应用于触控技术的金属网格结构、其制作方法及导电膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种应用于触控技术的金属网格结构、其制作方法及导电膜，其中，金属网格结构包括由导电金属形成的金属网格导线和位于所述金属网格导线表层的金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层和所述金属网格导线包括有相同金属元素。本发明通过在金属网格导线表面覆盖由该导电金属与氧气反应产生的导电金属氧化物作为绝缘层，并且可以通过在玻璃基片的烧结制程中氧化导电金属，从而解决了现有的金属网格导线的制程流程长，成本高的问题。
【专利说明】应用于触控技术的金属网格结构、其制作方法及导电膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及触摸屏【技术领域】，具体涉及一种应用于触控技术的金属网格结构、其制作方法及导电膜。
【背景技术】
[0002]电容式触摸屏是利用人体的电流感应进行工作的，是一种通过电极和人体特性结合来感应触摸信号的触摸屏。传统技术采用透明导电薄膜图案化作为导电线路，但在向中大尺寸(> 6inch)拓展时会存在感应电流通过透明导电层的线阻过大，这样电容式触摸屏与人体手指之间所产生的微弱电流也就很难快而准确地传输到IC芯片，很难适用于触摸屏的使用要求。
[0003]由于金属导线的金属网格技术能够降低电阻，增加触摸响应速度；且在搭配柔性屏时，金属网格技术更适应弯折等技术要求，因此，现在普遍采用金属网格技术作为线栅阵列。
[0004]在开发应用于AMOLED的触摸屏时，一般采用on cell (触摸屏嵌入)结构；一般的制程先是形成金属网格，接着在金属网格上沿图案化一方向的金属后再覆盖整面S1x ;再沿图案化另一方向的金属后覆盖整面的S1x;由此可以看出现有的金属网格导线的制程流程长，成本高。
【发明内容】
[0005]为克服现有技术所存在的缺陷，现提供一种应用于触控技术的金属网格结构、其制作方法及导电膜，以解决现有的金属网格导线的制程流程长，成本高的问题。
[0006]为实现上述目的，一种应用于触控技术的金属网格结构，包括由导电金属形成的金属网格导线和位于所述金属网格导线表层的金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层和所述金属网格导线包括有相同金属元素。
[0007]本发明金属网格结构的进一步改进在于，所述金属网格导线包括第一方向导线和与所述第一方向导线交叉设置的第二方向导线。
[0008]本发明金属网格结构的进一步改进在于，所述导电金属为钛金属，所述金属氧化物绝缘层为二氧化钛。
[0009]本发明还提供一种导电膜，包括基片、以及设于所述基片表面的导电层，所述导电层包括上述的金属网格结构。
[0010]本发明导电膜的进一步改进在于，所述基片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；所述导电层设于所述基片的第一表面。
[0011]本发明导电膜的进一步改进在于，所述基片的第一表面设有基质层，所述导电层嵌设于所述基质层中。
[0012]本发明还提供一种应用于触控技术的金属网格结构的制造方法，包括:
[0013]利用导电金属形成金属网格导线；
[0014]进行氧化处理，使得所述金属网格导线中的导电金属与氧气反应后在表面形成金属氧化物绝缘层。
[0015]本发明制造方法的进一步改进在于，利用导电金属形成金属网格导线进一步包括:
[0016]沿第一方向形成第一方向导线；
[0017]沿第二方向形成第二方向导线，所述第二方向导线与所述第一方向导线交叉设置。
[0018]本发明制造方法的进一步改进在于，形成金属氧化物绝缘层进一步包括以下步骤:
[0019]在沿所述第一方向形成所述第一方向导线之后且沿所述第二方向形成所述第二方向导电金属之前，氧化所述第一方向导线，使得所述第一方向导线的表面氧化形成所述金属氧化物绝缘层；
