专利名称：计算的过程控制的制作方法
技术领域：
本发明的技术领域整体上涉及光刻过程和光刻设备，尤其涉及光刻设备和过程的性能稳定性控制。
背景技术：
可以将光刻设备用在例如集成电路(IC)的制造中。在这种情形中，掩模可以包含对应于IC的单个层的电路图案，这一图案可以被成像到已经涂覆了辐射敏感材料(抗蚀齐IJ)层的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或更多的管芯)上。通常，单个晶片将包含被经由投影系统连续地(一次一个地)辐射的相邻目标部分的整个网络。在一种类型的光刻投影设备中，每一目标部分通过一次将整个掩模图案曝光到目标部分上而被辐射；这样的设备通常称作为晶片步进机。在一种可替代的设备(通常称为步进扫描设备)中，通过投影束沿给定的参考方向(“扫描”方向)渐进地扫描掩模图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描衬底台，来辐射每一目标部分。因为通常投影系统的放大率因子为M(通常< I)，衬底台被扫描的速度V将是掩模台被扫描的速度的M倍。在使用光刻投影设备的制造过程中，掩模图案被成像到至少部分地被辐射敏感材料(抗蚀剂)层覆盖的衬底上。在这一成像步骤之前，衬底可能经历各种工序，诸如涂底、抗蚀剂涂敷以及软焙烤。在曝光后，衬底可以经历其它的工序，例如曝光后焙烤(PEB)、显影、硬焙烤以及对所成像的特征的测量/检验。这一系列的工序被用作为使器件(例如IC)的单个层形成图案的基础。这样的图案化的层之后可能经历各种过程，诸如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有的这些工序都是用于最终完成单个层。如果需要多个层，那么整个工序或其变形将不得不对于每一新层重复采用。最终，一系列器件将设置在衬底(晶片)上。之后通过诸如切片或切分等技术，将这些器件彼此分开，据此独立的器件可以安装在载体上，连接至引脚等。为了简便起见，投影系统在本申请中可以被称为“透镜”，然而这一术语应当广义地解释成包括各种类型的投影系统，例如包括折射式光学装置、反射式光学装置以及折射反射式系统。辐射系统还可以包括根据用于引导、成形或控制投影辐射束的这些设计类型中的任一种进行操作的部件，这样的部件还可以在下文中被统称或单独称为“透镜”。另外，光刻设备可以是具有两个或更多的衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这样的“多台”装置中，可以并行地使用额外的台，或可以在一个或更多的台上执行预备步骤的同时，将一个或更多的其它台用于曝光。参考上文的光刻掩模包括对应于将被集成到硅晶片上的电路部件的几何图案。用于产生这样的掩模的图案通过使用CAD (计算机辅助设计)程序来形成，这一过程通常被称为EDA(电子设计自动化)。大多数CAD程序遵循一组预定的设计规则，以便形成功能化掩模。这些规则通过处理和设计限制来设定。例如，设计规则限定了电路器件(诸如栅极、电容器等)之间或互连线之间的间隔公差，以便确保电路器件或线不会以不期望的方式相互作用。设计规则限制典型地被称为“临界尺寸”(CD)。电路的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度或两个线或两个孔之间的最小间隔。因此，CD确定了设计电路的整体尺寸和密度。当然，集成电路制造中的一个目标是在晶片上(经由掩模)忠实地复现原始电路设计。注意到，微光刻术是半导体集成电路的制造中的核心步骤，其中在半导体晶片衬底上形成的图案限定了半导体器件(诸如微处理器、储存芯片等)的功能元件。类似的光刻技术也用于形成平板显示器、微机电系统(MEMS)以及其它器件。随着半导体制造工艺不断发展，电路元件的尺寸被不断地降低，同时每一器件的功能元件(诸如晶体管)的数量在数十年来一直遵循通常称为“摩尔定律”的趋势而稳步地增长。在现在的技术条件下，通过使用被称为扫描器的光学光刻投影系统来制造前沿器件的关键层，该扫描器使用来自深紫外激光光源的照射将掩模图像投影到衬底上，从而产生具有充分地低于IOOnm的尺寸的独立的电路特征，即该电路特征的尺寸小于投影光波长的一半。
印刷具有小于光学投影系统的经典分辨率限制的尺寸的特征的过程，通常被称为低h光刻术，其基于分辨率公式CD = Ic1X X /NA，其中\是采用的辐射波长(当前在大多数情形中是248nm或193nm) ,NA是投影光学装置的数值孔径，⑶是“临界尺寸”(通常是印刷的最小特征尺寸)，以及h是经验分辨率因子。通常，k:越小，在晶片上复现如同由电路设计者为获得特定的电功能和性能而设计的形状和尺寸的图案，变得越困难。为了克服这些困难，复杂的精细调节步骤被应用于投影系统以及掩模设计。这些例如包括但不限于NA和光学相干性设定的优化、定制的照射方案、相移掩模的使用、在掩模布局上的光刻邻近效应校正或通常被定义成“分辨率增强技术(RET) ”的其它方法。作为RET的一个重要的例子，光学邻近效应校正(OPC)解决了晶片上所印刷的特征的最终尺寸和定位不仅仅是掩模上的对应特征的尺寸和定位的函数的问题。注意到，术语“掩模”和“掩模版”在此处是可以相互通用的。对于在典型的电路设计上出现的小的特征尺寸和高的特征密度，给定特征的特定边缘的位置在一定程度上将受其它邻近特征的存在或不存在的影响。这些邻近效应由于光从一个特征耦合至另一特征的微小量的光而产生。类似地，邻近效应可以由在通常在光刻曝光之后的曝光后焙烤(PEB)、抗蚀剂显影和蚀刻期间的扩散和其它化学效应产生。为了确保特征根据给定的目标电路设计的需要在半导体衬底上产生，可能需要使用复杂的数值模型来预测邻近效应，和需要在成功地制造高端器件之前将校正或预变形施加至掩模设计。在典型的高端设计中，几乎每一特征边缘都需要一些修改，用以实现足够接近目标设计的所印刷的图案。这些修改可以包括边缘位置或线宽的位移或偏置以及“辅助”特征的应用，所述“辅助”特征不是要印刷它们自己，但是将影响相关的主要特征的性质。虽然OPC已经集成到计算的光刻术领域中，但是基于晶片量测的过程控制已经用于车间产品领域中。为了优化整个显影循环次数和制造方案，计算的光刻工作者和车间产品制造者已经协作工作以优化目标设计、光刻过程和光刻设备参数。从历史上来看，芯片制造者已经相互独立地优化了多个制造步骤。然而，在朝向32nm技术节点和更小的技术节点进发时，独立的优化不再是足够的。所需要的是全盘的光刻术方法，其智能地集成了计算光刻术、基于晶片量测的光刻术以及过程控制。
