料制成，其进而允许即便在提供给存储器件的电源被终止时也能够保持数据。RFID设备在存储器中存储数据。典型的RFID设备包括模拟块、数字块和存储器块。利用通过由RHD设备的天线接收的传输向设备提供电力的电源来操作RFID设备。随着电源与天线的距离增加，由RFID接收的电力减少。其后果是，必然需要RFID设备的每个电路具有相对低的功耗。在RFID标签中，在检查点记录温度，而且在其中温度敏感材料被处置的材料移动过程中跟踪温度改变。传统RFID标签在设备中不包括任何类型的温度^r测，因而需要单独的温度计。传统RFID标签是利用多种不同的处理制造的。这样，即便在RFID芯片(chip)处于相同类型的温度条件下时，RFID芯片也可以具有不同的电路结构和不同的处理条件，以便具有不同的输出电压。用于测量温度的值因而可以根据RFID芯片特性而变化，从而需要有能够补偿根据芯片的特性而变化的温度测量值的RFID芯片。
发明内容本发明的实施例包括一种RFID设备，该设备从RFID标签芯片检测温度、输出与检测到的温度对应的电压、将该电压转换为数字信号、并向数据总线输出该数字信号而无需额外的温度传感器，从而减少RFID设备的布局面积。本发明的实施例包括一种RFID设备，该设备在位于RFID设备的单元区域的特定区域的温度存储器中存储从RFID标签芯片检测到的温度数据以便于温度信息的后续使用。本发明的实施例包括一种RFID设备，该设备测量RFID标签芯片中的温度特性以补偿温度特性并在非易失性寄存器中存储信息，从而通过补偿温度改变来稳定输出电压。根据本发明的一个实施例，一种RFID设备包括模拟块，配置为接收射频信号，并从所述射频信号中检测操作命令信号以输出所述操作命令信号；数字块，配置为接收并分析所述操作命令信号，并输出操作控制信号、温度传感器激活信号、和温度补偿信号；以及存储器块，配置为接收所述操作控制信号、所述温度传感器激活信号、和所述温度补偿信号，所述存储块包括温度处置单元，配置为响应于所述温度补偿信号而设置参数值，响应于所述温度传感器激活信号而检测温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较，其中所述温度处理单元^4居所述比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。根据本发明的另一个实施例，一种RFID设备包括存储器块，配置为在包括多个非易失性铁电电容器的单元阵列中读/写数据；以及温度处置单元，配置为响应于温度补偿信号而"i殳置参数值，响应于温度传感器激活信号而检测温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较，其中所述温度处理单元根据所述比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。图1是示出根据本发明的实施例的RFID设备的图;图2是示出图1的存储器块的图；图3是示出图2的温度处置单元的图；图4是示出图3的温度感测单元的电路图5是用于说明图3的温度感测单元的温度特性的曲线图6是示出图3的温度补偿单元的图7是示出图6的数据存储单元的电路图8和9是示出用于说明图6的非易失性代码单元的操作的时序图10是示出图3的A/D转换单元的图ll是示出图IO的温度计代码处置单元的图12是示出图11的选^^单元的电路图13和14是示出用于说明图10的温度计单元处置单元的特性的曲线图15是示出用于说明图2的温度处置单元的操作的流程图。附图中每个元件的符号:310:温度处置单元311:温度感测单元312:温度才企测电压产生单元313:参考电压产生单元315:温度补偿单元316:A/D转换单元400:温度补偿处置单元411:数据存储单元412:锁存单元具体实施例方式图1是示出根据本发明的实施例的RFID设备的图。参照图1，该RFID设备包括模拟块100、凄t字块200、和非易失性FeRAM300。模拟块100包括电压倍增器110、电压限幅器120、调制器130、解调器140、加电重置单元150和时钟产生单元160。该RFID设备还包括连接到模拟块100的天线10。天线10在外部读取器或记写器与该RFID设备之间发送和接收射频信号RF。电源倍增器110利用从天线IO接收的射频信号产生电源电压VDD(用作为该RFID设备的驱动电压)。电压限幅器120限制从天线10接收的射频信号RF的传输电压并向解调器140和时钟产生单元160输出经限幅的电压。调制器130调制从数字块200接收的响应信号RP并向天线发送经调制的信号。