专利名称：Ito薄膜材料的制作方法
技术领域：
ITO薄膜材料
技术领域：
本发明涉及电子材料技术，特别是涉及一种ITO薄膜材料。
背景技术：
掺锡氧化铟(即Indium Tin Oxide,简称ITO),是一种n型半导体材料，由于具有高导电率、高可见光透过率、高机械硬度和化学稳定性，因此，它是一种常用的透明导电材料，运用于各类产品透明电极。在实际的运用中，ITO先是采用物理真空方法蒸镀于一定的基材，制备成ITO导电层，然后根据需要，将薄膜蚀刻成预定的图案作为透明电极。PET基材的ITO导电层作为电极的运用中，是被蚀刻成预定的图案。由于ITO的膨胀系数与基材的膨胀系数差异巨大，导致ITO导电层蚀刻区域与ITO导电层非蚀刻区域的应力差异显著，在经过一次完整的银浆烘烤热历程(升温一恒温一降温)后，在ITO非蚀刻区域产生明显的应力差弯曲形变，类似具有温度记忆功能双金属贴片之形变。在贴合成电容式触摸屏后，应力差弯曲形变仍然存留在ITO膜表面不会消失。在一般光线及视角下就可以发现此ITO的形变，这种现象不能被高品质的显示触摸产品所接受。
发明内容鉴于上述状况，有必要提供一种可有效减轻ITO电极表面形变可视性的ITO薄膜材料。一种ITO薄膜材料，包括基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面；ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及高温保护膜，贴合于所述第一表面和第二表面中未附着所述ITO导电层的一面。进一步地，所述基材的表面上设有防眩条纹和/或硬化层。进一步地，所述基材为单层的对苯二甲酸乙二醇酯。进一步地，所述高温保护膜的材质为对苯二甲酸乙二醇酯。进一步地，所述高温保护膜的厚度为0. 025 0. 25毫米。上述ITO薄膜材料，在基材上贴合有高温保护膜，由于增加高温保护膜后，所制备的ITO薄膜材料的厚度相较于无高温保护膜产品要厚，且结构强度要高，因此经过银浆烘烤后，在ITO导电层的蚀刻区与非蚀刻区之间不会产生明显的应力差弯曲变形。因此，采用上述ITO薄膜材料制备的ITO电极可有效减轻其表面形变的可视性。
图I为一实施例的ITO薄膜材料的结构示意图。
具体实施方式为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施例。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容的理解更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。请参阅图1，本发明较佳实施例的ITO薄膜材料100包括基材110、IT0导电层120及高温保护膜130。基材110包括第一表面及第二表面,其中第一表面与第二表面相对设置。基材110的材质可为玻璃或对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。在本实施例中，基材110优选为PET，其中PET既可为单层的，也可为双层的。基材110的厚度为O. 020 O. 250毫米。在本实施例中，基材110表面设有防眩条纹(图未示)和/或硬化层(图未示)，防眩条纹(图未示)和硬化层可以设于基材110的一个表面上，也可以是两个表面上。ITO导电层120附着于基材110的第一表面和第二表面中的一个上。在本实施例中，采用蒸镀的方式形成ITO导电层120，蒸镀形成ITO导电层120的纯度高、易于检测和控制厚度，且无需进行加热烘干。在实际生产中，要将ITO导电层120做成电极需先将ITO导电层120蚀刻成预定的图案。本实施例中，采取激光干刻的方式得到预定的图案。在其他实施例中，还可以通过其他方式如化学蚀刻得到预定的图案。高温保护膜130贴合于基材110的第一表面和第二表面中未附着ITO导电层120的一面上。在本实施例中，高温保护膜130的材质为对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。需要指出的是，高温保护膜130的材质还可为其他材料，如聚碳酸酯(PC)等高分子聚合物材料。此夕卜，高温保护膜130的厚度优选为O. 025 O. 25毫米。由于高温保护膜130具有一定的厚度和强度，因此，贴合了高温保护膜130的ITO电极100与无高温保护膜130的ITO电极相比具有更高的结构强度。在ITO薄膜材料100上镀银浆，并进行烘烤后，并可得到ITO电极。上述ITO薄膜材料100，在基材110上贴合有高温保护膜130。由于增加高温保护膜130后，所制备的ITO薄膜材料100的厚度相较于无高温保护膜产品要厚，且结构强度要高，因此经过银浆烘烤后，ITO导电层120的蚀刻区与非蚀刻区之间不会产生明显的应力差弯曲变形。因此，采用ITO薄膜材料100制备的ITO电极可有效减轻其表面形变的可视性。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求1.一种ITO薄膜材料，其特征在于，包括 基材，包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面； ITO导电层，附着于所述第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案；及 高温保护膜，贴合于所述第一表面和第二表面中未附着所述ITO导电层的一面。
2.如权利要求I所述的ITO薄膜材料，其特征在于，所述基材的表面上设有防眩条纹和/或硬化层。
3.如权利要求I所述的ITO薄膜材料，其特征在于，所述基材为单层的对苯二甲酸乙二醇酯。
4.如权利要求I所述的ITO薄膜材料，其特征在于，所述高温保护膜的材质为对苯二甲酸乙二醇酯。
5.如权利要求I所述的ITO薄膜材料，其特征在于，所述高温保护膜的厚度为0.025 ·0. 25晕米。
专利摘要一种ITO薄膜材料包括基材、ITO导电层及高温保护膜。基材包括第一表面及与第一表面相对的第二表面。TO导电层附着于第一表面和第二表面中的一个上，并形成预定的图案。高温保护膜贴合于第一表面和第二表面中未附着ITO导电层的一面。由于增加高温保护膜后，所制备的ITO薄膜材料的厚度相较于无高温保护膜产品要厚，且结构强度要高，因此经过银浆烘烤后，在ITO导电层的蚀刻区与非蚀刻区之间不会产生明显的应力差弯曲变形。因此，采用上述ITO薄膜材料制备的ITO电极可有效减轻其表面形变的可视性。
文档编号G06F3/041GK202495011SQ20122009590
公开日2012年10月17日 申请日期2012年3月14日 优先权日2012年3月14日
发明者程志政 申请人:深圳欧菲光科技股份有限公司