发明内容
本发明提供了在计算的过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环期间提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方法。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近于预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过比较所测量的时间漂移与基准线性能模型来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和监控和控制此外在时间上的重叠和/或⑶均匀性(⑶U)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。CPC可以被针对于特定的客户要求、特定的技术节点和/或特定应用修改。本发明的额外的方面用于补偿非扫描器的效应，诸如抗蚀剂过程漂移表征。本发明的还一方面能够使用从过程识别标志(signature)图案(PSP)收集的晶片量测数据实现扫描器的匹配。
在参考附图和具体实施方式
时本领域技术人员将明白本发明的这些和其它的方面，包括对应于上述的方法的系统和计算机程序产品。
在接合附图阅读本发明的特定实施例的下述描述时，本领域普通技术人员将明白本发明的上文的和其它的方面和特征，其中图I是根据本发明的示例性实施方式的光刻系统的各子系统的方块图；图2是对应于图I中的子系统的模拟模型的方块图；图3是示出根据本发明的实施例的光刻设备/过程稳定性控制方法的一些关键特征的流程图；图4显示根据本发明的实施例的初始设置流程的例子；图5显示根据本发明的实施例的性能监控流程的例子；图6是示例性的计算机系统的方块图，其中可以实施本发明的实施例；和图7是可以应用本发明的实施例的光刻投影设备的示意图。
具体实施例方式现在将参考附图对本发明进行详细描述，附图被提供用作本发明的说明性示例，以使得本领域的技术人员能够实施本发明。注意到，下文的图和示例不是要将本发明的范围限制于单个实施例，而是可以通过相互交换描述的或示出的元件中的一些或全部的方式来实现其它的实施例。此外，在本发明的特定元件可以通过使用已知的部件部分地或完全地实现时，仅在对于理解本发明来说所必要的这些已知部件中的这些部分才会被描述，这样的已知部件中的其它部分的详细描述将被省略，以便不混淆本发明。如本领域技术人员所清楚的，除非在此处有另外的说明，如描述的在软件中执行的实施例应当不限于此，而是可以包括在硬件中实现的实施例、或软件和硬件的组合中实现的实施例，反之亦然。在本发明的说明书中，除非另有具体说明，显示单个部件的实施例不应当认为是限制性的，相反，本发明是要包括包含多个相同部件的其它实施例，反之亦然。另外，同样地，除非被明确地阐述之外，申请人不意图使说明书或权利要求中的任何术语被指定成罕见的或特定的意思。另外，本发明包括示出的参考此处的已知部件的现在的和未来的已知等同物。整体上，半导体工业受“缩小制造更小的芯片特征的能力驱使，其通常导致器件性能增加和制造成本减小。然而，随着芯片特征的变小，制造者必须工作所处的公差或“过程窗口”也变小。过程窗口越小，制造适合地工作的芯片越难。越小的过程窗口通常对诸如重叠和临界尺寸均匀性(CDU)的参数施加极其严厉的要求。为了解决通过光刻术的芯片制造性需要，对控制光刻设备的增加的能力是关键的。注意到，尽管存在不同类型的光刻设备，包括但不限于扫描光刻设备，但是，术语“扫描器”已经在本申请中被频繁使用以表示用于执行光刻过程的任何光刻设备。此外，光刻设备可以不是物理设备，而是物理设备的模拟模型。扫描器稳定性控制系统和方法给制造者提供了对它们的扫描器的聚焦和重叠(即层至层对准)的均匀性更大的控制。这导致了对于给定的特征尺寸和芯片应用的优化的和稳定的过程窗口，从而使得不断缩小和产生更加先进的芯片。注意到，扫描器稳定性控制方法与其他控制因素(诸如可编程照射光瞳控制、投影光学装置(透镜)控制等)一起 工作。在首次安装/使用光刻系统时，其被校准以确保优化的操作。然而，系统性能参数将随时间漂移。小量的漂移是可以容忍的，但是超过一定阈值的漂移可能存在光刻过程和/或设备超出规范的风险。因此制造者可能需要周期性地停止生产，用于重新校准。更频繁地校准系统给出更大的过程窗口，但是通常意味着更多的被计划的停机时间。扫描器稳定性控制选择极大地减小了这些生产中断。除中断之外，扫描器稳定性控制系统自动地周期性地重设光刻设备/过程至预定的参考性能(通常称为“基准线”)。重设的周期可以由使用者控制。示例是每一天重设、在操作的任意小时之后重设、在一定数量的过程运行次数之后重设等。为了进行重设，扫描器稳定性控制系统使用量测工具重新获取在晶片上进行的标准测量。晶片可以是测试晶片或监控晶片。使用包括特定散射仪标记的特定测试掩模版来曝光监控晶片。然而，本领域技术人员将认识到，散射仪标记也可以容纳在实际目标晶片中，诸如沿着划线、在两个芯片之间、在晶片的周边区域中等。另外地，晶片测量技术不限于散射术。其可能涉及具有扫描电子显微镜(SEM)的传统测量。本申请的扫描器稳定性控制方法不受晶片量测的特定方法的限制。根据晶片量测，扫描器稳定性控制系统确定系统已经从其基准线漂移多远。其之后计算例如晶片级重叠和聚焦校正数据。光刻设备之后将这些校正数据集转换成对于在随后的晶片上的每一曝光的特定的校正，包括广品晶片。扫描器稳定控制的关键特征和优点中的一些包括但不限于 在各种过程条件下长期的聚焦稳定性，而不牺牲扫描器的生产率 在各种过程条件下长期的匹配的机器重叠稳定性，而不牺牲扫描器的生产率 监控扫描器重叠和聚焦的能力 有效地集成到全自动/半自动步骤中A.用于实施本发明的示例性实施例的光刻系统中的一般环境在讨论本发明之前，先提供关于整个模拟和成像过程的简短讨论。图I示出了示例性的光刻投影系统10。