本发明是有关于一种触控显示面板，且特别是有关于一种窄边框的内嵌式触控显示面板。
背景技术：
触控和显示驱动器整合单一晶片的架构是将显示面板中的数据线以及电性连接至触控电极的触控导线都电性连接至单个晶片，借此这个单个晶片可以同时控制显示与触控两个功能。然而，在非显示区域内，数据线与触控导线会往晶片区汇集，使得这些导线可能会相互重叠，可能会影响导线上的信号传递，此现象会同时影响显示与触控两个功能。因此，如何解决数据线与触控导线在非显示区域中的走线(traceroute)重叠与干涉，为此技术领域的人员所关心的议题。
技术实现要素：
为了解决上述在非显示区中的走线问题，本发明提出一种内嵌式触控触控显示面板，让非显示区域中的导线不会彼此重叠。
本发明的实施例提出一种内嵌式触控显示面板，具有显示区域与非显示区域。内嵌式触控显示面板包括以下结构。第一基板与第二基板夹设液晶层，多条栅极线与多条数据线彼此交叉形成于第一基板上。多条感测线形成于第一基板上，并在显示区域中与数据线在空间上彼此不相交。多个像素区域形成于栅极线与数据线彼此交叉围绕的区域，像素区域具有像素结构。像素结构具有像素电极，且像素电极是由第一透明导电层所形成。共同电极是由图案化后的第二透明导电层所形成，且在显示区域中与像素电极在空间上彼此绝缘。共同电极在显示区域形成多个触控电极，且每个触控电极对应多个像素电极，每个像素电极对应一个子共同电极。在触控期间，子共同电极是作为触控电极的一部分，且每个触控电极电性连接至少一条感测线。薄膜晶体管形成于像素结构内，薄膜晶体管包含栅极、源极、漏极及半导体层。源极电性连接数据线，像素电极电性连接至漏极。多个显示垫与多个触控垫设置于非显示区域。第一绝缘层位于栅极与半导体层之间。第二绝缘层形成于第一绝缘层上。第三绝缘层形成于第二绝缘层上。第四绝缘层形成于第三绝缘层上。子共同电极形成于第三绝缘层与第四绝缘层的其中之一上。第三绝缘层的厚度大于等于第二绝缘层的厚度。第三绝缘层厚度是第四绝缘层厚度的1.2倍以上。第三绝缘层厚度大于等于
在一些实施例中，每条数据线电性连接其中一个显示垫。每条感测线电性连接其中一个触控垫。非显示区域包括信号线转接区与扇出区，信号线转接区位于显示区域与扇出区之间，触控垫与显示垫位于扇出区内。其中显示垫设置于两个触控垫之间，其中触控垫是设置于两个显示垫之间。
在一些实施例中，触控垫的数目少于显示垫的数目，显示垫与触控垫排列为多个行，其中一行仅具有部分的触控垫。
在一些实施例中，显示垫设置于触控垫与显示区域之间。
在一些实施例中，触控垫设置在显示垫与显示区域之间。
在一些实施例中，触控垫的数目少于显示垫的数目，显示垫与触控垫排列为多个行，其中第一行仅具有部分的显示垫，第二行具有部分的显示垫与部分的触控垫。
在一些实施例中，驱动电路设置于非显示区域并电性连接至显示垫与触控垫。在显示期间，共同电极上的电压维持不变，驱动电路将像素数据通过数据线和薄膜晶体管传送至像素电极。在触控期间，驱动电路根据触控电极上的电压变化产生触控感测信号。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极，且第一绝缘层形成于第一金属层上，半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于半导体层上，第二金属层包括源极与漏极，且第二绝缘层形成于第二金属层上，第二绝缘层具有第一接触孔以暴露出漏极。第三绝缘层形成于第二绝缘层上，且第三绝缘层具有第二接触孔以对应至第一接触孔。像素电极形成于第三绝缘层上，且像素电极通过第二接触孔与第一接触孔电性连接至漏极。第三金属层形成于第三绝缘层上，第三金属层包括感测线。第四绝缘层形成于第三金属层上，且第四绝缘层具有第三接触孔以暴露出感测线。子共同电极形成于第四绝缘层上，且子共同电极的其中一个通过第三接触孔电性连接至感测线的其中一条。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极，且第一绝缘层形成于第一金属层上，半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于半导体层上，且第二金属层包括源极与漏极，第二绝缘层形成于第二金属层上，且第二绝缘层具有第一接触孔以暴露出漏极。第三金属层形成于第二绝缘层上，感测线在显示区域内属于第三金属层。第三绝缘层形成于第三金属层上，第三绝缘层具有第二接触孔以暴露出感测线，且第三绝缘层具有第三接触孔以对应至第一接触孔。子共同电极形成于第三绝缘层上，子共同电极的其中一个通过第二接触孔电性连接至感测线的其中一条。第四绝缘层形成于子共同电极上，且第四绝缘层具有第四接触孔以对应至第三接触孔。像素电极形成于第四绝缘层上，像素电极通过第四接触孔、第三接触孔与第一接触孔电性连接至漏极。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极，第一绝缘层形成于第一金属层上，且半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于半导体层上，第二金属层包括源极与漏极，第二绝缘层形成于第二金属层上，且第二绝缘层具有第一接触孔以暴露出漏极。第三绝缘层形成于第二绝缘层上，第三绝缘层具有第二接触孔，且第二接触孔对应至第一接触孔。像素电极形成于第三绝缘层上，像素电极通过第二接触孔与第一接触孔电性连接至漏极。第三金属层形成于第三绝缘层上，在显示区域内感测线属于第三金属层。第四绝缘层形成于第三金属层上，第四绝缘层具有第三接触孔以暴露出感测线。子共同电极形成于第四绝缘层上，子共同电极的其中一个通过第三接触孔电性连接至感测线的其中一条，且感测线在内嵌式触控显示面板的法向量上与数据线至少部分重叠。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极，第一绝缘层形成于第一金属层上，且半导体层形成于第一绝缘层上。第二金属层形成于半导体层上，第二金属层包括源极与漏极，第二绝缘层形成于第二金属层上，且第二绝缘层具有第一接触孔以暴露出漏极。第三绝缘层形成于第二绝缘层上，第三绝缘层具有第二接触孔，第二接触孔对应至第一接触孔，且子共同电极形成于第三绝缘层上。第四绝缘层形成于子共同电极上，并且具有第三接触孔与第四接触孔，第三接触孔对应至第二接触孔，且第四接触孔暴露出子共同电极。第三金属层形成于第四绝缘层上，在显示区域内感测线属于第三金属层，且感测线的其中一条通过第四接触孔电性连接至子共同电极的其中一个。第一透明导电层包括像素电极以及感测线保护层，且形成于第四绝缘层上，像素电极通过第三接触孔、第二接触孔与第一接触孔电性连接至漏极。感测线保护层覆盖感测线，且感测线在内嵌式触控显示面板的法向量上与数据线至少部分重叠。
在一些实施例中，半导体层形成于第一基板上，半导体层包括源极、第一轻参杂区、薄膜晶体管的沟道区、第二轻参区与漏极，其中沟道区是形成于第一轻参杂区与轻参杂区之间。第一绝缘层形成于半导体层上，第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出源极，以及第二接触孔以暴露出漏极。第一金属层形成于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极，第二绝缘层形成于第一金属层上，且第二绝缘层具有对应至第一接触孔的第三接触孔，以及具有对应至第二接触孔的第四接触孔，且像素电极形成于第二绝缘层上。第二金属层形成于第二绝缘层上，数据线在显示区域内属于第二金属层，数据线通过第三接触孔与第一接触孔电性连接至源极。第二金属层包括填充结构，填充结构电性连接至像素电极并通过第四接触孔与第二接触孔电性连接至漏极，且第三绝缘层形成于第二金属层上。第三金属层形成于第三绝缘层上，感测线在显示区域内属于第三金属层，第四绝缘层形成于第三金属层上，且第四绝缘层包括第五接触孔以暴露出感测线。子共同电极形成于第四绝缘层上，且子共同电极的其中一个通过第五接触孔电性连接至感测线的其中一条，感测线在内嵌式触控显示面板的法向量上与数据线至少部分重叠。
