静电电容式输入装置和用于计算导体接近位置的计算方法

专利名称：静电电容式输入装置和用于计算导体接近位置的计算方法
技术领域：
本发明涉及静电电容式输入装置。另外，本发明涉及用于计算导体的接近位置的计算方法。
背景技术：
图34和图35表示作为本发明的关联技术的输入装置的一例。图35是沿图34的 XXXV-XXXV线的平面图。这两幅图所示的输入装置9X，通过与液晶显示面板9Y重叠使用， 构成触摸板。该触摸板用于例如便携式电话机9Z的显示机构和操作机构。作为现有技术中的触摸板的一例，公开在日本特开2008-33777号公报中。上述输入装置9X具有透射板91 (在图35中省略)、透射板92、检测电极9a、％、配线931、配线932 (在图34中省略)、柔性基板971和IC芯片972。检测电极9a、9b分别形成于透射板91、92。检测电极9a每个都沿着y方向延伸。检测电极9b每个都沿着χ方向延伸。配线931与检测电极9a连接。配线932与检测电极9b连接。图36模式化地表示检测电极9a和IC芯片972的连接状态。IC芯片972具有多个输入端子979。输入端子979各自与配线931分别连接。虽然未图示，但检测电极9b也相同。如图34所示，便携式电话机9Z具有透明盖98。输入装置9X与透明盖98接合。 使用者在操作便携式电话机9Z时，通过将手指等导体9D对透明盖98接近或接触，在导体 9D和检测电极9a、9b之间产生静电电容。图37用图表示将导体9D接近或接触透明盖98 时的，导体9D和检测电极9a之间的静电电容的变化所对应的值。通过确定与静电电容增加的输入端子979连接的检测电极9a，能够检测出导体9D接近了透明盖98的哪个位置。在输入装置9X中，由于外来的噪声影响，即使在导体9D没有接近的情况下检测电极9a、检测电极9b的静电电容也存在微小的变化。因此，IC芯片972，在得到χ方向、y方向的导体9D的接近位置相关信息之前或之后，判断检测电极9a、检测电极9b的静电电容增加量是否超过规定的阈值。当检测电极9a的静电电容增加量没有超过规定的阈值时，IC 芯片972判断导体9D没有接近检测电极9a、检测电极％。此时，IC芯片972将导体9D没有接近的信号输出到外部。另一方面，当检测电极9a、检测电极9b的静电电容增加量超过规定的阈值时，IC芯片972将导体9D的接近位置相关信息输出到外部。但是，例如当便携式电话机9Z的透明盖98较厚时，导体9D与检测电极9a、检测电极9b的最短隔离距离变大。于是，即使导体9D接近，检测电极9a、检测电极9b的静电电容增加量也减少。因此，不得不将上述阈值减小。如果减小阈值，当受到外来噪声影响检测电极9a、检测电极9b的静电电容发生变化时，检测电极9a、检测电极9b的静电电容增加量有超过该阈值的可能性。这样的情况，会导致虽然导体9D没有接近检测电极9a、检测电极 %，但是判断为导体9D接近了检测电极9a、检测电极9b的问题。

发明内容
本发明鉴于上述问题而实现，以提供能够抑制误动作的发生的静电电容式输入装置为课题。由本发明的第一方面提供的静电电容式输入装置，包括多个第一检测电极，其沿第一方向排列且各自在与上述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第二检测电极，其沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸；存储部，其随着第一导体和各第一检测电极之间的静电电容的变化将通过各第一检测电极得到的值分别作为第一方向检测值存储，并且，随着上述第一导体和各第二检测电极之间的静电电容的变化将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值存储；和计算部，其中上述计算部执行生成多个对第一值和第二值进行运算而得到的第一映射值的处理，其中，第一值是对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第二值是对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值(生成多个将针对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算后的第一值，和针对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算后的第二值，进行运算后的第一映射值的处理)；和使用上述多个第一映射值，对上述第一导体是否接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极进行判断的处理。优选上述多个第一映射值，包括上述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值，上述计算部，在判断上述第一导体是否接近的处理中，对上述最大第一映射值和规定的阈值进行比较。优选上述多个第一值的任意一个，是将上述各第一检测电极与规定区域的重叠区域的面积作为权重，对上述多个第一方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值，上述多个第二值的任意一个，是将上述各第二检测电极与上述规定区域的重叠区域的面积作为权重，对上述多个第二方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值。优选上述各第一映射值，是上述多个第一值的任意一个与上述多个第二值的任意一个之和。优选上述各第一映射值，是对上述多个第一值的任意一个与上述多个第二值的任意一个之和进行乘方运算而得的值。优选上述各第一映射值，与包括一组上述第一方向的一个坐标值和上述第二方向的一个坐标值的二维坐标对应，上述计算部，使用上述多个第一映射值，执行计算第一接近位置的处理，上述第一接近位置，是上述第一导体在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极的位置。优选上述计算部，在计算上述第一接近位置的处理中，仅使用上述多个第一映射值之中的一部分来计算上述第一接近位置。优选上述各第一映射值，是第一矩阵的多个元素的任意一个，在上述第一矩阵中， 行元素分别对应上述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应上述第二方向的一个坐标值，在上述第一矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的上述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的上述第二方向的坐标值单调变化，上述多个第一映射值包括上述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值；和与该最大第一映射值相比行序号相差一个且列序号相同的两个相邻的第一映射值，上述计算部在计算上述第一接近位置的处理中，使用上述最大第一映射值和上述两个相邻的第一映射值，计算上述第一接近位置。优选上述多个第一检测电极，包括上述多个第一检测电极之中最接近上述第一接近位置的第一接近检测电极，上述多个第二检测电极，包括上述多个第二检测电极之中最接近上述第一接近位置的第二接近检测电极，上述计算部执行准备处理，在上述准备处理中，将上述存储部中的、上述多个第一方向检测值之中与上述第一接近检测电极对应的值变换小，并且，将上述存储部中的、上述多个第二方向检测值之中与上述第二接近检测电极对应的值变换小。优选上述计算部执行下述处理在上述准备处理被进行之后，生成多个对第三值和第四值进行运算而得到的第二映射值的处理，其中，第三值是对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第四值是对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用上述多个第二映射值，对上述第二导体是否接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极进行判断的处理。优选上述各第二映射值，与包括一组上述第一方向的一个坐标值和上述第二方向的坐标值的二维坐标对应，上述计算部，使用上述多个第二映射值，执行计算第二接近位置的处理，上述第二接近位置，是与上述第一导体不同的第二导体在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极的位置。优选上述计算部在计算上述第二接近位置的处理中，仅使用上述多个第二映射值之中的一部分来计算上述第二接近位置。优选上述各第二映射值，是第二矩阵的多个元素的任意一个，在上述第二矩阵中， 行元素分别对应上述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应上述第二方向的一个坐标值，在上述第二矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的上述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的上述第二方向的坐标值单调变化，上述多个第二映射值包括上述多个第二映射值之中最大的最大第二映射值；和与该最大第二映射值相比列序号相差一个且行序号相同的两个相邻的第二映射值，上述计算部在计算上述第二接近位置的处理中，使用上述最大第二映射值和上述两个相邻的第二映射值，计算上述第二接近位置。由本发明的第二方面提供的计算方法，包括如下各步骤使用一种静电电容式输入装置，该静电电容式输入装置具备沿第一方向排列且各自在与上述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第一检测电极，和沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸的多个第二检测电极，随着第一导体和各第一检测电极的静电电容变化将通过各第一检测电极得到的值分别作为第一方向检测值存储在存储部，随着上述第一导体和各上述第二检测电极的静电电容变化将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值存储在上述存储部，生成多个对第一值和第二值进行运算而得到的第一映射值，其中，第一值是对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第二值是对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，和使用上述多个第一映射值，对上述第一导体是否接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极进行判断。优选上述多个第一映射值，包括上述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值，在上述进行判断的步骤中，对上述最大第一映射值和规定的阈值进行比较。优选上述多个第一值的任意一个，是将上述各第一检测电极与规定区域的重叠区域的面积作为权重，对上述多个第一方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值，上述多个第二值，是将上述各第二检测电极与上述规定区域的重叠区域的面积作为权重，对上述多个第二方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值。优选上述各第一映射值，是上述多个第一值的任意一个与上述多个第二值的任意一个之和。优选上述各第一映射值，是对上述多个第一值的任意一个与上述多个第二值的任意一个之和进行乘方运算而得的值。优选上述各第一映射值，与包括一组上述第一方向的一个坐标值和上述第二方向的一个坐标值的二维坐标对应，还具有使用上述多个第一映射值计算第一接近位置的步骤，上述第一接近位置，是上述第一导体在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极的位置。优选在计算上述第一接近位置的步骤中，仅使用上述多个第一映射值之中的一部分来计算上述第一接近位置。