光透导电材料的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触摸屏、有机电致发光材料、太阳能电池等使用的光透导电材料，特别 是涉及适合采用投影型静电容量式的触摸屏使用的光透导电材料。
【背景技术】
[0002] 在个人数字助理（PDA)、笔记本电脑、办公室自动化设备、医疗设备W及汽车导航 系统等电子设备中，广泛应用该些W显示屏作为输入手段的触摸屏。
[0003] 根据位置检出的方法，触摸屏分为光学式、超声波式、表面型静电容量式、投影型 静电容量式、电阻膜式等。电阻膜式的触摸屏由光透导电材料和带有光透导电层的玻璃隔 着间隔物相对设置，电流在光透导电材料中流动，带有光透导电层的玻璃上具有测量电压 该样的构造。另一方面，静电容量式的触摸屏的基本构成为在基材上具有光透导电层的光 透导电材料，特征为没有可动的部分，由于耐久性强、透射率高，适用于各种各样用途。进一 步地，由于投影型静电容量式具有能够多点同时检出的优点，广泛应用于智能手机W及平 板电脑等。
[0004] 作为用于触摸屏的光透导电材料，一般使用在基材上具有由氧化钢锡（IT0)形成 的光透导电层的材料。然而，由IT0形成的光透导电层存在W下问题：由于折光率大导致光 的表面反射大，从而存在光透导电材料的总透光率低的问题；由于柔性低，从而存在光透导 电材料弯曲时由IT0形成的光透导电层发生龟裂使光透导电材料的电阻值增高的问题。
[0005] 作为替代在基材上形成由IT0形成的光透导电层的材料的光透导电材料，在基材 上形成薄的催化剂层，在其上形成抗蚀图案后，通过锻敷法使金属层在抗蚀开口部层积，最 后通过除去抗蚀层W及由抗蚀层保护的基底金属，由此使用半加成法形成金属图案的光透 导电材料例如被专利文献1、专利文献2等公开。
[0006] 另外，近年来也有人提议将使用银盐扩散转印法的照片感光材料作为导电性材料 前体使用的方法。例如专利文献3、专利文献4和专利文献5等公开了W下技术：在基材上 至少依次具有物理显影核层和团化银乳剂层的导电性材料前体之上，使可溶性银盐形成剂 和还原剂在碱溶液中反应，形成金属银图案。由该方式制作的图案不仅能再现均一的线宽， 而且由于银在金属中导电性最高，与其他方式相比，能W更细的线宽获得高导电性。而且， 由该方法得到的银图案比由IT0形成的光透导电层具有柔初性高、折弯性强的优点。
[0007] 利用了前述投影型静电容量式的触摸屏，将两张光透导电材料贴合（所述光透导 电材料是将多个传感器元件在同一平面上进行图案化后的光透导电材料），由此制造触摸 传感器。该样的触摸传感器中，如果只有多个传感器构成触摸传感器，仅传感器元件显眼， 因此，在传感器元件W外的部分，有的进行配置与传感器元件不导通的假元件，然而，通常 由于操作者凝视画面操作触摸屏，传感器元件和假元件之间的差别由人眼观看时，会存在 记住该种不协调感（视认性高）的问题。特别是使用基材上具有金属图案的光透导电材料 制作投影型静电容量式的触摸屏的情况下，传感器元件和假元件的视认性问题的出现尤其 显著。
[0008] 面对该问题，专利文献6中，由狭缝（带状的无金属图案的部分）分割网格状金属 图案来设置传感器元件和假元件，而此时狭缝宽在20ymW上且在网格的最大尺寸W下， 并且狭缝不通过网格的交点，由此期望降低视认性。然而，即使狭缝宽在20ym，传感器元件 的轮廓也被视认，而且即使狭缝不通过网格的交点，视认性也不能充分降低。而且，一般使 用投影型静电容量式的触摸屏，与基材在同一平面上的多个平行的光透电极为并列构造， 在使用该方法制作触摸传感器的情况下，平行的光透电极之间存在短路问题。
[0009] 此外，专利文献7中，由于直线性狭缝的视认性差，提议下功夫把狭缝不做成直线 性的，然而对于视认性仍然不足。而且，使用该方法也不能解决前述的短路问题。专利文献 8中，假元件由点形成使得传感器元件和假元件的总透光率一致，尽力使视认性变得等同。 然而，由于金属图案与点的图案不同，无论如何凝视时都存在会记住眼睛捕捉到的该差异 的不协调感的问题。而且，微小点与细线组合的金属图案中，由于金属图案形成时曝光的成 晕现象等的影响，因而存在图像与设计值差异变大的情况，存在视认性变差的问题。
[0010] 现有技术文献
[0011] 专利文献
[0012] 专利文献1 ;日本专利公开公报特开2007-287994号
[0013] 专利文献2 :日本专利公开公报特开2007-287953号
[0014] 专利文献3 ;日本专利公开公报特开2003-77350号
[0015] 专利文献4 ;日本专利公开公报特开2005-250169号
[0016] 专利文献5 ;日本专利公开公报特开2007-188655号
