技术总结
本发明公开了一种面向低副瓣的稀疏排布阵列天线激励电流幅度的确定方法，包括：确定稀疏排布阵列天线的结构参数、电磁工作参数和稀疏排布矩阵，给出初始激励电流幅度加权方案；计算稀疏阵中相邻两个辐射单元在目标处的辐射场空间相位差，得到稀疏排布阵列天线的辐射场口面相位差；计算稀疏排布阵列天线的辐射场方向图；计算稀疏排布阵列天线的最大副瓣电平；根据天线设计要求，判断是否满足，若不满足，计算得到最低最大副瓣电平值，通过选择、交叉和变异方法更新阵列天线单元的激励幅度加权方案，重复计算，直至满足要求。本发明克服了疏排布阵列天线低副瓣性能实现的空缺，能够快速、有效地得到满足低副瓣要求的激励电流幅度加权方案。
技术研发人员：王从思;颜语喆;胡核算;黄进;周金柱;朱诚;宋立伟;段宝岩;王伟锋;袁帅;唐宝富;钟剑锋
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
文档号码：201611025636
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.02.15