优选上述各第一映射值，是第一矩阵的多个元素的任意一个，在上述第一矩阵中， 行元素分别对应上述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应上述第二方向的一个坐标值，在上述第一矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的上述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的上述第二方向的坐标值单调变化，上述多个第一映射值包括上述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值；和与该最大第一映射值相比行序号相差一个且列序号相同的两个相邻的第一映射值，在计算上述第一接近位置的步骤中，使用上述最大第一映射值和上述两个相邻的第一映射值，计算上述第一接近位置。优选上述多个第一检测电极，包括上述多个第一检测电极之中最接近上述第一接近位置的第一接近检测电极，上述多个第二检测电极，包括上述多个第二检测电极之中最接近上述第一接近位置的第二接近检测电极，还具有准备步骤，该准备步骤是，将上述存储部中的、上述多个第一方向检测值之中与上述第一接近检测电极对应的值变换小，并且，将上述存储部中的、上述多个第二方向检测值之中与上述第二接近检测电极对应的值变换小的步骤。优选在上述准备步骤之后，生成多个对第三值和第四值进行运算而得到的第二映射值的步骤，其中，第三值是对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值， 第四值是对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用上述多个第二映射值，对上述第二导体是否接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极进行判断的步骤。优选上述各第二映射值，与包括一组上述第一方向的一个坐标值和上述第二方向的坐标值的二维坐标对应，还具有使用上述多个第二映射值计算第二接近位置的步骤，上述第二接近位置，是上述第二导体在上述第一方向和上述第二方向上接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极的位置。优选在计算上述第二接近位置的步骤中，仅使用上述多个第二映射值之中的一部分来计算上述第二接近位置。优选上述各第二映射值，是第二矩阵的多个元素的任意一个，在上述第二矩阵中， 行元素分别对应上述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应上述第二方向的一个坐标值，在上述第二矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的上述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的上述第二方向的坐标值单调变化，上述多个第二映射值包括上述多个第二映射值之中最大的最大第二映射值；和与该最大第二映射值相比列序号相差一个且行序号相同的两个相邻的第二映射值，在计算上述第二接近位置的步骤中，使用上述最大第二映射值和上述两个相邻的第二映射值来计算上述第二接近位置。本发明的其他特征和优点，通过以下参照附图进行的详细说明，能够更加明晰。


图1是本发明的第一实施方式的输入装置的截面图。图2是沿图1的II-II线的输入装置的主要部分平面图。图3是主要表示图2所示输入装置的第一检测电极的平面图。图4是主要表示图2所示输入装置的第二检测电极的平面图。图5是本实施方式的IC芯片的功能框图。图6是表示本实施方式的处理流程的流程图。图7是表示各第一方向检测值和各第二方向检测值的各值的一例的图。图8是三维地表示图7所示各值的图。图9是图2所示输入装置的放大平面图。图10是对第一实施方式的情况2进行说明的附图。图11是对第一实施方式的情况3进行说明的附图。图12是对第一实施方式的情况4进行说明的附图。图13是对以第一实施方式的第一映射值为元素的矩阵进行说明的附图。图14是三维地表示第一实施方式的第一映射值的附图。图15是用于对判断第一实施方式的导体是否接近的过程进行说明的图。图16是说明第一实施方式的第一接近坐标的值的求法所用的图。图17是三维地表示第二实施方式的第一映射值的附图。图18是三维地表示第三实施方式的第一映射值的附图。图19是用于说明本发明的第五实施方式的输入装置的主要部位平面图。图20是表示第五实施方式的处理流程的流程图。图21是用于说明第五实施方式的准备处理的附图。图22是对第五实施方式的情况1进行说明的附图。图23是对第五实施方式的情况2进行说明的附图。图M是对第五实施方式的情况3进行说明的附图。图25是对第五实施方式的情况4进行说明的附图。图沈是对以第五实施方式的第二映射值为元素的矩阵进行说明的附图。图27是用于对判断第五实施方式的导体是否接近的过程进行说明的附图。图观是说明第五实施方式的第二接近坐标的值的求法所用的图。图四是用于说明本发明的第六实施方式的输入装置的主要部位平面图。图30是用于说明本发明的第六实施方式的输入装置的主要部位平面图。
图31是表示第六实施方式的各第一方向检测值和各第二方向检测值的各值的一例的图。图32是使用图31所示第一方向检测值和第二方向检测值的各值，和第一实施方式中的式子，生成的第一映射值。图33是三维地表示第六实施方式的第一映射值的图。图34是表示本发明关联的输入装置的一例的截面图。图35是沿图34的XXXV-XXXV线的主要部位平面图。图36是概念地表示检测电极和IC芯片的连接状态的附图。图37是表示将导体接近或接触透明盖时的，导体和检测电极之间的静电电容的变化对应的值的图。
具体实施例方式以下，对本发明的实施方式，参照附图进行具体说明。图1和图2表示本发明的第一实施方式的输入装置Al。这两幅图表示的输入装置 Al，具有透射板l、2、x方向位置检测用的多个第一检测电极EXi(i = 1、2、……、n)、y方向位置检测用的多个第二检测电极EyjG = 1、2、……、m)、配线3、3’、树脂层4、间隔体5、各向异性导电树脂部6、护罩层7、柔性基板8和IC芯片9。图1中省略了配线3、3’。图2中省略了透射板2、树脂层4、间隔体5、各向异性导电树脂部6、护罩层7、柔性基板8和IC芯片9。输入装置Al以能够检测出导体Dl的接近位置的方式构成。输入装置Al例如配置在液晶显示面板Pl的图像显示面侧，构成触摸板装置。图3是主要表示图2所示的第一检测电极Exi的平面图。图4是主要表示图2所示的第二检测电极的平面图。透射板1、2分别是透明树脂基板或透明玻璃基板。作为透明树脂基板的材料，能够列举例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)。χ方向位置检测用的多个第一检测电极Exi (i = 1、2、……、n)，在透射板1的图1 上面形成图案。多个第一检测电极Exi,各自在y方向上延伸且相互平行，且在χ方向(与 y方向垂直相交)相互间隔排列。在本实施方式中，第一检测电极Exi的条数为10(即η = 10)。各第一检测电极Exi例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明导电性材料构成。如图3所示，各第一检测电极Exi具有多个菱形状的部分，和与这些菱形状的部分连接的线状的部分。该菱形状部分的形状，可以是圆形状、多边形状，或其他形状。y方向位置检测用的多个第二检测电极Eyj(j = 1、2、……、m)，在透射板2的图中下面形成图案。多个第二检测电极Eyj,各自在χ方向上延伸且相互平行，且在y方向相互间隔排列。在本实施方式中，第二检测电极的条数为14(即m=14)。各第二检测电极Eyj例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明导电性材料构成。如图4所示，各第二检测电极Eyj具有多个菱形状的部分，和与这些菱形状的部分连接的线状的部分。该菱形状部分的形状，可以是圆形状、多边形状，或其他形状。第二检测电极的菱形状的部分配置成，在χ方向和y方向上，不与第一检测电极Exi的菱形状部分重叠。各配线3的一部分，在透射板1上形成图案。各配线3的另一部分，在透射板2上和柔性基板8上形成图案。透射板1上的各配线3的一部分，和与透射板1上的各配线3 的一部分对应的透射板2上的各配线3的一部分，确保透射板1上的各配线3的一部分间的电绝缘状态且确保透射板2上的各配线3的一部分间的电绝缘状态，并且通过各向异性导电树脂部6电连接。各向异性导电树脂部6由硬化的各向异性导电树脂构成。各配线3 在透射板1上与一个第一检测电极Exi连接。配线3’在透射板2上和柔性基板8上形成图案，在透射板2上与一个第二检测电极Ε。连接。如图1所示，树脂层4和间隔体5，间隔在透射板1、2之间。树脂层4由良好地使光透过的树脂材料构成。通过树脂层4，第一检测电极Exi间、第二检测电极Eyj间，以及第一检测电极EXi、第二检测电极Eyj间的电绝缘状态得以确保。间隔体5是由有机硅或丙烯树脂(例如积水化学工业=MicropearI系列)构成的粒状体。通过适当选择间隔体5的尺寸，能够确保透射板1、2间的适当距离。护罩层7设置在透射板1的图1中下面。护罩层7例如由ΙΤ0、ΙΖ0等透明导电性材料构成。护罩层7被背部保护层(图示略)覆盖。护罩层7承担阻断外来噪声的功能。柔性基板8如图1所示，安装在透射板2的端部。如上所述，配线3的一部分和配线3’的一部分，也设置于柔性基板8。IC芯片9装载于柔性基板8。IC芯片9承担控制输入装置Al的驱动状态，和计算导体Dl的接近位置的功能。IC芯片9通过未图示的输入端子，与各第一检测电极Exi和各第二检测电极Eyj连接。图5表示IC芯片9的功能框图。如同图所示，IC芯片9包括存储部91和计算部 92。存储部91存储计算部92计算时的数据。在本实施方式中，存储部91随着手指等导体Dl与各第一检测电极Exi之间的静电电容的变化、将通过各第一检测电极Exi得到的值分别作为第一方向检测值)(ch(i) (i = 1、2、……、n)存储。同样地，存储部91随着导体 Dl与各第二检测电极之间的静电电容的变化、将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值Ych(j) (j = 1、2、……、m)存储。计算部92，计算χ方向和y方向的导体Dl的接近位置。计算部92边与存储部91 进行数据的传送接收边进行计算。接着，用图6 图16，对本实施方式的导体Dl的接近位置的计算方法的一例进行说明。图6是表示本实施方式中的处理流程的流程图。在本实施方式中，对导体Dl接近透射板2时的、作为导体Dl的接近位置的第一接近坐标(xl，yl)的计算方法进行说明。<第一方向检测值和第二方向检测值的存储(SlOl) >首先，如图6所示，将第一方向检测值和第二方向检测值存储在存储部91中。在输入装置Al启动时，从各第一检测电极Exi,将导体Dl和各第一检测电极Exi之间能够产生的静电电容变化对应的信号发送到IC芯片9。IC芯片9在接收到该信号时，如上所述， 存储部91随着导体Dl和各第一检测电极Exi之间的静电电容的变化，将通过各第一检测电极Exi和IC芯片9中的未图示的电路得到的值分别作为第一方向检测值)(Ch(i) (i = 1、 2、……、n)存储。同样地，从各第二检测电极Eyj,将导体Dl和各第二检测电极Eyj之间能够产生的静电电容变化对应的信号发送到IC芯片9。IC芯片9在接收到该信号时，如上所述，存储部91随着导体Dl和各第二检测电极间的静电电容的变化、将通过各第二检测电极Eyj和IC芯片9中的未图示的电路得到的值分别作为第二方向检测值Ych(j) (j =1、2、......、m)存储。图7表示导体Dl接近图2所示的位置时的，各第一方向检测值)(Ch(i)和各第二方向检测值Ych(j)的各值的一例。图8用三维柱状图表示图7所示的各第一方向检测值 Xch(i)和各第二方向检测值Ych(j)的各值。与图2所示的导体Dl对透射板2的接触区域相互对置的面积最大的是第一检测电极Ex1 E^cn之中的电极Ex5,与该接触区域相互对置的面积第二大的是第一检测电极E&。第二检测电极Ey1 Eym之中与该接触区域相互对置的面积最大的是第二检测电极Ey7,与该接触区域相互对置的面积第二大的是第二检测电极Ey8，与该区域相互对置的面积第三大的是第二检测电极Ey6。图7表示，第一方向检测值)(ch(i)、第二方向检测值Ych (j)的各个值，分别对应于导体Dl对透射板2的接触区域与第一检测电极EXi、第二检测电极Eyj相互对置的面积。