在一些实施例中，半导体层形成于第一基板上，半导体层包括源极、第一轻参杂区、薄膜晶体管的沟道区、第二轻参杂区与漏极，沟道区是形成于第一轻参杂区与第二轻参杂区之间。第一绝缘层形成于半导体层上，第一绝缘层具有第一接触孔以暴露出源极以及具有第二接触孔以暴露出漏极。第一金属层形成于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极，第二绝缘层形成于第一金属层上，第二绝缘层具有对应至第一接触孔的第三接触孔，以及具有对应至第二接触孔的第四接触孔。第二金属层形成于第二绝缘层上，数据线在显示区域内属于第二金属层，且数据线通过第三接触孔与第一接触孔电性连接至源极。第二金属层包括填充结构，填充结构通过第四接触孔与第二接触孔电性连接至漏极。第三绝缘层形成于第二金属层上，第三绝缘层包括第五接触孔以暴露出填充结构。子共同电极形成于第三绝缘层上，其中第四绝缘层形成于子共同电极上，第四绝缘层包括对应至第五接触孔的第六接触孔，以及第七接触孔以暴露出部分的子共同电极。第三金属层形成于第三绝缘层上，感测线在显示区域内属于第三金属层，感测线的其中一条通过第七接触孔电性连接至子共同电极的其中一个。第一透明导电层包括像素电极以及感测线保护层，像素电极形成于第四绝缘层上，且像素电极通过第六接触孔与第五接触孔电性连接至填充结构。感测线保护层覆盖感测线，且感测线在内嵌式触控显示面板的法向量上与数据线至少部分重叠。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一绝缘层上，第一金属层包括栅极，第一绝缘层形成于第一金属层上，且半导体层形成于第一绝缘层上，半导体层为包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层形成于半导体层上，第二绝缘层具有第一接触孔以及第二接触孔以暴露出半导体层，且像素电极形成于第二绝缘层上。第二金属层形成于第二绝缘层上，以形成源极、漏极与数据线，源极与漏极通过第一接触孔与第二接触孔与半导体层电性连接，其中漏极电性连接像素电极，且第三绝缘层形成于第二金属层上。第三金属层形成于第三绝缘层上，感测线在显示区域内属于第三金属层，其中第四绝缘层，形成于第三金属层上，且第四绝缘层包括第三接触孔以暴露出感测线。子共同电极形成于第四绝缘层上，子共同电极的其中一个通过第三接触孔电性连接至感测线的其中一条，且感测线在内嵌式触控显示面板的法向量上与数据线至少部分重叠。
在一些实施例中，第一金属层形成于第一基板上，第一金属层包括栅极，第一绝缘层形成于第一金属层上，半导体层形成于第一绝缘层上。半导体层为包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层形成于半导体层上，第二绝缘层具有第一接触孔与第二接触孔暴露半导体层。第二金属层形成于第二绝缘层上，以形成源极、漏极与感测线，源极与漏极通过第一接触孔与第二接触孔与半导体层电性连接。第三绝缘层形成于第二金属层上，并具有第三接触孔暴露感测线，以及具有第四接触孔暴露漏极。像素电极形成于第三绝缘层上，像素电极通过第四接触孔电性连接漏极，且第四绝缘层形成于像素电极上，第四绝缘层包括第五接触孔对应第三接触孔以暴露出感测线。子共同电极形成于第四绝缘层上，感测线的其中一条通过第五接触孔与第三接触孔电性连接至子共同电极的其中一个。
在一些实施例中，感测线包括第一部分与第二部分，第一部分属于第一金属层，第二部分属于第三金属层。内嵌式触控显示面板还包括连接结构，设置于信号线转接区，用以电性连接至第一部分与第二部分，此连接结构包括以下元件。第一部分形成于第一基板上。第一绝缘层具有第一接触孔以暴露第一部分。第二绝缘层具有第二接触孔以对应至第一接触孔。第二部分形成于第二绝缘层上。第四绝缘层具有第三接触孔与第四接触孔，第三接触孔对应至第二接触孔，第四接触孔暴露出第二部分。第二透明导电层通过第四接触孔电性连接至第二部分，并且通过第一接触孔、第二接触孔与第三接触孔电性连接至第一部分。
在一些实施例中，第一部分属于第一金属层，第二部分属于第三金属层，连接结构包括以下元件。第一部分形成于第一基板上；第一绝缘层形成于第一金属层上且具有第一接触孔以暴露第一部分。金属电极属于第二金属层，通过第一接触孔电性连接至第一部分。第二绝缘层形成于第二金属层上，且具有第二接触孔以暴露第一部分。第二部分通过第二接触孔电性连接至第一部分。第三绝缘层具有第三接触孔以暴露出第二部分。电性连接部分属于第二透明导电层并通过第三接触孔电性连接至第二部分。
在一些实施例中，第一部分属于第二金属层，第二部分属于第三金属层，连接结构包括以下元件。第一绝缘层形成于第一基板上。第一部分形成于第一绝缘层上。第二绝缘层形成于第一部分上，并具有第一接触孔以暴露第一部分。第二部分形成于第二绝缘层上。第四绝缘层具有第二接触孔与第三接触孔，第二接触孔对应至第一接触孔，第三接触孔暴露出第二部分。第二透明导电层通过第三接触孔电性连接至第二部分，并通过第一接触孔与第二接触孔电性连接第一部分。
在一些实施例中，第一部分属于第二金属层，第二部分属于第三金属层，连接结构包括以下元件。第一绝缘层形成于第一基板上。第一部分形成于第一绝缘层上。第二绝缘层形成于第一部分上，并具有第一接触孔以暴露第一部分。第二部分形成于第二绝缘层上，并通过第一接触孔电性连接至第一部分。第四绝缘层具有第二接触孔以暴露第二部分。第二透明导电层通过第二接触孔电性连接第二部分。
在一些实施例中，第一部分与第二部分都属于第三金属层，连接结构包括以下元件。第一绝缘层形成于第一基板上。第二绝缘层形成于第一绝缘层上。第一部分与第二部分形成于第二绝缘层上。第四绝缘层形成于第二绝缘层上，并有第一接触孔以暴露出第一部分，以及第二接触孔以暴露出第二部分。第二透明导电层通过第一接触孔电性连接至第一部分，并通过第二接触孔电性连接至第二部分。
在一些实施例中，第一部分与第二部分都属于第二金属层，连接结构包括以下元件。第一绝缘层形成于第一基板上。第一部分与第二部分形成于第一绝缘层上。第二绝缘层形成于第一绝缘层上，并有第一接触孔以暴露出第一部分，以及第二接触孔以暴露出第二部分。第一透明导电层通过第一接触孔电性连接至第一部分，并通过第二接触孔电性连接至第二部分。
在一些实施例中，第一部分属于第一金属层，第二部分属于第二金属层，连接结构包括以下元件。第一绝缘层形成于第一基板上。第一部分形成于第一绝缘层上。第二绝缘层形成于第一部分上，并具有第一接触孔以暴露第一部分。第二部分形成于第二绝缘层上。第三绝缘层具有第二接触孔与第三接触孔，第二接触孔对应至第一接触孔，第三接触孔暴露出第二部分。第一透明导电层通过第三接触孔电性连接至第二部分，并通过第一接触孔与第二接触孔电性连接第一部分。
在一些实施例中，数据线与感测线在显示区域内彼此平行，且在扇出区内彼此不重叠。
在一些实施例中，数据线与感测线在显示区域内是沿着内嵌式触控显示面板的法向量彼此部分地重叠，数据线与感测线在显示区域内由不同金属层所构成。