经由天线IO接收的射频信号RF包括:燥作命令信号。解调器140利用电压倍增器IIO和电压限幅器120来从自天线IO接收的射频信号RF中检测该操作命令信号，并依赖于这些接收的信号向数字块200输出命令信号CMD。加电重置单元150感测电压倍增器110的l命出电压VDD，并响应于感测到的电压倍增器110的输出电压VDD而输出用于控制数字块200的重置操作的加电重置信号POR。时钟产生单元160向数字块200提供时钟信号CLK。时钟信号CLK用于控制数字块200的操作，而且根据电压倍增器110的输出电压VDD来产生时钟信号CLK。数字块200接收来自模拟块200的电源电压VDD、加电重置信号POR、时钟信号CLK以及命令信号CMD以分析命令信号CMD并产生控制信号和处理信号以向模拟块100输出响应信号RP。数字块200向FeRAM300输出地址ADD、输入/输出数据1/0、控制信号CTR、用于驱动温度传感器的温度传感器激活信号TEMP一CMD以及温度补偿4言号CAL—CMD。FeRAM300是用于读/写数据的存储器块，而且包括在其中写入、或读出数据的非易失性铁电电容器。FeRAM300包括温度处置单元310，用于检测和补偿RFID标签芯片内的温度改变状态。温度处置单元310响应于从数字块200接收的温度传感器激活信号TEMP一CMD和温度补偿信号CAL—CMD而才喿作并将该温度改变状态输出为电压。图2是示出图1的存储器块300的图。参照图2，存储器块300包括温度处置单元310、外围电路单元320、单元阵列330、字线/板极线(plateline)驱动器340、温度存储器350以及读出放大器单元和输入/输出单元360。温度处置单元310响应于从数字块200接收的温度传感器激活信号TEMP—CMD和温度补偿信号CAL—CMD而4企测和补偿RFID标签芯片中的温度改变状态，并将信号转换为电压以向数据总线输出数字值。外围电^各单元320响应于从数字块200冲妄收的地址ADD[n:O]、温度地址TEMP—ADD、芯片使能信号CE、输出使能信号OE以及写使能信号WE而控制用于驱动单元阵列330的字线WL和板极线PL的输出。外围电路单元320还控制温度处置单元310。外围电路单元320还输出用于调整读出放大器的激活的读出放大器使能信号SEN、用于向数据总线输出在读出放大器中感测到的数据的输出使能信号OEN、以及用于控制向单元阵列330写从数据总线接收的数据的写使能信号WEN。单元阵列330包括多个均具有非易失性铁电电容器和开关元件的单体单元(unitcell)。在单元阵列330的每个非易失性铁电电容器中存储、以及从中读取数据。字线/板极线驱动器340用于驱动字线WL和板极线PL。温度存储器350从数据总线接收并存储与由温度处置单元310检测到的温度对应的数据。温度存储器350代表由温度地址TEMP一ADD指派的存储器单元阵列的区域。读出放大器单元和输入/输出单元360由均接收自外围电路单元320的读出放大器使能信号SEN、输出使能信号OEN、和写使能信号WEN控制。读出放大器单元和输入/输出单元360感测和放大/人单元阵列330接收的数据，并向数据总线输出经感测和放大的数据。读出放大器单元和输入/输出单元360还向单元阵列330发送从数据总线接收的数据。图3是示出图2的温度处置单元310的图。参照图3,温度处置单元310包括温度感测单元311、温度补偿单元315、和A/D转换单元316。温度感测单元311响应于从数字块200接收的温度传感器激活信号而感测RFID标签芯片的温度，并输出参考电压Vref和温度检测电压Vtemp。温度补偿单元315通过输出补偿电压Vref—cal来补偿RFID标签芯片的温度。温度补偿单元315响应于参考电压Vref和乂人数字块200接收的温度补偿信号CAL_CMD而操作。A/D转换单元316产生温度计代码。由A/D转换单元316产生的温度计代码依赖于补偿电压Vref—cal和温度才企测电压Vtemp。A/D转换单元316响应于温度传感器激活信号TEMP—CMD而向数据总线输出与温度计代码对应的数字信号。图4是示出图3的温度感测单元311的电^各图。li参照图4,温度感测单元311包括温度一全测电压产生单元312和参考电压产生单元313。温度检测电压产生单元312输出温度检测电压Vtemp,而且包括多个PMOS晶体管PI~P15、P34;多个NMOS晶体管Nl~N9;双极晶体管Bl、B2;电阻器R1、R3;以及M0S电容器MC1。PMOS晶体管P5~P8共享接收偏置电压vbiasul的公共栅极。PMOS晶体管P6、P8的沟道宽度是PMOS晶体管P7的沟道宽度的两倍。