[0020]在沿所述第二方向形成所述第二方向导线之后，氧化所述第二方向导线，使得所述第二方向导线的表面氧化形成所述金属氧化物绝缘层。
[0021]本发明制造方法的进一步改进在于，氧化形成金属氧化物绝缘层进一步包括以下步骤:
[0022]提供空气氧化炉；
[0023]在所述空气氧化炉内对所述金属网格导线进行氧化；
[0024]通过调节所述空气氧化炉内的氧气含量控制所述金属氧化物绝缘层的厚度。
[0025]本发明的有益效果在于，在金属网格导线表面覆盖由该导电金属与氧气反应产生的导电金属氧化物作为绝缘层，从而不用覆盖其它如S1x等材料作为绝缘层，并且可以通过在玻璃基片的烧结制程中氧化导电金属，从而降低了成本，简化了金属网格导线的制程流程。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1为本发明金属网格结构示意图；
[0027]图2为图1中A-A位置的金属网格结构剖视图；
[0028]图3为本发明导电膜结构示意图；
[0029]图4为图3中B-B位置的导电膜剖视图；
[0030]图5为本发明金属网格结构的制造方法流程图。
【具体实施方式】
[0031]为利于对本发明的结构的了解，以下结合附图及实施例进行说明。
[0032]请参考图1和图2，图1为本发明金属网格结构示意图，图2为图1中A-A位置的金属网格结构剖视图。如图1和图2所示，一种应用于触控技术的金属网格结构，包括由导电金属形成的金属网格导线10和位于金属网格导线10表层的金属氧化物绝缘层20，金属氧化物绝缘层20和金属网格导线10包括有相同金属元素。其中，金属网格导线10包括第一方向导线11和与第一方向导线11交叉设置的第二方向导线12，第一方向导线11与第二方向导线12构成金属网格101 ;由于本实施例中的金属网格101为长方形,所以在本实施例中，可以以平面直角坐标系为参考方向，第一方向X轴方向，第二方向为Y轴方向。在本施例中，导电金属为钛金属，金属氧化物绝缘层20为二氧化钛，当然，在其他的实施例中，导电金属可以为金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者至少两种的合金。金属网格101在本实施例中为长方形网格，当然，在其他的实施例中，也可以为菱形、正方形、矩形等形状。绝缘层20可以是如图2所示，绝缘层20只覆盖金属网格导线10的一侧面。
[0033]本发明还提供一种导电膜，请参考图3与图4，图3为本发明导电膜结构示意图，图4为图3中B-B位置的导电膜剖视图。如图3与图4所示，一种导电膜，包括基片30和导电层31，基片30包括第一表面301和第二表面302，第一表面301和第二表面302相对设置。导电层31设于基片30的第一表面301，导电层31包括图1和图2中的金属网格结构。基片30的第一表面设有基质层32,导电层31嵌设于基质层32中。在本实施例中，基片30的材料为玻璃，在其它的实施例中，该基片30还可以为其它材质，例如对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯以及聚碳酸酯塑料等，以透明绝缘材料为佳。基质层32为透明绝缘材料且异于基片30，用于金属网格101成型。
[0034]本发明还提供一种应用于触控技术的金属网格结构的制造方法，请参考图1、图2和图5所示，该方法包括以下步骤:
[0035]步骤SI，利用导电金属形成金属网格导线10。导电金属可以为钛金属，也可以为金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者至少两种的合金。步骤SI具体包括以下步骤:步骤S11，沿第一方向形成第一方向导线11 ;步骤S22，沿第二方向形成第二方向导线12，第二方向导线12与第一方向导线11交叉设置。第二方向导线12与第一方向导线11构成金属网格101 ;金属网格101可以为长方形网格，也可以为菱形、正方形、矩形等形状。