在一些实施例中，至少两条感测线彼此电性连接后通过导线电性连接至扇出区内的其中一个触控垫。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据一实施例绘示内嵌式触控显示面板中数据线与触控线的连接示意图。
图2是根据一实施例绘示感测线与驱动电路的连接示意图。
图3a至图3g是根据一些实施例绘示驱动电路上显示垫与触控垫的配置示意图。
图4是根据一实施例绘示像素结构的俯视图。
图5a与图5b是沿着图4的切线aa’绘示像素结构的剖面图。
图5c与图5d是根据另一实施例绘示多个像素结构的俯视图。
图5e是绘示图5c中共同电极的电路示意图。
图5f是沿着图5c的切线ee’绘示像素结构的剖面图。
图5g是沿着图5c的切线ff’绘示像素结构的剖面图。
图5h是沿着图5c的切线gg’绘示像素结构的剖面图。
图5i是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。
图5j是沿着图5i的切线ii’绘示像素结构的剖面图。
图5k是沿着图5i的切线jj’绘示像素结构的剖面图。
图6是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图。
图7a与图7b是沿着图6的切线cc’绘示像素结构的剖面图。
图7c至图7g是根据另一实施例绘示像素结构的剖面图。
图8a至图8c是沿着图4的切线bb’绘示连接结构440的剖面图。
图8d与图8e是根据另一实施例绘示连接结构的剖面图。
图9a至图9c是沿着图6的切线dd’绘示连接结构610的剖面图。
图10a至图10g是根据一实施例绘示形成像素结构的中间程序的俯视图。
具体实施方式
关于本文中所使用的“第一”、“第二”、…等，并非特别指次序或顺位的意思，其仅为了区别以相同技术用语描述的元件或操作。
图1是根据一实施例绘示显示面板中数据线与感测线的连接示意图。请参照图1，显示面板100是一种内嵌式触控(in-cell)的显示面板，也就是说侦测触控用的电极是设置在薄膜晶体管基板上的像素结构之中。
内嵌式触控显示面板100包括显示区域101与非显示区域102。非显示区域102包括了信号线转接区103与扇出区104。在此先说明显示区域101，显示区域101内包括多个像素区域，这些像素区域形成于栅极线与数据线彼此交叉处，每一个像素区域具有一个像素结构。具体来说，显示区域101中包括多个像素结构p11～p14、p21～p24、p31～p34、p41～p44；多条沿着x方向(亦称第一方向)延伸的栅极线g1～g4；多条沿着y方向(亦称第二方向)延伸的数据线d1～d4，这些数据线d1～d4在空间上彼此不相交；以及多条沿着y方向延伸的感测线s1～s4。数据线d1～d4与栅极线g1～g4是交错在第一基板上，在相互交叉围绕的区域具有对应的像素结构。每个像素结构中都具有一个薄膜晶体管，每条数据线d1～d4会连接至对应像素结构中薄膜晶体管的源极，并且每条栅极线g1～g4会连接至对应像素结构中薄膜晶体管的栅极。举例来说，像素结构p11具有薄膜晶体管t1，薄膜晶体管t1具有栅极t1g与源极t1s，栅极线g1是连接栅极t1g，而数据线d1是连接至源极t1s。显示面板中还包括共同电极，此共同电极经图案化后在显示区域101形成多个触控电极c11、c12、c21、c22，且每一个触控电极对应多个像素电极且透过接触孔电性连接至少一条感测线。举例来说，像素结构p11～p14对应至触控电极c11，且触控电极c11电性连接至感测线s1；像素结构p21～p24对应至触控电极c12，且触控电极c12电性连接至感测线s3；像素结构p31～p34对应至触控电极c21，且触控电极c21电性连接至感测线s2；像素结构p44～p44对应至触控电极c22，且触控电极c22电性连接至感测线s4。
一个帧(frame)的期间可至少被分为显示期间与触控期间。在显示期间，触控电极c11、c12、c21、c22会电性连接至共同电压，栅极线g1～g4上的电压是用以依序导通像素结构中的薄膜晶体管，驱动电路110会将像素数据通过数据线d1～d4传送至像素结构中的像素电极，借此决定对应像素的灰阶值。另一方面，而在触控期间，触控电极c11、c12、c21、c22是用以侦测内嵌式触控显示面板100上的触控操作，驱动电路110会根据触控电极c11、c12、c21、c22上的电压产生触控感测信号。
信号线转接区103位于显示区域101与扇出区104之间。在信号线转接区103中，数据线d1～d4与感测线s1～s4可转接至不同的金属层。例如，感测线s1～s4可以在显示区域101中属于第三金属层，但在扇出区104中属于第一金属层，因此信号线转接区103中具有连接结构以将感测线s1～s4从第三金属层转接至第一金属层，以下会再详细说明连接结构的实施例。此外，在信号线转接区103中也可以设置电路防护元件或者是透明或不透明的导电层，借此避免静电放电对显示面板100的损坏。在一些实施例中，信号线转接区103的宽度约为0.5～1个像素结构的宽度，但本发明并不在此限。
在非显示区域102中，内嵌式触控显示面板100上设置有驱动电路110。驱动电路110电性连接至多个显示垫121～124与多个触控垫131～134。显示垫121～124是分别电性连接至数据线d1～d4，而触控垫131～134是分别电性连接至感测线s1～s4。特别的是，在x方向上，其中一个显示垫是设置在两个触控垫之间，而其中一个触控垫是设置于两个显示垫之间。例如，显示垫122是设置于触控垫131与触控垫132之间，且触控垫131是设置于显示垫121与显示垫122之间。在图1的实施例中，显示垫121～124与触控垫131～134是交错地设置。在公知技术中，驱动电路110是连续地配置显示垫121～124，然后再连续地配置触控垫131～134，这使得信号线d1～d4与感测线s1～s4在非显示区域102中会彼此交错。然而，如图1所示，由于显示垫121～124与触控垫131～134是彼此交错地设置，这使得数据线d1～d4与感测线s1～s4在显示区域101内是彼此平行，并且在非显示区域102内彼此不重叠。
在一些实施例中，驱动电路110可设置在可挠式(flexible)电路板上，例如在卷带承载封装(tapecarrierpackage，tcp)或晶粒软模封装(chiponfilm，cof)上，或者驱动电路110也可以设置在薄膜晶体管基板上。此外，驱动电路110可以是触控与显示整合(touchanddisplaydriverintegration，tddi)单一晶片，同时提供显示与触控的功能。或者，驱动电路110中也可以包括多个晶片，分别提供显示与触控的功能。驱动电路110也可以是面板内栅极驱动器(gate-driverinplane，gip)或整合栅极驱动器(integratedgatedriver，igd)。另外，驱动电路110的数目也可以大于一，分别设置在面板的上下或左右两侧，或者也可以只设置在面板的一侧。
