一种rfid非接触式读卡器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种读卡器，尤其涉及一种RFID非接触式读卡器。
【背景技术】
[0002]无线射频识别是利用感应、电磁场或电磁波为传输手段，完成非接触式双向通信、获取相关数据的一种自动识别技术，该技术完成识别工作时无须人工干预，易于实现自动化且不易损坏，可识别高速运动物体并可同时识别多个射频卡，操作快捷方便，已经得到了广泛的应用，目前存在的一些读卡器，都需要读卡芯片作为基站，结构复杂，成本较高，而且读卡距离较近，不太适应RFID技术的发展。
【发明内容】
[0003]本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种RFID非接触式读卡器。
[0004]本发明通过以下技术方案来实现上述目的:
[0005]本发明包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一放大器、第二放大器、直流电源、单片机、第一三极管、第二三极管、天线、第一二极管、第二二极管和第三二极管，所述第一电阻的第一端、所述第七电阻的第一端和所述第三电阻的第一端均接地，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一放大器的同相输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端、所述第二电容的第一端和所述第一放大器的输出端连接，所述第二电容的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端同时与所述第三电阻的第二端、所述第六电阻的第一端和所述第二放大器的同相输入端连接，所述第六电阻的第二端同时与所述第五电阻的第一端、所述第七电阻的第一端和所述第二放大器的反相输入端连接，所述第五电阻的第二端与所述直流电源的正极连接，所述第二放大器的输出端与所述单片机的第一数据端连接，所述单片机的第二数据端与所述第十一电阻的第一端连接，所述第十一电阻的第二端同时与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极与所述直流电源的正极连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的发射极和所述天线的第一端连接，所述第二三极管的集电极与所述第六电容的第一端连接并接地，所述第六电容的第二端同时与所述天线的第二端和所述第十电阻的第一端连接，所述第十电阻的第二端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极同时与所述第九电阻的第一端、所述第五电容的第一端和所述第四电容的第一端连接，所述第九电阻的第二端同时与所述第五电容的第二端、所述第八电阻的第一端、所述第三电容的第一端、所述第二二极管的正极和所述第三二极管的负极连接并接地，所述第四电容的第二端同时与所述第八电阻的第二端、所述第三电容的第二端、所述第二二极管的负极、所述第三二极管的正极和所述第一放大器的反相输入端连接。
[0006]具体地，所述第一三极管为NPN型，所述第二三极管为PNP型。
[0007]本发明的有益效果在于:
[0008]本发明包含有载波产生及功率放大电路、检波电路和滤波放大电路，天线与第六电容构成串联谐振电路，使天线上获得最大的电流，从而获得更大的读卡距离，整体结构比较简单，生产成本低廉。
【附图说明】
[0009]图1是本发明电路原理图。
【具体实施方式】
[0010]下面结合附图对本发明作进一步说明:
[0011]如图1所示，本发明包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9、第十电阻R10、第i^一电阻R11、第一电容Cl、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第一放大器IC1、第二放大器IC2、直流电源DC、单片机U、第一三极管Q1、第二三极管Q2、天线TX、第一二极管Dl、第二二极管D2和第三二极管D3，第一三极管Ql为NPN型，第二三极管Q2为PNP型，第一电阻Rl的第一端、第七电阻R7的第一端和第三电阻R3的第一端均接地，第一电阻Rl的第二端同时与第二电阻R2的第一端、第一电容Cl的第一端和第一放大器ICl的同相输入端连接，第二电阻R2的第二端同时与第一电容Cl的第二端、第二电容C2的第一端和第一放大器ICl的输出端连接，第二电容C2的第二端与第四电阻R4的第一端连接，第四电阻R4的第二端同时与第三电阻R3的第二端、第六电阻R6的第一端和第二放大器IC2的同相输入端连接，第六电阻R6的第二端同时与第五电阻R5的第一端、第七电阻R7的第一端和第二放大器IC2的反相输入端连接，第五电阻R5的第二端与直流电源DC的正极连接，第二放大器IC2的输出端与单片机U的第一数据端连接，单片机U的第二数据端与第十一电阻Rll的第一端连接，第十一电阻Rll的第二端同时与第一三极管Ql的基极和第二三极管Q2的基极连接，第一三极