主要部件是光源12，其可以例如是深紫外准分子激光源或其它波长(包括EUV波长)的源；照射光学装置，其限定了部分相干性且可以包括特定的源成形光学装置14、16a和16b ;掩模或掩模版18 ;以及投影光学装置16c，其在晶片平面22上产生掩模版图案的图像。光瞳面处的可调整的滤光片或孔阑20可以限制射到晶片平面22上的束角的范围，其中最大的可能的角度限定了投影光学装置的数值孔径NA = sin( max)。在光刻模拟系统中，这些主要系统部件可以由分立的功能模块进行描述，例如如图2所示。参考图2，所述功能模块包括设计布局模块26，其限定了目标设计布局；掩模布局模块28，其限定了在成像过程中使用的掩模；掩模模型模块30，其限定了在模拟过程期间使用的掩模布局的模型；光学模型模块32，其限定了光刻系统的光学部件的性能；和抗蚀剂模型模块34，其限定了在给定过程中使用的抗蚀剂的性能。已知，模拟过程的结果在结果模块36中产生例如预测的轮廓和CD。更具体地，注意到在光学模型32中捕获了照射和投影光学装置的性质，所述光学模型32包括但不限于NA-西格玛(O)设定以及任何特定的照射源形状，其中O (或西格玛)是照射器的外部径向范围。涂覆到衬底上的光致抗蚀剂层的光学性质(如折射率、膜厚、传播和偏振效应)也可以被捕捉作为光学模型32的一部分。掩模模型30捕捉了掩模版的设计特征且还可以包括掩模的详细物理性质的表征。最终，抗蚀剂模型34描述了在抗 蚀剂曝光、PEB和显影期间发生的化学过程的效应，用于预测例如在衬底晶片上形成的抗蚀剂特征的轮廓。模拟的目标是精确地预测例如边缘的定位和CD，其之后可以与目标设计进行比较。目标设计通常被定义为预OPC掩模布局，且将被设置成标准的数字文件格式(诸如GDSII或OASIS)。本领域技术人员将理解输入文件格式是不相关的。B.本发明的示例性方法图3显示根据本发明的示例性的光刻性能稳定性控制方法的一些关键步骤。在步骤S302中，基准线性能模型被针对于光刻设备或光刻过程定义。这一模型被基于经验或基于初始设置/校准开发。关于图4讨论了光刻设备的初始设置的例子。基准线性能模型也可以被称作为“试验模型(Pilot model) ”、“参考模型”、“基准线模型”或“基准线参考模型”。在特定实施例中，基准线性能模型被用作“灵敏度模型”，其中随机测试图案对一个或更多的过程参数的变化的CD (或其它度量)灵敏度可以根据该模型进行计算。这将参考图4进行进一步的讨论。在步骤S304中，光刻设备或光刻过程的性能的稳定性被监控。这通过分析特定性能度量在特定预定的周期上和/或在相对于基准线性能的预设间隔处的时间漂移来完成。或者说，基准线性能用作用于测量性能随着时间偏离多少的指导。参考图5讨论这一步骤的进一步的细节。在步骤S302和S304中的一者或两者中，可以使用晶片量测数据。在步骤S306中，使用在步骤S302中定义的模型来调整光刻设备中的一个或更多的设定，以补偿时间漂移，使得性能被返回至实质上接近期望的基准线性能。本领域技术人员将理解，可能存在光刻设备或过程(或其的模拟模型)的参数，其不能被物理地调节成“设定”(即可以通过可调节的调节器设定的条件)。光刻设备的“设定”可以是更大一组光刻参数的子集。在物理扫描器中，可控制的或可调节的设定的一些例子是照射源的强度分配调节器(通过可编程反射镜或其它装置)、照射源的偏振控制调节器、在沿着投影光学装置系统的透镜光瞳平面或其它平面中的像差控制调节器、数值孔径控制调节器等。可调节设定的其它例子可以包括照射源的波长光谱、掩模版的倾斜、晶片的倾斜等。注意到，本发明不限于通过调节设备的设定来补偿物理扫描器的效应的漂移。一些示例性的非扫描器的效应(诸如抗蚀剂过程漂移)也可以通过调节设备的设定来补偿。与抗蚀剂的过程漂移监控相关的示例性参数可以是抗蚀剂图像参数、抗蚀剂扩散度、急冷剂浓度(quencherconcentration)等。例如,抗蚀剂扩散效应导致图像对比度和剂量宽容度的退化,和被使得用平台振动大程度地劣化。可知，特定光学设定可以被调节以部分地补偿图像对比度损失，例如NA或平台振动。抗蚀剂图像参数可以包括临界尺寸均匀性(⑶U)、边缘定位误差(EPE)、重叠误差、侧壁角(SWA)以及最佳聚焦偏移。图4显示用于光刻设备的最初设置的流程图，以产生和/或校准基准线性能模型。在步骤S402中，一组测试图案可以被设计和/或从已有的图案池来获得。注意到，测试图案可以包括专门的测试图案，其不是芯片布局的一部分。可替代地，芯片布局的一部分(即一些目标图案)可以用作测试图案。在步骤S404中，掩模版被生成有测试图案。掩模版可以是具有专门的测试图案的专门的测试掩模版，或具有目标图案和/或测试图案的目标掩模版。目标掩模版具有对应于在晶片上复制的实际电路的布局。目标掩模版还可以具有测试图案。在目标掩模版中，测试图案可以被沿着划线、在掩模版的边缘处容纳或点缀·有处于任何可利用的未被使用的实际区间(real estate)中的掩模版中的目标图案。通常，对于过程监控和控制，使用有限数量的图案。例如，可以使用20-50个图案，但是说明性的例子不限制本发明的范围。测试图案可以被称作为“过程识别标志参数(PSP) ”。有限数量的PSP不足以充分地代表补偿精确地测量和补偿扫描器性能的时间漂移所需要的大量的过程参数的变化。通过大量的PSP的适合的设计和使各个PSP的集合相关联以对对应的过程参数变化是优化地敏感的，可以生成“灵敏度模型”或“基准线模型”。或者说，设计多个PSP，其中PSP的第一子集对应于第一光刻过程参数的变化，PSP的第二子集对应于第二光刻过程参数的变化。第一子集和第二子集可以包括单个图案。优化设计/选择的PSP可以充分地扩展光刻过程变化空间，以建立精确的基准线性能模型。可以在共同拥有的Ye等人的US专利 7，695，876、题目为 “Method for identifying and using process window signaturepatterns for lithography process control” 中找到 PSP 的进一步的细节。PSP 可以根据将被使用的量测工具来布局，即基于SEM的量测工具或基于散射的量测工具。在步骤S406中，使用预定的曝光条件来曝光掩模版。这被认为是在时刻t = 0时的设置/校准的目的初始曝光。在步骤S408中，晶片量测数据被从量测数据输出收集。