另外，图7中)(Ch(2)、Xch (9)、 Ych (3)、Ych (13)表示很小的值，是噪声的影响。〈第一映射值的生成(S102)>接着，用第一方向检测值)(Ch(i)和第二方向检测值Ych (j)，生成多个第一映射值。图14三维地表示第一映射值。具体而言，如下所示生成第一映射值。各第一映射值是将对第一方向检测值)(ch(i)的至少一个进行运算后的第一值、对第二方向检测值Ych(j) 的至少一个进行运算后的第二值进行运算后的值。第一映射值与求该第一映射值所用的第一方向检测值)(Ch(i)的各个值正相关。 即，对于第一映射值，如果求该第一映射值所用的第一方向检测值Xch (i)之中的某个特定的第一方向检测值)(ch(i)以外的值，和求该第一映射值所用的第二方向检测值Ych(j)的值相同，则该特定的第一方向检测值)(ch(i)的值越大，第一映射值的值越大。第一映射值与求该第一映射值所用的第二方向检测值Ych(i)的各个值正相关。即，如果求该第一映射值所用的第一方向检测值Xch (i)，和求该第一映射值所用的第二方向检测值Ych (j)之中的某个特定的第二方向检测值Ych(j)以外的值相同，则该特定的第二方向检测值Ych(j) 的值越大，第一映射值的值越大。生成的第一映射值的个数，通过将多个第一方向检测值)(Ch(i)的任意一个与多个第二方向检测值Ych(j)的任意一个组合，能够自由决定。以下表示生成2nXaii个第一映射值的例子。图9是图2所示输入装置Al的放大平面图。各第一映射值mapl(p，q)对应某个二维坐标，该二维坐标(X1M，YIm)，是图9等所示规定面积的区域的重心坐标。区域的形状可以是任意形状。在本实施方式中，区域Rm具有各第一检测电极Exi的菱形状部分4个的量的面积。第一映射值mapl(p，q)定义为mapl (p, q) = Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q)......(1)Vx (p，q)是第一值，表示为Vx(ρ, q) = Σ Sk · Xch(k)......(2)在这里，&是区域与第一检测电极^^重叠区域的面积(k= 1、2、……、n)。 即第一值Vx (p，q)是将区域与第一检测电极重叠的面积作为权重，对第一方向检测值)Cch(i)进行加法运算而得的值。同样地，Vy(p，q)是第二值，表示为
Vy (p, q) = Σ Tk · Ych(k)...... (3)在这里同样地，是区域^与第二检测电极Eyk重叠区域的面积(k= 1、 2、……、m)。即第二值Vy(p，q)是将区域与第二检测电极Eyk重叠区域的各个面积作为权重，对第二方向检测值Ych(j)进行加法运算而得的值。因此，第一映射值mapl(p，q)可以说是，将区域与第一检测电极重叠区域的各个面积作为权重、对第一方向检测值)Cch(i)进行加法运算而得的值，和将区域与第二检测电极Eyk重叠区域的各个面积作为权重、对第二方向检测值Ych (j)进行加法运算而得的值之和。在本实施方式中，第一映射值mapl (p，q)在(p，q) = (2i，2j)的情况...............(情况 1，参照图 9)(p，q) = (2i+l，2j)的情况............(情况 2，参照图 10)(p，q) = (2i，2j+l)的情况............(情况 3，参照图 11)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情况.........(情况 4，参照图 12)这四种情况(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每种情况下，求得时所用的参数不同。以下进行具体说明。〈情况1>用图9，对情况1进行说明。如同图所示，二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (xi2i, Yi2j)= (XiiYj)……(4-1)Xi是第一检测电极Exi的χ方向的中心位置。同样地，Yj是第二检测电极Eyj的y 方向的中心位置。情况1中(2)式表示为Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch(i-l)+l. 4Xch(i)+0. 3Xch(i+l)......(2-1)就Sg、Sp Si+1而言，令第一检测电极Exi含有的一个菱形电极的面积为1，则S" =0.3，Si = 1.4，Sw = 0.3。另外作为Xch(O)Jch(n+1)等实际不存在的值，可以用适当的值(例如0)。同样地情况1中(3)式表示为Vy (p, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych(j-l)+l. 4Ych(j)+0. 3Ych(j+l)......(3-1)就Τ」+ Τ」、IV1而言，令第二检测电极Eyj含有的菱形电极一个的面积为1，则T^ =0.3，Tj = 1. 4, TJ+1 = 0.3。另外作为Ych(O)、Ych (m+1)等实际不存在的值，可以用适当的值(例如0)。情况1中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。〈情况2>图10是对情况2进行说明的附图。如同图所示，二维坐标(Χ1ρα，Υ1ρα)表示为
(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)……(4-2)乂树是第一检测电极Exi+1的χ方向的中心位置。情况2中(2)式表示为Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(2-2)就31工01而言，令第一检测电极Exi含有的菱形电极一个的面积为1，令51 = 1.0， S =10情况2中(3)式与情况(1)同样地，表示为Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(3-2)情况2中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。〈情况3>图11是对情况3进行说明的附图。如同图所示，二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)……0-3)YJ+1是第二检测电极Eyj的y方向的中心位置。情况3中⑵式与情况1同样地，表示为Vx (p, q) = Vx (2i, 2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i-1) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(2-3)情况3中(3)式表示为Vy (ρ, q) = Vy (2i, 2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j)+l. OYch (j+1)......(3-3)就TpIV1而言，令第二检测电极Eyj含有的菱形电极一个的面积为1，则Tj = 1.0， TJ+1 = 1. 0。情况3中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。〈情况4>
图12是对情况4进行说明的附图。如同图所示，二维坐标(X1M，Y1M)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-4)情况4中⑵式与情况2同样地，表示为Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)
=1. OXch ⑴ +1. OXch (i+Ι)......(2-4)情况4中(3)式与情况3同样地，表示为Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j)+l. OYch (j+1)......(3-4)情况4中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。通过以上情况1 情况4的情况的计算，能够生成多个第一映射值mapl (p, q)。如果考虑i = l、2、……、n，则ρ是2 2n+l的2η个整数。另一方面，如果考虑 j = l、2、……、m，则q是2 2m+l的an个整数。于是，第一映射值mapl (p，q)，能够考虑为2nXaii矩阵Tl的元素。在这里，将矩阵Tl的元素α 定义(参照图13)为α rs = mapl (r+1, s+1)......(5)(r=l、2、......、2n，s = 1、2、......、2m)从式(4-1)、式(4- 、式(4- 、式(4-4)可知，如果多个第一映射值mapl (p，q)的 P值互相相等，则这些第一映射值mapl (P，q)对应的二维坐标XIm的值相同。因此，如果矩阵Tl中行序号相同，则矩阵元素(第一映射值mapl (p，q))对应的二维坐标的XIm的值相同。例如，矩阵Tl的第三行的元素的ρ是4，则根据式、(4-3)式，X1m = )(2。同样地可知，如果多个第一映射值mapl (p，q)的q值互相相等，则这些第一映射值 mapl (p, q)对应的二维坐标YIm的值相同。因此，如果矩阵Tl中列序号相同，则矩阵元素 (第一映射值mapl(p，q))对应的二维坐标的YIm的值相同。例如，矩阵Tl的第二列的元素的 q 是 3，则根据(4-3)式、(4-4)式，Ylpq = (YfY2)/2。根据G-1)式、0-2)式、0-3)式、(4-4)式，ρ值越大，XIm的值越大，而且，q值越大，YIm越大。因此，在矩阵Tl中，随着行序号增加，该行元素(第一映射值mapl (p，q)) 的每个对应的二维坐标XIm的值，单调增加。同样地，在矩阵Tl中，随着列序号增加，该列元素(第一映射值mapl (p，q))的每个对应的二维坐标YIm的值，单调增加。在图14中，将第一映射值mapl (p, q)三维地表示，从而能够视觉地认知第一映射值mapl(p，q)。同图的高度方向对应第一映射值的值。第一映射值map(p，q)之中值较大的，能够用导体Dl接近的第一检测电极Exi和第二检测电极Eyj求得。因此可以说，第一映射值mapl (p，q)之中较大的值对应的二维坐标，接近于导体Dl接近的位置。<导体Dl是否接近的判断(S103) >接着，参照图15，用通过上述过程生成的第一映射值mapl (p，q)，对多个第一检测电极Exi和多个第二检测电极Eyj,对判断导体Dl是否接近的步骤(Sl(XB)进行说明。首先， 在上述处理中求得的第一映射值mapl (p，q)之中，将最大的最大第一映射值mapl (pmax， qmax)提取出(pmax是第一映射值取最大值时的ρ值。同样地，qmax是第一映射值取最大值时的q值)。接着，计算部92，对该最大第一映射值mapl (pmax，qmax)是否比规定的阈值 (参照图14)大进行判断。当最大第一映射值mapl (pmax，qmax)在规定阈值以下时(S103 否)，计算部92判断为导体Dl没有接近(S104)。当判断导体Dl没有接近时，计算部92，将导体Dl没有接近的信号(例如使第一接近坐标(xl,yl)为(0,0)的信号)，输出到IC芯片9的外部(S106)。