PMOS晶体管P9-P13共享4妻收偏置电压vbiasdl的乂>共栅极。PMOS晶体管Pll、P13的沟道宽度是PMOS晶体管P12的沟道宽度的两倍。PMOS晶体管PI~和NMOS晶体管Nl~N3形成比4交器，其比较和放大节点val和vbl的输出电压。双极晶体管B2比双极晶体管Bl大十倍。依赖于偏置电压vbiasul的电压电平而选择性地使PMOS晶体管P14进行开关操作。依赖于偏置电压vbiasdl的电压电平而选择性地使PMOS晶体管P15进行开关操作。在图5的温度检测电压产生单元312中，当温度增加时温度检测电压Vtemp增加。即，温度检测电压Vtemp的电压电平与温度的增加成比例地增加。可以用下面的[等式l]表示与温度改变对应的温度检测电压Vtemp。[等式l]温度检测电压Vtemp=(2VTln20/Rl)xR3在等式l中，电压VT表示温度计电压。参照等式l可以看出，温度检测电压Vtemp根据RFID设备的温度改变(温度计电压中的改变)而改变。参考电压产生单元313输出参考电压Vref,而且包括多个PMOS晶体管P16-P33;多个NMOS晶体管N10N18;双极晶体管B3;电阻器R2、R4;以及MOS电容器MC2。PMOS晶体管P17~P20共享接收偏置电压vbiasu2的公共栅极。PMOS晶体管P16-24中的每一个的沟道宽度相同。PMOS晶体管P22-P26、P29、P30共享接收偏置电压vbiasd2的公共栅极。PMOS晶体管P27~P30和NMOS晶体管NIO、Nll、N14形成比较器，其比4交和方文大节点va2和vb2的输出电压。依赖于偏置电压vbiasu2的电压电平而选^f^性地使PMOS晶体管P31进行开关操作。依赖于偏置电压vbiasd2的电压电平而选择性地使PMOS晶体管P32进行开关操作。参考电压产生单元313产生即使在温度改变时也保持恒定的电压值。可以用下面的[等式2]表示参考电压Vref。参考电压<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>电压VT表示温度计电压，而电压VBE3表示从双才及晶体管B3的基极端子流入发射极端子的电压。通常，电压VT具有KT/q值作为温度值。在等式2中，参考电压Vref不随RFID设备的温度而改变。图6是示出图3的温度补偿单元315的图。参照图6,温度补偿单元315包括温度补偿处置单元400、多个电阻器Rpl~Rpn、多个开关元件SWl~SWn、以及多个非易失性代码单元410—1~410—n。非易失性代码单元410_1~410—n中的每一个包括数据存储单元411和锁存单元412。温度补偿处置单元400响应于温度补偿信号TEMP一CMD而输出用于补偿温度的设置信号SET_1~SET_n，而非易失性代码单元410J~410—n接收各个设置信号SETJ~SET—n。设置信号SET—1~SET—n中的每一个包括数据D/DB、上拉使能信号ENP、单元板极信号CPL以及下拉使能信号ENN。电阻器Rpl连接在参考电压Vref接收端子与开关元件SW1之间。开关元件SW1连接在电阻器Rpl与补偿电压Vref_cal输出端子之间，而且开关元件SW1的栅极接收来自非易失性代码单元410—1的锁存单元412的锁存输出信号LOUT—1。电阻器Rpn与代码单元410_n对应而且连"t妻在参考电压Vref接收端子与开关元件SWn之间。开关元件SWn连接在电阻器Rpn与补偿电压Vref—cal输出端子之间，而且开关元件SWn的栅极接收来自非易失性代码单元410—n的锁存单元412的锁存输出信号LOUT—n。数据存储单元411由测量使能信号CAL一EN控制。数据存储单元411响应于设置信号SET而在非易失性寄存器中存储数据D，并向锁存单元412输出测量数据CAL—D。测量使能信号CAL—EN是当在非易失性寄存器中写数据D时使能的信号。锁存单元412响应于锁存使能信号LEN而锁存测量数据CAL—D，并向开关元件输出锁存输出信号LOUT。通过对测量4吏能信号CAL_EN和电源转变(powertransition)检测信号PTD执行OR逻辑运算来获得锁存使能信号LEN。即，当测量使能信号CAL—EN和电源转变^r测信号PTD其中之一被激活时使能锁存使能信号LEN。温度补偿单元315提供从参考电压Vref输出端子到补偿电压Vref一cal输出端子的可变的压降。该压降依赖于被导通的开关元件SWl-SWn的数量。即，参考电压Vref减去由温度补偿单元315提供的压降为补偿电压Vref—csl。响应于非易失性代码单元410—l~410_n的输出信号而导通开关元件SWl-SWn。