一种防止桥金属断裂的桥结构的制作方法

文档序号:6530319阅读:251来源:国知局
一种防止桥金属断裂的桥结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种防止桥金属断裂的桥结构,包括自下而上依次粘接的导电ITO层、下绝缘OC层、金属桥及上绝缘OC层,所述金属桥两边伸出下绝缘OC层外并与导电ITO层粘接,所述的金属桥为椭圆环状结构或横放的工字状结构。本实用新型提供了一种能防止桥金属断裂的桥结构,该金属桥结构通过增加搭接点及增大搭接宽度,从而提高了搭接的可靠性,从而避免了金属桥爬坡时容易断裂或产生裂痕的情况,所用OC层(有机绝缘层)则具有高硬度、高平坦度、耐高温、耐化性佳的优点,能提升了结构稳定性。
【专利说明】一种防止桥金属断裂的桥结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及触控【技术领域】,尤其涉及一种防止桥金属断裂的桥结构。
【背景技术】
[0002]目前,导电架桥结构需要爬过绝缘胶进行导电ITO层之间的搭接,在导电架桥结构的爬坡处容易断裂或产生裂痕,让导电架桥结构的电性连接作用失效或不良,导致感测电极发生断路(open)或阻值异常,并且让感测电极的抗静电能力变差,进而造成触控面板的触控功能失效或不良,因此,亟需一种能解决该问题的桥结构,从而保证导电架桥的连接作用。

【发明内容】

[0003]为解决上述问题,本实用新型提供了一种能防止桥金属断裂的桥结构,该桥结构可避免桥结构在爬坡时发生断裂或产生裂痕。
[0004]为实现上述目的,本实用新型的技术方案为:
[0005]一种防止桥金属断裂的桥结构,包括自下而上依次粘接的导电ITO层、下绝缘OC层、金属桥及上绝缘OC层,所述金属桥两边伸出下绝缘OC层外并与导电ITO层粘接,所述的金属桥为椭圆环状结构或横放的工字状结构。
[0006]本实用新型的有益效果:本实用新型提供了一种能防止桥金属断裂的桥结构,该金属桥结构通过增加搭接点及增大搭接宽度,从而提高了搭接的可靠性,从而避免了金属桥爬坡时容易断裂或产生裂痕的情况,所用OC层(有机绝缘层)则具有高硬度、高平坦度、耐高温、耐化性佳的优点,能提升了结构稳定性。
【专利附图】

【附图说明】
[0007]图1为实施例1的防止桥金属断裂的桥结构的俯视示意图;
[0008]图2为实施例2的防止桥金属断裂的桥结构的俯视示意图。
[0009]其中,1-导电ITO层,2-下绝缘OC层,3-金属桥,4-上绝缘OC层。
【具体实施方式】
[0010]实施例1:如图1所示,一种防止桥金属断裂的桥结构,包括导电ITO层1、下绝缘OC层2、金属桥3及上绝缘OC层4,所述的下绝缘OC层2覆盖于导电ITO层I之间的上表面,其两端分别与导电ITO层I中两个需要导通的区域粘接,该下绝缘OC层主要起绝缘作用,保证粘接于下绝缘OC层2金属桥3只与需要导通的区域连接,所述的金属桥3为椭圆环状结构,通过椭圆环状金属桥导通后再在金属桥上方覆盖一层上绝缘OC层4,将整个金属桥覆盖,从而避免对金属桥的污染或破坏。与传统的长方形金属桥相比,椭圆环状金属桥由于左右两边各有两处金属与导电ITO层搭接,相对于传统的长方形金属桥多出一处金属搭接,搭接成功的可靠性可提高一倍,并且由于制作工艺与普通工艺相同,完全可达到实际生产要求。
[0011]实施例2:如图2所示,作为本实用新型的另一种实施方式,金属桥3为横放的工字状结构,工字状结构的两边分别与导电ITO层I中两处需导通的区域相连接,并粘接于下绝缘OC层2上,工字状金属桥连接后再在其上方覆盖一层上绝缘OC层4。与传统的长方形金属桥相比,横放的工字状结构金属桥两边与导电ITO层的接触宽度多出3-6倍,可以有效地提高搭接的可靠性,并且由于制作工艺与普通工艺相同,完全可达到实际生产要求。
[0012]以上只是作为本实用新型的两种实施方式,任何采用相同原理,增加搭接宽度或搭接点的桥接结构均落入本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种防止桥金属断裂的桥结构,包括自下而上依次粘接的导电ITO层、下绝缘OC层、金属桥及上绝缘OC层,所述金属桥两边伸出下绝缘OC层外并与导电ITO层粘接,其特征在于:所述的金属桥为椭圆环状结构或横放的工字状结构。
【文档编号】G06F3/041GK203561963SQ201320681588
【公开日】2014年4月23日 申请日期:2013年11月1日 优先权日:2013年11月1日
【发明者】刘敬超, 赵永刚, 高建 申请人:河源市力友显示技术有限公司
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