〈第一接近坐标(xl,yl)的计算(S105)>另一方面，当最大第一映射值mapKpmax，qmax)比规定阈值大时(S103:是)， 计算部92判断为导体Dl接近。此时，计算部92对第一接近坐标(xl，yl)的值进行计算 (Sl(^)。计算部92可以仅使用多个第一映射值mapl(p，q)之中的一部分，计算第一接近坐标(xl，yl)的值。在本实施方式中，在计算第一接近坐标(xl，yl)的xl时，使用最大第一映射值mapl(pmax，qmax)、与该最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相比行序号相差一个且包含在同一列中的两个相邻的第一映射值mapl(pmax-l，u)、mapl(pmax+l，u)(在这u = 2、 3、……、2m+l)。以下作为一例，对U = qmax的情况，S卩，这两个相邻的第一映射值与最大第一映射值被包含在同一列中的情况进行说明。图16是说明本实施方式的第一接近坐标(xl，yl)的xl值的求法所用的图。同图所示图的横轴，是邻接的第一映射值mapl (pmax-1, qmax)、最大第一映射值mapl (pmax, qmax)和邻接的第一映射值mapl (pmax+1，qmax)各自对应的二维坐标的XIm的值。同图的纵轴，是各第一映射值的值。要求得第一接近坐标的xl值，需要求得通过同图的三个第一映射值的二次曲线。然后，求得该二次曲线的顶点的坐标或轴等，计算xl值。在本实施方式中，为了计算第一接近坐标(xl，yl)中的yl，与计算xl时同样地， 使用最大第一映射值mapl (pmax，qmax)、与该最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相比列序号相差一个的行中所含的两个相邻的第一映射值mapl (v, qmax-1) ,mapl (ν, qmax+1)(在这里v = 2、3、……、2n+l)。这两个相邻的第一映射值，被包含在同一列中。计算yl值的方法，由于与计算xl的方法相同所以省略说明。通过这样的方式，计算部92对多个第一检测电极Exi和多个第二检测电极Eyj,计算表示导体Dl的接近位置的第一接近坐标(xl，yl)。然后，IC芯片9将计算出的第一接近坐标(xl, yl)相关的信号输出到外部(S106)。通过以上流程，能够计算第一接近坐标(xl，yl)。接着对本实施方式的作用效果进行说明。在本实施方式中，如图7所示，如果导体Dl接近第一检测电极Exi,则多个0、3 个)第一方向检测值)(ch(i)比其他第一方向检测值)(Ch(i)大。同样地，如果导体Dl接近第二检测电极Eyj,则多个0、3个)第二方向检测值Ych (j)比其他第二方向检测值Ych (j) 大。通过生成第一映射值mapl (p，q)，能够求得增加了当导体Dl接近第一检测电极Exi时变大的第一方向检测值)(ch (i)，和导体Dl接近第二检测电极Eyj时变大的第二方向检测值 Ych(j)的影响的值。因此，如图14所示，当导体Dl接近第一检测电极EXi、第二检测电极 Eyj时，特定的第一映射值mapl (p，q)的值极端地变大。因此，能够将能设定检测导体Dl是否接近时所用阈值的值的范围增大。其结果是，即使由于噪声影响第一方向检测值)Cch(i) 和第二方向检测值Ych(j)增加，也能够设定更大的阈值，从而使只要导体Dl没有接近，第一映射值mapl(p，q)就不会超过阈值。因此，根据输入装置Al，能够抑制虽然导体Dl未接近但判断为导体Dl接近的误动作。在本实施方式中，用第一映射值mapl (p，q)，计算第一接近坐标(xl，yl)。能够生成第一映射值mapl(p，q)的个数，并不受制于第一检测电极Exi的个数、第二检测电极Eyj 的个数。因此，通过较多地生成第一映射值mapl (p，q)，能够计算更加正确的第一接近坐标 (xl，yl)。
在本实施方式中，为了计算第一接近坐标(xl，yl)，求得图16所示二次曲线的顶点的坐标或轴。通过发明者们可知，这样的计算方法适用于正确地求得第一接近坐标(xl， yl)。接着，对本发明的第二实施方式进行说明。本实施方式，求得第一映射值mapl (p， q)时的参数与第一实施方式不同，其他点与第一实施方式相同。以下进行具体说明。在本实施方式中，区域具有各第一检测电极Exi的菱形状部分4. 5个的量的面积。在本实施方式中，第一映射值mapl (p，q)也在(p，q) = (2i，2j)的情况...............(情况 1)(p，q) = (2i+l，2j)的情况............(情况 2)(p，q) = (2i，2j+l)的情况............(情况 3)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情况.........(情况 4)四种情况(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每种情况下，求得时所用的参数不同。以下进行具体说明。〈情况1>情况1的二维坐标(X1M，Ylpq)可以表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xi2i，Yi2i)= (XiiYi)……(4-5)情况1中(2)式可以表示为Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3375Xch (i_l) +1. 575Xch (i) +0. 3375Xch (i+1)......(2-5)同样地情况1中(3)式表示为Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3375Ych (j-1) +1. 575Ych (j) +0. 3375Ych (j+1)......(3-5)情况1中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。〈情况2>情况2的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)...... (4-6)情况2中(2)式表示为Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 1. 125Xch(i)+l. 125Xch(i+l)......(2-6)情况2中(3)式与情况(1)同样地，可以表示为Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)
= 0. 3375Ych (j_l) +1. 5750Ych (j) +0. 3375Ych (j+1)......(3-6)情况2中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情况 3>情况3的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)...... (4-7)情况3中(2)式与情况1同样地，可以表示为Vx (p, q) = Vx (2i, 2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3375Xch (i_l) +1. 5750Xch (i) +0. 3375Xch (i+1)......0-7)情况3中(3)式表示为Vy (ρ, q) = Vy (2i, 2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. 125Ych (j) +1. 125Ych (j+1)......(3-7)情况3中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情况 4>情况4的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-8)情况4中(2)式与情况2同样地，表示为Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i)+Si+1Xch (i+1)= 1. 125Xch (i) +1. 125Xch (i+1)......0-8)情况4中(3)式与情况3同样地，表示为Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j) +Tj+lYch (j+1)= 1. 125Ych (j) +1. 125Ych (j+1)......(3-8)情况4中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。通过以上情况1 情况4的情况的计算，能够生成多个第一映射值mapl (p, q)。图17三维地表示导体Dl接近时的，用这样的参数生成的第一映射值mapl (p，q)。接着，对本发明的第三实施方式进行说明。在本实施方式中，求得第一映射值 mapl (p, q)时的参数与第一、第二实施方式不同，其他点与第一实施方式相同。以下进行具体说明。在本实施方式中，区域具有各第一检测电极Exi的菱形状部分6. 25个的量的面积。本实施方式中，第一映射值mapl (p，q)也在
(p，q) = Oi，2j)的情况…(p，q) = Oi+l，2j)的情况(p，q) = Oi，2j+l)的情况
(情况1) (情况2) (情况3)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情况.........(情况 4)四种情况的每种情况下，求得时所用的参数不同(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、 m)。以下进行具体说明。〈情况1>情况1的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2i)= (XiiYi)...... (4-9)情况1中(2)式表示为Vx (p, q) = Vx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 5Xch (i_l) +2. 125Xch (i) +0. 5Xch (i+1)......0-9)同样地情况1中(3)式表示为Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 5Ych (j-1) +2. 125Ych (j) +0. 5Ych (j+1)......(3-9)情况1中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情况 2>情况2的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)……(4-10)情况2中(2)式表示为Vx (p, q) = Vx(2i+l,2j)= SiXch (i)+Si+1Xch (i+1)= 1. 5Xch(i)+l. 5Xch(i+l)......(2-10)情况2中(3)式与情况(1)同样地，表示为Vy (p, q) = Vy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 5625Ych (j-1) +2. 125Ych (j) +0. 5625Ych (j+1)......(3-10)情况2中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl(p, q)。< 情况 3>情况3的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i，Yl2J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)...... (4-11)情况3中(2)式与情况1同样地，表示为
Vx (p, q) = Vx(2i,2j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 5625Xch (i_l) +2. 125Xch (i) +0. 5625Xch (i+1)......Q-11)情况3中(3)式表示为Vy (ρ, q) = Vy(2i,2j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych(j+l)= 1. 5Ych(j)+l. 5Ych(j+l)......(3-11)情况3中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p，q)，由(1)式生成第一映射值 mapl (p, q)。< 情况 4>情况4的二维坐标(X1M，Ylpq)表示为(Xlpq, Ylpq) = (Xl2i+1，Y12J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(4-12)情况4中(2)式与情况2同样地，表示为Vx (p, q) = Vx (2i+l, 2 j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +S^lXch (i+1) +Si+2Xch (j+2)= 0. 0625Xch (i_l) +1. 5Xch (i) +1. 5Xch (i+1) +0. 0625Xch (i+2)......