随着更多的开关元件SW1-SWn被导通，参考电压Vref与补偿电压Vref—cal之间的阻值变得更低，参考电压Vref与补偿电压Vref—cal之间的电压差因而更小。当响应于非易失性代码单元410—1~410—n的输出信号而仅导通开关元件SW1~SWn当中的一个开关元件SW1时，压降变得更大。当仅有一个开关元件被导通时，补偿电压Vref一cal输出端子的阻值变得更大，因而参考电压Vref与补偿电压Vref—cal之间的差很大。图7是示出图6的数据存储单元411的电5^图。参照图7，数据存储单元411包括上拉单元420、上拉锁存单元421、输入/输出单元422、非易失性存储电容器单元423、下拉锁存单元424以及下拉单元425。上拉单元420包括连接在电源电压VCC4妄收端子与上拉锁存单元421之间的PMOS晶体管P34。PMOS晶体管P34的4册极接收上拉使能信号ENP。上拉锁存单元421包括PMOS晶体管P35、P36。PMOS晶体管P35、P36中的每一个连接在PMOS晶体管P34与输入/输出单元422之间，而且PMOS晶体管P35、P36的栅极被交叉耦接。输入/输出单元422包括NMOS晶体管N19、N20。NMOS晶体管N19连接在测量数据CAL—D输出端子与数据D输入端子之间，而且NMOS晶体管N19的栅极接收测量使能信号CAL_EN。NMOS晶体管N20连接在测量数据CAL一DB输出端子与数据DB输入端子之间，而且NMOS晶体管N20的栅极也接收测量使能信号CAL一EN。非易失性存储电容器单元423包括多个非易失性铁电电容器FC1~14FC4。非易失性铁电电容器FC1、FC2连接在单元板极信号CPL接收端子与各个测量数据CAL一D、CALDB输出端子之间。非易失性铁电电容器FC3、FC4连接在各个测量数据CAL—D、CALDB输出端子与地电压端子之间。下拉锁存单元424包括NMOS晶体管N21、N22。NMOS晶体管N21、N22中的每一个连接在非易失性存储电容器单元423与NMOS晶体管N23之间，而且NMOS晶体管N21、N22的栅极被交叉耦接。下拉单元425包括连接在下拉锁存单元424与地电压端子之间的NMOS晶体管N23。NMOS晶体管N23的栅极接收下拉使能信号ENN。图8和9是示出用于说明图6的非易失性代码单元410一n的操作的时序图。图8说明当电源被接通时非易失性代码单元410一n的数据恢复操作。图9说明当测量数据CAL—D转变时在非易失性代码单元410—n中设置数据的过程。参照图l和6至8，当执行数据恢复操作时，加电重置信号POR的电压电平纟皮逐渐增加并4妻着转变为〗氐电平。该情况下，电源转变检测信号PTD转变为高电平，被延迟给定时间，并接着转变为低电平。单元板极信号CPL在加电重置信号POR转变为低电平时转变为高电平，并在电源转变检测信号PTD转变为低电平时转变为低电平。随着加电重置信号POR的电压电平逐渐增加，上拉使能信号ENP的电压电平也逐渐增加。上拉使能信号ENP在加电重置信号POR转变为低电平时维持高电平。在电源转变检测信号PTD转变为高电平之后一旦经过给定时间，下拉使能信号ENN就转变为高电平。当下拉使能信号ENN转变为高电平时，上拉使能信号ENP转变为低电平。在电源转变检测信号PTD维持高电平的同时，锁存使能信号LEN也维持高电平(如上所述，LEN是对测量使能信号CAL一EN和电源转变检测信号PTD执行OR逻辑运算的结果)。测量使能信号CAL—EN在数据恢复操作的持续时间期间维持低电平。当下拉使能信号ENN被激活时，锁存输出信号LOUT也一皮激活。参照图1、6、7和9，其示出在非易失性代码单元中设置数据的过程，在其中数据D/DB有效的时段期间，测量数据CAL—D的电压电平依赖于测量使能信号CALEN的激活而转变为高电平。只要测量使能信号CALEN被激活(高电平)，单元板极信号CPL就维持高电平。当测量使能信号CAL_EN转变为低电平时，单元板极信号CPL也转变为低电平。在测量使能信号CAL_EN转变为高电平之后一旦经过给定时间，下拉使能信号ENN就转变为高电平。当下拉使能信号ENN转变为高电平时，上拉使能信号ENP转变为低电平。当测量使能信号CAL一EN被激活(高电平)时，锁存使能信号LEN也被激活(LEN是对测量使能信号CAL—EN和电源转变检测信号PTD执行OR逻辑运算的结果)。结果，测量数据CAL—D被锁存单元412锁存并从锁存单元412输出作为锁存输出信号LOUT。图IO是示出图3的A/D转换单元316的图。参照图10,A/D转换单元316包括温度计代码产生单元317和温度计代码处置单元318。