量测数据可以包括但不限于CDU、边缘定位误差(EPE)(或重叠误差)、侧壁角(SWA)、最佳聚焦偏移等。量测工具要求是可重复的和鲁棒性的。在步骤S410中，使用晶片量测数据来生成和/或校准基准线模型。基准线模型描述了在特定量测条件下的扫描器可调参数和PSP行为之间的关系。本领域技术人员将理解可以从已有的参考光刻模型获得基准线模型，且假定量测工具的不同行为可以通过已有的参考光刻模型来很好地预测。对于连续运行(run-to-run)控制，仅关于参考模型的不同行为，而不是绝对的行为，是重要的。如果基准线性能模型被定义，那么如图5的流程图中显示的监控稳定性控制操作可以被执行。图5以在初始设置之后的后续时刻“t”曝光掩模版(即具有PSP的掩模版)开始。晶片量测数据被再次收集。在时刻t = 0和时刻“t”的晶片量测数据被比较以量化扫描器性能的时间漂移(步骤S506)。在时间漂移将被测量所针对的时间间隔可以被基于扫描器时间开支、量测开支以及计算开支、来自之前的时间漂移分析的历史数据、用户偏好或这些与其他因素的组合自动地确定。通过术语“开支”，所表达的意思是容纳具有一些定制的要求和/或最终目标的特定的程序所需要的额外的时间。例如，扫描器时间开支是确保此处讨论的时间漂移测量步骤被包含所需要的额外时间。所述时间间隔还可以由用户预先定义，即每一天、每“n”次过程运转、每几个小时等。在步骤S508中，可调调节器被调整，即光刻设备设定被基于来自漂移分析的计算的校正项而改变。反馈控制回路可以用于调整所述设定。反馈控制回路的输入可以包括下述中的一个或更多个在初始时刻和后续时刻的晶片测量数据之间的差别(例如ACD)，掩模版上的PSP对光刻过程参数变化的灵敏度等。对于连续运行控制，为了实现稳定的反馈回路控制，可以有目的地引入一些阻尼机构。例如，可以不立即在一个步骤中对可调节 的调节器应用所计算的优化量的校正，这是因为其可能导致过补偿和不稳定。相反，所计算的优化量的校正的一部分被在每一步骤中应用，从而允许多步骤地调节以最终收敛到优化值。在所述情形中，基准线模型仅需要校正性地描述补偿的一般性的差异方向，而不是必须预测精确的差异行为。反馈控制回路注意残余的误差。这类似于OPC收敛。步骤S502至S510可以对于每个时间间隔At而被重复。注意到，通过在步骤S508中更新可调节的调节器设定，补偿时间漂移，使得光刻设备的当前的漂移的性能返回至期望的基准线性能。在一个实施例中，调节量被计算，使得光刻过程被保持在过程窗口的中心或接近过程窗口的中心。本发明的范围可以被扩展至扫描器匹配，即匹配光刻设备的当前的性能与参考扫描器的性能(或其的模拟模型)。PSP和基准线模型可以用于独立于应用的扫描器匹配。如果所有的掩模版都在其上具有PSP结构，那么可以使用晶片量测数据来生成扫描器匹配的方法手段，通过其使特定扫描器的性能与参考扫描器的性能匹配或适应。另外地，剂量变化分量(场外或场内)可以根据PSP目标的CD变化来提取，只要目标被重复地布局到掩膜上(场外)或在多个晶片位置处曝光(场内)即可，并进行晶片测量。这样的变化之后可以被反馈至模块，该模块映射和/或调整辐射剂量的空间变化，用于补偿CD (或其它度量)的空间变化。本领域技术人员将在考虑到本发明的公开内容的情况下，理解光刻模型可以用于确定光刻过程相对于光刻设备的一个或更多的设定的变化/调节的灵敏度。该灵敏度关联可以用于确保一个或更多的设定的改变导致稳定的光刻过程和/或可以用于防止不期望的过调量(overshoot)导致在改变一个或更多的设定之后光刻过程重新远离基准线性能。此外，在本发明的实施例中，例如在不必进行全系统的校准的情况下，光刻设备可能具有在预定范围内变化的一些调节器。通过使用光刻模型，可以计算调节器的设定以使得光刻过程返回到预定的过程窗口内，同时防止这些特定的调节器需要在这一预定的范围之外变化。由于此原因，全系统校准可能被延后，且这样的光刻设备的停机时间可能被减小。或者说，光刻设备的一个或更多的设定的子组可能具有一预定义的范围，一个或更多个设定的子集被允许在该预定义的范围内变化，其中光刻模型用于确定光刻设备的一个或更多的设定以保持光刻过程处于定义的基准线性能或实质上接近定义的基准线性能且同时保持一个或更多的设定的子集在预定的范围内，或者保持光刻过程在预定义的过程窗口内且同时保持一个或更多的设定的子集在预定义的范围内。注意到，光刻设备的一些调节器可以被固定，或者是由于光刻设备中的约束，或由于光刻设备的使用者所强加的约束。在这样的情况下，光刻模型可以用于找到不同的设定的组，以仍然使得光刻模型至少接近基准线性能或在预定义的过程窗口内而同时在光刻设备上使用其它的调节器。如之前所述，使用光刻模型来调整光刻设备的一个或更多的设定的步骤可以被迭代地执行，每一迭代步骤包括对一个或更多的设定的相对小的调整。这一实施例可以用于通过以相对小的增量迭代地调整调节器的设定来确定特定调节器的灵敏度的种类，和查看在光刻过程上的效应如何。用术语“相对小的增量或相对小的调整”所表达的意思是该调 整实质上小于使得光刻设备在基准线性能内或至少接近基准线性能或使得光刻设备在预先定义的过程窗口内所需要的全部调整。在考虑到本发明的公开内容的情况下，本领域技术人员还将理解，光刻模型可以用于确定光刻设备的一个或更多的设定的(相对的或绝对的)效率度，以保持光刻过程处于或实质上接近所定义的基准线性能或保持光刻过程在预先定义的过程窗口内。例如，本发明的所述实施例可以用于找到光刻设备上的哪些调节器可能在减小光刻过程的当前的漂移是最有效的。同理，最有效的调节器可以用于使得光刻过程在预先定义的过程窗口内。可以在特定应用的本发明的范围内和/或依赖于用户的偏好来修改上述示例性的实施例。C.用于实施本发明的实施例的计算机系统的细节图6是显示计算机系统100的示例性方块图，该计算机系统可以辅助实施和/或执行此处公开的图案选择方法。计算机系统100包括总线102或其它用于信息通信的通信机制；和与总线102耦接的用于处理信息的一个或更多的处理器104(和105)。计算机系统100还包括主存储器106 (诸如随机存取存储器(RAM)或其它动态储存装置)，所述主存储器106耦接至总线102用于储存被处理器104执行的信息和指令。主存储器106还可以用于在由处理器104执行的指令的执行期间储存临时变量或其它中间信息。