(2-12)情况4中(3)式与情况3同样地，表示为Vy (p, q) = Vy (2i+l, 2 j+1)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +Ti+1Ych (j+1) +TJ+2Ych (j+2)= 0. 0625Ych(j-l)+l. 5Ych(j)+l. 5Ych(j+l)+0. 0625Ych(j+2)......
(3-12)情况4中像这样求得第一值Vx (p，q)和第二值Vy(p，q)，由(1)式生成第一映射
值 mapl (p, q)。通过以上情况1 情况4的情况的计算，能够生成多个第一映射值mapl (p, q)。图18三维地表示导体Dl接近时的，用这样的参数生成的第一映射值mapl (p，q)。接着，对本发明的第四实施方式进行说明。在本实施方式中，第一接近坐标(xl， yl)的求法，与上述方法不同。在本实施方式中，要计算第一接近坐标的xl，用与图15的最大第一映射值mapl(pmaX，qmax)相同列所含的全部第一映射值mapl (v，qmax) (ν = 2、 3、……、2n+l)。将这些多个第一映射值mapl (p，q)的大小作为权重，通过加权平均计算， 能够计算第一接近坐标的xl。同样地，要计算第一接近坐标的yl，用与最大第一映射值mapl (pmax，qmax)相同列所含的全部第一映射值mapl(pmax，u) (u = 2、3、……、2m+l)。将这些多个第一映射值 mapl (p, q)的大小作为权重，通过加权平均计算，能够计算第一接近坐标的yl。接着，对本发明的第五实施方式进行说明。本实施方式中，计算如图19所示的两个导体D1、D2的接近位置。图20是表示本实施方式的处理流程的流程图。如同图所示，本实施方式与第一实施方式的不同点是，不仅计算第一接近坐标(xl，yl)，而且计算作为导体 D2的接近位置的第二接近坐标(x2，y2) (S207 S211)。以下进行具体说明。
首先，直到计算第一接近坐标(xl，yl)为止的步骤(S201 S205)，与图6所示第一实施方式的步骤(S101 S105)相同。〈准备处理(S206)>接着，进行用于计算第二接近坐标(x2，y2)的准备处理(S206)。如上所述，从多个第一检测电极Exi得到的多个第一方向检测值Xch (i)，和从多个第二检测电极得到的多个第二方向检测值Ych(j)被存储在存储部91中。如图21所示，作为准备处理，使从最接近第一接近坐标(xl，yl)的第一检测电极Exi (在图19、图21中是Ex8)得到的第一方向检测值)Cch(i)减少。这是为了在计算第二接近坐标(x2，y2)的基础上，减少由导体Dl 向第一方向检测值)(ch(i)接近导致的影响。同样地，使从与最接近第一接近坐标(xl，yl) 的第一检测电极Exi相邻的第一检测电极Ex"得到的第一方向检测值Xch (i-1)，和从第一检测电极Exi+1得到的第一方向检测值)(Ch(i+l)两个值减小。同样地，作为准备处理，使从最接近第一接近坐标(xl，yl)的第二检测电极 Ey^在图19、图21中是Ey3)得到的第二方向检测值Ych(j)减少。使从与最接近第一接近坐标(xl，yl)的第二检测电极Eyj相邻的第二检测电极Eyf1得到的第二方向检测值 Ych(j-Ι)，和从第二检测电极Eyp1得到的第二方向检测值Ych(j+Ι)两个值减小。例如，使该第一方向检测值和第二方向检测值的值每个都变为二分之一。<第二映射值的生成(S207) >接着，在完成上述准备处理后，用第一方向检测值)(Ch(i)和第二方向检测值 Ych(j)，生成多个第二映射值map2(p，q) (S207)。以下所述的第二映射值map2 (p，q)的求法，除了用完成上述准备处理后的第一方向检测值)(ch(i)和第二方向检测值Ych(j)这一点以外，与第一映射值mapl(p，q)的求法相同。第二映射值map2(p，q)，也是将对第一方向检测值)Cch(i)的至少一个进行运算后的第三值，和对第二方向检测值Ych(j)的至少一个进行运算后的第四值，进行运算后的值。第二映射值与求该第二映射值所用的第一方向检测值)(Ch(i)的各个值正相关。 即，如果求该第二映射值所用的第一方向检测值)Cch(i)之中的某个特定的第一方向检测值)(Ch(i)以外的值，和求该第二映射值所用的第二方向检测值Ych(j)的值相同，则该特定的第一方向检测值)Cch(j)的值越大，第二映射值的值越大。第二映射值与求该第二映射值所用的第二方向检测值Ych (j)的各个值正相关。即，如果求该第二映射值所用的第一方向检测值Xch (i)，和求该第二映射值所用的第二方向检测值Ych (j)之中的某个特定的第二方向检测值Ych(j)以外的值相同，则该特定的第二方向检测值Ych(j)的值越大，第二映射值的值越大。生成的第二映射值的个数，通过将多个第一方向检测值)(Ch(i)的任意一个与多个第二方向检测值Ych(j)的任意一个组合，能够自由决定。以下表示生成2nXaii个第二映射值的例子。第二映射值map2(p，q)的各个对应的二维坐标(X2M，Y2M)，是图22等所示规定面积的区域的重心坐标。区域的形状可以是任意形状。在本实施方式中，区域具有各第一检测电极Exi的菱形状部分4个的量的面积。第二映射值map2(p，q)定义为map2 (ρ, q) = Wx (ρ, q)+ffy(p, q)......(6)fe (p，q)是第三值，表示为
Wx (p, q) = Σ Sk · Xch (k)......(7)在这里，&是区域和第一检测电极权1;重叠区域的面积(k = 1、2、……、η)。 即第三值fe (p，q)是将区域和第一检测电极重叠区域的各个面积作为权重，对第一方向检测值)Cch(i)进行加法运算而得的值。同样地，Wy (p，q)是第四值，表示为Wy (p, q) = Σ Tk · Ych (k)……(8)在这里同样地，是区域1^和第二检测电极Eyk重叠区域的面积(k = 1、 2、……、m)。即第四值Wy(p，q)是将区域和第二检测电极Eyk重叠区域的各个面积作为权重，对第二方向检测值Ych(j)进行加法运算而得的值。因此，第二映射值map2(p，q)可以说是，将区域和第一检测电极重叠区域的各个面积作为权重，对第一方向检测值)Cch(i)进行加法运算而得的值，和将区域和第二检测电极Eyk重叠区域的各个面积作为权重，对第二方向检测值Ych (j)进行加法运算而得的值，之和。在本实施方式中，第二映射值map2 (p，q)在(p，q) = (2i，2j)的情况...............(情况 1，参照图 22)(p，q) = (2i+l，2j)的情况............(情况 2，参照图 23)(p，q) = (2i，2j+l)的情况............(情况 3，参照图 24)(p，q) = (2i+l，2j+l)的情况.........(情况 4，参照图 25)4种情况(i = 1、2、……、n，j = 1、2、……、m)的每种情况下，求得时所用的参数不同。以下进行具体说明。〈情况1>用图22，对情况1进行说明。如同图所示，二维坐标(Χ、,，Y2pq)表示为(X2m，Y2m) = (X22i, Y22J)= (XiiYj)...... (9-1)Xi是第一检测电极Exi的χ方向的中心位置。同样地，Yj是第二检测电极Eyj的y 方向的中心位置。情况1中(7)式表示为Wx (p, q) = ffx(2i,2j)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i_l) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(7-1)就Sg、Sp Si+1而言，令第一检测电极Exi含有的菱形电极一个的面积为1，则S" =0.3，Si = 1.4，Sw = 0.3。另外Rh(O)、Xch (n+1)作为实际不存在的值，可以用适当的值。同样地情况1中⑶式表示为Wy (p, q) =ffy(2i,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(8-1)就IVpI^IV1而言，令第二检测电极含有的菱形电极一个的量的面积为1，则 IV1 = 0. 3，Tj = 1. 4，TJ+1 = 0. 3。另外、Ych (m+1)作为实际不存在的值，可以用适当的值。情况1中像这样求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情况 2>图23是对情况2进行说明的图。如同图所示，二维坐标(Χ、,，Y2pq)表示为(X2m，Y2m) = (X22i+1, Y22J)= ((Xi+Xi+1)/2, Yj)...... (9-2)乂树是第一检测电极Exi+1的χ方向的中心位置。情况2中(7)式表示为Wx (p, q) = ffx(2i+l,2j)= SiXch (i)+Si+1Xch(i+l)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(7-2)就言，令第一检测电极Exi含有的菱形电极一个的量的面积为IjljSi = 1. 0，Si+1= 1. 0。情况2中(8)式与情况1同样地，表示为Wy (p, q) = ffy(2i+l,2j)= IV1Ych (j-1) +TjYch (j) +TJ+1Ych (j+1)= 0. 3Ych (j-1) +1. 4Ych (j) +0. 3Ych (j+1)......(8-2)情况2中像这样求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情况 3>图M是对情况3进行说明的图。如同图所示，二维坐标(Χ、,，Y2pq)表示为(X2m，Y2m) = (X22i, Y22J+1)= (Xi, (Yj+YJ+1)/2)……(9-3)Yi+1是第二检测电极Eyj的y方向的中心位置。情况3中(7)式与情况1同样地，表示为Wx (p, q) = Wx (2i, 2 j+1)= ShXcIi (i_l) +SiXch (i) +Si+1Xch (i+1)= 0. 3Xch (i-1) +1. 4Xch (i) +0. 3Xch (i+1)......(7-3)情况3中(8)式表示为Wy (ρ, q) = Wy (2i, 2 j+1)= TjYch (j) +IV1Ych (j+1)= 1. OYch (j) +1. OYch (j+1)......(8-3)就TpIV1而言，令第二检测电极Eyj含有的菱形电极一个的面积为1，则Tj = 1.0， TJ+1 = 1. 0。情况3中像这样求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。< 情况 4>图25是对情况4进行说明的图。如同图所示，二维坐标(X2m，Y2m)表示为