温度计代码产生单元317包括多个电阻器R5~R11和多个比较器Al~A7。电阻器R5-R11串联连接在补偿电压Vref—cal接收端子与地电压端子之间。图10中，V10~V70表示与测量得到的温度值对应的电压值。比较器Al~A7中的每一个具有接收温度4企测电压Vtemp的正(+)输入端子、和接收电阻器R5-R11之间的相应的连接节点的各个电压V70~V10的负(-)输入端子，以l更输出代码信号W7~Wl。温度计代码处置单元318响应于温度传感器激活信号TEMP—CMD而处置从温度计代码产生单元317接收的代码信号W7~Wl，以便输出数字信号。图ll是示出图10的温度计代码处置单元318的图。温度计代码处置单元318包括多个选择单元Ml~M4。选择单元Ml~M4中的每一个包括多路器。选择单元Ml响应于通过对温度传感器激活信号TEMP—CMD和代码信号W4执行AND逻辑运算获得的信号而选择代码信号W7、W3其中之一，以便输出代码信号WA3。即，当温度传感器激活信号TEMP一CMD被激活而且代码信号W4被激活时，选择单元Ml~M3的输入被激活。选择单元M2响应于代码信号W4而选择代码信号W6、W2其中之一，以便输出代码信号WA2。选择单元M3响应于代码信号W4而选择代码信号W5、Wl其中之一，以便输出代码信号WA1。选4奪单元M4响应于代码信号WA2而选4奪代码信号WA3、WA1其中之一，以便输出代码输出信号WB1。16如表1中所示执行在温度计代码处置单元318中响应于代码信号W7~Wl而输出数字代码输出信号WB1的操作。<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>表1示出在表1的第3栏垂直排列的8个可能的输入序列(例如第一个垂直序列为'ooooooo，，第二个垂直序列为'ooooooor,而最后一个垂直序列为'11111111，)。八个不同的输入序列导致WA3~WA1、WB1的8个不同的序列。将这八个不同的序列垂直排列在表1的第3栏(例如第一个序列为'oooo，，第二个序列为'ooir，而最后一个序列为'iiir)。温度计代码处置单元318的数字输出为D2D0值。如图11中所示，D2=W4,D1=WA2，而D0二WB1。8个可能的输入序列导致8个可能的输出序列，其也垂直排列在表1的第3栏(例如第一个可能的序列为'000，，第二个可能的序列为'001，，而最后一个可能的序列为'111，)。作为另外的示例，如图11中所示，当代码信号W7W1(其为输入信号)依次为'0000111，(第四个垂直序列)时，从选4奪单元M1~M3输出的代码信号WA1-WA3为'111，。即，当代码信号W4为'0，时，选择单元MlM3选择代码信号W3以输出代码信号WA3，选4奪代码信号W2以输出代码信号WA2，并选一奪代码信号Wl以输出代码信号WA1。当代码信号WA2为'1，时，选择单元M4选择代码WA3以输出代码输出信号WB1。最终输出信号D0D2被输出为数字代码值'110'，其中D0为M4的lt出，D1为M2的输出，而D0为W4。图12是示出图11的选择单元MlM4其中之一的示例的电路图。图12中，输入信号'A，、'B，、以及控制信号'C，被输入到选择单元M以选择输入信号'A'、'B，其中之一。选择单元M的输出信号为'D，。选择单元M包括传输门Tl、T2以及反相器(inverter)IV1IV3。传输门Tl响应于控制信号C而选择性地输出输入信号A。传输门T2响应于控制信号C而选择性地输出输入信号B。当控制信号C处于高电平时，传输门T1被导通以输出输入信号A,而传输门T2被截止。当控制信号C处于低电平时，传输门T2被导通以输出输入信号B,而传输门Tl^C截止。反相器IV2、IV3延迟传输门Tl或T2的选择的输出信号以输出经延迟的选择的信号作为输出信号D。参照图10和13,A/D转换单元316将温度4企测电压Vtemp与补偿电压Vref—cal进行比较以输出Wl~W7值。将补偿电压Vref—cal与参考电压Vref进行比较，并补偿改变的值。偿电压Vref—cal被改变以便成为与之前设置的温度对应的电压。结果，温度检测电压Vtemp超出参考值的误差范围被补偿。如图14中所示，将改变的值转换为依赖于温度的数字代码值并输出到数据总线。图15是示出用于说明图2的温度处置单元310的操作的流程图。当温度补偿信号CAL—CMD被激活(步骤Sl)时，在非易失性代码单元410—1~410—n中设置用于补偿温度的参数的缺省值(步骤S2)。