管Ql的集电极与直流电源DC的正极连接，第一三极管Ql的发射极同时与第二三极管Q2的发射极和天线TX的第一端连接，第二三极管Q2的集电极与第六电容C6的第一端连接并接地，第六电容C6的第二端同时与天线TX的第二端和第十电阻RlO的第一端连接，第十电阻RlO的第二端与第一二极管Dl的正极连接，第一二极管Dl的负极同时与第九电阻R9的第一端、第五电容C5的第一端和第四电容C4的第一端连接，第九电阻R9的第二端同时与第五电容C5的第二端、第八电阻R8的第一端、第三电容C3的第一端、第二二极管D2的正极和第三二极管D3的负极连接并接地，第四电容C4的第二端同时与第八电阻R8的第二端、第三电容C3的第二端、第二二极管D2的负极、第三二极管D3的正极和第一放大器ICl的反相输入端连接。
[0012]本发明中由第一三极管Ql和第二三极管Q2及外围元件组成载波产生及功率放大电路，由单片机U的产生标准125kHz的载波信号，经过限流电阻(第十一电阻Rll)后送入推挽式连接的三极管功率放大电路，放大后的载波信号通过天线TX发射出去，天线TX与第六电容C6构成串联谐振电路，谐振频率为125kHz，谐振电路的作用是使天线TX上获得最大的电流，从而产生最大的磁通量，获得更大的读卡距离。由第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3及其它外围元件构成检波电路，检波电路用来去除125kHz载波信号,还原出有用数据信号。由第一放大器IC1、第二放大器IC2及部分外围电阻电容等构成滤波放大电路，其中第一放大器ICl和第二放大器IC2均采用型号为LM358的集成运算放大器，对检波后的信号进行滤波整形放大，放大后的信号送入单片机U中，由单片机U对接收到的信号进行解码，从而得到射频卡的卡信息。
【主权项】
1.一种RFID非接触式读卡器，其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第i^一电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一放大器、第二放大器、直流电源、单片机、第一三极管、第二三极管、天线、第一二极管、第二二极管和第三二极管，所述第一电阻的第一端、所述第七电阻的第一端和所述第三电阻的第一端均接地，所述第一电阻的第二端同时与所述第二电阻的第一端、所述第一电容的第一端和所述第一放大器的同相输入端连接，所述第二电阻的第二端同时与所述第一电容的第二端、所述第二电容的第一端和所述第一放大器的输出端连接，所述第二电容的第二端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端同时与所述第三电阻的第二端、所述第六电阻的第一端和所述第二放大器的同相输入端连接，所述第六电阻的第二端同时与所述第五电阻的第一端、所述第七电阻的第一端和所述第二放大器的反相输入端连接，所述第五电阻的第二端与所述直流电源的正极连接，所述第二放大器的输出端与所述单片机的第一数据端连接，所述单片机的第二数据端与所述第十一电阻的第一端连接，所述第十一电阻的第二端同时与所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极连接，所述第一三极管的集电极与所述直流电源的正极连接，所述第一三极管的发射极同时与所述第二三极管的发射极和所述天线的第一端连接，所述第二三极管的集电极与所述第六电容的第一端连接并接地，所述第六电容的第二端同时与所述天线的第二端和所述第十电阻的第一端连接，所述第十电阻的第二端与所述第一二极管的正极连接，所述第一二极管的负极同时与所述第九电阻的第一端、所述第五电容的第一端和所述第四电容的第一端连接，所述第九电阻的第二端同时与所述第五电容的第二端、所述第八电阻的第一端、所述第三电容的第一端、所述第二二极管的正极和所述第三二极管的负极连接并接地，所述第四电容的第二端同时与所述第八电阻的第二端、所述第三电容的第二端、所述第二二极管的负极、所述第三二极管的正极和所述第一放大器的反相输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种RFID非接触式读卡器，其特征在于:所述第一三极管为NPN型，所述第二三极管为PNP型。
【专利摘要】本发明公开了一种RFID非接触式读卡器，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第一放大器、第二放大器、直流电源、单片机、第一三极管、第二三极管、天线、第一二极管、第二二极管和第三二极管。本发明包含有载波产生及功率放大电路、检波电路和滤波放大电路，天线与第六电容构成串联谐振电路，使天线上获得最大的电流，从而获得更大的读卡距离，整体结构比较简单，生产成本低廉。
【IPC分类】G06K7-00
【公开号】CN104573583
【申请号】CN201310496627
【发明人】巫梦飞, 陈伟, 周卫民
【申请人】成都新方洲信息技术有限公司
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2013年10月22日