(X2m，Y2m) = (X22i+1，Y22J+1)= ((Xi+Xi+1) /2，(Yj+YJ+1) /2)……(9-4)情况4中(7)式与情况2同样地，表示为Wx (p, q) = Wx (2i+l, 2 j+1)= SiXch (i)+Si+1Xch(i+l)= 1. OXch (i) +1. OXch (i+1)......(7-4)情况4中(8)式与情况3同样地，表示为Wy (p, q) = Wy (2i+l, 2 j+1)= TjYch (j)+TJ+1Ych (j+1)= 1. OYch (j) +1. OYch (j+1)......(8-4)情况4中像这样求得第三值Wx (p，q)和第四值Wy(p，q)，由(6)式生成第二映射值 map2 (ρ, q)。通过以上情况1 情况4的情况的计算，能够生成多个第二映射值map2 (ρ, q)。如果考虑i = l、2、……、n，则ρ是2 2n+l的2η个整数。另一方面，如果考虑 j = l、2、……、m，则q是2 2m+l的an个整数。于是，第二映射值map2 (p，q)，能够考虑为是2nXaii矩阵T2的元素。在这里，将矩阵T2的元素β 定义(参照图26)为β rs = map2 (r+1，s+1)......(10)(r=l、2、......、2n，s = 1、2、......、2m)从式(9-1)、式(9-2)、式(9-3)、式(9-4)可知，如果多个第二映射值map2 (p，q) 的P值相等，则这些第二映射值map2 (P，q)对应的二维坐标X2M的值相同。因此，如果矩阵 T2中行序号相同，则矩阵元素(第二映射值map2(p，q))对应的二维坐标的X2M的值相同。 例如，矩阵T2的第三行的元素的ρ是4，则根据(9-1)式、(9-3)式，X2pq = X20同样地可知，如果多个第二映射值map2 (p，q)的q值相等，则这些第二映射值 map2(p, q)对应的二维坐标Y2M的值相同。因此，如果矩阵T2中列序号相同，则矩阵元素 (第二映射值map2(p，q))对应的二维坐标的Y2M的值相同。例如，矩阵T2的第二列的元素的 q 是 3，则根据(9-3)式、(9-4)式，Y2pq = (YfY2)/2。根据(9-1)式、(9-2)式、(9-3)式、(9-4)式，ρ值越大，X2pq越大，而且，q值越大， Y2M越大。因此，在矩阵T2中，随着行序号增加，该行元素(第二映射值map2(p，q))的对应的二维坐标X2M的值，单调增加。同样地，在矩阵T2中，随着列序号增加，该列元素(第二映射值map2(p，q))的对应的二维坐标Y2M的值，单调增加。<导体D2是否接近的判断(S208) >接着，参照图27，使用通过上述过程生成的第二映射值map2 (p，q)，对判断导体D2 是否接近多个第一检测电极Exi和多个第二检测电极Eyj的步骤(S208)进行说明。首先， 在上述处理中求得的第二映射值map2 (p，q)之中，将最大的最大第二映射值map2 (pmax， qmax)提取出(pmax在本实施方式中是第二映射值取最大值时的ρ值。同样地，qmax是本实施方式中第二映射值取最大值时的q值)。接着，计算部92，对该最大第二映射值 map2 (pmax, qmax)是否比规定阈值大进行判断。当最大第二映射值map2 (pmax, qmax)在规定阈值以下时(S208:否)，计算部92判断为导体D2没有接近(S209)。当判断为导体D2没有接近时，计算部92将导体D2没有接近的信号(例如使第二接近坐标(x2，y2)为(0，0)的信号)，和已经计算出的第一接近坐标(xl，yl)，输出到IC芯片9的外部(S211)。<第二接近坐标(x2, y2)的计算(S210) >另一方面，当最大第二映射值map2(pmaX，qmaX)比规定阈值大时(S208 是)，计算部92判断为导体D2接近。此时，计算部92计算第二接近坐标(x2，y2)的值(S210)。在本实施方式中，要计算第二接近坐标(x2，y2)的x2，用最大第二映射值map2(pmaX，qmaX)、 与该最大第二映射值map2(pmaX，qmax)相比行序号相差一个且包含在同一列中的两个相
邻的第二映射值 map2(pmax-l，u)、map2(pmax+l，U)(在这里 u = 2、3、......、2m+l)。以下
作为一例，对u = qmax的情况，即，这两个相邻的第二映射值与最大第二映射值被包含在同一列中的情况进行说明。图观是说明本实施方式的第二接近坐标(x2，y2)的x2值的求法所用的图。同图所示图的横轴，是相邻的第二映射值map2 (pmax-1, qmax)、最大第二映射值map2 (pmax, qmax)和相邻的第二映射值map2 (pmax+1, qmax)各自对应的二维坐标的X2M的值。同图的纵轴，是各第二映射值的值。要求得第一接近坐标的x2值，需要求得通过同图的三个第二映射值的二次曲线。然后，求得该二次曲线的顶点的坐标或轴等，计算x2的值。在本实施方式中，要计算第二接近坐标(x2，y2)的y2，与计算x2时同样地，需要用最大第二映射值map2(pmax，qmax)、与该最大第二映射值map2 (pmax，qmax)相比列序号相差一个的行中所含的两个相邻的第二映射值map2 (ν, qmax-1)、map2 (ν, qmax+1)(在这里 ν = 2,3,……、2n+l)。这两个相邻的第二映射值，包含在同一列中。计算y2值的方法，由于与计算x2的方法相同所以省略说明。通过这样的方式，计算部92计算表示导体D2接近多个第一检测电极Exi和多个第二检测电极Eyj的接近位置的第二接近坐标(x2，y2)。然后，IC芯片9将与计算出的第二接近坐标(x2，y2)，和已经计算出的第一接近坐标(xl,yl)相关的信号，输出到外部(S211)。通过以上流程，能够计算第一接近坐标(xl，yl)和第二接近坐标(x2，y2)。接着对本实施方式的作用效果进行说明。在本实施方式中，也与第一实施方式同样地，能够抑制虽然导体D2未接近但判断为导体D2接近的误动作。在本实施方式中，用第二映射值map2 (p，q)，计算第二接近坐标(x2，y2)。能够生成第二映射值map2(p，q)的个数，并不受限于第一检测电极的个数、第二检测电极Eyj 的个数。因此，通过较多地生成第二映射值map2 (p，q)，能够计算更加正确的第二接近坐标 (x2, y2)。在本实施方式中，为了计算第二接近坐标(x2，y2)，求得图观所示二次曲线的顶点的坐标或轴。通过发明者们可知，这样的计算方法适用于正确地求得第二接近坐标(x2， y2)0接着，对本发明的第六实施方式进行说明。本实施方式，与第一实施方式的不同点是，第一映射值mapl(p，q)，是将第一值Vx(p，q)和第二值Vy(p，q)之和进行乘方运算而得的值。S卩，将本实施方式中第一映射值mapl (p，q)定义为map l(p, q) = (Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q))v...... (1)，
(ν = 2、3、4......)第一值Vx (p，q)和第二值Vy (p, q)的求法，步骤S103 S106，与第一实施方式相同，所以省略说明。根据本实施方式，即使在图29、图30所示导体Dl对于透射板2的接触面积比第一实施方式的接触面积小的情况下，也能够正确地计算导体Dl的接近位置。导体Dl对于透射板2的接触面积小的情况，例如发生在导体Dl的大小较小的情况(导体Dl是儿童的手指的情况，参照图四、图30)，和作为导体Dl的手指没有充分按压透射板2的情况。根据本实施方式，即使在由于噪声影响，多个第一方向检测值)Cch(i)经常显示很小的值的情况， 和多个第二方向检测值Ych (j)经常显示很小的值的情况下，也能够正确地计算导体Dl的接近位置。其理由如下。为了在导体Dl对于透射板2的接触面积较小时正确地计算导体Dl的接近位置， 期望使导体Dl接近第一检测电极Exi和第二检测电极时变大的第一映射值mapl (ρ, q)，对用起因于噪声的第一方向检测值)(ch(i)、第二方向检测值Ych(j)求得的第一映射值 mapl (p, q)的比值Ra较大。在由于噪声影响，多个第一方向检测值)Cch(i)经常显示很小的值的情况，和多个第二方向检测值Ych(j)经常显示很小的值的情况下，为了正确地计算导体Dl的接近位置，也期望比值Ra较大。这是因为，如果比值Ra较大，则即使在导体Dl对于透射板2的接触面积较小的情况下，也能够更加可靠地判断为导体Dl接近，而且，能够设置即使由于噪声影响也不容易误判导体Dl的接近的阈值。在本实施方式中，因为指数ν大于1，所以与V= 1的情况相比，比值Ra较大。这可以通过参照图31 图33来理解。图31用三维的棒状图表示如图30所示导体Dl接近透射板2时的，各第一方向检测值)(ch(i)和第二方向检测值Ych(j)的各值。第一检测电极Ex1 E^cn之中，与图30所示导体Dl对于透射板2的接触区域的大部分相对置的是，第一检测电极Ex4。