在图1中，是每四个像素结构会共用一个触控电极，但在其他实施例中也可以由更多或更少个像素结构来共同一个触控电极。此外，在图1中数据线d1～d4与感测线s1～s4的数目是相同。然而，在一般情况下每个像素结构(亦称为子像素)只会显示单一个颜色，而三个子像素才会构成一个像素，这三个子像素通常是沿着x方向排列，因此像素结构在x方向上的解析度会大于在y方向上的解析度。在一些实施例中，可以将至少两条感测线彼此电性连接后通过导线电性连接驱动电路110上其中一个触控垫。举例来说，请参照图2，图2是根据一实施例绘示感测线与驱动电路的连接示意图。为了简化起见，在图2中并未绘示出数据线、栅极线等导线。在图2的实施例中，触控电极c11、c21、c31中各有27个像素结构(共有3行(row)与9列(column))。感测线s1～s3中的至少一条感测线透过接触孔ch电性连接至触控电极c11，并且感测线s1～s3在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线201电性连接至驱动电路110上的触控垫。感测线s4～s6中的至少一条感测线透过接触孔ch电性连接至触控电极c21，并且感测线s4～s6在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线202电性连接至驱动电路110上的触控垫。感测线s7～s9中的至少一条感测线透过接触孔ch电性连接至触控电极c31，并且感测线s7～s9在信号线转接区103中彼此电性连接后通过导线203电性连接至驱动电路110上的触控垫。在图2的实施例中，感测线s1～s3中有两条感测线透过两个接触孔ch电性连接至触控电极c11，感测线s4～s6中有一条感测线透过一个接触孔ch电性连接至触控电极c21，而感测线s7～s9中有三条感测线透过三个接触孔ch电性连接至触控电极c31。本发明并不限制每个触控电极会电性连接至几条感测线。例如，若有五条感测线通过一个触控电极，则此触控电极可以电性连接至这五条感测线中任意数目的感测线。
此外，每个像素结构都具有一条数据线，而每一条数据线都会连接至驱动电路110上的一个显示垫。也就是说，显示垫的数目会多于触控垫的数目。在图2的实施例中，每3个显示垫之间都会设置一个触控垫，借此在非显示区域102中感测线与数据线不会彼此重叠。
图3a至图3g是根据一些实施例绘示驱动电路上显示垫与触控垫的配置示意图。为了简化起见，在图3a至图3g中并未绘示数据线与感测线。
请先参照图3a，在一些实施例中，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着y方向排列为第一行301、第二行302与第三行303。其中在第一行301中仅具有触控垫tp，而在第二行302与第三行303仅具有显示垫dp。在此实施例中，所有的触控垫都设置在第一行301，但在其他的实施例中也可以将所有的触控垫排列为多个行。此外，在图3a中，触控垫tp是设置上面，即触控垫tp是设置在显示区域与显示垫dp之间。图3b类似于图3a，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着y方向排列为第一行311、第二行312与第三行313。其中在第二行312与第三行313仅具有显示垫dp，在第一行311中仅具有触控垫tp。然而，在图3b中，触控垫tp是设置在下方，即显示垫dp是设置在显示区域与触控垫tp之间。
在图3c中，驱动电路110上的显示垫与触控垫沿着y方向排列为第一行321与第二行322。其中第一行321仅具有部分的显示垫dp，而第二行322具有显示垫dp与部分的触控垫tp。第一行321是设置在上方，即第一行321是设置在显示区域与第二行322之间。图3d类似于图3c，不同的是，在图3d中参杂有触控垫tp与显示垫dp的第二行332是设置在上方，即第二行332是设置在显示区域与第一行331之间。
在图3e中，显示垫与触控垫沿着y方向排列为第一行341、第二行342、第三行343与第四行344。其中第一行341仅具有触控垫tp，而第二行342、第三行343与第四行344仅具有显示垫dp。此外，在y方向上触控垫tp与显示垫dp是彼此重叠。
在图3f中，触控垫tp是平均地分散在第一行351、第二行352与第三行353上。在同一行中相邻的两个触控垫tp之间则相隔有三个显示垫dp。并且在y方向上触控垫tp不会彼此重叠。
在图3g中，第一行361仅具有触控垫tp，第二行362与第三行363仅具有显示垫dp，而第四行364仅具有触控垫tp。在y方向上，第一行361的触控垫tp并不会重叠于第四行364的触控垫tp，并且第二行362上的显示垫dp并不会重叠于第三行363上的显示垫dp。
在上述图3a至图3g的实施例中，触控垫tp在x方向上的宽度是相同于显示垫dp在x方向上的宽度。但在其他实施例中，触控垫tp在x方向上的宽度也可以大于显示垫dp在x方向上的宽度，本发明并不在此限。值得一提的是，本文中所指的“在x方向上，其中一个显示垫是设置在两个触控垫之间，而其中一个触控垫是设置于两个显示垫之间”涵盖了图3a至图3g的实施例。例如，在图3e中显示垫347在x方向上是位于触控垫345与触控垫346之间，而触控垫346是位于显示垫347与显示垫348之间。以另一个角度来说，显示垫347在x轴上的投影会位于触控垫345与触控垫346在x轴上的两个投影之间，且触控垫346在x轴上的投影是位于显示垫347与显示垫348在x轴上的两个投影之间。对于图3a至图3d、图3f与图3g的解读也可以此类推，并不再赘述。
图4是根据一实施例绘示像素结构的俯视图，图5a是沿着图4的切线aa’绘示像素结构的剖面图。在以下的描述中，每个像素结构中的触控电极被称为子共同电极。也就是说，每一个像素电极对应至一个子共同电极，在触控期间子共同电极是作为触控电极的一部分。请参照图4，在此以像素结构410为例，像素结构410中具有薄膜晶体管420、像素电极pe与子共同电极com(未绘示于图4)。薄膜晶体管420具有栅极420g、源极420s与漏极420d。属于第一金属层m1的栅极线430是连接至栅极420g。属于第二金属层m2的数据线431连接至源极420s。属于第三金属层m3的感测线432则会连接至子共同电极com。请同时参照图4与图5a，第一金属层m1是形成于第一基板sub上，并且第一金属层m1包括栅极420g。第一绝缘层ins1(亦称为栅极绝缘层)是形成于第一金属层m1上。半导体层420c形成于第一绝缘层ins1上，作为薄膜晶体管420的沟道区。第二金属层m2形成于半导体层420c上，第二金属层m2包括源极420s与漏极420d。第二绝缘层ins2形成于第二金属层m2上，并且第二绝缘层ins2具有第一接触孔5a_1h。第三绝缘层ins3是形成于第二绝缘层ins2上，并且第三绝缘层ins3具有对应至第一接触孔5a_1h的第二接触孔5a_2h。第三金属层m3形成于第三绝缘层ins3上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层m3。第一透明导电层511也形成于第三绝缘层ins3上，第一透明导电层511包括了像素电极pe，像素电极pe通过第二接触孔5a_2h与第一接触孔5a_1h电性连接至漏极420d。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3与第一透明导电层511上，并且具有第三接触孔5a_3h以暴露出感测线432。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，第二透明导电层512包括子共同电极com，子共同电极com也包括多个间隙(slit)512s。在显示区域101内，感测线432通过接触孔5a_3h电性连接至子共同电极com。如此一来，在显示期间，子共同电极com上会施加共同电压，而子共同电极com与像素电极pe之间的电场可用来控制液晶的旋转方向；在触控期间，子共同电极com是作为触控电极的一部分，其上的电压可通过感测线432传送至驱动电路，进而产生触控感测信号。