计算机系统100还包括被耦接至总线102的只读存储器(ROM) 108或其它静态储存装置，其用于存储用于处理器104的静态信息和指令。设置存储装置110 (诸如磁盘或光盘)，且存储装置110耦接至总线102，用于存储信息和指令。计算机系统100可以经由总线102耦接至显示器112(诸如阴极射线管(CRT)或平板显示器或触摸面板显示器)，用于给计算机使用者显示信息。输入装置114(包括字母数字键和其它键)耦接至用于将信息和命令选择与处理器104通信的总线102。另一类型的使用者输入装置是光标控制器116(诸如鼠标、轨迹球、或光标方向键)，用于将方向信息和命令选择与处理器104通信和用于控制显示器112上的光标移动。这一输入装置典型地在两个轴线(第一轴线(例如X)和第二轴线(例如y))上具有两个自由度，这允许装置指定平面中的位置。触摸面板(屏)显示器也可以用作输入装置。根据本发明的一个实施例，模拟过程的部分可以通过计算机系统100响应于执行包含在主储存器106中的一个或更多的指令的一个或更多的序列的处理器104而被执行。这样的指令可以被从另一计算机可读介质(诸如储存装置110)读取到主存储器106中。包含在主存储器106中的指令的序列的执行使得处理器104执行此处描述的过程步骤。在多个处理布置中的一个或更多的处理器也可以被用于执行包含在主存储器106中的指令的序列。在可替代的实施例中，硬接线电路可以用于替代软件指令或与软件指令组合以实施本发明。因此，本发明的实施例不限于任何特定的硬件电路和软件的组合。如此处使用的术语“计算机可读介质”表示参与为了执行而提供指令至处理器104的任何介质。这样的介质可以采用许多形式，包括但不限于非易失性介质、易失性介质和传输介质。非易失性介质包括例如光盘或磁盘，诸如储存装置110。易失性介质包括动态存储器，诸如主储存器106。传输介质包括同轴电缆、铜导线和光纤，包含包括总线102的导线。传输介质还可以采用声波或光波的形式，诸如在射频(RF)和红外(IR)数据通信期间产生的这些声波或光波。计算机可读介质的通常形式包括例如软盘、软碟(flexible disk)、硬盘、磁带、任何其它磁介质、CD-ROM、DVD、任何其它光学介质、穿孔卡、纸带、任何具有孔图案 的其它物理介质、RAM、PROM和EPR0M、FLASH-EPR0M、任何其它储存器芯片或卡盒、如下文描述的载波或计算机可以读取的任何其它介质。各种形式的计算机可读介质可能涉及将一个或更多的指令的一个或更多的序列传送至处理器104，用于执行。例如，指令可以最初出现在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以加载指令到其动态存储器中且使用调制解调器在电话线上发送所述指令。在计算机系统100本地的调制解调器可以接收电话线上的数据，和使用红外发送器将数据转换成红外信号。耦接至总线102的红外探测器可以接收在红外信号中携带的数据和将数据置于总线102上。总线102将数据传送至主存储器106，处理器104从主存储器106重新获得和执行指令。由主存储器106接收的指令可以可选择地在处理器104的执行之前或之后被储存在储存装置110上。计算机系统100还优选地包括耦接至总线102的通信接口 118。通信接口 118提供耦接至网络链路120的双向数据通信，该网络链路120连接至本地网络122。例如，通信接口 118可以是综合业务数字网(ISDN)卡或调制解调器，用于提供数据通信连接至对应类型的电话线。作为另一例子，通信接口 118可以是局域网(LAN)卡，以提供数据通信连接至兼容的LAN。无线链路也可以被实现。在任何这样的实施方式中，通信接口 118发送和接收电、电磁或光信号，其携带表示各种类型的信息的数字数据流。典型地，网络链路120通过一个或更多的网络将数据通信提供至其它数据装置。例如，网络链路120可以通过本地网络122提供连接至主机124或由网络服务商(ISP) 126操作的数据设备。ISP126又通过全球分组数据通信网络(现在被通常称为“互联网”)128提供数据通信服务。本地网络122和互联网128都使用携带数字数据流的电、电磁或光信号。通过各种网络的信号和在网络链路120上且通过通信接口 118的信号将数字数据传送至计算机系统100和从计算机系统100传送回，其是运送信息的载波的示例性形式。计算机系统100可以通过网络、网络链路120和通信接口 118发送信息和接收数据，包括程序码。在互联网的例子中，服务器130可以通过互联网128、ISP126、局域网122和通信接口 118为应用程序发送请求码。根据本发明，一个这样的被下载的应用程序提供用于例如实施例的测试图案选择。接收码可以在它被接收和/或储存在储存装置110或其它用于之后的执行的非易失性储存器中时被处理器104执行。如此，计算机系统100可以获得成载波形式的应用码。D.示例性光刻工具图I示意性地显示示例性的光刻投影设备，其性能可以利用计算的光刻模型来模拟和/或优化，该计算的光刻模型被使用本发明的测试图案选择过程来校准。所述设备包括福射系统Ex、IL,用于供给投影福射束B。在这一特定的情形中，福射系统还包括福射源SO ；第一载物台(掩模台)MT，设置有用于保持掩模MA(例如掩模版)的掩模保持器并连接至第一定位装置PM，所述第一定位装置PM用于精确地相对于投影系统PS定位掩模；第二载物台(衬底台)WT，设置有用于保持衬底W(例如涂覆抗蚀剂的硅晶片)的 衬底保持器且连接至第二定位装置PW，所述第二定位装置PW用于相对于投影系统PS精确地定位衬底；投影系统(“透镜”)PS(例如折射式、反射式或反射折射式的光学系统)，用于将掩模MA的受辐射部分成像到衬底W的目标部分C(例如包括一个或更多的管芯)上。如此处显示的，所述设备是透射式(即具有透射式掩模)。然而，通常它还可以是反射式的，例如(具有反射式掩模)。可替代地，所述设备可以采用另一类型的图案形成装置来作为掩模的替代物使用；例子包括可编程反射镜阵列或LCD矩阵。源SO(例如汞灯或准分子激光器)产生辐射束。例如，这一辐射束被直接地供给到照射系统(照射器)IL中，或在穿过调节装置(诸如扩束器或束传递系统BD)之后供给到照射系统IL中。照射器IL可以包括调整装置AD，所述调整装置AD用于设定在束中的强度分布的外部和/或内部径向范围(一般分别称为O-外部和0-内部)。