[0017] 专利文献6 ;日本专利公开公报特开2006-344163号 [001引专利文献7 :日本专利公开公报特开2011-59771号
[0019] 专利文献8 ;日本专利公开公报特开2011-253263号
【发明内容】
[0020] 发明要解决的技术问题
[0021] 本发明的课题是提供适合作为采用静电容量式的触摸屏的光透电极的、视认性 低、减少短路发生的光透导电材料。
[0022] 解决技术问题的技术手段
[0023] 本发明使用W下光透导电材料基本上解决了上述课题，所述光透导电材料在基材 上具有由被电连接至端子部的金属图案构成的传感器元件和由未被电连接至端子部的金 属图案构成的假元件，其特征在于，在所述传感器元件和假元件具有分隔线作为虚拟边界 线的情况下，所述传感器元件的金属图案和所述假元件的金属图案的至少其中之一是沿着 所述虚拟边界线平移的图案。
[0024] 本文中，传感器元件和假元件优选由单元图形重复而成的金属图案形成。优选传 感器元件的金属图案的单元图形和假元件的金属图案的单元图形全等。优选单元图形为正 方形或菱形，线间隔在400ymW下。
[0025] 金属图案的线宽优选1~10ym。
[0026] 假元件的金属图案与传感器元件的金属图案不相连，沿着虚拟边界线（参照图2) 平移的距离优选为构成假元件和传感器元件的单元图形的边的线宽W上、100ymW下，较 优选为构成假元件和传感器元件的单元图形的边的线宽的1. 5倍W上、40ymW下。
[0027] 优选传感器元件的金属图案和假元件的金属图案不重叠，且传感器元件的金属图 案和假元件的金属图案之间没有非图像区域。
[0028] 优选在将所述假元件多区域分隔的线作为虚拟边界线的情况下，一个区域的假元 件的金属图案相对于与所述虚拟边界线相接的另一个区域的假元件的金属图案是沿着所 述虚拟边界线平移的图案。
[002引发明的效果
[0030] 本发明可W提供适合作为采用投影型静电容量式的触摸屏的光透电极的、视认性 低、减少短路发生的光透导电材料。
【附图说明】
[0031] 图1表示本发明的光透导电材料的一个例子的平面示意图。
[0032] 图2为图1的假元件和传感器元件的放大图。
[0033] 图3表示在传感器元件中W包围的形状设置假元件的一个例子的放大示意图。
[0034] 图4表示本发明优选的光透导电材料的部分放大示意图。
[0035] 图5表示使用比较例的具有非图像区域的光透导电材料的部分放大图。
【具体实施方式】
[0036]W下使用附图对本发明进行说明，只要不脱离本发明的技术范围，可W进行各种 各样的变形和修改，本发明不仅仅限于W下实施方式。
[0037] 图1表示本发明的光透导电材料的一个例子的平面示意图。图1中，本发明的光 透导电材料1在基材2上具有由金属图案构成的具有光透过性的传感器元件11和同样由 金属图案构成的具有光透过性的假元件12。传感器元件11借助配线部14与端子部15电 连接，通过该端子部15与外部电连接，可W捕捉由传感器元件11感知的静电容量的变化。 序号13表示非图像部。另一方面，未与端子部15电连接的金属图案在本发明中全部为假 元件12。
[003引图2为图1的假元件12和传感器元件11的放大图。图2中，传感器元件11由单 元图形21(为了便于说明，部分用粗线表示）重复而成的金属图案形成。作为该单元图形 21，可W使用公知的形状，例如等边H角形、等腰H角形、直角H角形等H角形；正方形、长 方形、菱形、平行四边形、梯形等四边形；（正）六边形、（正）八边形、（正）十二边形、（正） 二十边形等（正）N边形；圆；楠圆；星形等组合的图案，可W使用该些单元图形的单独重复 或者两种W上的组合等。而且，单元图形21的边也可W不是直线，例如可W由银齿线、波浪 线等构成。另外，如日本专利公开公报特开2002-223095号公开的那样，可W使用叠砖样 的图案。本发明中，作为传感器元件11和假元件12,虽然可W使用该些任意形状的单元图 形重复而成的金属图案，但优选正方形或菱形，更优选由构成单元图形的相邻两边成30~ 70°角的菱形。单元图形21的线间隔（对边间距离）优选400ymW下。此外，其线宽优 选20ymW下，较优选1~15ym，更优选1~10ym。并且，图2W后的附图中，W实线表 示的部分为金属图案实际存在，而虚线表示的部分是为方便说明而虚设的，该处不存在金 属图案。
[0039] 图2中，假元件12由与构成传感器元件11的单元图形21全等的单元图形22 (为 了方便说明，部分W粗线表示）构成。假元件12的金属图案与传感器元件11的金属图案不 相连，沿着图2所示的虚拟边界线R(传感器元件11和假元件12的分隔线）向右方平移。 该样沿着虚拟边界线R平移，使传感器元件11和假元件12的金属图案不相连、不导通，另 一方面，使传感器元件11和假元件12用眼睛难于辨认差别。
[0040] 本发明中，