在图5a的实施例中共有四道绝缘层，其中第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2与第四绝缘层ins4可为氮化硅、氧化硅或其他合适的绝缘层；而第三绝缘层ins3可为有机绝缘层。然而，本发明并不在此限，第一绝缘层ins1至第四绝缘层ins4都可采用任何适当的材料。此外，第三绝缘层ins3的厚度可大于等于第二绝缘层ins2的厚度。第三绝缘层ins3的厚度是第四绝缘层ins4厚度的1.2倍以上，这样可使得子共同电极com与像素电极pe之间的电场不易受到干扰。另外，第三绝缘层ins3的厚度大于等于
在图5a的实施例中，子共同电极com是在像素电极pe的上面。然而，在其他实施例中子共同电极com也可以形成于像素电极pe的下面。举例来说，请参照图5b，其中第二绝缘层ins2形成于第二金属层m2上，并且第二绝缘层ins2具有第一接触孔5e_1h。第三金属层m3形成于第二绝缘层ins2上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层m3。第三绝缘层ins3是形成于第二绝缘层ins2上，并且第三绝缘层ins3具有第二接触孔5e_2h以暴露出感测线432，第三绝缘层ins3也具有对应至第一接触孔5e_1h的第三接触孔5e_3h。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3上，第一透明导电层511包括了子共同电极com，子共同电极com通过第二接触孔5e_2h电性连接至感测线432。第四绝缘层ins4形成于第一透明导电极511上，第四绝缘层ins4具有对应至第三接触孔5e_3h的第四接触孔5e_4h。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，第二透明导电层512包括像素电极pe，像素电极pe具有间隙512s，像素电极pe通过第四接触孔5e_4h、第三接触孔5e_3h与第一接触孔5e_1h电性连接至漏极420d。
在一些实施例中，子共同电极com与第二金属层m2是形成在同一层。举例来说，请参照图5c与图5e，图5c绘示的是图5e中区域540内的两个像素结构，为了区别图5e中的两个子共同电极com，在图5c中两个相邻的像素结构所包括的子共同电极被标示为第一子共同电极com1与第二子共同电极com2。当子共同电极com1、com2设置在像素电极pe的下面时，子共同电极com1、com2与第二金属层m2是属于同一层，即子共同电极com1、com2与第二金属层m2都直接接触上述的第一绝缘层ins1，这使得子共同电极com1并不能直接跨越数据线431来电性连接至子共同电极com2。因此，在一些实施例中还设置了多个金属连接结构(例如金属连接结构535)，其中每一个金属连接结构用以电性连接相邻的两个像素结构中的子共同电极，并且此金属连接结构并不属于第二金属层。在图5c的实施例中，这些金属连接结构是属于第三金属层m3。
请参照图5d，在x方向上子共同电极com1、com2是通过金属连接结构535彼此电性连接。然而，在y方向上子共同电极并不会跨越同层的第二金属层，因此可直接通过延伸部彼此电性连接。具体来说，在y方向上相邻的子共同电极com1和子共同电极com3是通过延伸部591彼此电性连接；在y方向上相邻的子共同电极com2和子共同电极com4是通过延伸部592彼此电性连接。延伸部591、592会跨越栅极线430，并且在x方向上的宽度会小于子共同电极com1、com2、com3、com4的宽度。
请参照图5c、图5f、图5g与图5i，图5f是沿着图5c中的切线ee’所绘示像素结构的剖面图，图5g是沿着图5c中的切线ff’所绘示像素结构的剖面图，图5i是沿着图5c中的切线gg’所绘示像素结构的剖面图。图5f至图5i中类似于图5a的组件并不再重复赘述。在图5f至图5i中，第二金属层m2与第一透明导电层511都是设置于第一绝缘层ins1之上并直接接触第一绝缘层ins1，第一透明导电层511包括了子共同电极com1、com2。第二绝缘层ins2形成于第二金属层m2与第一透明导电层511之上，第二绝缘层ins2具有接触孔530、接触孔531与接触孔534。接触孔531暴露出漏极420d。在同一个像素结构中，接触孔530、534是分别设置于子共同电极的两侧并暴露出此像素结构中的子共同电极。举例来说，子共同电极com1与子共同电极com2的两侧都设置有接触孔530、534。第三金属层m3形成在第二绝缘层ins2之上，在显示区域101内感测线432属于第三金属层m3，感测线432通过接触孔530电性连接至子共同电极com1、com2。此外，第三金属层m3也包括金属连接结构535，金属连接结构535是电性连接至感测线432(也电性连接至子共同电极com1)，并从接触孔530延伸至相邻像素结构中的接触孔534，通过接触孔534电性连接至子共同电极com2。如此一来，相邻的两个子共同电极com1、com2可通过金属连接结构535彼此电性连接。此外，第三绝缘层ins3设置于第二绝缘层ins2与第三金属层m3之上，并且具有对应至接触孔531的接触孔532。第二透明导电层512形成在第三绝缘层ins3之上，第二透明导电层512包括像素电极pe。在一些实施例中，像素电极pe具有多个间隙533。此外，像素电极pe是通过接触孔532、531电性连接至漏极420d。
在图5c的实施例中，金属连接结构535是形成在第三金属层m3，但在其它实施例中也可以形成在第一金属层m1中。举例来说，请参照图5i、图5j与图5k。图5j是沿着图5i的切线ii’绘示像素结构的剖面图。图5k是沿着图5i的切线jj’绘示像素结构的剖面图。在此实施例中，第一金属层m1包括栅极420g与金属连接结构563。第一绝缘层ins1具有接触孔561、562以暴露出金属连接结构563。第一透明导电层511包括了子共同电极com1、com2。子共同电极com1通过接触孔561电性连接至金属连接结构563，而金属连接结构563通过接触孔562电性连接至子共同电极com2。如此一来，子共同电极com1、com2会彼此电性连接。第二绝缘层ins2是形成于第二金属层m2与第一透明导电层511之上，并具有接触孔564以暴露出子共同电极com1、com2。第三金属层m3形成于第二绝缘层ins2之上，而属于第三金属层m3的感测线432是通过接触孔564电性连接至子共同电极com1、com2。
在图4、图5a、图5b的实施例中，数据线431与感测线432在内嵌式触控显示面板的法向量上是彼此没有重叠。但由于感测线432是由金属所形成，这样会减少像素结构的开口率(apertureratio)。因此在一些实施例中，数据线431与感测线432在显示区域内可沿着显示面板的法向量彼此部分地重叠，并且数据线431与感测线432在显示区域内是由不同金属层所构成。举例来说，请参照图6以及图7a。图6是根据另一实施例绘示像素结构的俯视图，图7a是沿着图6的切线cc’绘示像素结构的剖面图。第一金属层m1是形成于第一基板sub上，并且第一金属层m1包括栅极420g。第一绝缘层ins1是形成于第一金属层m1上。半导体层420c形成于第一绝缘层ins1上，作为薄膜晶体管420的沟道区。第二金属层m2形成于半导体层420c上，第二金属层m2包括源极420s与漏极420d。第二绝缘层ins2形成于第二金属层m2上，第二绝缘层ins2具有第一接触孔7a_1h以暴露出漏极420d。第三绝缘层ins3形成于第二绝缘层ins2上，并且第三绝缘层ins3具有对应至第一接触孔7a_1h的第二接触孔7a_2h。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3上，第二透明导电层511包括像素电极pe，像素电极pe通过第二接触孔7a_2h与第一接触孔7a_1h电性连接至漏极420d。第三金属层m3形成于第三绝缘层ins3上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层m3。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3上，并且具有第三接触孔7a_3h以暴露出感测线432。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，第二透明导电层512包括子共同电极com，子共同电极com包括多个间隙512s。在显示区域101内，感测线432通过第三接触孔7a_3h电性连接至子共同电极com。特别的是，在显示面板的法向量720上，感测线432与数据线431是至少部分地重叠。