当温度传感器激活信号TEMPJCMD被激活(步骤S3)时，输出在温度感测单元311中感测到的温度值作为参考电压Vref和温度检测电压Vtemp(步骤S4)。温度补偿单元315将参考电压Vref与之前在非易失性代码单元410J~410—n中设置的参考温度值进行比较以输出补偿电压Vref—cal(步骤S5)。接着，确定参考电压Vref是否在之前设置的温度值范围之内(步骤S6)。如果参考电压Vref不在之前设置的温度值范围之内，则改变存储在非易失性代码单元410_1~410—n中的数据以变更温度测量参数的值(步骤S7)。如果参考电压Vref在之前设置的温度值范围之内，则撤销温度传感器激活信号TEMP—CMD(步骤S8)。当温度传感器激活信号TEMP—CMD被撤销时，撤销温度补偿信号CAL—CMD(步骤S9)。现在将描述根据本发明的实施例的RFID设备的操作原理。数字块200向温度处置单元310输出温度传感器激活信号TEMP—CMD和温度补偿信号CAL—CMD，以使得可以冲企测RFID标签芯片中的温度改变状态。数字块200向存储器块300的外围电路单元320输出温度地址TEMP—ADD以分配单元阵列330的纟会定区域用于温度改变信息。温度处置单元310响应于温度传感器激活信号TEMP—CMD和温度补偿信号CAL—CMD而检测RFID标签芯片的温度改变状态，并将该状态转换为电压以使得可以向数据,悉线输出数字输出信号。外围电路单元320根据从数字块200接收的温度地址TEMP—ADD来控制字线WL和板极线PL(用于驱动温度存储器350)。外围电路320还控制温度处置单元310。温度存储器350经由数据总线和输入/输出单元360接收与由温度处置单元310检测到的温度对应的数据，并存储所接收的数据。温度感测单元311响应于从数字块200接收的温度传感器激活信号TEMP—CMD而感测RJFID标签芯片的温度，以向温度补偿单元315输出参考电压Vref,并向A/D转换单元316输出温度4企测电压Vtemp。A/D转换单元316的温度计代码产生单元317基于补偿电压Vref—cal利用电阻器R5~Rl1将温度代码范围电阻划分(resistance-divide)为N段。将划分得到的n段温度代码范围V70~V10与温度检测电压Vtemp进行比较，以便产生N个温度计代码信号W7~Wl。温度计代码处置单元318响应于温度传感器激活信号TEMP—CMD而将温度计代码信号W7~Wl解码，以便向数据总线输出数字输出信号。如上面提到的，在多个温度存储器区域350中分配多个温度地址TEMP—ADD。由RFID设备的读取器选择性地读或写每个溫度地址。结果，该RFID设备有助于分析在移动材料的过程期间在每个检查点的温度历史。如上所述，根据本发明的实施例的RFID设备从RFID标签芯片检测温度、输出与检测到的温度对应的电压、将该电压转换为数字信号、并向数据总线输出该数字信号而无需额外的温度传感器，从而减少RFID设备的规划面积，因为不需要额外的温度传感器。所述RFID设备在指派到单元区域的特定区域的温度存储器中存储从RFID标签芯片检测到的温度数据，以便于温度信息的使用。所述RFID设备测量RFID标签芯片的温度特性以补偿该特性并在非易失性寄存器中存储该信息，从而通过补偿温度改变来稳定设备的输出电压。虽然已经描述了符合本发明的几个示范性实施例，但是应当理解，本领域技术人员可以设计出大量修改和实施例，其将落入本公开的精神和范围之内。更具体地，组成部件和/或配置可以有许多变体和修改，其在本公开、附图、以及所附权利要求书的范围之内。除了组成部件和/或配置中的变体和修改之外，另外可选的用法对本领域技术人员也是显而易见的。对相关申请的交叉引用本公开要求于2008年4月18日提交的韩国专利申请编号10-2008-0036122的优先权，其全部内容通过引用而净皮合并于此。权利要求1.一种RFID设备，包括模拟块，配置为接收射频信号，并从所述射频信号中检测操作命令信号以输出所述操作命令信号；数字块，配置为接收并分析所述操作命令信号，并输出操作控制信号、温度传感器激活信号和温度补偿信号；存储器块，配置为接收所述操作控制信号、所述温度传感器激活信号、和所述温度补偿信号，所述存储块包括温度处置单元，配置为响应于所述温度补偿信号而设置参数值，响应于所述温度传感器激活信号而检测温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较，其中所述温度处理单元根据所述比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。2.