一种降低nandflash控制器功耗的方法

文档序号:8282061阅读:451来源:国知局
一种降低nand flash控制器功耗的方法
【技术领域】
[0001]本发明属于遥外测系统,应用于抗高过载记录器设计领域,具体涉及一种降低nand flash控制器功耗的方法。
【背景技术】
[0002]记录器为了抗落地冲击,需层层防护,导致记录器内部电子元器件工作产生的热量无法扩散而在内部积蓄,如果热量过高,将影响记录器工作可靠性,缩短记录器的工作时间。
[0003]电子元器件工作时产生的功耗与工作频率有关,因此如何保证在不改变记录器中nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下,使用尽可能低的时钟频率成为要解决的关键技术问题。

【发明内容】

[0004]本发明的目的是克服现有技术的缺陷,提供一种降低nand flash控制器功耗的方法。
[0005]为了实现上述目的,本发明的技术方案为,一种降低nand flash控制器功耗的方法,包括以下步骤:
[0006]步骤1,将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2 ;
[0007]步骤2,对系统时钟进行反向操作;
[0008]步骤3, nand flash控制器进行读操作时,在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前,系统时钟控制计数器记录N个值,在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号,其中的N为1、2、3、4……,其上限为nand flash芯片的页容量;在1^11(1 flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作;
[0009]步骤4,步骤3进行的同时,系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作,从而生成新的nand flash芯片读写信号。
[0010]本发明在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下,将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2,从而降低了 nand flash控制器的功耗。
【附图说明】
[0011]图1为改进前读写时序图。
[0012]图中,读写信号频率为20MHz,系统时钟频率为40MHz。
[0013]图2为改进后读与时序图。
[0014]图中,读写信号频率为20MHz,系统时钟频率为20MHz。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图和实施例对本发明进行进一步描述。
[0016]nand flash芯片的读写信号由nand flash控制器产生,在以往nand flash控制器的设计中,靠系统时钟来触发产生nand flash芯片的读写信号,如图1所示,具体步骤如下:
[0017]步骤1,在系统时钟的上升沿的触发下控制nand flash芯片的读写信号由高电平变为低电平;
[0018]步骤2,在下一个系统时钟的上升沿将nand flash芯片的读写信号由低电平变为高电平。
[0019]如果采用传统的实现方式,完成nand flash芯片的一次读写操作至少需要两个系统时钟周期。本次发明中,在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下,将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2,从而降低了 nand flash控制器的功耗,如图2所示,具体实现方式如下:
[0020]步骤1,将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2 ;
[0021]步骤2,对系统时钟进行反向操作;
[0022]步骤3, nand flash控制器进行读操作时,在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前,系统时钟控制计数器记录N个值,在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号,其中的N为1、2、3、4……,其上限为nand flash芯片的页容量;在1^11(1 flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作;
[0023]步骤4,步骤3进行的同时,系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作,从而生成新的nand flash芯片读写信号。
[0024]上面对本发明的实施例作了详细说明,上述实施方式仅为本发明的最优实施例,但是本发明并不限于上述实施例,在本领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
【主权项】
1.一种降低nand flash控制器功耗的方法,其特征在于包括以下步骤: 步骤I Jfnand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2 ; 步骤2,对系统时钟进行反向操作; 步骤3, nand flash控制器进行读操作时,在nand flash控制器从nand flash芯片读N个字节的数据之前,系统时钟控制计数器记录N个值,在计数器计数期间nand flash控制器产生一个读写使能信号,其中的N为1、2、3、4……,其上限为nand flash芯片的页容量;在nand flash控制器进行写操作时亦进行同样的操作; 步骤4,步骤3进行的同时,系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作,从而生成新的nand flash芯片读写信号。
【专利摘要】本发明公开了一种降低nand flash控制器功耗的方法,包括以下步骤:步骤1,将nand flash控制器的系统时钟频率降为之前的1/2;步骤2,对系统时钟进行反向操作;步骤3,nand flash控制器进行读写操作;步骤4,步骤3进行的同时,系统时钟与nand flash控制器产生的读写使能信号进行“或”操作,从而生成新的nand flash芯片读写信号。本发明在不改变nand flash控制器对nand flash芯片读写速度的前提下,将nand flash控制器的系统时钟频率减少到之前的1/2,从而降低了nand flash控制器的功耗。
【IPC分类】G06F3-06
【公开号】CN104598160
【申请号】CN201310531141
【发明人】胡光东, 宋蔚皓, 李骥, 金文 , 李宝
【申请人】北京航天长征飞行器研究所, 中国运载火箭技术研究院
【公开日】2015年5月6日
【申请日】2013年10月31日
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