基于易失性阈值转变器件的神经元电路的制作方法

文档序号:14185647阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本公开提供了一种利用易失性阈值转变器件的神经元电路,包括:电容C、易失性阈值转变器件TSM及电阻R1、R2,其中:由电阻R1、电容C及激励输入构成充电回路,所述电阻R1与电容C的第一端串联构成RC串联电路,所述电容C的第二端接地并作为激励输入的一端,所述激励输入的另一端连接到电阻R1;由易失性阈值转变器件TSM、电阻R2及电容C构成放电回路,所述易失性阈值转变器件TSM与电阻R2构成串联电路,所述电容C的第一端与易失性阈值转变器件TSM相连,第二端与所述电阻R2的一端相连并接地,所述电阻R2的另一端作为神经信号动作电位输出。本公开可以实现生物神经元的积分发射特点,有利于类脑神经芯片的实现。

技术研发人员:刘琦;张续猛;刘明;吕杭柄;龙世兵;赵晓龙
受保护的技术使用者:中国科学院微电子研究所
技术研发日:2017.11.13
技术公布日:2018.04.13
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