In‑Cell触控面板及其制造方法与流程

本发明属于液晶显示技术领域，尤其涉及一种In-Cell触控面板及其制造方法。

背景技术：

随着移动终端的发展，触控面板的使用范围越来越广，In-Cell触控是目前最前沿的一类触控技术，In-Cell触控面板更加轻薄，显示也更加清晰，In-Cell触控主要分为互容和自容两大类，但是几乎所有现有的技术方案都需要在原来非触控的制成上新增触控层，以实现触控的功能，新增加的制成改变了原有的工艺，工程师不仅要解决设计原理上的问题，更要调试新的工艺，由此来看，良率更加难以保证。

图1为现有自容式In-Cell触控面板的剖视图，自容式In-Cell触控面板包括：栅极101、覆盖栅极101的栅极绝缘层102、位于栅极绝缘层102上的半导体层103、位于半导体层103上的刻蚀阻挡层104、位于刻蚀阻挡层104上且均与该半导体层103接触的源漏极105、覆盖在源漏极105上的绝缘层106、覆盖在该绝缘层106上的JAS层107、位于JAS层107上的透明共通电极108、覆盖该透明共通电极108的触控绝缘层109、位于该触控绝缘层109上且与透明共通电极108接触的触控信号线110、位于触控信号线110上的像素绝缘膜111、以及位于像素绝缘膜111上且与漏极连接的透明像素电极112。

现有自容式In-Cell触控面板由于有一层额外的触控信号线110，为了降低触控信号线110与数据线之间的寄生电容，因此将触控信号线110放置在JAS层107以上，数据线放置在JAS层107以下，如此触控信号线110与透明像素电极112同在JAS层107的上方，中间只有一层像素绝缘膜111隔开，现有自容式In-Cell触控面板导致触控的某一区块接收触控信号时，其他触控区块的干扰较大，噪声会引起误检测。

现有自容式In-Cell触控面板的触控信号线放置在JAS以下，透明共通电极放置在JAS层以上，降低电容效果明显，但是工艺较复杂，良率较低。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种减少了一层触控层与一层绝缘层、制造工艺简单的In-Cell触控面板及其制造方法。

本发明提供一种一种In-Cell触控面板，包括多个像素单元，每个像素单元包括至少3个子像素单元，像素单元包括栅线、与该栅线纵横交错的数据线，还包括位于像素单元外且与数据线平行的触控数据线，该触控数据线与数据线同时形成，该触控数据线位于相邻两个像素单元之间，该触控数据线与所述栅线纵横交错。

优选地，像素单元还包括金属氧化物半导体层、位于金属氧化半导体层上的刻蚀阻挡层、以及与金属氧化物接触的源极和漏极。

优选地，金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物。

优选地，像素单元还包括位于源极和漏极上的JAS层。

优选地，像素单元还包括位于JAS层上且与触控数据线电性连接的透明共通电极。

优选地，所述In-Cell触控面板的显示模式为FFS。

本发明还提供一种In-Cell触控面板的制造方法，包括如下步骤：

第一步：第一金属线形成栅线；

第二步：在栅线上形成栅极绝缘层；

第三步：在栅极绝缘层上形成金属氧化物半导体层；

第四步：在金属氧化物半导体层上形成蚀刻阻挡层；

第五步：第二金属线形成与金属氧化物半导体层接触的源极和漏极、与栅线纵横交错的数据线、以及相邻两个像素单元之间的触控数据线；

第六步：形成位于第二金属上的第一绝缘膜；

第七步：形成位于第一绝缘膜上的JAS层；

第八步：在触控数据线上设置第一开孔；

第九步：形成位于JAS层上的透明共通电极、且透明共通电极通过第一开孔与触控数据线接触；

第十步：形成位于透明共通电极上的第二绝缘膜；

第十一步：在漏极上开设第二开孔；

第十二步：形成位于第二绝缘膜上的像素电极、且像素电极通过第二开孔与漏极电性连接。

优选地，所述金属氧化物半导体层为铟镓锌氧化物。

优选地，所述JAS层为有机绝缘膜。

本发明自容式In-Cell触控面板采用IGZO工艺，显示模式为FFS；本发明采用数据线所在金属层制作触控数据线，减少了一层触控层与一层绝缘层，制造工艺简单，与现有技术相比成本降低，良率提高。

附图说明

图1为现有自容式In-Cell触控面板的剖视图；

图2为本发明自容式In-Cell触控面板的单个像素单元的结构示意图；

图3为本发明自容式In-Cell触控面板的一个触控区域的结构示意图；

图4为本发明自容式In-Cell触控面板的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

图2为本发明自容式In-Cell触控面板的单个像素单元的结构示意图，其显示模式为FFS，In-Cell触控面板内设有多个像素单元100，每个像素单元100包括第一子像素单元10、第二子像素单元20和第三子像素单元30，像素单元100包括横向的栅线1、与该栅线1纵横交错的第一数据线21、第二数据线22、第三数据线23、以及第四数据线24，第一数据线21、第二数据线22、以及第三数据线23依序设置且相互平行。