在图7a的实施例中子共同电极com是形成于像素电极pe上，但在其他实施例中子共同电极com也可以形成于像素电极pe之下。举例来说，请参照图7b，第二绝缘层ins2具有第一接触孔7c_1h以暴露出漏极420d。第三绝缘层ins3形成于第二绝缘层ins2上，并且第三绝缘层ins3具有对应至第一接触孔7c_1h的第二接触孔7c_2h。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3上，第一透明导电层511包括子共同电极com。第四绝缘层ins4形成于第一透明导电层511上，第四绝缘层ins4具有对应至第二接触孔7c_2h的第三接触孔7c_3h，也具有第四接触孔7c_4h以暴露出子共同电极com。第三金属层m3形成于第四绝缘层ins4上，感测线432在显示区域101内属于第三金属层m3。在内嵌式触控显示面板的法向量720上，感测线432与数据线431是至少部分地重叠。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4与第三金属层m3上，第二透明导电层512包括像素电极pe，像素电极pe包括多个间隙512s，像素电极pe通过第三接触孔7c_3h、第二接触孔7c_2h与第一接触孔7c_1h电性连接至漏极420d。此外，第二透明导电层512还包括感测线保护层710，感测线保护层710是用以覆盖感测线432。值得注意的是，感测线保护层710与像素电极pe是彼此电性绝缘，而感测线保护层710的用途是用以保护感测线432以避免后续工艺的侵蚀。
在上述的实施例中，薄膜晶体管的通道是非晶硅，但在其他实施例中通道也可以是多晶硅。举例来说，请参照图7c，第一基板sub上形成有半导体层520，半导体层520包括了源极520s、第一轻参杂区(lightlydopeddrain，ldd)区520l_1、第二轻参杂区520l_2、沟道区520c与漏极520d。沟道区520c为多晶硅，其是通过低温(通常低于600℃)的方式来形成。源极520s与漏极520d为重参杂。通道520c是形成于第一轻参杂区520l_1与第二轻参杂区520l_2之间。第一轻参杂区520l_1是形成于源极520s与沟道区520c之间，第二轻参杂区520l_2是形成于沟道区520c与漏极520d之间。第一绝缘层ins1形成于半导体层520上，并且第一绝缘层ins1具有第一接触孔5g_1h与第二接触孔5g_2h以分别暴露出源极520s与漏极520d。第一金属层m1形成于第一绝缘层ins1上，第一金属层m1具有栅极521g，栅极521g是沿着第一基板sub的法向量720与沟道区520c至少部分地重叠。第二绝缘层ins2形成于第一绝缘层ins1上，第二绝缘层ins2具有对应至第一接触孔5g_1h的第三接触孔5g_3h，以及对应至第二接触孔5g_2h的第四接触孔5g_4h。栅极521g是位于第三接触孔5g_3h与第四接触孔5g_4h之间。第一透明导电层511形成于第二绝缘层ins2上，第一透明导电层511具有像素电极pe。第二金属层m2形成于第二绝缘层ins2上，数据线431属于第二金属层m2，并且数据线431通过第三接触孔5g_3h与第一接触孔5g_1h电性连接至源极520s。第二金属层m2还具有填充结构530，此填充结构530电性连接至像素电极pe，并且通过第四接触孔5g_4h与第二接触孔5g_2h电性连接至漏极520d。第三绝缘层ins3形成于第二金属层m2上。第三金属层m3形成于第三绝缘层ins3上，感测线432在显示区域中属于第三金属层m3。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3上，第四绝缘层ins4具有第五接触孔5g_5j以暴露出感测线432。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，并且通过第五接触孔5g_5j电性连接至感测线432。第二透明导电层512具有子共同电极com，子共同电极com具有间隙512s。沿着第一基板sub的法向量，感测线432与数据线431是至少部分地重叠。
在图7c的实施例中第二金属层m2是形成于第一透明导电层511之上。但在其他实施例中第二金属层m2也可以形成于第一透明导电层511之下。举例来说，请参照图7d，图7d中与图7c相似之处便不再重复赘述。在图7d中，第三绝缘层ins3具有第六接触孔5g_6h以暴露出填充结构530。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3之上并通过第六接触孔5g_6h电性连接至填充结构530。
在图7c与图7d的实施例中子共同电极com是形成于像素电极pe上，但在其他实施例中子共同电极com也可以形成于像素电极pe之下。举例来说，请参照图7e，图7e中与图7c相似的元件便不再重复赘述。在图7e的实施例中，第三绝缘层ins3具有第五接触孔7f_5j以暴露出填充结构530。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3上，第一透明导电层511具有子共同电极com。第四绝缘层ins4是形成于第一透明导电层511上，并且具有第六接触孔7f_6h以及第七接触孔7f_7h，第六接触孔7f_6h是对应至第五接触孔7f_5j，第七接触孔7f_7h暴露出部分的第一透明导电层511。第三金属层m3形成于第四绝缘层ins4上，感测线432在显示区域内属于第三金属层m3，并且感测线432通过第七接触孔7f_7h电性连接至第一透明导电层511。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，第二透明导电层512具有像素电极pe与感测线保护层710。感测线保护层710用以覆盖感测线432。像素电极pe通过第六接触孔7f_6h与第七接触孔7f_7h电性连接至填充结构530。在第一基板sub的法向量720上，感测线432与数据线431是至少部分地重叠。