因此，在图31中第一方向检测值)(Ch(4)显示比其他第一方向检测值)(ch(i)大的值。由于导体Dl对于透射板2的接触面积比第一实施方式的接触面积小，所以与第一检测电极相对置的面积也较小。因此，第一方向检测值Xch (4) 的值比第一实施方式的值小。第一检测电极 E^cn之中电极Ex3，与图30所示导体Dl对于透射板2的接触区域较小地相对置，因此，在图31中，第一方向检测值khCB)显示很小的值。在本实施方式中，对由于噪声的影响，多个第一方向检测值)(ch(i)经常显示很小的值的情况进行阐述。在图31中，由于噪声的影响，XCh(l)、)(Ch(6)、XCh(9)显示很小的值。第二检测电极Ey1 Eym之中，与图30所示导体Dl对于透射板2的接触区域的相对置的，只有第二检测电极Eyltl。因此，在图31中，第二方向检测值Ych(IO)显示比其他第二方向检测值Ych (j)大的值。由于导体Dl对于透射板2的接触面积比第一实施方式的接触面积小，所以与第二检测电极Eyltl相对置的面积也较小。因此，第二方向检测值Ych(IO)的值比第一实施方式的值小。在本实施方式中，对由于噪声影响，多个第二方向检测值Ych(j) 经常显示很小的值的情况进行阐述。在图31中，由于噪声影响，Ych(3)、Ych(6)显示很小的值。图32三维地表示用图31中所示的第一方向检测值)Cch(i)和第二方向检测值 Ych(j)，在(1)’式中令ν = 1的情况下，即用第一实施方式所述的方法求得的情况下的，第一映射值mapl(p，q)。图33三维地表示用图31中所示的第一方向检测值)Cch (i)和第二方向检测值Ych (j)，在⑴’式中令ν = 3的情况下的第一映射值mapl(p，q)。如图32所示，由于导体Dl对于透射板2的接触面积较小，所以同图中表示峰值的第一映射值mapl(p，q)(例如mapl(8，20))，比其他第一映射值mapl(p，q)稍大。用起因于噪声的第一方向检测值)(ch(i)(例如kh(6))、第二方向检测值Ych(j)(例如Ych(6))求得的第一映射值mapl(p，q)(用图32中的Ra表示一例)，显示较大的值。因此，图32所示情况，比值Ra的值较小。另一方面，在图33中，与图32所示情况相比，表示峰值的第一映射值mapl (p，q) (例如mapl (8,20)),比其他第一映射值mapl (p，q)极端地大。在图33中，用起因于噪声的第一方向检测值Xch (i)(例如Xch (6))和第二方向检测值Ych (j)(例如Ych (6))求得的第一映射值mapl(p，q)(用图33中的Ra表示一例)，变得较小。因此，图33所示情况，比值 Ra的值较大。如上所述可知，在本实施方式中，与ν = 1的情况相比，比值Ra变大。因此，根据本实施方式，即使在导体Dl对于透射板2的接触面积比第一实施方式的面积小的情况下，也能够正确地计算导体Dl的接近位置。根据本实施方式，即使在由于噪声影响，多个第一方向检测值)(ch(i)经常显示很小的值的情况，和多个第二方向检测值 Ych (j)经常显示很小的值的情况下，也能够正确地计算导体Dl的接近位置。另外，与本实施方式同样地，在第四实施方式中，可以将第一映射值mapl(p，q)定义为mapl (p，q) = (Vx (ρ, q) +Vy (ρ, q))v...... (1)，(ν = 2>3>4......)，进行计算。进而，也可以将第二映射值map2 (ρ, q)定义为
map2 (ρ，q) = (Wx (ρ, q)+ffy(p, q))w...... (6)，(w = 2,3,4......)，进行计算。另外，也可以令ν = w，进行计算。根据这样的结构，如上所述，也能够分别正确地计算导体Dl、D2的接近位置。本发明的范围并不限定于上述实施方式。本发明的各部分的具体结构，能够自由地进行各种设计改变。例如，对于第一映射值，虽然表示了第一映射值是第一值和第二值之和的例子，但是也可以通过将使第一值和第二值相乘的第一映射值与规定阈值作比较，来判断导体是否接近。在上述实施方式中，第一检测电极和第二检测电极形成在不同基板上，但也可以使该第一检测电极和第二检测电极形成在单一基板上。本发明相关的输入装置，并不限定为便携式电话机所用的输入装置。例如，在数码照相机、个人导航设备、自动存取款机等使用触摸板的机器中，能够利用本发明的输入装置。也可以在生成第一映射值mapl (p，q)的步骤(S102)和判断导体Dl是否接近的步骤(S103)之间，进行使由于噪声影响而显示很小的值的第一映射值mapl(p，q)为0的计算。这样的计算，例如通过使某值以下的第一映射值mapl (p，q)为0来进行。
权利要求
1.一种静电电容式输入装置，其特征在于，包括多个第一检测电极，其沿第一方向排列且各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第二检测电极，其沿所述第二方向排列且各自在所述第一方向上延伸； 存储部，其随着第一导体和各第一检测电极之间的静电电容的变化将通过各第一检测电极得到的值分别作为第一方向检测值存储，并且，随着所述第一导体和各第二检测电极之间的静电电容的变化将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值存储；和计算部，其中所述计算部执行生成多个对第一值和第二值进行运算而得到的第一映射值的处理，其中，第一值是对所述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第二值是对所述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用所述多个第一映射值，对所述第一导体是否接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极进行判断的处理。
2.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述多个第一映射值，包括所述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值， 所述计算部，在判断所述第一导体是否接近的处理中，对所述最大第一映射值和规定的阈值进行比较。
3.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述多个第一值的任意一个，是将所述各第一检测电极与规定区域的重叠区域的面积作为权重，对所述多个第一方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值，所述多个第二值的任意一个，是将所述各第二检测电极与所述规定区域的重叠区域的面积作为权重，对所述多个第二方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值。
4.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述各第一映射值，是所述多个第一值的任意一个与所述多个第二值的任意一个之和。
5.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述各第一映射值，是对所述多个第一值的任意一个与所述多个第二值的任意一个之和进行乘方运算而得的值。
6.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述各第一映射值，与包括一组所述第一方向的一个坐标值和所述第二方向的一个坐标值的二维坐标对应，所述计算部，使用所述多个第一映射值，执行计算第一接近位置的处理， 所述第一接近位置，是所述第一导体在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极的位置。
7.如权利要求6所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述计算部，在计算所述第一接近位置的处理中，仅使用所述多个第一映射值之中的一部分来计算所述第一接近位置。
8.如权利要求7所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述各第一映射值，是第一矩阵的多个元素的任意一个，在所述第一矩阵中，行元素分别对应所述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应所述第二方向的一个坐标值，在所述第一矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的所述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的所述第二方向的坐标值单调变化，所述多个第一映射值包括所述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值；和与该最大第一映射值相比行序号相差一个且列序号相同的两个相邻的第一映射值，所述计算部在计算所述第一接近位置的处理中，使用所述最大第一映射值和所述两个相邻的第一映射值，计算所述第一接近位置。
9.如权利要求1所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述多个第一检测电极，包括所述多个第一检测电极之中最接近所述第一接近位置的第一接近检测电极，所述多个第二检测电极，包括所述多个第二检测电极之中最接近所述第一接近位置的第二接近检测电极，所述计算部执行准备处理，在所述准备处理中，将所述存储部中的、所述多个第一方向检测值之中与所述第一接近检测电极对应的值变换小，并且，将所述存储部中的、所述多个第二方向检测值之中与所述第二接近检测电极对应的值变换小。