在本实施例中，每个像素单元100包括三个子像素单元，在其他实施例中，也可以包括四个子像素单元。

第一子像素单元10由栅线1与第一数据线21交错设置，第二子像素单元20由栅线1与第二数据线22交错设置，第三子像素单元30由栅线1与第三数据线23交错设置，第一子像素单元10内设有均与栅线1和第一数据线21连接的第一TFT开关31，第二子像素单元20内设有均与栅线1和第二数据线22连接的第二TFT开关32，第三子像素单元30内设有均与栅线1和第三数据线23连接的第三TFT开关33。

自容式In-Cell触控面板还包括位于像素单元100外且与第一数据线21平行的触控数据线41，该触控数据线41位于相邻两个像素单元100之间，该触控数据线41与栅线1纵横交错。

该触控数据线41不用于数据线的信号传输，专门用于触控信号传输，即作为触控信号线。触控数据线41上设有第一开孔303，通过第一开孔303与透明共通电极304连接。

像素单元还包括金属氧化物半导体层12、位于金属氧化半导体层12上的刻蚀阻挡层13、与金属氧化物接触的源极201和漏极202、位于源极201和漏极202上的JAS层302、以及位于JAS层302上且与触控数据线41电性连接的透明共通电极304。

其中，源极201、漏极202、数据线203、和触控数据线41均由同一金属层形成的；金属氧化物半导体层12为铟镓锌氧化物。

图3为一个触控区域的表面结构示意图。即：位于相邻同一排的像素单元100之间设有一个触控数据线41。

图4为本发明自容式In-Cell触控面板的剖视图，本自容式In-Cell触控面板包括如下制作步骤：

第一步：第一金属线形成栅线1；

第二步：在栅线1上形成栅极绝缘层11；

第三步：在栅极绝缘层11上形成金属氧化物半导体层12；

第四步：在金属氧化物半导体层12上形成蚀刻阻挡层13；

第五步：第二金属线形成与金属氧化物半导体层12接触的源极201和漏极202、与栅线1纵横交错的数据线203、以及相邻两个像素单元100之间的触控数据线41；

第六步：形成位于第二金属上的第一绝缘膜301；

第七步：形成位于第一绝缘膜301上的JAS层302；

第八步：在触控数据线41上设置第一开孔303；

第九步：形成位于JAS层302上的透明共通电极304、且透明共通电极304通过第一开孔303与触控数据线41接触；

第十步：形成位于透明共通电极304上的第二绝缘膜305；

第十一步：在漏极202上开设第二开孔306；

第十二步：形成位于第二绝缘膜305上的像素电极307、且像素电极307通过第二开孔306与漏极202电性连接。

金属氧化物半导体层12为铟镓锌三种金属氧化物半导体层，即IGZO。

数据线41包括第一数据线21、第二数据线22、第三数据线23、以及第四数据线24。

JAS层为有机绝缘膜。

本发明触控数据线41和透明共通电极304均放置在JAS层302上，即在现有非触控IGZO FFS制成上只增加了一条与源漏极同一层的金属线，工艺简单，成本降低，良率提高显著。

每一个像素单元的触控数据线和栅线有一重叠区域，由于采用IGZO工艺，与a-Si工艺相比增加一层刻蚀阻挡层，因此触控数据线和栅线之间的寄生电容较小；触控数据线与透明共通电极分别放置在JAS层的下层与上层，当某一区域在接收信号时，其他区域因为寄生电容产生的噪声降低，触控灵敏度提高；触控数据线分布在每个像素单元的边缘，与数据线平行放置；在数控数据线上设计JAS层与绝缘层的开孔，按照区块的分布逻辑连接至相应区块的透明共通电极；本发明可以降低每一帧的信号频率，在显示时间不变的情况下增加触控感应的时间，提升触控效果。

本发明自容式In-Cell触控面板，为一种简单的制成实现了触控功能，并且在不影响显示和触控效果的情况下能够成功的实现触控面板的制造；本发明基于IGZO工艺开发出的自容式In-Cell触控面板，IGZO较传统a-Si有更低的Ioff，运用IGZO制程的触控面板可以延长一帧的画面时间，在延长的holding时间内IGZO面板不会对画质产生影响，而增加的时间能够用于触控感应,因此触控效果更佳；由于不改变传统的IGZO工艺，因此利用该设计生产触控面板具有更高的良率，更低的成本。

本发明自容式In-Cell触控面板采用IGZO工艺，显示模式为FFS；本发明采用数据线所在金属层制作触控数据线，减少了一层触控层与一层绝缘层，制造工艺简单，与现有技术相比成本降低，良率提高。