在一些实施例中，薄膜晶体管的通道也可以为氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)等金属氧化物的组成。例如，请参照图7f，第一基板sub上有第一金属层m1，此第一金属层m1包括了薄膜晶体管的栅极420g。第一绝缘层ins1形成于第一金属层m1之上。半导体层420c形成于第一绝缘层ins1之上，半导体层420c为包含铟、镓和锌的金属氧化物。第二绝缘层ins2形成于半导体层420c之上，并且具有第一接触孔5k_1h与第二接触孔5k_2h以暴露出半导体层420c。第二金属层m2也形成于第二绝缘层ins2之上，第二金属层m2包括了数据线431、源极420s、漏极420d与感测线432。源极420s(数据线431)通过第一接触孔5k_1h电性连接至半导体层420c，而漏极420d通过第二接触孔5k_2h电性连接至半导体层420c。第三绝缘层ins3形成于第二金属层m2之上，并且具有第三接触孔5k_3h以暴露出感测线432，以及第四接触孔5k_4h以暴露出漏极420d。第一透明导电层511形成于第三绝缘层ins3之上，并具有像素电极pe，像素电极pe通过第四接触孔5k_4h电性连接至漏极420d。第四绝缘层ins4形成于第三绝缘层ins3之上，并具有第五接触孔5k_5j以对应至第三接触孔5k_3h。第二透明导电层512形成于第三绝缘层ins4之上并且包括子共同电极com，子共同电极com通过第五接触孔5k_5j与第三接触孔5k_3h电性连接至感测线432。
在图7f的实施例中子共同电极com是形成在像素电极pe之上，但在其他实施例中子共同电极com也可以形成在像素电极pe之下。举例来说，请参照图7g。图7g与图7f相似的元件便不再重复赘述。在图7g中，像素电极pe形成于第二绝缘层ins2上。第二金属层m2形成于第二绝缘层ins2上，以形成源极420s、漏极420d与数据线431。源极420s与漏极420d通过第一接触孔5k_1h与第二接触孔5k_2h与半导体层420c电性连接，漏极420d电性连接像素电极pe。第三绝缘层ins3形成于第二金属层m2上。第三金属层m3形成于第三绝缘层ins3上，感测线432在显示区域内属于第三金属层m3。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3上，且第四绝缘层ins4包括第三接触孔7g_3h以暴露出感测线432。子共同电极com形成于第四绝缘层ins4上，子共同电极com通过第三接触孔7g_3h电性连接至感测线432，且感测线432在内嵌式触控显示面板的法向量720上与数据线431至少部分重叠。
请参照回图4的非显示区域102，感测线432具有第一部分441与第二部分442。其中第二部分442属于第三金属层m3，但第一部分441可以属于第一金属层、第二金属层或第三金属层。连接结构440是形成于非显示区域102，用以电性连接第一部分441与第二部分442，以下将举多个实施例来详细说明。
图8a是沿着图4的切线bb’绘示连接结构440的剖面图。在图8a的实施例中，第一部分441是属于第一金属层m1。具体来说，第一部分441是形成于第一基板sub上。第一绝缘层ins形成于第一金属层m1上，且具有第一接触孔8a_1h以暴露出第一部分441。第二绝缘层ins2形成于第一绝缘层ins1上，且具有第二接触孔8a_2h以对应至第一接触孔8a_1h。第二部分442形成于第二绝缘层ins2上。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3与第二绝缘层ins2上，并且具有第三接触孔8a_3h与第四接触孔8a_4h，其中第三接触孔8a_3h是对应至第二接触孔8a_2h，第四接触孔8a_4h则暴露出第二部分442。第二透明导电层512形成于第四绝缘层ins4上，通过第四接触孔8a_4h电性连接至第二部分442，并且通过第一接触孔8a_1h、第二接触孔8a_1h与第三接触孔8a_3h电性连接至第一部分441。如此一来，第一部分441会电性连接至第二部分442。
图8b是沿着图4的切线bb’绘示连接结构440的剖面图。请参照图8b，在图8b的实施例中，第一部分441是属于第二金属层m2。具体来说，第一绝缘层ins1形成于第一基板sub上。第一部分441是形成于第一绝缘层ins1上。第二绝缘层ins2具有第一开8b_1h口以暴露出第一部分441。第二部分442是形成于第二绝缘层ins2上。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3上，第四绝缘层ins4具有第二接触孔8b_2h与第三接触孔8b_3h，其中第二接触孔8b_2h对应至第一接触孔8b_1h，第三接触孔8b_3h暴露出第二部分442。第二透明导电层512通过第三接触孔8b_3h电性连接至第二部分442，并通过第一接触孔8b_1h与第二接触孔8b_2h电性连接第一部分441。
图8c是沿着图4的切线bb’绘示连接结构440的剖面图。请参照图8c，在图8c的实施例中，第一部分441是属于第三金属层m3。具体来说，第一部分441与第二部分442是形成于第二绝缘层ins2上。第三绝缘层ins3具有第一接触孔8c_1h以暴露出第一部分441，以及第二接触孔8c_2h以暴露出第二部分442。第二透明导电层512通过第一接触孔8c_1h电性连接至第一部分441，并通过第二接触孔8c_2h电性连接至442第二部分。
请参照图4，数据线431具有第一部分461与第二部分462，连接结构450是用以电性连接第一部分461与第二部分462。其中第二部分462是属于第二金属层，而第一部分461可属于第一金属层或是第二金属层。举例来说，请参照图8d，第一绝缘层ins1形成于第一基板sub之上，第二金属层m2形成于第一绝缘层ins1之上，并具有第一部分461与第二部分462。第二绝缘层ins2形成于第二金属层m2之上，并且具有第一接触孔8e_1以暴露出第一部分461，以及第二接触孔8e_2h以暴露出第二部分462。第二透明导电层512形成于第二绝缘层ins2之上，通过第一接触孔8e_1电性连接至第一部分461，并通过第二接触孔8e_2h电性连接至第二部分462。
另一方面，图8e的实施例可应用于图7c至7e的实施例中，其中第一绝缘层ins1形成于第一基板sub之上。第一金属层m1包括第一部分461，并形成于第一绝缘层ins1之上。第二绝缘层ins2形成于第一金属层m1之上，并且具有第一接触孔8h_1h以暴露出第一部分461。第二金属层m2包括第二部分462，并形成于第二绝缘层ins2之上。第三绝缘层ins3形成于第二金属层m2之上，并且具有对应至第一接触孔8h_1h的第二接触孔8h_2h，以及第三接触孔8h_3h以暴露出第二部分462。第二透明导电层512形成于第三绝缘层ins3之上，通过第二接触孔8h_2h与第一接触孔8h_1h电性连接至第一部分461，且通过第三接触孔8h_3h电性连接至第二部分462。
图8a至图8d的实施例可以应用于图5a与图5b的例子当中，在图8a至图8d中并没有形成第三绝缘层ins3，这是因为在一些例子中第三绝缘层ins3为有机绝缘层，厚度较大，为了避免形成太深的接触孔，因此没有形成第三绝缘层ins3。
请参照回图4，在一些实施例中数据线431也可以通过连接结构450转接至第一金属层或第三金属层，或者是维持在第二金属层(例如图8d的连接结构)。连接结构450与连接结构440类似，都是通过透明导电层来电性连接不同的金属层。然而，本领域一般技术人员当可以根据图8a至图8c的教示而设计出适用数据线的连接结构450。另一方面，在上述图8c与图8d的实施例中，虽然第一部分441与第二部分442都属于相同的金属层，但额外设置连接结构440可以使感测线432与数据线431的阻抗匹配。
请参照图6，在图6的实施例中，感测线432具有第一部分611与第二部分612。第二部分612是属于第三金属层，但第一部分611可属于第一金属层、第二金属层或是第三金属层。连接结构610是设置于非显示区102，用以电性连接第一部分611与第二部分612。以下将举多个实施例来说明连接结构610。