如权利要求1所述的RFID设备，其中所述存储器块进一步包括温度存储器，配置用于存储从所述温度处置单元检测的温度数据。3.如权利要求1所述的RFID设备，其中所述温度处置单元位于所述存储器块的给定区域内，而且由外围电路单元控制。4.如权利要求2所述的RFID设备，其中所述数字块根据所述操作命令信号输出包括温度地址的地址，而且所述存储器块进一步包括外围电路单元，配置为接收所述地址和所述操作控制信号，以便产生内部控制信号；单元阵列，配置为将数据从多个非易失性铁电电容器中读出和将数据写入其中，其中所述单元阵列配置为响应于所述内部控制信号而在多个非易失性铁电电容器中读/写数据，以及其中将所述单元阵列的预定部分分配给所述温度存储器，而且所述温度存储器由所述温度地址指派；以及读出放大器单元和输入/输出单元，配置为读出和放大存储在所述单元阵列中的数据，并输出从所述单元阵列中的数据总线接收的输入数据。5.如权利要求1所述的RFID设备，其中所述温度处置单元包括温度感测单元，配置为响应于所述温度传感器激活信号而^H则RFID标签中的温度改变状态，以输出参考电压和温度检测电压；温度补偿单元，配置为响应于所述温度补偿信号而设置温度补偿的参数值，其中所述温度补偿单元将所述参数值与所述参考电压进行比较以输出补偿电压；以及模数转换单元，配置为响应于所述温度传感器激活信号转换所述补偿电压和所述温度检测电压，以向数据总线输出所述数字代码值。6.如权利要求5所述的RFID设备，其中所述温度检测电压的电压电平随着温度增力口而增力口。7.如权利要求5所述的RFID设备，其中所述温度感测单元包括温度^r测电压产生单元，配置为产生所述温度^f企测电压以使得所述温度冲企测电压与温度成比例；以及参考电压产生单元，配置为产生所述参考电压以使得所述参考电压的值不依赖于温度。8.如权利要求5所述的RFID设备，其中所述模数转换单元包括温度计代码产生单元，配置为将所述温度检测电压与所述补偿电压进行比较，以产生多个温度计代码信号；以及温度计代码处置单元，配置为响应于所述温度传感器激活信号而将所述温度计代码信号解码，以向所述数据总线输出所述数字代码值。9.如权利要求8所述的RFID设备，其中所述温度计代码产生单元包括多个电阻器，配置为将所述补偿电压划分为多个电压值；以及多个比较器，其中每一个配置为将所述温度检测电压与所述电压值中的相应的一个电压值进行比较，以产生所述多个温度计代码信号中相应的一个温度计代码信号。10.如权利要求9所述的RFID设备，其中所述温度计代码处置单元包括解码单元，配置为将所述温度计代码信号解码以向所述数据总线输出所述数字代码值。11.如权利要求IO所述的RFID设备，其中利用所述多个比较器产生第一至第七温度计代码信号，而且所述解码单元包括第一选择单元，接收第二和第三温度计代码信号，并响应于第一温度计代码信号而输出第二和第三温度计代码信号其中之一；第二选择单元，接收第四和第五温度计代码信号，并响应于第一温度计代码信号而输出第四和第五温度计代码信号其中之一；第三选捧单元，接收第六和第七温度计代码信号，并响应于第一温度计代码信号而输出第六和第七温度计代码信号其中之一；以及第四选择单元，配置为响应于第二选择单元的输出信号而选择第一选择单元和第三选择单元的输出信号其中之一。12.如权利要求11所述的RFID设备，其中为了激活第一代码信号必须激活所述温度传感器激活信号。13.如权利要求5所述的RFID设备，其中所述温度补偿单元包括温度补偿处置单元，配置为响应于所述温度补偿信号而输出用于设置所述参数值的设置信号；多个非易失性代码单元，其中每一个非易失性代码单元配置为响应于所述设置信号而存储数据，并响应于测量使能信号和锁存使能信号而锁存测量数据；多个开关元件，其中每一个开关元件分别响应于非易失性代码单元的输出信号中相应的一个而选择性地导通，以输出所述补偿电压；以及多个电阻器，其中每一个电阻器分别连接在接收所述参考电压的参考电压端子与所述开关元件中相应的一个开关元件之间。14.如权利要求13所述的RFID设备，其中所述温度补偿单元根据已导通的开关元件的数量来调整所述补偿电压的电压电平。15.如权利要求13所述的RFID设备，其中所述非易失性代码单元包括数据存储单元，配置为响应于所述设置信号而在非易失性铁电电容器中存储所述数据，并响应于所述测量使能信号而输出所述测量数据；以及锁存单元，配置为响应于所述锁存使能信号而锁存和输出所述测量数据。16.如权利要求15所述的RFID设备，其中所述数据存储单元包括上拉单元，配置为响应于上拉使能信号而上拉输出端子；上拉锁存单元，配置为锁存所述输出端子的^:据；输入/输出单元，配置为响应于所述温度补偿信号而控制所述输出端子的数据的输入/输出；非易失性存储电容器单元，配置为响应于单元板极信号而存储输入数据；下拉单元，配置为响应于下拉使能信号而下拉所述输出端子；下拉锁存单元，配置为锁存所述输出端子的数据。