[0036]步骤S2，进行氧化处理，使得金属网格导线10中的导电金属与氧气反应后在表面形成金属氧化物绝缘层20。该金属氧化物绝缘层20可以是二氧化钛，也可以是其它的金属氧化物。步骤S2进一步包括以下步骤:在步骤Sll之后且在步骤S12之前，执行步骤S21，氧化第一方向导线11，使得第一方向导线11的表面氧化形成金属氧化物绝缘层20 ;在步骤S12之后，执行步骤S22，氧化第二方向导线12，使得第二方向导线12的表面氧化形成金属氧化物绝缘层20。
[0037]其中，氧化形成金属氧化物绝缘层20进一步包括以下步骤:提供空气氧化炉，该空气氧化炉可以是由导电膜中的玻璃基片30的烧结制程中提供的氧化炉；在空气氧化炉内对金属网格导线10进行氧化；通过调节空气氧化炉内的氧气含量控制金属氧化物绝缘层20的厚度。通过控制金属氧化物绝缘层20的厚度，从而进一步地控制金属网格导线10的电阻。
[0038]本发明的有益效果在于:
[0039]在金属网格导线表面覆盖由该导电金属与氧气反应产生的导电金属氧化物作为绝缘层，从而不用覆盖其它如S1x等材料作为绝缘层，并且可以通过在玻璃基片的烧结制程中氧化导电金属，从而降低了成本，简化了金属网格导线的制程流程。
[0040]以上结合附图实施例对本发明进行了详细说明，本领域中普通技术人员可根据上述说明对本发明做出种种变化例。因而，实施例中的某些细节不应构成对本发明的限定，本发明将以所附权利要求书界定的范围作为保护范围。
【权利要求】
1.一种应用于触控技术的金属网格结构，其特征在于，包括由导电金属形成的金属网格导线和位于所述金属网格导线表层的金属氧化物绝缘层，所述金属氧化物绝缘层和所述金属网格导线包括有相同金属元素。
2.根据权利要求1所述的金属网格结构，其特征在于，所述金属网格导线包括第一方向导线和与所述第一方向导线交叉设置的第二方向导线。
3.根据权利要求1所述的金属网格结构，其特征在于，所述导电金属为钛金属，所述金属氧化物绝缘层为二氧化钛。
4.一种导电膜，其特征在于，包括基片、以及设于所述基片表面的导电层，所述导电层包括权利要求1至3中任一项所述的金属网格结构。
5.根据权利要求4所述的导电膜，其特征在于，所述基片包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；所述导电层设于所述基片的第一表面。
6.根据权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述基片的第一表面设有基质层，所述导电层嵌设于所述基质层中。
7.一种应用于触控技术的金属网格结构的制造方法，其特征在于，包括: 利用导电金属形成金属网格导线； 进行氧化处理，使得所述金属网格导线中的导电金属与氧气反应后在表面形成金属氧化物绝缘层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，利用导电金属形成金属网格导线进一步包括: 沿第一方向形成第一方向导线； 沿第二方向形成第二方向导线，所述第二方向导线与所述第一方向导线交叉设置。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，形成金属氧化物绝缘层进一步包括以下步骤: 在沿所述第一方向形成所述第一方向导线之后且沿所述第二方向形成所述第二方向导电金属之前，氧化所述第一方向导线，使得所述第一方向导线的表面氧化形成所述金属氧化物绝缘层； 在沿所述第二方向形成所述第二方向导线之后，氧化所述第二方向导线，使得所述第二方向导线的表面氧化形成所述金属氧化物绝缘层。
10.根据权利要求7或9所述的制造方法，其特征在于，氧化形成金属氧化物绝缘层进一步包括以下步骤: 提供空气氧化炉； 在所述空气氧化炉内对所述金属网格导线进行氧化； 通过调节所述空气氧化炉内的氧气含量控制所述金属氧化物绝缘层的厚度。
【文档编号】G06F3/041GK104238813SQ201410443358
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月2日 优先权日:2014年9月2日
【发明者】鲁佳浩, 寇浩, 亢澎涛 申请人:上海和辉光电有限公司