本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种实现划片槽框架自动拼接的方法。
背景技术：
在掩膜板设计过程中，为了提高光刻曝光效率，部分工艺的量产品对划片槽设计有特殊要求，即生成一个array(阵列)＝1*1数据α后，还得基于该数据上生成一个array＝1*2的β数据。对于α数据转换成β数据较为复杂的过程，一方面手动处理耗时长，另一方面，人工处理上述划片槽手动拼接操作，很容易出错，而且一旦错误流出，会造成掩膜板废弃，wafer(晶圆)报废等直接经济损失。人为失误的几率大，给产品制造带来了较大风险。
技术实现要素：
本发明的目的在于提供一种划片槽框架拼接的方法，实现划片槽框架的自动拼接，并确保了拼接区域的工程测量图形不会因交叠而造成互相干扰。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种实现划片槽框架自动拼接的方法，包括以下步骤：步骤一，解析第一划片槽数据，提取芯片阵列，层次使用信息，单元体信息；步骤二，基于步骤一提取的信息，而后根据用户选择的工艺，划片槽宽度，重叠边距的值来生成初版第二划片槽数据；步骤三，判断初版第二划片槽数据中的拼接区域是否有交叠的工程测量图形；如没有交叠情况则判断为合格，如有交叠情况则以报错信息输出相应的提示以便人工判断和进行数据修正；步骤四，基于步骤三中合格的初版第二划片槽数据上，用户可以在界面进行选择，根据设计需要删除或替换部分工程测量图形，而后将划片槽数据以原点为中心对称进行全局调整，输出新版第二划片槽数据；步骤五，拆分新版第二划片槽数据为上下两部分，分别于第一划片槽数据做比对，如差异符合设计目的，则判定为新版第二划片槽数据检查合格，否则判定为新版第二划片槽数据检查不合格。
优选地，所述步骤三中，如没有交叠情况则判断为合格，如有交叠情况则以报错信息输出相应的提示以便人工判断和进行数据修正。
优选地，所述步骤三中的提示包含工程测量图形名称，坐标位置及错误数量。
优选地，所述步骤四中，对于特殊的操作需求，用户可以进行选择性设置。
优选地，所述特殊的操作需求为删除或替换部分工程测量图形。
优选地，所述步骤五中，将输出的新版第二划片槽数据会和第一划片槽数据进行比对，以保证数据的正确性。
优选地，所述第一划片槽数据为阵列等于1*1的α划片槽数据，所述第二划片槽数据为阵列等于1*2的β划片槽数据。
优选地，所述方法支持划片槽宽度有50um或60um的风车型和划片槽宽度为80um的标准型。
本发明可以达到的技术效果是：
本发明直接读取α划片槽的版图数据并通过提取芯片标识层确定芯片阵列，而后根据划片槽宽度，repeatmargin(重叠边距)等设定值进行计算，实现划片槽框架的自动拼接，并确保了拼接区域的工程测量图形不会因交叠而造成互相干扰。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1为本发明实现划片槽框架自动拼接的方法的流程图。
具体实施方式
本发明的实现划片槽框架自动拼接的方法如图1所示，包括以下步骤：
步骤一，解析α划片槽数据，提取芯片阵列，层次使用信息，单元体信息等。
由于5x掩模板最大曝光尺寸(xp×yp)为22mm×22mm，5x掩模板最大曝光尺寸(xp×yp)为25mm×33mm。划片槽宽度有50um/60um/80um可选。根据mainchip(主芯片)尺寸(cx：客户主芯片x方向尺寸；cy：客户主芯片y方向尺寸)以及划片槽宽度(sw)，重叠边距(rm)的值，芯片的横向个数(ax)，芯片的纵向个数(ay)，计算出5xframeshotsize(α划片槽曝光尺寸)：
x方向最大曝光尺寸mx＝(cx+sw)×ax+2×rm(要求mx＜22mm)
y方向最大曝光尺寸my＝(cy+sw)×ay+2×rm(要求mx＜16.5mm)基于以上5xframe设计过程后，就有了α划片槽数据(array1*1frame)的生成，然后在5xframe基础上按array＝1*2的方式来生成4xframe(array＝1*2的β划片槽数据)，从而能有效提高4x掩模板光刻时的曝光效率。
步骤二，基于步骤一提取的信息，而后根据用户选择的工艺，划片槽宽度，重叠边距的值来生成初版β划片槽数据。
步骤三，判断初版β划片槽数据中的拼接区域是否有交叠的工程测量图形；如没有交叠情况则判断为合格，如有交叠情况则以报错信息输出相应的提示(包含工程测量图形名称，坐标位置，错误数量)，以便人工判断和进行数据修正。
步骤四，基于步骤三中合格的初版第二划片槽数据上，用户可以在界面进行选择，根据设计需要删除或替换部分工程测量图形，而后将划片槽数据以原点(0，0)为中心对称进行全局调整，输出新版第二划片槽数据。
步骤五，拆分β’划片槽数据为上下两部分，分别与α划片槽数据做比对，如差异符合设计目的，则判定为β’划片槽数据检查合格，否则判定为β’划片槽数据检查不合格。
此外，也可以通过改变算法规则来灵活实现更复杂的划片槽拼接，目前支持划片槽宽度有50um/60um风车型和划片槽为80um的标准型。
本发明实现了一种实现划片槽框架自动拼接的设计方法，这个方法不同于以往手动拼接方法，而是利用c++语言为编程，利用readgdsiii解析模块，wxwidgets为窗体设计，通过编写程序，直接读取版图数据，用户可以通过gui界面，快速调入需要处理的α数据，选择工艺类型、划片槽宽度、重叠边距等信息后，工具会提取数据主芯片标识层，确定chiparray&chippitch，然后自动生成β划片槽数据，工作时间由原来的2小时缩短为10秒左右即可完成。
本发明的技术效果在于，本发明有自检功能，可以针对拼接区域由于α划片槽数据本身对准标记放置有偏移等错误情况进行自动分析：第一，能识别出交叠的工程测量图形并定位图形坐标，第二，按上下两部分拆分β划片槽数据，然后分别与原始的α划片槽数据做比较(chksub)，以保证没有改动到与本次设计不相关的cell(单元体)以及划片槽层次结构，有效地避免了错误的流出，保证划片槽数据的正确性。