10.如权利要求9所述的静电电容式输入装置，其特征在于 所述计算部执行下述处理在所述准备处理被进行之后，生成多个对第三值和第四值进行运算而得到的第二映射值的处理，其中，第三值是对所述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第四值是对所述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用所述多个第二映射值，对所述第二导体是否接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极进行判断的处理。
11.如权利要求10所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述各第二映射值，与包括一组所述第一方向的一个坐标值和所述第二方向的坐标值的二维坐标对应，所述计算部，使用所述多个第二映射值，执行计算第二接近位置的处理， 所述第二接近位置，是与所述第一导体不同的第二导体在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极的位置。
12.如权利要求11所述的静电电容式输入装置，其特征在于所述计算部在计算所述第二接近位置的处理中，仅使用所述多个第二映射值之中的一部分来计算所述第二接近位置。
13.如权利要求12所述的静电电容式输入装置，其特征在于 所述各第二映射值，是第二矩阵的多个元素的任意一个，在所述第二矩阵中，行元素分别对应所述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应所述第二方向的一个坐标值，在所述第二矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的所述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的所述第二方向的坐标值单调变化，所述多个第二映射值包括所述多个第二映射值之中最大的最大第二映射值；和与该最大第二映射值相比列序号相差一个且行序号相同的两个相邻的第二映射值，所述计算部在计算所述第二接近位置的处理中，使用所述最大第二映射值和所述两个相邻的第二映射值，计算所述第二接近位置。
14.一种计算方法，其特征在于，包括使用一种静电电容式输入装置，该静电电容式输入装置具备沿第一方向排列且各自在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的多个第一检测电极，和沿所述第二方向排列且各自在所述第一方向上延伸的多个第二检测电极，随着第一导体和各第一检测电极的静电电容变化将通过各第一检测电极得到的值分别作为第一方向检测值存储在存储部的步骤，随着所述第一导体和各所述第二检测电极的静电电容变化将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值存储在所述存储部的步骤，生成多个对第一值和第二值进行运算而得到的第一映射值的步骤，其中，第一值是对所述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第二值是对所述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，和使用所述多个第一映射值，对所述第一导体是否接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极进行判断的步骤。
15.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述多个第一映射值，包括所述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值， 在所述进行判断的步骤中，对所述最大第一映射值和规定的阈值进行比较。
16.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述多个第一值的任意一个，是将所述各第一检测电极与规定区域的重叠区域的面积作为权重，对所述多个第一方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值，所述多个第二值，是将所述各第二检测电极与所述规定区域的重叠区域的面积作为权重，对所述多个第二方向检测值的至少一个进行加法运算而得的值。
17.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述各第一映射值，是所述多个第一值的任意一个与所述多个第二值的任意一个之和。
18.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述各第一映射值，是对所述多个第一值的任意一个与所述多个第二值的任意一个之和进行乘方运算而得的值。
19.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述各第一映射值，与包括一组所述第一方向的一个坐标值和所述第二方向的一个坐标值的二维坐标对应，还具有使用所述多个第一映射值计算第一接近位置的步骤，所述第一接近位置，是所述第一导体在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极的位置。
20.如权利要求19所述的计算方法，其特征在于在计算所述第一接近位置的步骤中，仅使用所述多个第一映射值之中的一部分来计算所述第一接近位置。
21.如权利要求20所述的计算方法，其特征在于 所述各第一映射值，是第一矩阵的多个元素的任意一个，在所述第一矩阵中，行元素分别对应所述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应所述第二方向的一个坐标值，在所述第一矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的所述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的所述第二方向的坐标值单调变化，所述多个第一映射值包括所述多个第一映射值之中最大的最大第一映射值；和与该最大第一映射值相比行序号相差一个且列序号相同的两个相邻的第一映射值，在计算所述第一接近位置的步骤中，使用所述最大第一映射值和所述两个相邻的第一映射值，计算所述第一接近位置。
22.如权利要求14所述的计算方法，其特征在于所述多个第一检测电极，包括所述多个第一检测电极之中最接近所述第一接近位置的第一接近检测电极，所述多个第二检测电极，包括所述多个第二检测电极之中最接近所述第一接近位置的第二接近检测电极，还具有准备步骤，该准备步骤是，将所述存储部中的、所述多个第一方向检测值之中与所述第一接近检测电极对应的值变换小，并且，将所述存储部中的、所述多个第二方向检测值之中与所述第二接近检测电极对应的值变换小的步骤。
23.如权利要求22所述的计算方法，其特征在于，还具有在所述准备步骤之后，生成多个对第三值和第四值进行运算而得到的第二映射值的步骤，其中，第三值是对所述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第四值是对所述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用所述多个第二映射值，对所述第二导体是否接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极进行判断的步骤。
24.如权利要求23所述的计算方法，其特征在于所述各第二映射值，与包括一组所述第一方向的一个坐标值和所述第二方向的坐标值的二维坐标对应，还具有使用所述多个第二映射值计算第二接近位置的步骤，所述第二接近位置，是所述第二导体在所述第一方向和所述第二方向上接近所述多个第一检测电极和所述多个第二检测电极的位置。
25.如权利要求M所述的计算方法，其特征在于在计算所述第二接近位置的步骤中，仅使用所述多个第二映射值之中的一部分来计算所述第二接近位置。
26.如权利要求25所述的计算方法，其特征在于 所述各第二映射值，是第二矩阵的多个元素的任意一个，在所述第二矩阵中，行元素分别对应所述第一方向的一个坐标值，且列元素分别对应所述第二方向的一个坐标值，在所述第二矩阵中，随着行序号增加，与该行元素对应的所述第一方向的坐标值单调变化，并且，随着列序号增加，与该列元素对应的所述第二方向的坐标值单调变化，所述多个第二映射值包括所述多个第二映射值之中最大的最大第二映射值；和与该最大第二映射值相比列序号相差一个且行序号相同的两个相邻的第二映射值，在计算所述第二接近位置的步骤中，使用所述最大第二映射值和所述两个相邻的第二映射值来计算所述第二接近位置。
全文摘要
本发明提供一种静电电容式输入装置和用于计算导体接近位置的计算方法。该静电电容式输入装置包括多个第一检测电极，其沿第一方向排列且各自在与上述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第二检测电极，其沿上述第二方向排列且各自在上述第一方向上延伸；存储部，其随着第一导体和各第一检测电极之间的静电电容的变化将通过各第一检测电极得到的值分别作为第一方向检测值存储，并且，随着上述第一导体和各第二检测电极之间的静电电容的变化将通过各第二检测电极得到的值分别作为第二方向检测值存储；和计算部。上述计算部执行生成多个对第一值和第二值进行运算而得到的第一映射值的处理，其中，第一值是对上述多个第一方向检测值的至少一个进行运算而得到的值，第二值是对上述多个第二方向检测值的至少一个进行运算而得到的值；和使用上述多个第一映射值，对上述第一导体是否接近上述多个第一检测电极和上述多个第二检测电极进行判断的处理。
文档编号G06F3/044GK102163111SQ20111004390
公开日2011年8月24日 申请日期2011年2月18日 优先权日2010年2月19日
发明者大槻佳之, 笠嶋康史 申请人:罗姆股份有限公司