另外，它通常包括各种其它部件，诸如积分器IN和聚光器CO。这样，照射到掩模MA上的束B在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。关于图7应当注意的是，源SO可以位于光刻投影设备的壳体内(当源SO是例如汞灯时经常是这样的情形)，但是它还可以远离光刻投影设备，其产生的辐射束被引导到所述设备中(例如在适合的定向反射镜的帮助下)；所述后一种情况通常是当源SO是准分子激光器(例如是基于KrF，ArF或F2激光的准分子激光器)的情形。本发明包括这些情况中的至少两个。辐射束B随后被保持在掩模台MT上的掩模MA所拦截。已经穿过掩模MA之后，所述束B穿过透镜PS，透镜PS将束B聚焦到衬底W的目标部分C上。在第二定位装置(和干涉仪测量装置IF)的辅助下，衬底台WT可以精确地移动，例如以便在束B的路径上定位不同的目标部分C。类似地,例如在从掩模库机械获取掩模MA之后或在扫描期间,第一定位装置可以用于相对于束B的路径定位掩模MA。通常，在长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)(未在图7中明确地示出)的帮助下，实现载物台MT、WT的移动。然而，在晶片步进机的情形中(与步进扫描工具相反)，掩模台MT可以仅仅连接至短行程致动器或可以是固定的。图案形成装置MA和衬底W可以根据需要使用在图案形成装置中的对准标记Ml、M2和晶片上的对准标记PU P2来对准。
所示出的工具可以在两种不同的模式中使用在步进模式中，掩模台MT可以保持为基本静止，且一次(即单个“闪光”)将整个掩模图像投影到目标部分C上。衬底台WT之后在X和/或y方向上被移动，使得可以通过束B来辐射不同的目标部分C。在扫描模式中，除了给定的目标部分C不在单个“闪光”中曝光之外，实质上应用了相同的方式。替代地，掩模台MT可以沿给定方向(所谓“扫描方向”，例如y方向)以速度V移动，使得投影束B在掩模图像上扫描；同时，衬底台WT沿相同或相反的方向以速度V=Mv同时地移动，其中M是透镜PL的放大率(典型地M= 1/4或1/5)。这样，可以曝光相对大的目标部分C，而不必对分辨率进行折衷。此处公开的概念可以模拟用于使亚波长特征成像的任何一般性成像系统或在数学上对其进行建模，且可能随着能够产生尺寸不断变小的波长的成像技术的出现是特别有用的。已经使用的现有的技术包括DUV(深紫外线)光刻术，其能够用ArF激光器产生193nm波长，甚至可以用氟激光器产生157nm的波长。此外，EUV光刻术能够通过使用同步加速器 或通过用高能电子撞击材料(固体或等离子体)来产生在20-5nm范围内的波长，用于产生在这一范围内的光子。因为大多数材料在这一范围内是吸收性的，所以通过具有钥和硅的多个叠层的反射镜来产生照射。该多叠层反射镜具有40层对(layer paris)的钥和硅，其中每一层的厚度是1/4波长。可以用X射线光刻术来产生甚至更小的波长。典型地，同步加速器用于产生X射线波长。因为大多数材料在X射线波长处是吸收性的，所以吸收材料的薄片限定了特征将在何处印刷(正抗蚀剂)或在何处不印刷(负抗蚀剂)。虽然此处公开的构思可以用于在诸如硅晶片等衬底上成像，但是应当理解，所公开的构思可以与任何类型的光刻成像系统一起使用，例如与用于在除了硅晶片之外的衬底上成像的那些光刻成像系统一起使用。可以通过使用下述的方面来进一步描述本发明I. 一种通过减小用于光刻过程的光刻设备的性能的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤(a)定义所述光刻设备的基准线性能，其中用于所述基准线性能的光刻模型被通过使用从在初始时刻使用所述光刻过程曝光的图案收集的第一组晶片量测数据获得，其中所述光刻模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数关于所述光刻设备的一个或更多的设定的变化；(b)通过相对于所述基准线性能来分析与所述光刻设备的当前的性能相关联的时间漂移来监控所述光刻设备的性能稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻收集的晶片量测数据和从在随后时刻曝光的图案收集的随后的晶片量测数据来确定；和(C)通过减小所述基准线性能和所述当前的性能之间的差别来调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，以减小所确定的时间漂移，由此保持所述光刻过程在所定义的基准线性能内或实质上接近所定义的基准线性能。2.根据方面I所述的方法，其中在步骤(C)中，反馈控制回路被用于调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，其中对反馈控制回路的输入包括下述中的一个或更多个在所述初始时刻和后续时刻的晶片量测数据之间的差别；和掩模版上的图案对所述一个或更多的光刻过程参数的变化的灵敏度。
3.根据方面I所述的方法，其中在步骤(b)中，分析所述时间漂移的时间间隔被基于下述各项的一个或更多个来确定光刻设备时间开支、量测开支、计算开支、之前的时间漂移分析和用户偏好。4.根据方面3所述的方法，其中所述时间间隔被自动地确定。5. 一种通过减小光刻过程的一个或更多的参数的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤(a)定义基准线光刻过程，其中用于所述基准线光刻过程的模型被通过使用从在初始时刻使用所述光刻过程在衬底上曝光的图案收集的第一组晶片量测数据获得，其中所述模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数的变化；(b)通过分析与当前的光刻过程相关联的参数的时间漂移来监控所述光刻过程的稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻获得的晶片量测数据和从在随后时刻 曝光的图案获得的随后的晶片量测数据来确定；和(C)通过减小所述基准线光刻过程和所述当前的光刻过程之间的差别来调整用于执行所述光刻过程的所述光刻设备的一个或更多的设定，以减小所确定的时间漂移，由此保持所述光刻过程在所定义的基准线光刻过程内或实质上接近所定义的基准线光刻过程。