请参照图6与图9a，图9a是沿着图6的切线dd’绘示连接结构610的剖面图。在图9a的实施例中，第一部分611是属于第一金属层m1。具体来说，属于第一金属层m1的第一部分611是形成于第一基板sub上。第一绝缘层ins1是形成于第一金属层m1上且具有第一接触孔9a_1h以暴露出第一部分611。属于第二金属层m2的金属电极901通过第一接触孔9a_1h电性连接至第一部分611。金属电极901并不会电性连接至其他同属第二金属层m2的数据线、源极或漏极。第二绝缘层ins2形成于金属电极901上，第二绝缘层ins2具有第二接触孔9a_2h以暴露出金属电极901。属于第三金属层m3的第二部分612形成于第二绝缘层ins2上，并且通过第二接触孔9a_2h电性连接至金属电极901。第四绝缘层ins4形成于第三金属层m3上，第四绝缘层ins4具有第三接触孔9a_3h以暴露出第二部分612。属于第二透明导电层512的电性连接部分912通过第三接触孔9a_3h电性连接至第二部分612。电性连接部分912并不会电性连接至同属于第二透明导电层512的其他像素电极或子共同电极。如此一来，第二部分612可以通过金属电极901电性连接至第一部分611。上述的金属电极901是用以避免连接结构610中的接触孔太深，而电性连接部分912是用以避免第二部分612受到后续工艺的侵蚀。
请参照图6与图9b，在图9b的实施例中，第一部分611是属于第二金属层m2。具体来说，第一绝缘层ins1是形成于第一基板sub上。第一部分611形成于第一绝缘层ins1上。第二绝缘层ins2具有第一接触孔9b_1h以暴露出第一部分611。第二部分612是形成于第二绝缘层ins2上，并且通过第一接触孔9b_1h电性连接至第一部分611。第四绝缘层ins4具有第二接触孔9b_2h以暴露出第二部分612。属于第二透明导电层512的电性连接部分921通过第二接触孔9b_2h电性连接第二部分612。其中，电性连接部分921并没有电性连接至其他同属于第二透明导电层512的像素电极或是子共同电极，电性连接部分921是用以避免第二部分612受到后续工艺的侵蚀。
请参照图6与图9c，在图9c的实施例中，第一部分611与第二部分612都属于第三金属层m3。如图9c所示，第一绝缘层ins1、第二绝缘层ins2、第三金属层m3与第二透明导电层512是依序形成于第一基板sub上。第二透明导电层512是用以避免第三金属层m3受到后续工艺的侵蚀。
在图6的实施例中，数据线431上设置有连接结构620，连接结构620是用以将数据线431转接至第一金属层m1或第三金属层m3，或者是维持在第二金属层m2。本领域一般技术人员当可依据上述对于连接结构610的描述而设计出连接结构620。在通过连接结构610、620的转接以后，数据线431与感测线432是属于不同的金属层。
请参照图4与图6，虽然在以上的实施例中，图4中是应用了连接结构440，而图6是应用了连接结构610，但本发明并不在此限。连接结构440也可以应用在图6的实施例中，而连接结构610也可以应用在图4的实施例中。另一方面，在这些实施例中，像素电极可以形成于子共同电极上，或相反。换言之，上述三个选项：感测线432是否覆盖数据线431，像素电极是否在子共同电极上，应用连接结构440或连接结构610，这些选项可以任意的搭配。此外，本发明也不限制数据线431以及感测线432要转接至第一金属层m1、第二金属层m2或第三金属层m3，优选的实施例中数据线431以及感测线432在非显示区域102内是属于不同的金属层，如此一来两者之间的线距(pitch)可以缩小。
在上述的实施例中设置有信号线转接区103，其中的连接结构用以将数据线/感测线转接至不同的金属层。然而，在一些实施例中，若面板的解析度需求较低，连接结构的功能可以实作在触控垫以及/或显示垫之中。
在本说明书中提到的内嵌式触控显示面板例如是采用自容式的电容感测方法，亦即驱动感测讯号以及接收感测讯号都是通过感测线传导至触控电极与触控垫。而在本说明书中提到的金属层可为铝、铜、钛、钨等单一金属层或者是钼/铝/钼、钛/铝钛、钛/铜/钛等复合金属层，本发明并不在此限。另一方面，在本说明书中提到的绝缘层可以为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合适的绝缘层，并且在图示中的一层绝缘层可以包含两层以上材料不同且彼此堆叠的绝缘层。此外，在图示中有些接触孔或开口具有垂直的侧壁，而有些接触孔或开口具有倾斜的侧壁，但本领域的技术人员当可理解实务上所有的接触孔与开口都具有倾斜的侧壁，本案的图式仅为示意图。在本案提到“接触孔以暴露”时，所指的可以是部分暴露下方的元件，或者是依照需求完全暴露下方的元件，本发明并不在此限。
以下举例说明显示面板的制作方法。图10a至图10g是根据一实施例绘示形成像素结构的中间程序的俯视图。请同时参照图4、图5a与图10a，首先形成第一金属层m1。请参照图4、图5a与图10b，接着在第一金属层m1上形成第一绝缘层ins1(未绘示于图4与图10b)、半导体层420c、以及在半导体层420c上的欧姆接触层(未绘示)。此第一绝缘层ins1可为氮化硅、氧化硅或其他合适的绝缘层。半导体层420c可为非晶硅或金属氧化物，本发明不在此限。而欧姆接触层则可为参杂的n型多晶硅或高导电率的金属氧化物，用以电性连接半导体层420c与后续的第二金属层m2。
请参照图4、图5a与图10c，接着形成第二金属层m2，第二金属层m2包括了漏极420d与源极420s。接着在第二金属层m2与第一透明导电层511上形成第二绝缘层ins2与第三绝缘层ins3。为了附图的清楚起见，第二绝缘层ins2与第三绝缘层ins3未绘示于图10c。第二绝缘层ins2可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合适的绝缘层。第三绝缘层ins3可为有机绝缘层。
请参照图4、图5a与图10d，接着形成第一透明导电层511，此第一透明导电层511包括了像素电极pe。第一透明导电层511可为氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、氧化锑锡(antimonytinoxide，ato)、氧化氟锡(fluorinetinoxide，fto)或其他导电且透明的材料。
请参照图4、图5a与图10e，接着形成第三金属层m3。第三金属层m3包括感测线432。请续参照图4、图5a与图10f，接着在第三金属层m3上形成第四绝缘层ins4。第四绝缘层ins4具有接触孔5a_3h，用以暴露出部分的感测线432。第四绝缘层ins4可为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或其他合适的绝缘层。
请参照图4、图5a与图10g，接着在第四绝缘层ins4上形成第二透明导电层512。第二透明导电层512通过接触孔5a_3h电性连接至感测线432。第二透明导电层512在像素结构内也被当作是子共同电极com，并且具有间隙512s。第二透明导电层512可为氧化铟锡(indiumtinoxide，ito)、氧化铟锌(indiumzincoxide，izo)、氧化锑锡(antimonytinoxide，ato)、氧化氟锡(fluorinetinoxide，fto)或其他导电且透明的材料。
虽然本发明已以实施例公开如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的为准。