光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触摸技术领域，特别是指一种光学传感单元、触摸面板及其制作方法、 显示装置。
【背景技术】
[0002] 现有技术中的触摸面板主要使用光学传感单元来判断触摸位置，主流的光学传 感单元一般包括两个薄膜晶体管（TFT)和一个存储电容，其中一个薄膜晶体管为感光 (Photo)薄膜晶体管，另外一个薄膜晶体管为读取（Readout)薄膜晶体管。在光学传感单元 被照射光线时，感光薄膜晶体管会一直产生漏电流储存于旁边的存储电容当中，而每个感 光周期读取薄膜晶体管会打开一次，读出存储电容当中储存的电讯号，通过读取薄膜晶体 管读出的电讯号即可知道感光薄膜晶体管的照光状况，从而判断出触摸位置。
[0003] 感光薄膜晶体管需要感受外界光线，因此，感光薄膜晶体管必须能照射到外界光； 但是读取薄膜晶体管是不能照射到外界光的，否则读取薄膜晶体管会产生不良的光电流， 影响读取出的电讯号的正确性，因此对于触摸面板来说，必须要设计黑矩阵来遮挡读取薄 膜晶体管的有源层，防止外界光照射到读取薄膜晶体管的有源层上。如果光学传感单元整 合于显示面板中，可以利用显示面板自身的黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源层，但如 果光学传感单元不整合于显示面板时，则需要额外设计专门的黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体 管的有源层，增加了工艺复杂度和制造成本。
【发明内容】
[0004] 本发明要解决的技术问题是提供一种光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显 示装置，能够利用读取薄膜晶体管的栅电极来遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额 外制作黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
[0005] 为解决上述技术问题，本发明的实施例提供技术方案如下：
[0006] 一方面，提供一种光学传感单元的制作方法，所述光学传感单元包括感光薄膜晶 体管、存储所述感光薄膜晶体管的漏电流的存储电容和读取所述存储电容中储存的电讯号 的读取薄膜晶体管，所述制作方法包括：
[0007] 形成能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到所述有源层上的 所述读取薄膜晶体管的栅电极。
[0008] 进一步地，形成所述栅电极包括：
[0009] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述读取薄膜 晶体管的栅电极。
[0010] 进一步地，所述制作方法还包括：
[0011] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层和所述读取薄膜晶体管 的有源层；和/或
[0012] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极和所述读取薄膜晶体管 的源电极、漏电极。
[0013] 本发明实施例还提供了一种光学传感单元，为采用如上所述的制作方法制作得 到，所述读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层，防止外界光照 射到所述有源层上。
[0014] 本发明实施例还提供了一种触摸面板的制作方法，包括：采用如上所述的制作方 法在衬底基板上形成所述光学传感单元。
[0015] 进一步地，所述制作方法还包括：在所述衬底基板上形成像素薄膜晶体管。
[0016] 进一步地，所述制作方法包括：
[0017] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、所述感光薄膜晶体管的 漏电极、所述像素薄膜晶体管的源电极、所述像素薄膜晶体管的漏电极和所述读取薄膜晶 体管的栅电极。
[0018] 进一步地，所述制作方法包括：
[0019] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层、所述像素薄膜晶体管的 有源层和所述读取薄膜晶体管的有源层；和/或
[0020] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极、所述像素薄膜晶体管的 栅电极和所述读取薄膜晶体管的源电极、漏电极。
[0021] 本发明实施例还提供了一种触摸面板，为采用如上所述的制作方法制作得到。
[0022] 本发明实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的触摸面板。
[0023] 本发明的实施例具有以下有益效果：
[0024] 上述方案中，光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储感光薄膜晶体管的漏电流 的存储电容和读取存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶体管，其中，读取薄膜晶体管的 栅电极能够遮挡读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到有源层上，这样就利用读取 薄膜晶体管自身的栅电极就可以遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵 来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
【附图说明】
[0025] 图1为本发明实施例触摸面板的电路示意图；
[0026] 图2为现有技术中光学传感单元的截面示意图；
[0027] 图3为本发明实施例光学传感单元的截面示意图。
[0028] 附图标记
[0029] 11、21衬底基板 13黑矩阵
[0030] 22栅绝缘层 23绝缘层
[0031] 31感光TFT的栅电极 32感光TFT的有源层
[0032] 33感光TFT的源电极 34感光TFT的漏电极
[0033] 41读取TFT的栅电极 42读取TFT的有源层
[0034] 43读取TFT的源电极 44读取TFT的漏电极
【具体实施方式】
[0035] 为使本发明的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合 附图及具体实施例进行详细描述。
[0036] 本发明的实施例提供一种光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置，能够 利用读取薄膜晶体管的栅电极来遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵 来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
[0037] 实施例一
[0038] 本实施例提供了一种光学传感单元的制作方法，所述光学传感单元包括感光薄膜 晶体管、存储所述感光薄膜晶体管的漏电流的存储电容和读取所述存储电容中储存的电讯 号的读取薄膜晶体管，所述制作方法包括：
[0039] 形成能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到所述有源层上的 所述读取薄膜晶体管的栅电极。
[0040] 本实施例制作的光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储感光薄膜晶体管的漏电 流的存储电容和读取存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶体管，其中，读取薄膜晶体管 的栅电极能够遮挡读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到有源层上，这样就利用读 取薄膜晶体管自身的栅电极就可以遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩 阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
[0041] 进一步地，为了减少构图工艺，形成所述栅电极包括：
[0042] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述读取薄膜 晶体管的栅电极。
[0043] 进一步地，为了减少构图工艺，所述制作方法还包括：
[0044] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层和所述读取薄膜晶体管 的有源层；和/或
[0045] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极和所述读取薄膜晶体管 的源电极、漏电极。
[0046] 实施例二
[0047] 本发明实施例还提供了一种光学传感单元，为采用如上所述的制作方法制作得 到，所述读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层，防止外界光照 射到所述有源层上。
[0048] 本实施例的光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储感光薄膜晶体管的漏电流的 存储电容和读取存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶体管，其中，读取薄膜晶体管的栅 电极能够遮挡读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到有源层上，这样就利用读取薄 膜晶体管自身的栅电极就可以遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵来 遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
[0049] 实施例三
[0050] 本发明实施例还提供了一种触摸面板的制作方法，包括：采用如上所述的制作方 法在衬底基板上形成所述光学传感单元。
[0051] 本实施例制作的触摸面板中，读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡读取薄膜晶体 管的有源层、防止外界光照射到有源层上，这样就利用读取薄膜晶体管自身的栅电极就可 以遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源 层。
[0052] 进一步地，所述制作方法还包括：在所述衬底基板上形成像素薄膜晶体管。
[0053] 进一步地，为了减少构图工艺，所述制作方法包括：
[0054] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、所述感光薄膜晶体管的 漏电极、所述像素薄膜晶体管的源电极、所述像素薄膜晶体管的漏电极和所述读取薄膜晶 体管的栅电极。
[0055] 进一步地，为了减少构图工艺，所述制作方法包括：
[0056] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层、所述像素薄膜晶体管的 有源层和所述读取薄膜晶体管的有源层；和/或
[0057] 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极、所述像素薄膜晶体管的