6.根据方面5所述的方法，其中所述光刻过程的参数包括下述中的一个或更多个抗蚀剂图像参数、抗蚀剂扩散度、急冷剂浓度。7. 一种通过减小用于光刻过程的光刻设备的性能的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤(a)定义所述光刻设备的基准线性能，其中用于所述基准线性能的光刻模型被通过在初始时刻使用第一组量测数据获得，其中所述光刻模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数关于所述光刻设备的一个或更多的设定的变化；(b)通过相对于所述基准线性能来分析与所述光刻设备的当前的性能相关联的时间漂移来监控所述光刻设备的性能稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻收集的量测数据和在随后时刻收集的随后的量测数据来确定；和(C)使用所述光刻模型调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，以通过减小所述基准线性能和所述当前的性能之间的差别来减小所确定的时间漂移。8.根据方面7所述的方法，其中获得所述光刻模型的步骤包括下述中的一个使用所述第一组量测数据产生所述光刻模型，和使用所述第一组量测数据来校准已有的光刻模型。9.根据方面7所述的方法，其中在所述初始时刻的量测数据和在随后时刻的量测数据中的一者或两者包括从使用所述光刻设备曝光图案和使用所述光刻过程处理所曝光的图案所收集的晶片量测数据。10.根据方面7所述的方法，其中所述光刻模型用于确定所述光刻过程响应于所述光刻设备的所述一个或更多的设定的调整的灵敏度。11.根据方面7所述的方法，其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定中的哪一个被调整用于保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能处或实质上接近所定义的基准线性能，或被调整用于保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内。
12.根据方面7所述的方法，其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定的最小变化，以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能或实质上接近所定义的基准线性能，或者保持光刻过程处于预先定义的过程窗口内。13.根据方面7所述的方法，其中所述光刻设备的所述一个或更多的设定的子集具有一预先定义的范围，所述一个或更多的设定的所述子集被允许在预先定义的范围中变化，且其中所述光刻模型被用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能或实质上接近所定义的基准线性能且同时保持所述一个或更多的设定的所述子集在所述预先定义的范围内，或者所述光刻模型被用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定以保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内且同时保持所述一个或更多的设定的所述子集在所述预先定义的范围内。14.根据方面7所述的方法，其中所述光刻设备的所述一个或更多的设定的子集被固定，其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的其余的一个或更多的设定中的哪一个 用于调整，以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能处或实质上接近所定义的基准线性能，或者保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内。15.根据方面7所述的方法，其中所述使用所述光刻模型调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定的步骤被迭代地执行，每一迭代步骤包括对所述一个或更多的设定的相对小的调整。16.根据方面7所述的方法，其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定的效率以保持光刻过程处于所述定义的基准线性能或实质上接近所定义的基准线性能，或者保持光刻过程处于预先定义的过程窗口内。17.根据方面7所述的方法，其中在步骤(C)中，所述光刻过程保持在预先定义的过程窗口中。虽然参考本发明的优选实施例对本发明进行了具体描述，但是本领域普通技术人员将容易明白在不背离本发明的范围和精神的情况下在形式和细节上进行变化和修改。意图是所附的权利要求包含这样的变化和修改。
权利要求
1.一种通过减小用于光刻过程的光刻设备的性能的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤 (a)定义所述光刻设备的基准线性能，其中用于所述基准线性能的光刻模型被通过使用从在初始时刻使用所述光刻过程曝光的图案收集的第一组晶片量测数据获得，其中所述光刻模型配置成模拟一个 或更多的光刻过程参数关于所述光刻设备的一个或更多的设定的变化； (b)通过相对于所述基准线性能来分析与所述光刻设备的当前的性能相关联的时间漂移来监控所述光刻设备的性能稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻收集的晶片量测数据和从在随后时刻曝光的图案收集的随后的晶片量测数据来确定；和 (C)通过减小所述基准线性能和所述当前的性能之间的差别来调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，以减小所确定的时间漂移，由此保持所述光刻过程在所定义的基准线性能内或实质上接近所定义的基准线性能。
2.根据权利要求I所述的方法，其中步骤(b)和(C)被重复，直到所述光刻过程被使得在所述基准线性能内或实质上接近所述基准线性能。
