一种M-Bus接口电路的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子电路技术领域，尤其涉及一种M-Bus接口电路。
【背景技术】
[0002]仪表总线(meter bus, Μ-Bus)是一种新型总线结构，M-Bus主要特点是经由两条无极性传输线来同时供电和传输串行数据，而各个子站(以不同的ID确认)并联在M-Bus总线上。将M-Bus用于各类仪表或相关装置的能耗类智能管理系统中时，可对相关数据或信号进行采集并传递至集中器，然后再通过相应的接口传至主站。利用M-Bus可大大简化住宅小区，办公场所等能耗智能化管理系统的布线和连接，且具有结构简单、造价低廉、可靠性高的特点。由M-Bus构成的能耗智能化管理系统由终端数据或信号采集子站及其M-Bus收发电路、M-Bus总线、主站及其M-Bus转换器等组成。
[0003]目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，电路非常复杂，从而导致故障率高，及成本很高的技术问题。
【发明内容】
[0004]本发明实施例提供了一种M-Bus接口电路，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。
[0005]本发明实施例提供的一种M-Bus接口电路，包括:
[0006]电源VDD, MCU，4 个三极管 Ql、Q2、Q3、Q4，8 个电阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13 ；
[0007]所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Ql的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；
[0008]所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻RlO —端连接，所述电阻RlO的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；
[0009]所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13 —端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13—端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻Rll串联，所述电阻Rll的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和所述R13的连接处连接。
[0010]可选地，所述MCU的接收端连接有电阻Rl，并连接在所述电阻R2和所述三极管Ql的集电极之间。
[0011]可选地，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极之间串联有电阻R6。
[0012]可选地，所述电源VDD与所述三极管Q2和所述电阻R6并联有两个串联连接的电阻R4和R5o
[0013]可选地，所述三极管Ql的发射极接地，基极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端连接。
[0014]可选地，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端的连接处连接有一个二极管D1。
[0015]可选地，所述电阻Rll还并联有电容C2。
[0016]可选地，所述三极管的Q4的基极和发射极之间并联有电容Cl。
[0017]可选地，所述电阻R12并联连接有串联形式的过流保护器件和二极管D3 ;
[0018]所述二极管D3为ESD保护二极管。
[0019]可选地，所述电阻R12还并联有二极管D4 ；
[0020]所述二极管D4为TVS保护二极管。
[0021]从以上技术方案可以看出，本发明实施例具有以下优点:
[0022]本发明实施例提供了一种M-Bus接口电路，包括:电源VDD，MCU，4个三极管Ql、02、03、04，8个电阻1?2、1?7、1?8、1?9、1?10、1?11、1?12、1?13 ；MCU 的发送端与电阻 R8 的一端连接，MCU的接收端连接在电阻R2的一端和三极管Ql的集电极之间，电阻R2的另一端与MCU的电源端连接；电源VDD与三极管Q2的发射极连接，三极管Q2的基极与三极管的Q4的集电极连接，三极管Q4的基极与电阻RlO—端连接，电阻RlO的另一端分别与电阻R9的一端和电阻R8的另一端连接，电阻R9的另一端与MCU的电源端连接；三极管Q2的集电极与电阻R13 —端连接，三极管Q3的发射极连接在三极管Q2的集电极与电阻R13 —端的之间，电阻R13的另一端连接有三极管Q3的基极，三极管Q3的集电极与电阻R7的一端，电阻R7和电阻Rll串联，电阻Rll的另一端接地，与三极管Q4的发射极连接，与电阻R12的一端连接，电阻R12的另一端与三极管Q3的基极和R13的连接处连接。本实施例中，通过电源VDD，MCU,4 个三极管 Ql、Q2、Q3、Q4，8 个电阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13 的连接，便实现了仅需一个电源VDD，即正电源，进行M-Bus接口的连接，使得基于M-Bus标准实现M-BUS的数据传输，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。
【附图说明】
[0023]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0024]图1为本发明实施例中提供的一种M-Bus接口电路的连接结构示意图。
【具体实施方式】
[0025]本发明实施例提供了一种M-Bus接口电路，解决了目前的M-BUS主站电路，通常用分离元器件搭电路，元器件很多，还需要正负双路电源，所造成的电路非常复杂，而导致的故障率高，及成本很高的技术问题。
[0026]为使得本发明的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而非全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
[0027]请参阅图1，本发明实施例中提供的一种M-Bus接口电路的一个实施例包括:
[0028]电源VDD, MCU，4 个三极管 Ql、Q2、Q3、Q4，8 个电阻 R2、R7、R8、R9、R10、Rll、R12、R13，可以理解的是，前述的电源VDD为M-Bus的电源，例如电压值可以是36VDC?42VDC，前述的MCU可以是单片机；
[0029]所述MCU的发送端与所述电阻R8的一端连接，所述MCU的接收端连接在所述电阻R2的一端和所述三极管Ql的集电极之间，所述电阻R2的另一端与所述MCU的电源端连接；
[0030]所述电源VDD与所述三极管Q2的发射极连接，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极连接，所述三极管Q4的基极与所述电阻RlO —端连接，所述电阻RlO的另一端分别与所述电阻R9的一端和所述电阻R8的另一端连接，所述电阻R9的另一端与所述MCU的电源端连接；
[0031]所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13 —端连接，所述三极管Q3的发射极连接在所述三极管Q2的集电极与所述电阻R13—端的之间，所述电阻R13的另一端连接有所述三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极与所述电阻R7的一端，所述电阻R7和所述电阻Rll串联，所述电阻Rll的另一端接地，与所述三极管Q4的发射极连接，与所述电阻R12的一端连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q3的基极和所述R13的连接处连接。
[0032]进一步地，所述MCU的接收端连接有电阻Rl，并连接在所述电阻R2和所述三极管Ql的集电极之间。
[0033]进一步地，所述三极管Q2的基极与所述三极管的Q4的集电极之间串联有电阻R6。
[0034]进一步地，所述电源VDD与所述三极管Q2和所述电阻R6并联有两个串联连接的电阻R4和R5。
[0035]进一步地，所述三极管Ql的发射极接地，基极与电阻R3的一端连接，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端连接。
[0036]进一步地，所述电阻R3的另一端与所述电阻R7的另一端的连接处连接有一个二极管Dl，该二极管Dl为稳压二极管，其参数和MCU电源VCC匹配使用，用于限制电阻Rll两边的电压过高，而影响所述三极管Ql的寿命。
[0037]进一步地，所述电阻Rll还并联有电容C2。
[0038]进一步地，所述三极管的Q4的基极和发射极之间并联有电容Cl，需要说明的是，前述的电容Cl和C2用于滤波。
[0039]进一步地，所述电阻R12并联连接有串联形式的过流保护器件和二极管D3，前述的过流保护器件用于防止外部短路影响电路，例如PTC热敏电阻；
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