17.如权利要求1所述的RFID设备，其中所述温度处置单元在所述参数值与感测到的温度之间的差在预定温度值范围之内时撤销所述温度补偿信号和所述温度传感器激活信号，而在所述差不在所述预定温度值范围之内时改变所述参数值。18.—种RFID设备包括存储器块，配置为在包括多个非易失性铁电电容器的单元阵列中读/写数据；以及温度处置单元，配置为响应于温度补偿信号而设置温度补偿参数值，响应于温度传感器激活信号而检测温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较，其中所述温度处理单元根据所述比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。19.如权利要求18所述的RFID设备，其中所述温度处置单元包括温度感测单元，配置为响应于所述温度传感器激活信号而检测RFID标签中的温度改变状态，以输出参考电压和温度检测电压；温度补偿单元，配置为响应于所述温度补偿信号而设置温度补偿的参数值，其中所述温度补偿单元将所述参考电压与所述参数值进行比较以输出补偿电压；以及模数转换单元，配置为响应于所述温度传感激活信号而转换所述补偿电压和所述温度;f企测电压，以向数据总线输出所述数字代码值。20.如权利要求19所述的RFID设备，其中所述模数转换单元包括温度计代码产生单元，配置为将所述温度检测电压与所述补偿电压进行比较，以产生多个温度计代码信号；以及温度计代码处置单元，配置为响应于所述温度传感器激活信号而将所述温度计代码信号解码，以向所述数据总线输出所述数字代码值。21.如权利要求20所述的RFID设备，其中所述温度计代码产生单元包括多个电阻器，配置为将所述补偿电压划分为多个电压值；以及多个比较器，其中每一个比较器配置为将所述温度检测电压与所述电压值中相应的一个电压器进行比较，以产生所述多个温度计代码信号中相应的一个。22.如权利要求20所述的RPID设备，其中所述温度计代码处置单元包括解码单元，配置为将所述温度计代码信号解码以向所述数据总线输出所述数字代码值。23.如权利要求19所述的RFID设备，其中所述温度补偿单元包括温度补偿处置单元，配置为响应于所述温度补偿信号而输出用于设置所述参数值的设置信号；多个非易失性代码单元，其中每一个配置为响应于所述设置信号而存储数据，并响应于测量使能信号和锁存使能信号而锁存测量数据；多个开关元件，其中每一个开关元件响应于非易失性代码单元的输出信号中相应的一个输出信号而选择性地导通，以输出所述补偿电压；以及多个电阻器，其中每一个电阻器分别连接在参考电压接收单元与所述开关元件中相应的一个之间。24.如权利要求23所述的RFID设备，其中所述非易失性代码单元包括数据存储单元，配置为响应于所述设置信号而将所述数据存储在非易失性铁电电容器中，并响应于所述测量使能信号而输出所述测量数据；以及锁存单元，配置为响应于所述锁存使能信号而锁存和输出所述测量数据。25.如权利要求24所述的RFID设备，其中所述数据存储单元包括上拉单元，配置为响应于上拉使能信号而上拉输出端子；上拉锁存单元，配置为锁存所述输出端子的数据；输入/输出单元，配置为响应于所述温度补偿信号而控制所述输出端子的数据的输入/输出；非易失性存储电容器单元，配置为响应于单元板极信号而存储输入数据；下拉单元，配置为响应于下拉使能信号而下拉所述输出端子；以及下拉锁存单元，配置为锁存所述输出端子的数据。全文摘要一种RFID设备包括模拟块、数字块、和存储器块。所述模拟块接收射频信号以输出操作命令信号。所述数字块响应于所述操作命令信号而输出地址、操作控制信号、温度传感器激活信号、和温度补偿信号。所述存储器块在包括多个非易失性铁电电容器的单元阵列中读/写数据。所述存储器块还具有温度处置单元，其响应于所述温度补偿信号而设置温度补偿的参数值，响应于所述温度传感器激活信号而检测RFID标签中的温度改变状态，并将所述温度改变状态与所述参数值进行比较。根据该比较结果改变所述参数值，并输出与所述温度改变状态对应的数字代码值。文档编号G06K19/07GK101561887SQ20081013251公开日2009年10月21日申请日期2008年7月15日优先权日2008年4月18日发明者姜熙福,洪锡敬申请人:海力士半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