3.根据权利要求I所述的方法，其中在步骤(c)中，所述光刻过程被保持在预先定义的过程窗口内。
4.根据权利要求I所述的方法，其中在步骤(a)之前，多个图案被设计，其中所述多个图案中的第一子集对应于第一光刻过程参数的变化，所述多个图案中的第二子集对应于第二光刻过程参数的变化。
5.根据权利要求I所述的方法，其中所述晶片量测数据包括下述各项中的一个或更多个临界尺寸均匀性(CDU)、边缘定位误差(EPE)、重叠误差、侧壁角(SWA)和最佳聚焦偏移。
6.根据权利要求I所述的方法，其中所述图案包括在测试掩模版上的测试图案、在目标掩模版上的测试图案或在目标掩模版上的目标图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其中目标掩模版上的测试图案定位在下述部位中的一个或更多个部位上划线、设计布局的一个或更多个边缘、和靠近或点缀有目标图案的设计布局上的未被利用的实际区间。
8.根据权利要求I所述的方法，其中用于所述基准线性能的所述光刻模型通过与已有的参考模型匹配或适配于已有的参考模型来获得。
9.根据权利要求I所述的方法，其中在步骤(c)中，所述光刻设备的所述一个或更多的设定包括照射源的强度分布、照射源的偏振分布图、投影光学装置的设定、照射源的波长光谱、掩模版的倾斜和晶片的倾斜。
10.一种通过减小光刻过程的一个或更多的参数的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤 (a)定义基准线光刻过程，其中用于所述基准线光刻过程的模型被通过使用从在初始时刻使用所述光刻过程在衬底上曝光的图案收集的第一组晶片量测数据获得，其中所述模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数的变化； (b)通过分析与当前的光刻过程相关联的参数的时间漂移来监控所述光刻过程的稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻获得的晶片量测数据和从在随后时刻曝光的图案获得的随后的晶片量测数据来确定；和(c)通过减小所述基准线光刻过程和所述当前的光刻过程之间的差别来调整用于执行所述光刻过程的所述光刻设备的一个或更多的设定，以减小所确定的时间漂移，由此保持所述光刻过程在所定义的基准线光刻过程内或实质上接近所定义的基准线光刻过程。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述光刻过程的参数包括下述参数中的一个或更多个抗蚀剂图像参数、抗蚀剂扩散度、急冷剂浓度。
12.一种通过减小用于光刻过程的光刻设备的性能的时间漂移来控制所述光刻过程的方法，所述方法包括步骤 (a)定义所述光刻设备的基准线性能，其中用于所述基准线性能的光刻模型被通过在初始时刻使用第一组量测数据获得，其中所述光刻模型配置成模拟一个或更多的光刻过程参数关于所述光刻设备的一个或更多的设定的变化； (b)通过相对于所述基准线性能来分析与所述光刻设备的当前的性能相关联的时间漂移来监控所述光刻设备的性能稳定性，其中所述时间漂移通过比较在所述初始时刻收集的量测数据和在随后时刻收集的随后的量测数据来确定；和 (C)使用所述光刻模型调整所述光刻设备的所述一个或更多的设定，以通过减小所述基准线性能和所述当前的性能之间的差别来减小所确定的时间漂移。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述光刻模型用于确定所述光刻过程响应于所述光刻设备的一个或更多的设定的调整的灵敏度。
14.根据权利要求12所述的方法,其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的一个或更多的设定中的哪一个用于调整以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能处或实质上接近所定义的基准线性能，或者用于调整以保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内。
15.根据权利要求12所述的方法，其中所述光刻设备的所述一个或更多的设定的子集具有一预先定义的范围，所述一个或更多的设定的所述子集被允许在所述预先定义的范围中变化，且其中所述光刻模型被用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能或实质上接近所定义的基准线性能且同时保持所述一个或更多的设定的所述子集在预先定义的范围内，或者所述光刻模型被用于确定所述光刻设备的所述一个或更多的设定以保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内且同时保持所述一个或更多的设定的所述子集在所述预先定义的范围内。
16.根据权利要求12所述的方法，其中所述光刻设备的所述一个或更多的设定的子集被固定，其中所述光刻模型用于确定所述光刻设备的其余的一个或更多的设定中的哪一个用于调整，以保持所述光刻过程处于所定义的基准线性能处或实质上接近所定义的基准线性能，或者保持所述光刻过程在预先定义的过程窗口内。
全文摘要
本发明涉及计算的过程控制。本发明还提供了在计算过程控制(CPC)领域中的多个创新。CPC通过分析光刻设备/过程的时间漂移在芯片制造循环过程中提供了独特的诊断能力，和提供了有助于实现光刻设备/光刻过程的性能稳定性的方案。本发明的实施例通过保持光刻设备的性能和/或光刻过程的参数实质上接近预先定义的基准线条件而能够实现优化的过程窗口和更高的产率。这通过使用光刻过程模拟模型比较测量的时间漂移与基准线性能来完成。如果在制造中，CPC通过平衡晶片量测技术和反馈回路优化了特定图案或掩模版的扫描器，和除此之外监控和控制在时间上的重叠和/或CD均匀性(CDU)性能，以连续地保持系统接近基准线条件。
文档编号G06F17/50GK102799075SQ20121016252
公开日2012年11月28日 申请日期2012年5月23日 优先权日2011年5月25日
发明者叶军, 曹宇, J·P·库门 申请人:Asml荷兰有限公司