一种数据存储设备的自毁装置及其方法与流程

本发明涉及信息安全装置技术领域，特别涉及一种数据存储设备的自毁装置及其方法。

背景技术：

对于需要保密存储数据的设备，在紧急情况下需要对存储芯片进行主动烧毁。针对目前大多数的自毁设计方案，自毁功能主要有两类，一类是软件自毁，另一类是硬件物理自毁。软件自毁的实现一般都是在必要的时候通过软件清除存储芯片的数据以达到保密的作用；硬件物理自毁的方法一般是通过物理损毁存储设备达到保密作用，而此类自毁的设计大多采用被动的自毁。

软件自毁一般需要手动启动自毁程序，按步骤去清除存储芯片的数据；硬件自毁则需要机械毁坏存储芯片，属于被动式自毁。这两类自毁技术在某些紧急情况下操作均会显得十分不便。

技术实现要素：

针对现有技术的缺陷，本发明提供一种数据存储设备的自毁装置及其方法。

本发明解决其技术问题的解决方案是：一种数据存储设备的自毁装置，包括：按键、单片机、升压电路、基础电压端、接地端、防反二极管、上拉电阻，所述按键的一端分别与上拉电阻的一端、单片机的第一gpio口连接，所述上拉电阻的另一端与基础电压端连接，所述按键的另一端与接地端连接，所述升压电路包括升压芯片、电感、场效应管、续流二极管、第一电阻、第二电阻，所述场效应管的源极与基础电压端连接，所述场效应管的栅极与单片机的第二gpio口连接，所述场效应管的漏极分别与电感的一端、升压芯片的电源端连接，所述电感的另一端分别与续流二极管的正极、升压芯片的开关端连接，所述续流二极管的负极分别与第一电阻的一端、防反二极管的正极连接，所述第一电阻的另一端分别与升压芯片的反馈端、第二电阻的一端连接，所述第二电阻的另一端与接地端连接，所述防反二极管的负极外接存储芯片的电源端，所述升压芯片用于将所述基础电压抬升至摧毁电压。

进一步，所述摧毁电压≥4倍的基础电压。

进一步，所述单片机的型号为：stm32f030f4p6，所述升压芯片的型号为：tps61040dbvrg4。

一种数据存储设备的自毁方法，包括步骤：

判断自毁装置是否处于自毁激活模式；

若所述自毁装置处于自毁激活模式下，则判断是否接收到自毁信号；

若接收到所述自毁信号，则激发升压电路，用电压烧毁数据存储设备的存储芯片。

进一步，所述自毁信号为时长为3-5秒的电平信号。

本发明的有益效果是：本发明创造利用单片机获取自毁信号，并利用升压电路产生摧毁电压，通过摧毁电压对存储芯片进行烧毁，实现方便的摧毁存储设备的目的，达到对数据保密的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。显然，所描述的附图只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他设计方案和附图。

图1是实施例1自毁装置的结构示意图；

图2是实施例1自毁方法的步骤流程图。

具体实施方式

以下将结合实施例和附图对本发明的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本发明的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本发明的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本发明的实施例，本领域的技术人员在不付出创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本发明保护的范围。另外，文中所提到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本发明创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。

实施例1，参考图2，一种数据存储设备的自毁方法,包括步骤：

步骤s1、判断自毁装置是否处于自毁激活模式；

步骤s2、若所述自毁装置处于自毁激活模式下，则判断是否接收到自毁信号；

步骤s3、若接收到所述自毁信号，则激发升压电路，用电压烧毁数据存储设备的存储芯片。

其中，所述自毁信号为时长为3-5秒的电平信号。

为了更好的对该方法进行描述，本实施例以一种数据存储设备的自毁装置进行进一步的描述。

参考图1，一种数据存储设备的自毁装置，包括：按键k1、单片机u1、升压电路、基础电压端vbat、接地端、上拉电阻r3，所述按键k1的一端分别与所述单片机u1的第一gpio口pa2、上拉电阻r3的一端连接，所述上拉电阻r3的另一端与基础电压端vbat连接，所述按键k1的另一端与接地端连接，所述升压电路包括升压芯片u2、电感l1、场效应管q1、续流二极管d1、防反二极管d2、第一电阻r1、第二电阻r2，所述场效应管q1的源极与基础电压端vbat连接，所述场效应管q1的栅极通过第一电阻r1与单片机u1的第二gpio口pa0连接，所述场效应管q1的漏极分别与电感l1的一端、升压芯片u2的电源端vin连接，所述电感l1的另一端分别与续流二极管d1的正极、升压芯片的开关端lx连接，所述续流二极管d1的负极分别与第一电阻r1的一端、防反二极管d2的正极连接，所述第一电阻r1的另一端分别与第二电阻r2的一端、升压芯片u2的反馈端fb连接，所述第二电阻r2的另一端与接地端连接，所述防反二极管d2的负极外接存储芯片的电源端vt。

一般情况自毁装置默认处于自毁激活模式，即自毁装置处于工作状态，在该模式下，可响应自毁信号。用户可通过按压开关k1，当按压时间长度为3-5秒时，本实施例为5秒，单片机u1的第一gpio口pa2收到一个时长为5秒的低电平信号，则认为这个低电平信号为合法的自毁信号。单片机u1在收到所述自毁信号后，控制第二gpio口pa0，继而控制场效应管q1导通，场效应管q1导通后，基础电压端vbat为升压芯片u2供电，从而激发升压电路，使得升压芯片u2工作，并将基础电压端vbat的电压抬升至摧毁电压，其中，基础电压端vbat的电压称为基础电压，所述摧毁电压一般大于或者等于4倍的基础电压，该摧毁电压作用在存储芯片的电源端上，用于烧毁存储芯片。

作为优化，所述单片机u1的型号为：stm32f030f4p6，所述升压芯片u2的型号为：tps61040dbvrg4。

在本实施例中，上拉电阻r3的参数值为10kω,第一电阻r1的参数值为620kω，第二电阻r2的参数值为56kω，电感l1的参数值为10uh，基础电压为3.3v，摧毁电压为15v。

本发明创造利用单片机u1获取自毁信号，并利用升压电路产生摧毁电压，通过摧毁电压对存储芯片进行烧毁，实现方便的摧毁存储设备的目的，达到对数据保密的效果。

以上对本发明的较佳实施方式进行了具体说明，但本发明创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下还可做出种种的等同变型或替换，这些等同的变型或替换均包含在本技术权利要求所限定的范围内。

技术特征：

技术总结
本发明公开一种数据存储设备的自毁装置及其方法，装置包括：按键、单片机、升压电路、基础电压端、接地端、防反二极管、上拉电阻，按键的一端分别与上拉电阻的一端、单片机的第一GPIO口连接，上拉电阻的另一端与基础电压端连接，按键的另一端与接地端连接，升压电路包括升压芯片、电感、场效应管、续流二极管、第一电阻、第二电阻，升压芯片用于将所述基础电压抬升至摧毁电压。方法包括：判断自毁装置是否处于自毁激活模式；若所述自毁装置处于自毁激活模式下，则判断是否接收到自毁信号；若接收到所述自毁信号，则激发升压电路，用电压烧毁数据存储设备的存储芯片。本发明创造可用于信息安全技术领域。

技术研发人员：石庆谱;张兴恩
受保护的技术使用者：佛山市禅信通科技有限公司
技术研发日：2018.10.24
技术公布日：2019.03.29