本发明涉及OGS触摸屏制作方法领域，具体是一种成品率高的OGS触摸屏制作方法。
背景技术：
电容触摸屏可实现多点和准确的触摸感应，而且结构简单、透光率高，是当前显示触控技术发展的主流方向。而新一代的OGS产品是电容式触摸屏的新的发展方向，从技术层面来看,OGS技术较之目前主流的G/G触控技术结构简单,轻、薄、透光性好。由于省掉一片玻璃基板以及贴合工序,利于降低生产成本、提高产品良率。
但在实际的研发生产过程中，该技术又面临一层玻璃兼做表面玻璃时该有的强度维持与质量稳定性、控制芯片的调校、感应线路的制程选择、FPC设计难度大等问题。虽然通过二次强化可大大提高玻璃的强度，而且和上游控制芯片厂家合作可以解决校调问题，但对于感应线路及FPC的设计与选择问题一直没有得到很好的解决。
同时现有技术中OGS触摸屏制作时还没找到一种很好的测量短路的方法，在一旦sensor制作形成短路后，一直需要到和FPC热压完电测时，才能知道有短路点的存在，而在寻找短路点的过程中，需人工在显微镜下慢慢寻找，找到后再通过激光修补机进行修复，在这过程中使用人工较多，且效率低，是生产过程的瓶颈部分。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种成品率高的OGS触摸屏制作方法，以解决现有技术感应线路设计比较局限，导致FPC设计制作难度大，以及后期的FOG良率低、成本大的问题，以及现有的sensor感应线路设计在生产过程中存在的缺陷。
为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案为：
一种成品率高的OGS触摸屏制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
（1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度为0.01~0.5Pa，温度为220~350℃，ITO薄膜层的厚度为5nm~25nm；
（2）、涂布光刻胶，并使光刻胶覆盖真空溅射的ITO薄膜层，光刻胶的厚度为1000~2000nm，均匀性在10%以内，然后进行预烘，预烘温度为60~100℃；
（3）、在光刻胶上光刻ITO电极图形，ITO电极图形的光罩是菲林或走线铬版，对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：采用365nm波长的紫外光，光通量为60~150mj，光罩距离基板的尺寸20微米~200微米；
（4）、采用浓度1~4%的有机碱，或者浓度为0.1~0.8%的NaOH对光刻胶显影并硬化，形成电极图形，显影时温度为20~40℃，时间为20秒~300秒，硬化时温度为80~120℃，时间为20~50分钟；
（5）、使用HCL与HNO3的混合液蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，其中HCL的浓度为13—17%，HNO3 的浓度为5—7%，蚀刻时温度为40~60℃，时间为300~500秒；
（6）、使用有机溶液去除光刻胶形成ITO电极，去除过程时间在5分钟内，最后用纯水漂洗；
（7）、利用丝印网版丝印金属绝缘保护胶，其中丝印位置为裸露的ITO走线；
（8）、烘烤固化金属绝缘保护胶，烘烤时温度为80~120℃，时间为20~50分钟；
（9）、丝印纳米银浆，用钢网网板把银浆丝印于需搭桥连接位置；
（10）、烘烤固化银浆，烘烤温度为200~220℃，时间为20~50分钟；
（11）、运用激光刻蚀机对银浆进行刻蚀，得出所需银浆搭桥线路；
（12）、将整张大块基板进行切割裂片，并做CNC磨边得到设计需要的成品sensor；
（13）、对切割裂片好的sensor进行ACF贴附，用ACF贴附机在sensor上均匀的黏上ACF，ACF贴附机的压力为0.10~0.13MPa，温度为80~120℃，时间为2~3秒；
（14）、将已贴附ACF的sensor运用热压机与FPC进行热压操作，热压机压力为0.16~0.23MPa，温度为200~250℃，时间为10~15秒；
（15）、将热压好的成品运用电测软件和电测装置电测，判断是否为良品，并将良品进行装饰包装。
所述的一种成品率高的OGS触摸屏制作方法，其特征在于：步骤（6）中，使用的有机溶液为占总质量85%的二甘醇丁醚和占总质量15%已醇胺构成的混合液。
本发明的一种高成品率OGS电容式触摸屏的制作方法，整个方法过程简单，产品良率高，解决了FOG良率低、成本大等问题。同时针对sensor感应线路设计在生产过程中存在的缺陷的问题提出了解决方法，通过本发明的方法可以在制作ITO图形时，不会出现两个电极之间相互短路的现象。
具体实施方式
一种成品率高的OGS触摸屏制作方法，包括以下步骤：
（1）、在基板上真空溅射ITO薄膜层，真空度为0.01~0.5Pa，温度为220~350℃，ITO薄膜层的厚度为5nm~25nm；
（2）、涂布光刻胶，并使光刻胶覆盖真空溅射的ITO薄膜层，光刻胶的厚度为1000~2000nm，均匀性在10%以内，然后进行预烘，预烘温度为60~100℃；
（3）、在光刻胶上光刻ITO电极图形，ITO电极图形的光罩是菲林或走线铬版，对光刻胶进行曝光，即在光刻胶上光刻电极图形，曝光条件为：采用365nm波长的紫外光，光通量为60~150mj，光罩距离基板的尺寸20微米~200微米；
（4）、采用浓度1~4%的有机碱，或者浓度为0.1~0.8%的NaOH对光刻胶显影并硬化，形成电极图形，显影时温度为20~40℃，时间为20秒~300秒，硬化时温度为80~120℃，时间为20~50分钟；
（5）、使用HCL与HNO3的混合液蚀刻ITO薄膜层，形成ITO薄膜层电极图形，其中HCL的浓度为13—17%，HNO3 的浓度为5—7%，蚀刻时温度为40~60℃，时间为300~500秒；
（6）、使用有机溶液去除光刻胶形成ITO电极，去除过程时间在5分钟内，最后用纯水漂洗；
（7）、利用丝印网版丝印金属绝缘保护胶，其中丝印位置为裸露的ITO走线；
（8）、烘烤固化金属绝缘保护胶，烘烤时温度为80~120℃，时间为20~50分钟；
（9）、丝印纳米银浆，用钢网网板把银浆丝印于需搭桥连接位置；
（10）、烘烤固化银浆，烘烤温度为200~220℃，时间为20~50分钟；
（11）、运用激光刻蚀机对银浆进行刻蚀，得出所需银浆搭桥线路；
（12）、将整张大块基板进行切割裂片，并做CNC磨边得到设计需要的成品sensor；
（13）、对切割裂片好的sensor进行ACF贴附，用ACF贴附机在sensor上均匀的黏上ACF，ACF贴附机的压力为0.10~0.13MPa，温度为80~120℃，时间为2~3秒；
（14）、将已贴附ACF的sensor运用热压机与FPC进行热压操作，热压机压力为0.16~0.23MPa，温度为200~250℃，时间为10~15秒；
（15）、将热压好的成品运用电测软件和电测装置电测，判断是否为良品，并将良品进行装饰包装。
步骤（6）中，使用的有机溶液为占总质量85%的二甘醇丁醚和占总质量15%已醇胺构成的混合液。